「High Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

The system in which one CPU processes one paper sheet by using sensor data from the plurality of sensors is characterized in that a processing program that the CPU uses for each process is stored in an external memory and when each process is executed, a low-speed CPU loads the processing program into the internal memory in the high-speed CPU from the external memory.例文帳に追加

１枚の紙葉類に対して複数のセンサからのセンサデータを用いて、１つのＣＰＵが処理を実行するシステムにおいて、高速ＣＰＵが処理ごとに用いる処理プログラムを外部メモリに備え、各処理の実行時に、低速ＣＰＵが外部メモリから高速ＣＰＵ内の内蔵メモリにローディングするものである。 - 特許庁

To speed up processing by allowing high-speed access to a processing module such that intermediate data of the processing are stored in an external memory, or an address area used such that the address area is temporarily read to a memory from a storage device such as an HDD, that the processing is performed, and that memory contents are discarded when the processing is completed.例文帳に追加

処理の中間データを外部メモリに格納するような処理モジュール、或いは、一時的にＨＤＤのような記憶装置からメモリに読み出され、処理を行い、処理終了時にメモリ内容を破棄できるような使い方をするアドレスエリアに対する高速アクセスを可能とすることで、処理の高速化を図る。 - 特許庁

In another way, by applying an electric voltage between arbitrary two points of a washer made of a shape-memory alloy, the washer made of the shape-memory alloy itself is changed to a high temperature mother phase by a Joule heat generated in the washer itself, to release the washer made of the shape-memory alloy from a predetermined fastened position and to make a fastening function lose.例文帳に追加

または、形状記憶合金製の座金の任意の2点間に電圧を印加することにより、形状記憶合金製座金自体が発生するジュール熱により高温の母相へ変化することにより、形状記憶合金製座金を所定の締結位置から離脱させ、締結機能を喪失させる。 - 特許庁

An image processor comprises: a memory control circuit for receiving pixel data for multiple frames in order of the frames, and storing it in a frame memory; an image processing circuit for using a high-order bit portion of the pixel data stored in the frame memory to generate processed pixel data; and an output circuit for outputting the processed pixel data.例文帳に追加

画像処理装置は、複数のフレームの画素データを、フレームの順番に受信し、フレームメモリに記憶するメモリ制御回路と、フレームメモリに記憶された画素データの上位ビット部分を利用して処理済み画素データを生成する画像処理回路と、処理済み画素データを出力する出力回路とを備える。 - 特許庁

To provide a motion detecting method capable of reducing the capacity of a high-speed memory and the amount of accessing a frame memory, reducing the capacity of an intermediate result storing memory, eliminating the necessity of doubly reading reference pixel data for one coded block, and exhibiting effects regardless of the size of a motion vector searching range.例文帳に追加

高速メモリの容量を削減できてフレームメモリに対するアクセス量を低減することができるうえに、中間結果保存メモリの容量が小さくて、１符号化ブロックに対する参照画素データを重複して読みだす必要がなく、動きベクトル検索範囲の広さに関わらず効果がある動き検出方法を提供する。 - 特許庁

A recording apparatus 1 can process writing and reading of the data at high speed, since the recording apparatus includes: a temporary recording part 13 for temporarily recording stream data on a volatile memory 20; and a recording data control part 12 for taking out the stream data recorded on the volatile memory 20 and recording the stream data on the nonvolatile memory 22.例文帳に追加

本発明に係る記録装置１は、ストリームデータを一時的に揮発性メモリ２０に記録する一時記録部１３と、揮発性メモリ２０に記録された当該ストリームデータを取り出し、不揮発性メモリ２２に記録する記録データ制御部１２とを備えているので、データの書き込みおよび読み出しを高速で処理することができる。 - 特許庁

In the data writing method of the semiconductor memory device having writing sequence in which writing to each target threshold level constituting multi-value data is performed for a plurality of memory cells selected simultaneously, in the writing sequence, write control is performed so that the writing is finished in the order of memory cells whose target threshold levels are high.例文帳に追加

同時に選択される複数のメモリセルに対して多値データを構成する各目標しきい値レベルへの書き込みを行う書き込みシーケンスを有する半導体記憶装置のデータ書き込み方法において、書き込みシーケンスは、目標しきい値レベルの高いメモリセルの順に書き込みが終了するように、書き込み制御を行う。 - 特許庁

To perform a read or a write of a plurality of bytes by one time access even in a memory array constitution in which two bits are accumulated in one memory cell, and to make this memory array usable for every system while increasing the read speed by using a sense amplifier not precharged which is the read system with furthermore high speed.例文帳に追加

１メモリセルに２ビットを蓄積するメモリアレイ構成においても、１回のアクセスで複数バイトを読出し又は書込みすることができ、また、さらなる高速読出し方式であるプリチャージしないセンスアンプを使用することで、読出しの高速化とともに、あらゆるシステム用途にこのメモリアレイを使用可能とする。 - 特許庁

To obtain a non-volatile memory circuit in which write-in voltage is low, data can be read out at high speed and surely even if difference of threshold values between an enhancement state and a depression state of a non-volatile memory element is small, and rewriting can be performed many times, in a non-volatile memory circuit of FLOTOX type.例文帳に追加

ＦＬＯＴＯＸ型の不揮発記憶回路において、書き込み電圧が低く、不揮発性メモリ素子のエンハンスメント状態とデプレッション状態のしきい値の差が小さくても、データを高速かつ確実に読み出すことができ、また書き換え可能な回数の多い不揮発性記憶回路を得ること。 - 特許庁

To provide such a transistor structure that can make a nonvolatile memory semiconductor device, having a flash memory section in which a memory transistor and a select transistor are formed and a logic section, in which a peripheral circuit transistor is formed on the same substrate to operate at high speed by suppressing the gate depletion, particularly in, the select transistor without making the processes complicated.例文帳に追加

メモリトランジスタとセレクトトランジスタとが形成されたフラッシュメモリ部と周辺回路トランジスタが形成されたロジック部とを同一基板上に有する不揮発性メモリ半導体装置において、工程を煩雑化することなく、特にセレクトトランジスタにおけるゲート空乏化を抑制し、高速動作可能なトランジスタ構造を提供する。 - 特許庁

This image output device is equipped with a data control means 10 which accesses a memory 3 at a high speed and separates image data and additional information at a high speed when the data consisting of the image data and additional information of the image data are transferred from the host computer 1 of the image output device and stored in the memory 3.例文帳に追加

画像出力装置のホストコンピュータ１からのデータの転送において、画像データと画像データの付加情報とからなるデータが転送されてメモリ３に記憶された時、該メモリ３に高速にアクセスし、画像データと付加情報とを高速に分離するデータ制御手段１０を有して構成する。 - 特許庁

A gate oxide film 8 is formed at a part for forming the memory cell transistor in a memory cell region 1 of a silicon substrate 3; and a gate oxide film 12 and the gate oxide film 8 are formed at a region requiring a high breakdown voltage of a peripheral circuit region 2 and at a part corresponding to a high-concentration impurity region, respectively.例文帳に追加

シリコン基板３のメモリセル領域１のメモリセルトランジスタ形成部分に薄いゲート酸化膜８が形成され、周辺回路領域２の高耐圧を必要とする領域に厚いゲート酸化膜１２、高濃度不純物領域に対応する部分に薄いゲート酸化膜８が形成されている。 - 特許庁

The image forming apparatus comprises a means 16 for communicating with an external unit through a high speed serial bus, and a memory module 1 provided with storage devices (11-14) and a means 15 for controlling the storage devices wherein the memory module 1 is connected with each constitutional device (2-8) including a CPU 2 through a high speed serial bus.例文帳に追加

外部ユニットと高速シリアルバスにて通信する通信手段１６と、記憶デバイス（１１〜１４）と、記憶デバイスを制御する制御手段１５とを設けたメモリモジュール１を備え、メモリモジュール１は、ＣＰＵ２を含む各装置構成デバイス（２〜８）と高速シリアルバスで接続されている画像形成装置。 - 特許庁

To provide a shape memory alloy material having such a high shape recovery property and such a high transformation temperature that it may have shape memory effect or superelasticity of 2% or greater requiring for exhibiting a perfect shape recovery elongation and being on an industrially utilizable level and an Af temperature of 100°C or higher, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

工業上の利用レベルにある２％以上の完全に回復する形状回復伸び量を示す形状記憶効果または超弾性を有し、且つ１００℃以上のＡｆ温度を示す高形状回復性および高変態温度を有する形状記憶合金材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A high-speed emulation environment is realized by generating; a memory implemented on the emulator which performs a role of buffering based on description for supplying high-capacity data to verification target in a program for verification and a memory data transmission part implemented on a PC which performs a roll of data transmission from the PC to the emulator.例文帳に追加

検証用プログラムに大容量のデータを検証対象に供給する記述に基づいて、バッファリングの役割を果たすエミュレータ上に実装されるメモリと、ＰＣからエミュレータへのデータ転送の役割を果たすＰＣ上に実装されるメモリデータ転送部とを生成し、高速なエミュレーション環境を実現する。 - 特許庁

When the data are written and stored in the reception FIFO memory 21, the write signal RXRDY from the reception FIFO memory 21 becomes a high level, the oscillation enable signal from the oscillation control part 17 becomes a high level, the crystal oscillator 14 is started, and the CPU 16 is applied with an interrupt to come into an operation state.例文帳に追加

データが受信ＦＩＦＯメモリ２１に書き込まれて格納されると、受信ＦＩＦＯメモリ２１からのライト信号ＲＸＲＤＹがハイレベルとなって、発振制御部１７からの発振イネーブル信号がハイレベルとなり、水晶発振器１４が起動され、ＣＰＵ１６が割り込みをかけられて動作状態となる。 - 特許庁

The control circuits performs verifying again for the nonvolatile memory transistor of a processing unit being passed once by application of a high voltage pulse for storing data and verifying (S41, S47), and adds light application of the high voltage pulse for the nonvolatile memory transistor being made fail in verifying again (S46, S52).例文帳に追加

前記制御回路は、データ記憶のための高電圧パルスの印加とベリファイにより一旦パスした処理単位の不揮発性メモリトランジスタに対して再度ベリファイを行い(Ｓ４１,Ｓ４７)、再度のベリファイでフェイルとされた不揮発性メモリトランジスタに対して軽い高電圧パルスの印加を追加する(Ｓ４６,Ｓ５２)。 - 特許庁

When the high-priority processing with normal timing (0.5 ms in a) is carried out, a hit rate is increased since the high-priority processing program is already stored in the instruction cache memory, and consequently, an execution time of the high-priority processing is reduced.例文帳に追加

その後、正規のタイミング（（ａ）における０．５ｍｓｅｃ）で高優先度処理が実行される場合には、インストラクションキャッシュメモリ（（ｂ）参照）には既に高優先度処理のプログラムが配置されているため、ヒット率は高くなり（（ｃ）参照）、高優先度処理の実行時間は短縮される。 - 特許庁

High-frequency and low-frequency sub-band signals are encoded from inputted audio data 100 and respective pieces of the formed encoding data are added with respective pieces of the position information of the high-frequency and low-frequency encoding data and the high-frequency and low-frequency encoding data are written in separate positions in the memory region of a recording medium 104.例文帳に追加

入力されたオーディオデータ１００から高域、低域サブバンド信号が符号化され、生成された各符号化データには、高域、低域符号化データの各位置情報が付加されると共に、高域、低域符号化データが記録媒体１０４の記憶領域における別位置に書き込まれる。 - 特許庁

A memory control unit performs access requests to a plurality of banks A to D for a high-speed module 1 according to settings of the high-speed module 1, and subsequently performs an access request to a bank for a low-speed module 2 after completion of a process of consecutive access requests for the high-speed module 1.例文帳に追加

メモリ制御部により、高速モジュール１の設定に従い、該高速モジュール１に対して複数バンクＡ〜Ｄへのアクセス要求を、該高速モジュール１に対する連続したアクセス要求の処理後に低速モジュール２に対するバンクへのアクセス要求を行うようにした。 - 特許庁

The flash memory device preserves the program voltage of a first high-voltage line during the previous program operation to a second high-voltage line connected to a second mat during a readout operation, and reutilizes it to generate the program voltage of the first high-voltage line during the next program operation.例文帳に追加

以前プログラム動作時に第１高電圧ラインのプログラム電圧を、読み出し動作の間に第２マットと連結される第２高電圧ラインに保存して、次のプログラム動作時に、第１高電圧ラインのプログラム電圧の発生のために再活用するフラッシュメモリ装置である。 - 特許庁

To provide an image processing apparatus and image processing method for detecting a motion of an image with simpler processing to the utmost and high accuracy without the need for using a memory with a large storage capacity from an image signal providing an image with high density (high resolution) and for applying pixel interpolation processing to moving pixels.例文帳に追加

高密度（高解像度）の画像を提供する画像信号について、記憶容量の大きなメモリを用いることなく、かつ、できるだけ簡単な処理で高精度に画像の動き検出を行ない、動画素については画素補間処理を行なえるようにする。 - 特許庁

To reproduce a moving picture recorded in a storage medium such as DVD, and also to facilitate securing a memory area for storing a high quality OSD picture or the like when displaying the high quality OSD picture having the characteristics such as a large picture and a high definition OSD picture.例文帳に追加

ＤＶＤなどの蓄積メディアに記録された動画像を再生すると同時に、大画像、高精細などの特性を持つ高品質のＯＳＤ画像などを表示する場合、高品質のＯＳＤ画像などを格納するためのメモリ領域を確保することが困難である。 - 特許庁

A selector 203 selects one of an address output from the high-order address holding latch 201, and an address output from the decrementer 202, according to a high-order address selection signal 104 output from an LSI 101, and outputs the selected address as a high-order address to a memory 204.例文帳に追加

セレクタ２０３は、ＬＳＩ１０１より出力される上位アドレス選択信号１０４に応じて、上位アドレス保持用ラッチ２０１から出力されるアドレスおよびデクリメンタ２０２から出力されるアドレスの一方を選択し、選択したアドレスを上位アドレスとしてメモリ２０４に出力する。 - 特許庁

A descriptor has descriptions of an address(high) and an address(low) representing high order 32 bits and low order 32 bits of the recording start address of a corresponding packet on the memory, respectively, and 16-bit length representing the packet length, and also has the description of a delay representing a delay time for adjusting the interval of the DMA transfer of the packet.例文帳に追加

ディスクリプタには、対応するパケットのメモリにおける記録開始アドレスの上位３２ビットを示すaddress(high)および下位３２ビットを示すaddress(low)、並びにパケット長を示す１６ビットのlengthが記述され、さらにパケットのDMA転送の間隔を調整するための遅延時間を示すdelayが記述されている。 - 特許庁

To generate image forming data at a high speed and with high quality by suppressing deterioration/missing of raster image information caused by high compression at fallback and deterioration in the throughput due to an increase in a processing load in an image forming controller for storing a raster image to a memory with a limited capacity by a compression coding processing.例文帳に追加

圧縮符号化によりラスタイメージを限られたメモリに保持する画像形成コントローラにおいて、フォールバック時の高圧縮化が原因となるラスタイメージ情報の劣化・欠落、および処理負荷増大によるスループット低下を抑制し、高速・高品位な画像形成データ生成を実現する。 - 特許庁

To provide a rewritable magnetic recording medium whose versatility is emphasized and memory function is not lost even when sinking in water and which has excellent vibration resistance and durability and can be used under such severe environment that exposed to high or low temperature , high humidity and a high density radiation.例文帳に追加

本発明の磁気記録媒体は汎用性を重視し、かつ水没してもメモリ機能を失わず、耐振動・耐久性に優れ、高低温・多湿や高濃度の放射線に晒されるような過酷な環境下で使用可能な書き換え可能型磁気記録媒体を提供することにある。 - 特許庁

To provide a hologram recording material achieving high refractive index change, flexibility, high sensitivity, low scattering, environmental resistance, that is, storage stability, durability, low dimensional changes (low shrink properties) and high multiplicity even in holographic memory recording using not only a green laser but a blue laser.例文帳に追加

緑色レーザのみならず青色レーザを用いたホログラフィックメモリ記録においても、高い屈折率変化、柔軟性、高感度、低散乱、耐環境性すなわち保存安定性、耐久性、低寸法変化（低収縮性）、及び高多重度が達成されるホログラム記録材料を提供する。 - 特許庁

To provide a variable resistive device and a nonvolatile memory device having a phase change film of low power consumption which is capable of high-speed resistance change and is excellent in the preservation stability of an amorphous phase, and a semiconductor memory utilizing them.例文帳に追加

低消費電力で、高速抵抗変化が可能であり、かつアモルファス相の保存安定性が良好である相変化膜を有する可変抵抗素子および不揮発性メモリ素子およびこれらを利用した半導体メモリを提供すること。 - 特許庁

Temperature is monitored by a Seebeck element 25 disposed right beneath the non-volatile memory 22 for feedback control, and while keeping temperature at a high level by applying voltage on a Peltier element disposed close to the non-volatile memory 22, a gate oxide film 22e is formed thick.例文帳に追加

一方、不揮発性メモリ２２直下に配置したゼーベック素子２５で温度を監視しフィードバック制御して、不揮発性メモリ２２近傍に配置したペルチェ素子に電圧を印加して、温度を高温に保持しつつ、ゲート酸化膜２２ｅを厚く形成する。 - 特許庁

To improve an erase speed of a twin MONOS cell by applying a negative voltage to a word gate adjacent to a control gate in a selected memory and changing the distribution of high energy holes generated on a junction end portion under the control gate of the memory.例文帳に追加

選択されるメモリの制御ゲートに隣接するワードゲートへの負電圧の印加によってメモリの制御ゲート下の接合端部で生成される高エネルギーのホールの分布を変化させることによって、ツインＭＯＮＯＳセルの消去速度を向上させる。 - 特許庁

To generate a memory test pattern by VHDL description with respect to its method, device and program simply if a data sheet and a memory test sequence are prepared, without any knowledge of a very high speed integrated hardware description language (VHDL) and skill of circuit designing.例文帳に追加

本発明はメモリテストパターン合成方法，装置及びプログラムに関し，ＶＨＤＬの知識や回路設計スキルがなくても，メモリのデータシートやメモリテストシーケンスを用意すれば簡単にＶＨＤＬ記述のメモリテストパターンを作成できることを目的とする。 - 特許庁

To provide a device and a method for displaying an image displaying an interlace signal on an image display device without a frame memory and displaying with picture quality equal to the time when the frame memory is used answering to a high frequency interface signal.例文帳に追加

インターレース信号をフレームメモリなしで画像表示装置に表示できるとともに、高周波ののインターレース信号に対応し、フレームメモリを用いたときと同等の画質で表示できる画像示装置および画像表示方法を提供する。 - 特許庁

Prior to making a memory independently provided on the outside of a camera store image data photographed using an image pickup element from a camera memory 101a, it is determined whether or not a private image or data having a high confidentiality is added to the image data.例文帳に追加

撮像素子を用いて撮像した画像データをカメラメモリ１０１ａからカメラ外部に別途設けられたメモリに記憶させるのに先立って、画像データにプライベート画像又は機密性が高いことを示すデータが付加されているか否かを判定する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nonvolatile memory cell capable of forming a gate electrode with a tungsten W to realize integration of a nonvolatile memory cell, and overcoming the heat treatment problem of high temperature generated during the use of the gate electrode.例文帳に追加

不揮発メモリセルの集積化を実現するために、タングステンＷを用いてゲート電極を形成し、前記ゲート電極の使用中に発生する高温の熱処理問題を克服するための不揮発性メモリセルの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The CPU 3 discriminates the number of pieces of copyright information stored beforehand in a memory 4, decides propriety of a storage of the copyright information into the memory 4, and further discriminates the propriety of the high speed recording to control a write-in part 5 and a display part 7.例文帳に追加

ＣＰＵ３は、メモリ４に既に記億されている著作権情報の数を判別して、著作権情報のメモリ４への格納の可／不可を判定し、さらに高速記録の可／不可を判別して、書込み部５および表示部７を制御する。 - 特許庁

Furthermore, the moving picture processing unit is provided with a digital effect block 100 driven by a high speed clock signal and a signal from the camera signal processing circuit 3 selected by a switch 5 and a signal from a reproduction system circuit 4 are written in a frame memory 6 through a memory controller 7.例文帳に追加

また高速のクロック信号で駆動されるデジタルエフェクトブロック１００が設けられ、スイッチ５で選択されたカメラ信号処理回路３からの信号と再生系回路４からの信号とがメモリコントローラ７を通じてフレームメモリ６に書き込まれる。 - 特許庁

A correlation determination section 64 performs correlation determination between the representative point in the criterion image and the reference point in the reference image corresponding thereto and updates the representative point memory 61 by excluding the representative point having high correlation from the representative point memory 61.例文帳に追加

相関判定部６４は、基準画像の代表点と、それに対応する参照画像の参照点との相関判定を行い、相関の高い代表点を代表点メモリ６１から除外することにより、代表点メモリ６１を更新する。 - 特許庁

To efficiently manage memory assignment between two tasks where the possibility of competition over the assignment of a memory is not high such as processing to download a program from the outside of an information processor and processing to execute the downloaded program.例文帳に追加

例えば情報処理装置の外部からプログラムをダウンロードする処理と、ダウンロードされたプログラムを実行する処理のように、メモリの割当てに関して競合する可能性が高くない２つのタスク間で、効率的にメモリ割当てを管理する。 - 特許庁

A memory controller 130 is permitted to operate at high speed only if attached to an adapter device 110 that is more effective in dissipating heat than the nonvolatile storage device 120; the operating speed of the memory controller is kept low when the adapter device 110 is not installed.例文帳に追加

メモリコントローラ１３０は、不揮発性記憶装置１２０よりも放熱効果の高いアダプタ装置１１０に装着されている時にのみに高速動作を許可し、アダプタ装置１１０を装着しない時は動作速度を抑制するようにする。 - 特許庁

A recording control means 8 confirms a transmission history of the low resolution image data SL0 and reads only the high resolution image data SH0, from which the low resolution image data SL0 having been transmitted are produced, from an internal memory 4 and records the data on a memory card 7.例文帳に追加

低解像度画像データＳＬ０の送信履歴を記録制御手段８において確認し、送信済みの低解像度画像データＳＬ０を作成した高解像度画像データＳＨ０のみを内部メモリ４から読み出してメモリカード７に記録する。 - 特許庁

There are provided a memory 8 for recording information; and controllers 2, 3, 5, 6, 7 for applying an unspecified voltage, which is so high as to break an electric circuit 33, to the electric circuit 33 arranged in the memory 8 in response to a predetermined operation.例文帳に追加

情報を記録する記憶装置８と、所定の操作に応答して、記憶装置８が備えている電気回路３３に電気回路３３が壊れる程度に高い規定外電圧を印加する制御装置２、３、５、６、７とを備えている。 - 特許庁

The RAM measuring block 13 realizes high-speed RAM monitoring by separating two processing timings of the processing timing between the first block 2 and the shared memory 16 and the processing timing between the shared memory 16 and the RAM measuring device 14.例文帳に追加

ＲＡＭ計測ブロック１３は、第１のブロック２と共有メモリ１６の間の処理タイミングと、共有メモリ１６とＲＡＭ計測装置１４の間の処理タイミングとの２つの処理タイミングを分離することにより、高速なＲＡＭモニタを実現する。 - 特許庁

Before the start of the engine, memory diagnosis can be continuously executed over all areas by diagnosing a memory in each several bytes for one job corresponding to diagnostic unit bytes previously determined by a time synchronizing job × set frequency (high speed diagnosis: S3 to S12).例文帳に追加

始動前は、時間同期ジョブにより予め定められた診断単位バイト数×設定回数の１ジョブ分のバイト数ずつ診断することにより、メモリの診断を全領域にわたって連続的に実行する（高速診断；Ｓ３〜Ｓ１２）。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nonvolatile memory device in which a leak path can be formed in a metal oxide without applying a high voltage when the nonvolatile memory device having a variable-resistance element made of the metal oxide is manufactured.例文帳に追加

金属酸化物からなる抵抗変化素子を有する不揮発性記憶装置を製造する際に、高い電圧を印加することなく金属酸化物中にリークパスを形成することができる不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁