「HEAT TREATMENT」に関連した英語例文の一覧と使い方(264ページ目) - Weblio英語例文検索

This arrangement 100 for the heat treatment of laver has such a construction that holders 52 are set up at regular intervals on a chain conveyor 51, a press mechanism P and a holder turning mechanism 65 are installed in a heating chamber 102, and microwave oscillators 110 and hot air sources 108 are set up above the heating chamber 102 so as to introduce both microwave and hot air into the heating chamber 102.例文帳に追加

ホルダー５２をチェーンコンベア５１に等間隔で配設し、加熱室１０２内にプレス機構Ｐ及びホルダー回転機構６５を設け、加熱室１０２の上方は、マイクロ波発振機１１０及び熱風源１０８を設け、マイクロ波及び熱風が加熱室１０２内に導入されるように加熱処理装置１００を構成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the inorganic EL element having a pair of electrodes and a luminous layer installed between the pair of electrodes, is provided with: a first step to form a lamination structure of a first layer constituted of a phosphorus oxide and a second layer constituted by adding emission center in a rare-earth oxide; and a second step to form the luminous layer by applying heat treatment to the lamination structure.例文帳に追加

無機ＥＬ素子の製造方法は、一対の電極と、一対の電極間に設けられた発光層と、を備えた無機ＥＬ素子の製造方法であって、酸化リンで構成された第１層と、希土類酸化物に発光中心を添加して構成された第２層と、の積層構造体を形成する第１ステップと、積層構造体に熱処理を施して発光層を形成する第２ステップと、を備える。 - 特許庁

To minimize the quantity of drums generated for the final treatment of a waste heat-transfer pipe and make it possible to reduce the costs required for the storage, burial disposal and the like of drums by enabling the simultaneous decontamination of both inner and outer surfaces of the pipe and the easy verification of the decontamination results with a survey meter and the like after taking out the pipe in a water supply heater.例文帳に追加

給水加熱器伝熱管を取出したのち、伝熱管の内面及び外面を共に除染できるようにして、除染結果を容易にサーベイメータ等で確認できるようにして、廃棄伝熱管の最終処理用ドラム缶の発生量をできる限り少なくすると共に、ドラム缶の保管及び埋設処分等に要する費用の削減を可能にすることを課題とする。 - 特許庁

To prevent the generation of eddy flow, and to prevent particles or contaminating substance such as NH4Cl from being mixed due to N2 gas leakage from a seal part in a state of maintaining atmospheric pressure, by closing a reaction chamber in a pressure reducing CVD apparatus for carrying out the heat treatment of a wafer in a reaction chamber with a pressure reduction reaction gas atmosphere.例文帳に追加

ウェハが減圧反応ガス雰囲気の反応室で加熱処理される減圧ＣＶＤ装置において、反応室を閉じて大気圧に維持する大気圧維持状態時に、乱流の発生を防止し、シール部分からのＮ_2ガス漏れに起因してパーティクル、あるいはＮＨ_4Ｃｌ等の汚染物質の混入がないようにする。 - 特許庁

That is, a structure where the Ni layer 14 is interposed between the base material 12 and the Al layer 16 as a barrier layer is attained, and at heat treatment for forming an Si thin film for a solar battery, for instance, mutual diffusion occurring between the Al layer 16 and the substrate 12 is prevented, and generation of a weak intermetallic compound, based on the mutual diffusion, is suppressed.例文帳に追加

即ち、基材１２とＡｌ層１６との間にＮｉ層１４がバリア層として介在している構造となり、例えば太陽電池用のＳｉ薄膜を形成する熱処理の際に、Ａｌ層１６と基材１２との間で生起する相互拡散を防止し、その相互拡散に基づく脆弱な金属間化合物の生成を抑制している。 - 特許庁

At the time of manufacturing a high conductivity and high bendability copper alloy wire composed of an in-situ formed chromium fiber reinforced copper or copper-alloy matrix composite and obtained by forming in-situ a chromium layer fiber in a copper or copper-alloy matrix, the surface of the wire is tin plated in a stage after the completion of required heat treatment and then heavy plastic working is applied to modify the plating layer.例文帳に追加

その場（In Situ)形成クロム繊維強化銅あるいは銅合金マトリックス複合材料からなる高導電性・高屈曲性銅合金線において、銅あるいは銅合金マトリックスにクロム層繊維をその場形成せしめてなる線材の製造に際し、必要な熱処理完了後の工程で、該線材表面をスズメッキし、次いで強塑性加工を加えて該メッキ層を改質してなる。 - 特許庁

The ink jet recording medium is formed such that it has at least two layers of ink acceptable layers on a paper base body, the uppermost surface layer of which consists of porosity containing a thermoplastic latex resin, and also it can be subjected to a heat transparency treatment, and further its apparent density is 0.95-1.15 g/cm3 according to JISP8118 of the paper base body.例文帳に追加

紙基体上にインク受容層を少なくとも２層有し、その最表層が熱可塑性ラテックス樹脂を含む多孔質からなり、インクジェット記録後、最表層を加熱透明化処理することのできるインクジェット記録媒体であって、前記紙基体のＪＩＳＰ８１１８による見かけ密度が０．９５〜１．１５ｇ／ｃｍ^3であることを特徴とするインクジェット記録媒体。 - 特許庁

The carbon containing refractory contains 1-30% C in mass % and the remainder aggregate is composed of one or two or more kinds of magnesia, calsia, alumina, spinel, mullite, alumina-silica base compound or SiC, and mass change rate is 0 to -1% caused by heat treatment in 1000°C in the carbon powder for 6 hours, and the kiln which is lined with this refractory.例文帳に追加

質量％で炭素を１〜３０％含有し、残部耐火骨材がマグネシア、カルシア、アルミナ、スピネル、ムライト、アルミナ−シリカ質化合物又はＳｉＣのうちの一種又は二種以上からなり、炭素粒中での１０００℃で６時間熱処理に伴う質量変化率が０〜−１％である炭素含有耐火物と、これを内張りに使用した窯炉。 - 特許庁

To provide a method capable of forming a thin film consisting of a compound of a plurality of materials greatly varying in melting points and consequently greatly varying in vapor pressures by a vacuum vapor deposition method and of obtaining a compound thin film having sufficient characteristics by performing a heat treatment within the same vacuum condition and to provide a method for forming an MbB_2 superconducting thin film by using the above method.例文帳に追加

融点が大きく異なる、従って、蒸気圧が大きく異なる複数の物質の化合物からなる薄膜を、真空蒸着法で形成でき、かつ、同一真空内で熱処理して十分な特性の化合物薄膜を得ることができる方法を提供し、また、この方法を用いたＭｇＢ_２ 超伝導薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a laminating polyester film excellent in adhesion to a metal sheet and processability, without the deposition of oligomers a whitening after remelting and a heat treatment as a metal container, and excellent in strengths, a laminated metal sheet prepared by laminating the film on a metal sheet and a metallic container made of the laminated metal sheet.例文帳に追加

金属板との密着性および成形加工性に優れ、リメルト処理や金属容器の製造後の加熱処理によっても、オリゴマーの析出や白化が起こらず、しかも強度的にも満足できるポリエステル積層フィルム、前記積層フィルムを金属板にラミネートした積層フィルムラミネート金属板、および前記積層フィルムラミネート金属板を成形した金属容器を提供すること。 - 特許庁

To provide a production method for thin film semiconductor device for adopting a novel means capable of selectively applying heating treatment to a semiconductor thin film without practically elevating a temperature with heating, concerning a member such as a base material made of polymer materials, for example, to utilize the materials of considerably inferior heat resistance in comparison with semiconductor materials.例文帳に追加

例えば、高分子材料製の基材など、半導体材料と比較して、耐熱性が大幅に劣る材料を利用する部材に対しては、加熱に伴う温度上昇を実質的に起こさず、半導体薄膜を選択的に加熱処理を行うことができる新規な手段を採用する薄膜半導体素子の製造方法の提供。 - 特許庁

A nonwoven fabric comprising heat resistant fibers and fibrillation liquid crystal polymer fibers is subjected to at least one surface treatment selected from low temperature plasma processing, surfactant processing, grafting, sulfonation, fluorination, hydroentaglement process, and resin coating thus producing a separator for an electrochemical element, e.g. a capacitor.例文帳に追加

少なくとも耐熱性繊維と、フィブリル化液晶性高分子繊維とを含有する不織布に、低温プラズマ処理、界面活性剤処理、グラフト処理、スルホン化処理、フッ素処理、水流交絡処理、樹脂コーティング処理から選ばれる少なくともひとつの表面処理が施されていることを特徴とする、キャパシタ等の電気化学素子に用いることができるセパレータ。 - 特許庁

To provide a polyimide precursor solution composition in which adjustment of viscosity of a solution is easy, the viscosity of the solution is stable, and a polyimide resin molded article such as a polyimide film having an excellent physical property equal or more to a linear polyimide can be preferably obtained by heat treatment at a relatively low temperature or in a short time.例文帳に追加

溶液の粘度調節が容易であり、溶液粘度が安定しており、且つ比較的低温或いは短時間の加熱処理によって直鎖状ポリイミドと同等あるいはそれ以上に優れた物性を有するポリイミド膜などのポリイミド樹脂成形体を好適に得ることができるポリイミド前駆体溶液組成物を提供する。 - 特許庁

A waste utilizing hydrogen system is provided with constitution for manufacturing hydrogen 14 by utilizing waste heat of waste treatment, a hydrogen-fueled vehicle is used as the waste collecting car 23, hydrogen 14 is supplied to the waste collecting car 23 in or near waste treating facilities and the waste collecting car 23 uses the hydrogen 14 as fuel.例文帳に追加

廃棄物処理の排熱を利用して水素１４を製造する構成を具備し、かつ、廃棄物収集車２３を水素燃料自動車とし、廃棄物処理施設内部または付近で水素１４を廃棄物収集車２３に供給し、廃棄物収集車２３は水素１４を燃料として使用する、廃棄物を利用した水素システムである。 - 特許庁

The manufacturing method of graphite nanofiber has a step (P1) of depositing a membrane of a growing catalyst for graphite nanofiber onto a substrate, a step (P2) of growing the graphite nanofiber by supplying a raw material gas, and a step (P3) of heat-treating the grown graphite nanofiber using a treatment gas containing hydrogen.例文帳に追加

本発明は、グラファイトナノファイバーの成長用触媒を基板上に成膜する触媒成膜工程（Ｐ１）と、原料ガスを供給して当該グラファイトナノファイバーを成長させる成長工程（Ｐ２）と、成長させた当該グラファイトナノファイバーを、水素を含有する処理ガスを用いて加熱処理を行う加熱処理工程（Ｐ３）とを有するグラファイトナノファイバーの製造方法である。 - 特許庁

As the conductive paste for forming an electrode on the semiconductor substrate for the photoelectric conversion device, there is adopted the conductive paste that includes: metal powder which mainly contains Al; and glass, frit-crystallized in a heat treatment by which the conductive paste, is glazed on the semiconductor substrate, to form the electrode.例文帳に追加

光電変換素子用の半導体基板に電極を形成するための導電性ペーストとして、Ａｌを主に含有する金属粉末と、電極を形成するために半導体基板上に導電性ペーストを焼き付ける熱処理において結晶化するガラスフリットとを含ませた導電性ペーストを採用する。 - 特許庁

Solidification is started before the initial heat radiation control by the supply of power to the electrodes in the state of the heat storage material in overcooled state in contact with the silver electrode for solidification treatment.例文帳に追加

酢酸ナトリウム３水塩を主材として含有する蓄熱材を用いてなり、該蓄熱材が硝酸銀および／または酢酸銀を含有し、該蓄熱材に接触した電極を備えてなり、そのうち少なくとも１本は銀電極である蓄熱装置において、電極への通電による初回の放熱制御の前に、過冷却状態の蓄熱材に該銀電極を接触させた状態で固化を開始させて固化処理を行うことによる蓄熱装置の電極の活性化処理方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the compound oxide catalyst which contains iron, antimony, and silica includes: a step of preparing a mixed slurry mixing at least a part of iron, antimony, and silica, and heat-treating the mixed slurry; and a step of adding the silica of an amount of 3-80% by the molar fraction based on the total amount of silica used for the catalyst production to the mixed slurry after the heat treatment.例文帳に追加

鉄、アンチモン、およびシリカを含有する複合酸化物触媒の製造方法であって、少なくとも、鉄とアンチモンとシリカの一部とを混合して混合スラリーを調製し、この混合スラリーを加熱処理する工程と、加熱処理後の混合スラリーに、触媒製造に使用する全シリカ量に対し、モル分率で３〜８０％の量のシリカを添加する工程を含むことを特徴とする複合酸化物触媒の製造方法。 - 特許庁

To structure a coolant chamber accurately without generating inconvenient deformation on a substrate even through an assembling process in conjunction with heat treatment of a power conversion circuit part without depending on a shape and arrangement of a heat radiation projection in order to improve cooling performance in manufacturing a power semiconductor module in which a power conversion circuit is formed on a metal-insulating layer bonded substrate and a liquid-cooling type cooling device is structured on a metal base side.例文帳に追加

金属−絶縁層接合基板上に電力変換回路が構成され金属ベース側に液冷式冷却装置が構成されるパワー半導体モジュールを製造するにあたり、放熱突起の形状や配置に依存することなく、電力変換回路部の熱処理を伴う組立工程を経ても当該基板に不都合な変形を生じさせることなく精度よく冷却液室を構成し、もって冷却性能の向上を図る。 - 特許庁

In the method for manufacturing the silicon nitride honeycomb filter by heat-treating a molded body containing the metal silicon particles and oxide ceramic hollow particles in a nitrogen atmosphere to convert metal silicon substantially to silicon nitride, the molded body contains inorganic particles forming a molten material by the reaction with the oxide ceramic hollow particles in the heat treatment in a content enough to substantially prevent leaving the oxide ceramic hollow particles in a state as it is.例文帳に追加

金属ケイ素粒子と酸化物セラミックス中空粒子とを含む成形体を窒素雰囲気中で熱処理することにより金属ケイ素を実質的に窒化ケイ素とする窒化ケイ素質ハニカムフィルタの製造法であって、熱処理の過程で酸化物セラミックス中空粒子と反応して溶融物を生成する無機粒子を酸化物セラミックス中空粒子がそのままの形態で残留するのを実質的に防止する含有量で成形体中に含むことを特徴とする。 - 特許庁

This method for forming an insulation film on surface of an electrode for an ozone-generating electrode is characterized by comprising a mixing process for mixing a barium titanate whisker into an inorganic metal oxide sol, a coating process for coating the sol mixed with the whisker on the electrode made of aluminum or its alloy, and a heat treatment process for heat treating the coated sol to form the insulation film.例文帳に追加

オゾン発生電極の電極板上に絶縁皮膜を形成する方法において、チタン酸バリウムウィスカーを無機質金属酸化物ゾルに混入させる、混入工程と、混入工程後の無機質金属酸化物ゾルを、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる電極板上に塗布する、塗布工程と、塗布工程後の無機質金属酸化物ゾルを熱処理して絶縁皮膜を形成する、熱処理工程と、を有することを特徴としている。 - 特許庁

The continuous heat treatment furnace 20 has the conveyance mechanism installed in a state that it penetrating a furnace body in a conveyance direction of the heat treating object 1, having a movable beam or a movable wire 3 performing prescribed conveyance operation, and is installed with an opening/closing type shutter 40 for atmosphere shutting-off in the entrance 25 and the exit 27.例文帳に追加

当該連続式熱処理炉２０の前部及び後部には、それぞれ被熱処理物１及び被熱処理物１を搬送するための搬送機構の可動部が通過する入口２５と出口２７とが設けられており、前記搬送機構として、被熱処理物１の搬送方向に炉体を貫通して設置され、所定の搬送動作を行う可動線材３又は可動ビームを有する搬送機構を備えるとともに、入口２５と出口２７とに雰囲気遮断用の開閉式シャッター４０が設置されている。 - 特許庁

This heat treatment equipment is equipped with halogen lamps 22 which preheat a semiconductor wafer W, xenon flash lamps 21, which heat the semiconductor wafer W preheated by the halogen lamps 22 up to a processing temperature by irradiating the wafer W with flashes, and a control unit 50 which controls the preheating temperature by the halogen lamps 22, according to the light volume of flashes radiated from the xenon flash lamps 21.例文帳に追加

熱処理装置は、半導体ウエハーＷを予備加熱するハロゲンランプ２２と、半導体ウエハーＷに対して閃光を照射することによりハロゲンランプ２２で予備加熱された半導体ウエハーＷを処理温度まで昇温させるキセノンフラッシュランプ２１と、キセノンフラッシュランプ２１から出射される閃光の光量に応じて対応するハロゲンランプ２２による予備加熱温度を制御する制御部５０とを備える。 - 特許庁

The method for manufacturing the polycarbonate optical retardation film having 40 to 350 nm retardation in the plane direction measured at 550 nm wavelength includes a process of forming a film to produce a film by flow casting a solution of a polycarbonate resin, a stretching process to stretch the produced film at least in one direction to obtain a stretched oriented film, and a heat treatment process to heat-treat the stretched film under low tensile condition.例文帳に追加

また、波長５５０ｎｍで測定した面内レターデーション値が４０〜３５０ｎｍであるポリカーボネート系位相差フィルムの製造方法において、ポリカーボネート系樹脂の溶液を流延製膜して膜を作製する製膜工程と、作製された膜を少なくとも一方向に延伸して延伸フィルムを得る延伸工程と、前記延伸フィルムを低張力条件下で熱処理する熱処理工程とを含むことを特徴とするポリカーボネート系位相差フィルムの製造方法である。 - 特許庁

The method of manufacturing the positive electrode for nonaqueous electrolyte battery by using the solid electrolyte includes a precursor sol solution filling process to fill a precursor sol solution of a positive electrode material with a positive electrode active material powder as a main substance in the concave part on the surface of a molding having unevenness on its surface; and a heat treatment process to heat-treat the molding filled with the precursor sol solution.例文帳に追加

固体電解質を用いた非水電解質電池用の正極の製造方法であって、正極活物質粉末を主体とし、表面に凹凸を有する成形体の表面の凹部に、正極材料の前駆体ゾル溶液を充填する前駆体ゾル溶液充填工程と、前駆体ゾル溶液が充填された成形体を熱処理する熱処理工程とを有することを特徴とする非水電解質電池用の正極の製造方法。 - 特許庁

To provide a combustor and a method for combustion in which heavy load combustion can be carried out while red NOx and SPM and the facility can be made compact even when by-production gas from an iron mill or an waste treatment facility or a new fuel having a low heat generation rate (exhaust gas from refuse incinerator) is used as well as general good quality fuels having a high heat generation rate.例文帳に追加

一般の高い発熱量をもつ良質な燃料のみならず、製鉄所、廃棄物処理施設等からの副生ガスや新たに創造される低発熱量燃料（ゴミ焼却炉からの排ガス等）を使用した場合、あるいは使用燃料種が多様化（低質化、多種燃料化）した場合においても、高負荷燃焼が可能で、低ＮＯx 化、低ＳＰＭ化が図れ、設備のコンパクト化が可能な燃焼装置および燃焼方法を提供する。 - 特許庁

The catalyst bag filter can be manufactured through an immersion process of immersing a filter substrate having voids in a solution containing the catalyst and the PTFE resin in a mass ratio of the resin to the catalyst of 5-30% and a heat treatment process of heat-treating the solution having penetrated into the filter substrate so as to leave at least part of the PTFE resin unbaked.例文帳に追加

このような触媒バグフィルターは、触媒と、前記触媒に対する質量比率が５％以上３０％以下の範囲にあるＰＴＦＥ樹脂とを含む溶液に、空隙を有するフィルター基体を浸漬して、フィルター基体内に溶液を浸透させる浸漬工程と、浸漬工程後に、フィルター基体内に浸透させた溶液を、当該溶液中のポリテトラフルオロエチレン樹脂の少なくとも一部が未焼成となるように熱処理する工程とにより製造できる。 - 特許庁

In the method of manufacturing a composite piezoelectric substrate where at least a piezoelectric substrate and an insulator substrate are stuck with adhesive and then the adhesive is cured by heat treating the substrates thus stuck, a substrate having a conductivity of 1×10^-14 [Ω^-1 cm^-1] or less is used as the insulator substrate, and the adhesive is cured by heat treatment while performing neutralization.例文帳に追加

少なくとも、圧電基板と絶縁体基板とを接着剤で貼り合わせ、前記貼り合わせた基板に熱処理を行うことにより、前記接着剤を硬化させる複合化された圧電基板の製造方法であって、前記絶縁体基板として導電率が１×１０^−１４［Ω^−１・ｃｍ^−１］以下のものを用い、前記熱処理による接着剤の硬化は、除電処理を施しながら行うことを特徴とする複合化された圧電基板の製造方法。 - 特許庁

A method for controlling formation of the acrylamide comprises heat-treating an edible food material to which an organic substance having ability of controlling the formation of the acrylamide is added, when the edible food material which is feared to form the acrylamide by heat treatment is heat-treated.例文帳に追加

加熱処理によりアクリルアミドを生成する恐れのある可食材料を加熱処理するに際し、当該可食材料にアクリルアミド生成抑制能を有する有機物質を含有せしめて加熱処理することを特徴とするアクリルアミドの生成抑制方法、この方法を用いて製造されるアクリルアミドの生成が抑制された飲食物、化粧品、医薬品又はそれらの中間製品などの組成物、並びに、アミノ基を有する有機物質及び／又はアクリルアミド生成能を有する糖質とアクリルアミド生成抑制能を有する有機物質を含有せしめてなるアクリルアミド生成抑制能を備えた飲食物、化粧品、医薬品又はそれらの中間製品などの組成物を提供することにより、上記の課題を解決する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconducting polyimide tubular product comprises subjecting the semiconducting polyimide precursor composition to rotational molding and a heat treatment.例文帳に追加

有機極性溶媒に芳香族テトラカルボン酸ジエステルと芳香族ジアミンとの略等モル量を溶解したナイロン塩型モノマー溶液に、高分子量ポリイミド前駆体溶液又は高分子量ポリアミドイミド溶液を混合して混合溶液を調製し、該混合溶液にカーボンブラックを均一分散させてなる半導電性ポリイミド系前駆体組成物、並びに該半導電性ポリイミド系前駆体組成物を回転成形して加熱処理することを特徴とする半導電性ポリイミド系管状物の製造方法を提供する。 - 特許庁

The biaxially oriented polyester film comprises polyethylene naphthalene dicarboxylate as a main component, and a storage modulus at 260°C in the viscoelasticity measurement of the film is at least 500 MPa in both directions of length and width of the film, and thermal shrinkage of both directions of length and width of the film after heat treatment of the film for 10 min at 260°C is not more than 0.5%.例文帳に追加

ポリエチレンナフタレンジカルボキシレートを主たる成分とする二軸配向ポリエステルフィルムであって、該フィルムの粘弾性測定における２６０℃の貯蔵弾性率がフィルム長手方向および幅方向においていずれも５００ＭＰａ以上であり、かつ２６０℃、１０分間熱処理したときのフィルム長手方向および幅方向の熱収縮率がともに０．５％以下である二軸配向ポリエステルフィルムによって達成される。 - 特許庁

The manufacturing method for an epitaxial wafer comprises: RIE elimination step of eliminating defects that are detected by the RIE method and measurable in an area up to at least 0.5 μm depth from the surface of the silicon substrate, by applying rapid heat treatment to the silicon substrate; and a step of forming the silicon epitaxial layer on the surface of the silicon substrate where defects having been detected by the RIE method are eliminated.例文帳に追加

前記シリコン基板に急速熱処理を施すことによって、少なくとも前記シリコン基板の表面から０．５μｍの深さまでの領域に存在するＲＩＥ法により検出される欠陥を消滅させるＲＩＥ欠陥消滅工程と、前記ＲＩＥ法により検出される欠陥を消滅させたシリコン基板の表面上に前記シリコンエピタキシャル層を形成する工程とを具備するエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 特許庁

In a channel protected thin film transistor in which an oxide semiconductor is used for a channel formation region, an oxide semiconductor layer which is dehydrated or dehydrogenated by heat treatment is used as an active layer, a crystal region formed of nanocrystals is included in a superficial portion of the channel formation region, and the other portion is amorphous or is formed of a mixture of amorphous materials and microcrystals, where an amorphous region is dotted with microcrystals.例文帳に追加

チャネル形成領域に酸化物半導体を用いたチャネル保護型の薄膜トランジスタであって、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、チャネル形成領域の表層部にはナノクリスタルで構成された結晶領域を有し、その他の部分は非晶質、または非晶質領域中に微結晶が点在した非晶質と微結晶の混合物で形成されている。 - 特許庁

This invention provides a method for manufacturing the photovoltaic module including solar cells 10 each including a semiconductor heterojunction made by combining amorphous silicon and crystalline silicon and the tabs 14 for connecting the plurality of solar cells 10 in which the tabs 14 are connected to the solar cells 10 by soldering after a high-temperature heat treatment is applied to the solar cells 10, and the plurality of solar cells 10 are electrically connected to each other with the tabs 14.例文帳に追加

この発明は、非晶質シリコンと結晶系シリコンとを組合せることにより構成されたヘテロ半導体接合を有する太陽電池セル１０と、複数の前記太陽電池セル１０を接続するタブ１４と、を備え、太陽電池セル１０に高温加熱処理を施した後、太陽電池セル１０にタブ１４を半田付けし、複数の太陽電池セル１０をタブ１４により電気的に接続して太陽電池モジュールを製造する。 - 特許庁

The method of forming the columnar structure of single crystal on a semiconductor substrate includes steps of: forming an insulating film on the semiconductor substrate; forming a groove on the insulating film to expose at least a portion of the semiconductor substrate at the bottom of the groove; forming an embedding film including at least germanium in the groove; melting the embedding film by heat treatment; and crystallizing the embedding film having been melted by using the semiconductor substrate as a seed.例文帳に追加

半導体基板上に単結晶の柱状構造を形成する方法であって、前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に溝を形成し、前記溝の底部に少なくとも前記半導体基板の一部を露出させる工程と、前記溝内部に少なくともゲルマニウムを含む埋め込み膜を形成する工程と、熱処理により前記埋め込み膜を溶融させる工程と、溶融した前記埋め込み膜を、前記半導体基板をシードとして単結晶化する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

In this method for producing α-alumina powder by using an aluminum salt such as ammonium aluminum carbonate, aluminum sulfate, ammonium aluminum sulfate and aluminum nitrate, an aluminum hydroxide or intermediate alumina powder as a starting raw material and heating the starting raw material, the α-alumina fine powder having ≤100 nm average particle diameter is obtained by performing the heat treatment in a vacuum of ≤1 Pa or a hydrogen atmosphere.例文帳に追加

アンモニウムアルミニウム炭酸塩・アルミニウム硫酸塩・アンモニウムアルミニウム硫酸塩・アルミニウム硝酸塩などのアルミニウムの塩、またはアルミニウムの水酸化物、または中間アルミナ粉末を出発原料として使用し、当該出発原料を熱処理してα-アルミナ粉末を製造する方法において、１Ｐａ以下の真空または水素雰囲気中で前記熱処理することにより、平均粒径が１００ｎｍ以下のα-アルミナ微粉末を製造することを特徴とするα-アルミナ粉末の製造方法とする。 - 特許庁

A gas separation membrane comprising hollow fibers made of a halogen modified aromatic polyimide is obtained through an imidation process of an aromatic diamine having a methylphenyl group and a carboxylic acid dianhydrate a radical halogenation process of the methylphenyl group performed before or after the imidation process, a hollow fiber spinning process and a halogen modified aromatic imide heat-treatment process performed under an atmosphere of 70-500°C before or after the spinning process.例文帳に追加

ハロゲン変性芳香族ポリイミド製の中空糸から成る気体分離膜であって、メチルフェニル基を有する芳香族ジアミンとカルボン酸二無水物とのイミド化工程と、当該イミド化工程の前または後に行う前記メチルフェニル基のラジカル的ハロゲン化工程と、中空糸の紡糸工程と、当該紡糸工程の前または後に７０〜５００℃の雰囲気下に行うハロゲン変性芳香族ポリイミドの熱処理工程とを経て得られる気体分離膜。 - 特許庁

To provide a method of forming a pattern of a semiconductor device in which a smaller photomask pattern stage can be achieved by performing an etching stage for photomask patterns using photosensitive film patterns as an etch-stop layer after forming the photosensitive film patterns between the photomask patterns by using a self-alignment system using negative photoresist and then performing a heat treatment stage for expanding the photoresist film patterns.例文帳に追加

本発明は、ネガ型フォトレジスト(Negative Type Photo Resist)を用いた自己整列方式を利用してフォトマスクパターンの間に感光膜パターンを形成し、感光膜パターンを拡大するための熱処理工程を行った後、感光膜パターンをエッチング防止膜として用いてフォトマスクパターンに対してエッチング工程を行うことにより、さらに微細なフォトマスクパターン工程が可能な半導体素子のパターン形成方法を提供するものである。 - 特許庁

An anatase type titanium dioxide excellent in crystallinity can be produced by applying anodization to the surface of a substrate comprising titanium or a titanium alloy with high-voltage application or under a high-current density condition, alternatively by applying to the heat treatment to the film made on the substrate surface by the anodization method including application of high voltage or made thereon by the anodization method under the high-current density condition.例文帳に追加

チタンまたはチタン合金からなる基材の表面に、高電圧を印加して陽極酸化を施すことによりあるいは高電流密度条件下に陽極酸化を施すことにより、結晶性に優れたアナタース型二酸化チタンを製造することができ、さらに、該基材の表面に、高電圧を印加しての陽極酸化法あるいは高電流密度条件下の陽極酸化法により作製した膜に熱処理を施すことで、結晶性に優れたアナタース型二酸化チタンを製造することができる。 - 特許庁

A coagulation of Ni under an SOFC operation condition is suppressed by calcining an NiO/YSZ composite powder with a desired ratio of nickel elements, zirconium elements, and yttrium elements in an air atmosphere or a reducing atmosphere for obtaining a green compact, and furthermore performing heat treatment to the green compact in an air atmosphere or a reducing atmosphere for evenly dispersing NiO particles or Ni and YSZ particles and also improving adhesion.例文帳に追加

ニッケル元素、ジルコニウム元素及びイットリウム元素が所望割合となったＮｉＯ／ＹＳＺ複合粉末を、大気雰囲気あるいは還元雰囲気で仮焼した粉末を圧粉体とし、さらに大気雰囲気あるいは還元雰囲気で熱処理を行うことでＮｉＯ粒子あるいはＮｉ粒子とＹＳＺ粒子を均一に分散させて、尚且つ密着性を向上させることで、ＳＯＦＣ運転条件下においてＮｉの凝集を抑制することができる。 - 特許庁

This pile yarn is obtained by combining a shrinkable staple 3, nonshrinkable staple 2 and bicomponent crimpable staple 4 together followed by heat treatment to shrink the shrinkable staple 3 along with crimping the bicomponent crimpable staple 4 to interlace the shrunk staple and nonshrinkable staple 2 with each other through the crimping effect of the bicomponent crimpable staple 4.例文帳に追加

収縮性ステープル３と、非収縮性ステープル２と、バイコンポネント捲縮ステープル４とを配合して構成され、熱処理を施して上記収縮性ステープルを収縮させるとともに上記バイコンポネント捲縮ステープルを捲縮させることにより、非収縮性ステープルと収縮性ステープルとを上記バイコンポネント捲縮ステープルの上記捲縮作用を介して交絡させてマット用パイル糸１を構成する。 - 特許庁

In this sealing method, a composition containing metal silicon particles is selectively packed in the vicinity of the opening of the through-holes to be sealed on each end surface, then the silicon nitride filter is subjected to heat treatment in a nitrogen atmosphere so that the metal silicon particles contained in the composition are nitrided and formed into silicon nitride for sealing.例文帳に追加

概ね柱状体の外形を有し、かつ相対する端面間に開口する互いに平行な複数の貫通孔を有する窒化ケイ素質フィルタの封止方法であって、前記端面の各々について、封止すべき貫通孔の開口部の近傍に金属ケイ素粒子を含む組成物を選択的に充填した後、前記窒化ケイ素質フィルタを窒素雰囲気下で熱処理し、前記組成物に含まれる金属ケイ素粒子を窒化させて窒化ケイ素にして封止することを特徴とする窒化ケイ素質フィルタの封止方法。 - 特許庁

The Nb base pipe is an Nb base alloy pipe containing Ta, and a Vickers hardness of the Nb base alloy pipe after the heat treatment is ≥150, and the superconducting connection structure is constructed by connecting the Nb_3Sn superconducting wire materials through a superconducting intermediate substance.例文帳に追加

Ｓｎを含む金属粉末を充填したＮｂ基パイプ、または、Ｓｎ基芯材を中心位置に配置したＣｕ基パイプを挿入したＮｂ基パイプを、複数本安定化銅に埋設し、これを伸線加工した後、熱処理して得られるＮｂ_3Ｓｎ超電導線材を、被接続線材の少なくとも一方として構成される超電導接続構造体において、前記Ｎｂ基パイプがＴａを含むＮｂ基合金パイプであり、熱処理後における前記Ｎｂ基合金パイプのビッカース硬度が１５０以上であると共に、超電導中間介在物を介して前記Ｎｂ_3Ｓｎ超電導線材を接続して構成された超電導接続構造体。 - 特許庁

The heat treatment apparatus includes: the hot plate for placing a substrate for heating; a hot plate temperature-controlling section for controlling the temperature of the hot plate according to the temperature of a temperature-controlled medium; and a control section.例文帳に追加

基板を載置して加熱するための加熱板と、温調媒体の温度に応じて前記加熱板を温調するための加熱板温調部と、制御部と、を備え、前記制御部は、加熱板の温度を任意の温度からその温度よりも高い第１の温度に変更するために、加熱板温調部の流路にその第１の温度よりも高い温度に温調された温調媒体を供給する一方で、加熱板の温度を任意の温度からその温度よりも低い第２の温度に変更するために、加熱板温調部の前記流路にその第２の温度よりも低い温度に温調された温調媒体を供給するように媒体温調手段と及び供給手段の動作を制御する。 - 特許庁

The imaging member comprises: a substrate 10; an undercoat layer 14 provided on the substrate; a charge generation layer 18 provided on the undercoat layer and including a mixture of a plurality of phthalocyanine pigments mutually different in sensitivity obtained by heat treatment, in which the ultimate pigment sensitivity is adjusted by the weight ratio of the phthalocyanine pigments; and a charge transport layer 20 provided on the charge generating layer.例文帳に追加

基板１０と、前記基板上に設けられた下塗層１４と、前記下塗層上に設けられ、熱処理によって得られる感度がそれぞれ異なる複数種類のフタロシアニン顔料の混合物を含み、前記フタロシアニン顔料の重量比によって最終的な顔料の感度が調整される電荷生成層１８と、前記電荷生成層上に設けられる電荷輸送層２０と、を備えることを特徴とする画像形成部材。 - 特許庁