| 意味 | 例文 |
High memoryの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4226件
To prevent the useless consumption of memory capacity due to the erasing of a stored message having high importance, and the storage of a storing message having low importance without forcing complicated operation to a user and without increasing the processing load of a control part.例文帳に追加
使用者に煩雑な操作を強いることなく、また、制御部の処理負担を増大させることなく、重要性の高い格納メッセージが消去されて重要性の低い格納メッセージによってメモリ容量が無駄に使われてしまう事態を防止する。 - 特許庁
These normal ON/OFF timings are corrected based on the print timing alteration data stored in a data memory 13 and image signals are transmitted to high voltage drivers IC10Y, 10M, 10C, 10BK based on the correction results.例文帳に追加
そして、データ記憶装置13に格納されている上記印加タイミング変更データに基づいてこれらの正規ON/OFFタイミングを補正し、補正結果に基づいて、高電圧用ドライバIC10Y、10M、10C、10BKに画像信号を送信する。 - 特許庁
In this delay circuit, as a delay time when the dummy word signal is varied to an active state is large and a delay time when the dummy word signal is varied to a non-active state is small, an operation period of a memory is made short and high speed operation can be performed.例文帳に追加
本発明に係る遅延回路は、ダミーワード信号がアクティブ状態に変化する場合の遅延時間が大きく、非アクティブ状態に変化する場合の遅延時間が小さいので、メモリの動作周期が短くなり、高速動作させることができる。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device, capable of reducing the problem of an RC delay caused by the extension of a data line, such as a global data line or a local data line, and achieving high speed and large capacity for, e.g., an eDRAM constituted by stacking submacros.例文帳に追加
グローバルデータ線やローカルデータ線等のデータ線の線長に由来するRC遅延の問題を軽減し、サブマクロを積み重ねて構成される例えばeDRAMを高速、大容量化できる半導体記憶装置を提供することである。 - 特許庁
When the SMU determines that the computing system exits a low activity state, the copy of the critical operating state is stored in the memory and the SMU shifts the CPU into a high power operating mode using the modified critical operating state.例文帳に追加
コンピューティングシステムが低いアクティビティ状態を出たことを、SMUが決定すると、クリティカル動作状態のコピーが、メモリに記憶され、SMUは、変更されたクリティカル動作状態を使用して、CPUを高電力動作モードへと移行させる。 - 特許庁
Furthermore, the information recording and reproducing device is provided with a flash memory drive section that serves as a cache or the like and has a considerably high speed of a transfer rate, and covers non-access time such as starting, loading, time when an optical disk is replaced with other one so as to realize recording and reproducing without any interruption.例文帳に追加
また、キャッシュ等の役割を果たす、転送レートが非常に高速なフラッシュメモリドライブ部を備え、光ディスク入れ替えに伴う起動(ロード)時間などのアクセス不能時間をカバーして、記録再生を途切らせることなく実現する。 - 特許庁
At the time of reproducing the disk 1 to which information for the error correction for the CD-ROM is not added at a high speed, a microcomputer 8 reads the data through an optical pickup 3, a demodulation circuit 4 and a signal processing circuit 5 and stores them in a buffer memory 10.例文帳に追加
CD−ROM用のエラー訂正用の情報が付加されていないディスク1を高速再生するとき、マイクロコンピュータ8は光学式ピックアップ3、復調回路4、信号処理回路5を介してデータを読み出し、バッファメモリ10に格納する。 - 特許庁
An image processing section 17 refers to the attribute map memory to generate a signal denoting an output with low resolution for inside of thick characters and for a half tone area and with high resolution in other characters and the signal is outputted from an image forming unit 19.例文帳に追加
画像処理部17では、その属性マップメモリを参照し、太い文字の中とハーフトーン領域では低解像度にし、その他の文字の中では高解像度にして出力するための信号を生成し、画像形成ユニット19で出力させる。 - 特許庁
Thus, throughput can be reduced as compared with the conventional method for forming a preview image based on data composed of all the elements of print data, and a preview image having effectiveness can be generated at high speed even when the processing capacity of the memory or the CPU is low.例文帳に追加
従来の印刷データの全要素のデータをもとにプレビュー画像を作成する方法と比較して処理量を減らすことができ、メモリやCPUの処理能力が低くても有効性を持つプレビュー画面を高速に生成できる。 - 特許庁
When high quality reading is set (S1: NO), the reading processing is temporarily ended if there is no space area in the buffer memory for temporarily storing the read image data, and after reducing the reading speed, the reading processing is executed again.例文帳に追加
また、高画質読取が設定された場合には(S1:NO)、読み取った画像データを一時的に記憶しておくバッファメモリに空き領域がなくなった場合、読取処理を一旦終了し、読取速度を遅くして再度読取処理を実行する。 - 特許庁
When the input high-level language program contains the description specifying processing which is not correlative (not in a convergence operation relation), the complier places the instruction code corresponding to the processing such that instruction code storage positions in a cache memory overlap.例文帳に追加
また、コンパイラは、入力された高級言語プログラムに、相関関係にない(輻輳動作関係にない)処理を指定する記述が含まれている場合には、キャッシュメモリ内の格納位置が重複するように、当該処理に相当する命令コードを配置する。 - 特許庁
By the adoption of such a configuration, log recording in a normal condition hardly affects the MFP performance because of memory recording with high processing speed, while on the occurrence of the faulty, logs of a debugging level required for fault analysis are securely preserved.例文帳に追加
このような構成を採用することによって、平常時のログ記録は、処理速度の速いメモリ記録であるためMFPの性能にほとんど影響を与えず、障害発生時には、障害解析に必要なデバッグレベルのログが確実に保存される。 - 特許庁
In a page table in which a physical page and a virtual page are made to correspond to each other, a page in which a transfer flag is set is transferred to an RAM, and executed at high speed, and a page in which any transfer flag is not set is executed from an ROM, so that the memory can be saved.例文帳に追加
物理ページと仮想ページとを対応づけるページテーブルにおいて、転送フラグを設定したページをRAMへ転送して高速実行し、転送フラグを設定していないページをROMから実行することで省メモリを図る。 - 特許庁
The memory 531 stores the high-order 5 bits of image data Cd in which gray scales of respective pixels are specified with 10 bits, and the stored 5-bit image data are read out in a period which is 1 field later and in which the image data Cd are not input.例文帳に追加
第1メモリ531は、各画素の階調を10ビットで指定する画像データCdのうち、上位5ビットを記憶するとともに、記憶した5ビットの画像データを、1フィールド経過後であって画像データCdが入力されていない期間に読み出す。 - 特許庁
To prevent an imprint phenomenon, which makes writing of data opposite to those written before carding process difficult, and a loss of data accompanying a retention characteristic in the carding process accompanied with high temperature treatment of an IC card carrying a ferroelectric memory.例文帳に追加
強誘電体メモリを搭載したICカードの高温処理を伴うカード化工程において、カード化工程前に書き込んだデータと逆のデータを書き込むことが困難になるインプリント現象やリテンション特性に伴うデータの消失が発生する。 - 特許庁
When a CPU 10 directly accesses the waveform memory 21, a CS signal generation part 26 supplies a chip select signal CS2 to a direct access circuit 36 with a high-order address supplied from the CPU 10 to the CS signal generation part 26.例文帳に追加
CPU10が波形メモリ21に直接アクセスする際には、CPU10からCS信号発生部26に供給された上位アドレスにより、CS信号発生部26は直接アクセス回路36へチップセレクト信号CS2を供給する。 - 特許庁
To reduce the amount of calculations and memory capacity necessary for processing to reduce the "fuzziness" of the spectra of the speech by a window function for obtaining a fine phonemic piece and to realize speech synthesis of high sound quality with fewer computer resources.例文帳に追加
微細素片を得るために適用した窓関数による音声のスペクトルの「ぼやけ」を軽減するための処理に必要な計算量・記憶容量を削減することができ、少ない計算機資源で音質が高い音声合成を実現する。 - 特許庁
To provide an image processor etc. for efficiently executing processing for enabling a high quality image output while suppressing a memory capacity small for use with respect to the image processor for executing processing for generating bitmap data of an output object image.例文帳に追加
出力対象画像のビットマップデータを生成する処理を実行する画像処理装置であって、使用するメモリ容量を少なく抑えつつ高品質の画像出力を可能とする処理を効率よく実行できる画像処理装置、等を提供する。 - 特許庁
To provide a memory management method for an IC card, and an IC card that enables high speed processing by shortening processing time for writing to and reading from the IC card, while using an instruction compatible with international standards and industrial standards.例文帳に追加
国際規格や業界標準と互換性のある命令を使用しながら、ICカードの書き込み及び読み込みに必要な処理時間を短縮して高速化された処理を可能とするICカードにおけるメモリ管理方法、及びICカードの提供。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor storage device capable of suppressing a decrease in charge accumulated in a memory cell by shortening a time to apply high voltage to a drain of a nonselective cell and reducing stress received by a nonselective cell.例文帳に追加
非選択セルのドレインに高電圧が印加される時間を短縮して非選択セルが受けるストレスを軽減させることにより、メモリセルに蓄積された電荷の減少を抑えることが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
Concerning this semiconductor memory device, when a high level signal is outputted from a test signal generating circuit 7, MOS transistors M1 and M2 are turned on, a bit line setting voltage VB1 is impressed to a bit line BL and a bar bit line bar setting voltage VB2 is impressed to a bit line bar /BL respectively.例文帳に追加
テスト信号発生回路7からハイレベルの信号が出力されると、MOSトランジスタM1、M2はオンし、ビット線(BL)にビット線設定電圧(VB1)が、ビット線バー(/BL)にバービット線バー設定電圧(VB2)が、それぞれ印加される。 - 特許庁
The transponder 30 includes the first antenna 31 and sensor circuits 34, 35; and a correction data transmission circuit 36 having the rectifying circuit 44 for rectifying a high frequency reception signal of a carrier wave signal and a memory circuit 41 storing correction data 42a.例文帳に追加
トランスポンダ30に、第1のアンテナ31及びセンサー回路34,35と、搬送波信号の高周波受信信号を整流する整流回路44及び補正データ42aを記憶したメモリ回路41を有する補正データ送信回路36とを備える。 - 特許庁
(a) The number of combinations of three candidate points is 729 for the shape data containing six nodes; but (b) when it is divided into three blocks, the number of combinations of candidate points becomes 27, and thus high-speed processing becomes possible and the amount of memory usage can be small.例文帳に追加
(a)6個のノードを含む形状データでは3個の候補点の組み合わせ数が729となるが、(b)これを3ブロックに分割すると、候補点の組み合わせ数は27となり、高速処理が可能であり、メモリ使用量は少なくて済む。 - 特許庁
To provide a variable resistive element configured so that the forming voltage can be reduced while reducing variation in the forming voltage among the elements, and to provide a manufacturing method therefor, and a high integration nonvolatile semiconductor memory device equipped with the variable resistive element.例文帳に追加
フォーミング電圧の素子間ばらつきを低減しつつ、フォーミング電圧を低減できる構成の可変抵抗素子およびその製造方法、並びに当該可変抵抗素子を備えた高集積の不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To perform category communication with satisfactory reception characteristics, without increasing the memory area of a virtual IR buffer used for restoration processing of reception data, regarding a transmission method and a receiving apparatus in a high-speed downlink packet access (HSDPA) system.例文帳に追加
高速ダウンリンクパケットアクセス(HSDPA)方式における伝送方法及び受信装置に関し、受信データの復元処理に使用されるVirtual IRバッファのメモリ領域を増やすことなく、受信特性の良いカテゴリの通信を行う。 - 特許庁
A main microcomputer and its peripheral circuit are constituted of a high-versatility digital part, in such a way that a power-supply part, keyboard, memory, dot-matrix display LCD, LCD drive IC comprising a key scan function, input/output interface part, external communication function and the like are mounted on one of the boards.例文帳に追加
メーンマイコンとその周辺回路は、電源部、キーボード、メモリ、ドットマトリックス表示LCD、キースキャン機能を有するLCD駆動IC、入出力インターフェース部、外部通信機能などが一方の基板に搭載されて汎用性の高いデジタル部の構成になっている。 - 特許庁
A command regarding critical process is stored in at least one lookup table (LUT) which is calculated previously, access is performed to the LUT during online process, so that a high speed algorithm of low memory requirement which is low of calculation cost can be obtained.例文帳に追加
臨界的な処理に関する指示は1以上の事前に計算されたルックアップテーブル(LUT)に記憶され、該LUTはオンライン処理の間にアクセスされ、結果として、低いメモリ要件の高速で且つ計算的に安価なアルゴリズムが得られる。 - 特許庁
To provide a semiconductor test device provided with a defect analyzing device in which fail information inputted at high speed by performing a test can be stored in a low speed memory corresponding to an address space of a DUT without applying interleave constitution.例文帳に追加
インタリーブ構成を適用すること無く、DUTのアドレス空間に対応する低速なメモリへ、試験実施によって高速に入力されるフェイル情報を格納可能とする不良解析装置を備える半導体試験装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method of erasing data, stored in a semiconductor memory device provided with floating electrodes and control electrodes, feasible without necessitating any high voltage application and capable of reducing a consumption current.例文帳に追加
浮遊電極と制御電極を有する半導体記憶装置の情報消去方法に関し、高電圧を印加することなく、消費電流を低減することができる半導体記憶装置の情報消去方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
When a high-speed operation is not requested, the low power consumption of an entire system is achieved by lowering the frequency of a clock signal supplied to a memory module while fixing a reference clock signal supplied to a DLL circuit.例文帳に追加
高速動作が要求されない場合においては、DLL回路に供給するリファレンスクロック信号を固定したまま、メモリモジュールに供給するクロック信号の周波数を低くすることによって、システム全体の低消費電力化を達成する。 - 特許庁
To eliminate a limitation on the clock frequency caused by the strobe signal delay variation due to voltage and/or temperature (PVT) variations so that data signals is driven with sufficiently high reliability and latched in appropriate timing by a memory controller.例文帳に追加
電圧および/または温度(PVT)の変動によるストローブ信号の遅延の変化に起因して生じるクロック周波数の制限をなくし、メモリ・コントローラがデータ信号を十分に高い信頼性で駆動し適切なタイミングでラッチできるようにする。 - 特許庁
The directional coupler is set as a separate board, and the four-layers motherboard 1 and a coupler board 100 having the directional coupler made of a high dielectric material mounted thereto are used for data transfer between a memory controller 10-1 and memories 10-2 to 10-5.例文帳に追加
方向性結合器を別基板とし、メモリコントローラ10−1とメモリ10−2〜10−5間のデータ転送に、4層のマザーボード1とこれに実装された高誘電体材料でできた方向性結合器を有する結合器基板100を用いる。 - 特許庁
An image selection means 108 selects an image at the position where the cursor is stopped, as a printout image candidate, selects it as a selection image if there is a confirmation input, fetches a high-resolution image corresponding thereto from the digital camera to a memory and displays it on the video monitor.例文帳に追加
画像選択手段108はカーソルを停止させた位置にある画像を印刷出力画像候補とし、確認入力があると選択画像として、それに対応する高解像度の画像をデジタルカメラからメモリーに取込み、ビデオモニタに表示する。 - 特許庁
To prevent a data read error in a nonvolatile semiconductor memory, in which processes are downsized, capacity is increased, and the amount of charge held in each bit is reduced due to voltage reduction, especially in high temperature environment.例文帳に追加
不揮発性半導体メモリでは、プロセスの微細化、搭載容量の増加、低電圧化が進んでビット単位での保持電荷量が減少し、高温下環境などではさらに保持電荷量が低下し、保持データが読み出せないエラーが発生しがちなのを防止する。 - 特許庁
To provide a capacitor capable of obtaining a large capacitance even when miniaturizing a half pitch, while having a dielectric film having a high dielectric constant and a small leakage current, to provide a manufacturing method of the capacitor, to provide a manufacturing apparatus of the capacitor, and to provide a semiconductor memory device.例文帳に追加
誘電率が高く、且つ、リーク電流の小さい誘電体膜を有し、ハーフピッチの縮小化を図った場合でも、大きな容量が得られるキャパシタ、キャパシタの製造方法、キャパシタの製造装置及び半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a print processor in which high speed and efficient processing is ensured even when printing can be carried out with current memory capacity or carried out originally at the time of processing print data where a large volume of coordinate data becomes a burden on a processing system.例文帳に追加
大量の座標データが処理系にとって負担となる印刷データ処理時に、現状のメモリ量のまま印刷や、もともと印刷ができる場合であっても処理の高速と効率化を可能とする印刷処理装置を提供する。 - 特許庁
To provide a circuit for clamping a word-line voltage which can generate a pumping voltage of a potential being stable even for variation of power source voltage in a process in which power source voltage is pumped for not only a flash memory cell but an element driven by a high voltage.例文帳に追加
フラッシュメモリセルだけでなく、高電圧によって駆動される素子のために電源電圧をポンピングする過程において電源電圧の変化にも安定した電位のポンピング電圧を発生させ得るワードライン電圧クランピング回路を提供すること。 - 特許庁
To provide a method of producing a high purity ruthenium sputtering target which can be made large without generating cracks, and in which the generation of particles can be suppressed on film deposition where, e.g., an electrode for the capacitor of a semiconductor memory is formed, and to provide a sputtering target.例文帳に追加
クラックを発生させずに大型化でき、しかも半導体メモリーのキャパシタ用電極等を形成する製膜時にパーティクルの発生を抑えることができる高純度ルテニウムスパッタリングターゲットの製造方法及びスパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁
To provide an organic photoreceptor which ensures little occurrence of black spots or an environmental memory and gives a broad range of gradient and high image density and to provide an image forming method using the organic photoreceptor and an image forming apparatus.例文帳に追加
本発明の目的は、黒ポチ、環境メモリの発生が少なく、且つ、広い階調性、高い画像濃度が得られる有機感光体を提供することであり、該有機感光体を用いた画像形成方法、画像形成装置を提供することである。 - 特許庁
The physical table comprises a hierarchical structure consisting of a high-order hierarchy physical table 132 arranged on the memory 122 and low-order hierarchy tables 144-146 arranged on the disks 123-125, and stores the state in which each part of the physical area is allocated.例文帳に追加
物理テーブルは、メモリ122上に配置される上位層物理テーブル132とディスク123〜125上に配置される下位層物理テーブル144〜146とからなる階層構造をとり、物理領域の各部分の割り当て状態を記憶する。 - 特許庁
To realize the detection of time slot synchronous position data by reducing correlation arithmetic quantity and memory usage, to perform a high speed correlation value arithmetic operation, and to quicken the establishment of time slot synchronization by shortening a time required for the detection of the time slot synchronous position data.例文帳に追加
タイムスロット同期位置データ検出を、相関演算量及びメモリ使用量を削減して実現し、かつ、高速での相関値演算を可能にし、タイムスロット同期位置データ検出の時間を短くしてタイムスロット同期確立を迅速化する。 - 特許庁
To provide an electrophotographic photoreceptor which has a high sensitivity characteristic even in a 380 to 500 nm wavelength area, has a little optical memory and little potential variation in repeated use, and to provide a process cartridge and an electrophotographic apparatus which have the electrophotographic photoreceptor.例文帳に追加
380〜500nmの波長領域でも高い感度特性を有し、かつ、光メモリーが小さく、繰り返し使用時の電位変動の小さな電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供する。 - 特許庁
To prevent sticking of magnetic particles at the time of the start of charging and the end of charging without bringing about a potential memory even when using a member 1 to be charged, which has a high residual potential, in an image forming apparatus using a magnetic brush charger (injection charger) 2.例文帳に追加
磁気ブラシ帯電器(注入帯電器)2を用いた画像形成装置において、残留電位が大きい被帯電体1を用いた場合でも、帯電開始時、帯電終了時の磁性粒子の付着を、電位メモリを発生することなく防止する。 - 特許庁
In addition to the high-resistance loads 1 and 2 of the memory cell of an SRAM, a load nMOS is added to turn ON when the power supply potential Vdd is reduced and in a chip selecting signal CS "H" level section (standby state), and the destruction of the data is suppressed.例文帳に追加
SRAMのメモリセルの高抵抗負荷1、高抵抗負荷2に加えて、電源電位Vddの低下時及びチップセレクト信号CS”H”レベル区間(スタンバイ状態)にてオンさせる負荷nMOSを付加し、該データの破壊を抑制する。 - 特許庁
To suppress competition of a system bus and a copy tag part in a high load state by using a system bus and a copy tag part which are determined by the value of a bit string and performing an operation which is for processing a memory access request.例文帳に追加
キャッシュを持つプロセッサ,キャッシュのタグのコピーを保持する複写タグ部およびシステム・コントローラを持つノードを複数個有すると共に、ノード間を接続するシステム・バスを有するマルチプロセッサにおいて、システム・バス及び複写タグ部での競合を緩和すること。 - 特許庁
In the case of transmitting data to the user equipment via a high speed-downlink shared channel HS-PDSCH, the weight information corresponding to the user equipment of a destination of the data is extracted from the adaptive processor memory 4 and set to multipliers 5a to 5d.例文帳に追加
高速下りリンク共通チャネルHS−PDSCHを介して移動機へデータを送信する際には、そのデータの着信先の移動機に対応するウエイト情報をアダプティブプロセッサメモリ4から抽出し、乗算器5a〜5dに設定する。 - 特許庁
The shape memory alloy 50 regulates the position of the center of gravity such that the center of gravity of the piston 1 is positioned on the anti-thrust side at the time of a low temperature, and the center of gravity is regulated such that the center of gravity of the piston 1 is positioned on a central line 19 at the time of a high temperature.例文帳に追加
形状記憶合金50は、低温時に反スラスト側にピストン1の重心が位置するように重心の位置を調整し、高温時には中心線19上にピストン1の重心が位置するように重心を調整する。 - 特許庁
On the other hand, at the time of reading the image data from the frame memory 19, the high-speed horizontal clock frequency signals of about 60 MHz which is the quadruple of 15 MHz for instance are used and thus, the image data of 60 frames are read in one second.例文帳に追加
一方、このフレームメモリ19から画像データを読み出す際には、例えば上記15MHzの4倍の約60MHzの高速の水平クロック周波数信号が用いられ、これにより1秒間に60フレームの画像データが読み出される。 - 特許庁
To obtain a nonvolatile semiconductor memory device having a tunnel insulation film capable of reducing leakage current in a low electric field even if film thickness (EOT) converted to an oxide film is thinned and also increasing the leakage current in a high electric field.例文帳に追加
EOTを薄くしても低電界におけるリーク電流を抑制することができるとともに高電界におけるリーク電流を高くすることができるトンネル絶縁膜を有する不揮発性半導体記憶装置を得ることを可能にする。 - 特許庁
A common contact 112 for connecting the high-resistance loads 113 to the source/drain regions of the transistors is restrained from penetrating through other conductive layers, so that a layout margin of contact between the common contact 112 and another conductive layer can be dispensed with, and a memory cell can be lessened in size.例文帳に追加
高抵抗負荷113とトランジスタのソース・ドレイン領域を接続するための共通コンタクト112が他の導電層を貫通することがなく、共通コンタクト112と他の導電層とのレイアウトマージンが不要となり、セル寸法の縮小化が可能となる。 - 特許庁
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