「High memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(84ページ目) - Weblio英語例文検索

This ferroelectric memory cell is provided with bottom electrode 211, a ferroelectric layer 212 formed on the bottom electrode 211, a high permittivity dielectric 214 formed over the ferroelectric capacitor 250 which includes an encapsulation layer and completely covers a top electrode, and a local interconnect electrode 215 formed on the encapsulation layer.例文帳に追加

強誘電体メモリセルは、底部電極２１１と、該底部電極２１１上に形成された強誘電体層２１２と、強誘電体キャパシタ２５０を覆って形成されており被包層を含むと共に上部電極を完全に覆っている高誘電率誘電体２１４と、被包層上に形成された局所相互接続電極２１５とを含む。 - 特許庁

To measure the fatigue characteristics of a ferroelectric substance at high speed without forming a repeating voltage waveform generating source in a test piece forming a ferroelectric substance, in a fatigue characteristics measuring device of a ferroelectric substance to be used when a ferroelectric substance used as a storage medium of a ferroelectric memory is evaluated.例文帳に追加

強誘電体メモリの記憶媒体として用いる強誘電体を評価する場合に使用される強誘電体の疲労特性測定装置に関し、強誘電体を形成する試験片に繰り返し電圧波形発生源を形成することなく、強誘電体の疲労特性の測定を高速に行うことができるようにする。 - 特許庁

After the logics of the storage nodes are determined, the latch circuit can keep the state of the memory even when the source voltage of the level conversion circuit varies to some extent, and therefore the output voltage on the negative side can increasingly be reduced by reducing the level of the source voltage on the side of high electric potential without obstruction the transmission of the logic.例文帳に追加

ラッチ回路は、記憶ノードの論理が決定された後は、レベル変換回路の電源電圧がある程度変化されたとしても、その記憶状態を維持することができるため、論理伝搬に支障を来すこと無く、高電位側電源電圧のレベルを下げることによって負側の出力電圧をさらに低下させることができる。 - 特許庁

To enable high-speed processing regardless of resolution and whether it is a pattern image or not in an image data processor adapted to fetch raster data required for plotting an image from a storage device storing the raster data and delivering the same to a vector data processor when the vector data processor for analyzing vector data plots an image in a buffer memory.例文帳に追加

ベクタデータを解析するベクタデータ処理装置がバッファメモリ内に画像を描画する際に、その画像描画に必要となるラスタデータを、これを格納した記憶装置から取り出して前記ベクタデータ処理装置に受け渡す画像データ処理装置において、解像度の相違やパターン画像であるか否か等に拘わらず、高速処理を可能にする。 - 特許庁

To provide a word line voltage regulation circuit that read-out margin can be sufficiently secured, erroneous reading of a cell is prevented, a noise can be reduced, operational reliability of an element can be improved by applying fixed voltage to a gate even when power source voltage is high voltage, when data are read out from a flash memory cell.例文帳に追加

フラッシュメモリセルを読み出すとき、高い電源電圧でもゲートに一定の電圧が印加されるようにすることで、読み出しマージンを十分確保することができてセルの誤判読を防止し、ノイズを減少させることができて素子の動作信頼性を向上させることができるワードライン電圧レギュレーション回路を提供すること。 - 特許庁

Thus, the circuit configuration of the filter 11 only at its adjustment is revised into a circuit configuration having a high signal to noise ratio, a characteristics adjustment circuit 30 detects/adjusts the center frequency of the filter 11 by utilizing an impulse signal, a pulse signal or a step signal and a microcomputer 20 with a nonvolatile memory, and stores and reuses the adjustment result.例文帳に追加

そのため、当該フィルタ１１の回路構成を調整時に限って高い信号対雑音比を持つ回路構成に変更し、インパルス信号、パルス信号又はステップ信号を利用して当該フィルタ１１の中心周波数を特性調整回路３０で検出・調整し、その調整結果を不揮発性メモリ付きマイクロコンピュータ２０に記憶して再利用する。 - 特許庁

Since it is possible to decide the read data based on the comparison results of the comparator 192, it is not required to temporarily store the data in a memory area, such as in a register, and the circuit configuration can be simply built for the data read circuit RDC, and also the data can be read at high speed because there is no storing area.例文帳に追加

比較部１９２の比較結果に基づいて読出データを確定することが可能であるためレジスタ等の記憶領域を設けてデータを一時的に格納する必要はなく、データ読出回路ＲＤＣの回路構成を簡易に構成することができるとともに、格納領域がないため高速なデータ読出を実行することができる。 - 特許庁

To solve problems relating to detection accuracy deterioration in a conventional hierarchical search method, thereby securing high detection accuracy regardless of image quality, and to realize motion search in each layer in a small memory unit which used to cause increase in a design cost and a hardware size as each layer requires a different constitution.例文帳に追加

従来の階層探索法の検出精度低下の問題を解決し、画像の性質によらず高い検出精度が得られるようにすること、及び、従来、階層ごとに構成を変えざるをえなかったために設計コスト、ハードウェア規模増の要因となっていた各階層の動き探索を、小さいメモリユニットで実現できるようにすることである。 - 特許庁

In the case of executing initialization at the time of turning on a power supply in order to speed up even processing, a transfer program stored in a ROM 12 transfers a program from the ROM 14 to an execution RAM 13 being a high-speed volatile memory such as an SRAM, and at the occurrence of an event, the CPU 11 executes the program stored in the RAM 13.例文帳に追加

一方、イベント処理の高速化のため、ＲＯＭ１２に格納される転送プログラムにより、電源投入時の初期化の際に低速ＲＯＭ１４から高速型揮発性メモリの例えばＳＲＡＭによる実行ＲＡＭ１３に転送し、イベント発生の際にＣＰＵ１１は、高速型の実行ＲＡＭ１３上でプログラムを実行している。 - 特許庁

A phase curve is calculated using initial phase values ψH and ψL at least at two points of a high pass frequency f_Hb and a low pass frequency f_Lb preliminarily stored in a memory on the basis of the center frequency f_M of a transmitting frequency, and stable phase control is performed in a phase margin area based on the calculated phase curve.例文帳に追加

送信周波数の中心周波数ｆ_Ｍを基準に、メモリに予め格納した高域周波数ｆ_Ｈｂと、低域周波数ｆ_Ｌｂの少なくとも２点における初期位相値φＨと、φＬとを用いて位相カーブを算出し、この算出した位相カーブに基づいて位相余裕領域内で安定した位相制御を行う。 - 特許庁

To provide an image compression coder that can obtain a compression coded image of a film source with high quality by optimizing a data quantity remaining in an input buffer memory of a decoder just before decoding an I picture in the case of coding in compliance with the MPEG-2 video standards after applying inverse telecine processing to a telecine image signal to eliminate repeating fields.例文帳に追加

テレシネ画像信号をインバース・テレシネ処理して繰り返しフィールドを除去した後にＭＰＥＧ−２ｖｉｄｅｏ規格に準拠した符号化処理を行う場合に、Ｉピクチャの復号化直前での、デコーダ側の入力バッファメモリに残留するデータ量を最適化し、高い品質でのフィルム素材の圧縮符号化画像を得る。 - 特許庁

To enable to perform a discharge treatment of a discharge device so that it will be easy to handle disposal or the like of a vehicle-mounted battery and to recover a memory effect, in one making completely discharge the vehicle-mounted battery mounted on an electric motorcar, hybrid car or the like equipped with comparatively high terminal voltage to be driving power source of a motor.例文帳に追加

電気自動車やハイブリッド車等に搭載し、モータの駆動電力源とする比較的高電圧の端子電圧を有する車載電池を完全放電させる放電装置に関し、車載電池の廃棄等の取り扱いが容易となるように、又メモリ効果を回復できるように、安全且つ迅速に放電処理を実行させる。 - 特許庁

In the auxiliary cell array 2, write-in and read-out of 1/2 VBLH is performed for the memory cell, decision by majority of sense output of an auxiliary sense amplifier circuit 9 is performed by a decision by majority circuit 11, a high level potential VDWLH supplied to a dummy word line driving circuit 5 is generated by a VDWLH generating circuit 13 in accordance with the result.例文帳に追加

補助セルアレイ２において、メモリセルに１／２ＶＢＬＨの書き込みと読み出しを行い、多数決回路１１により補助センスアンプ回路９のセンス出力の多数決をとって、その結果に応じてＶＤＷＬＨ発生回路１３によりダミーワード線駆動回路５に供給される高レベル電位ＶＤＷＬＨを発生させる。 - 特許庁

A cell structure is realized by (i) providing a side wall control gate on the laminated film of oxide film, nitride film, oxide film (ONO) on both sides of a ward gate, and (ii) forming a control gate and a bit impurity film by self-alignment so that the control gate and the bit impurity film are shared between adjoining memory cells due to high integration.例文帳に追加

セル構造は、（ｉ）ワードゲートの両サイド上の酸化膜−窒化膜−酸化膜（ＯＮＯ）の積層膜上にサイドウォール制御ゲートを配設すること、および（ｉｉ）自己整合によって制御ゲートおよびビット不純膜を形成し、高集積のために隣接するメモリセル間の制御ゲートおよびビット不純膜を共有することによって実現される。 - 特許庁

The read-write control means is provided with a content writing means for writing an AV (Audio Visual) signal of the content transmitted from the high order CPU part in the optical disk 24 on real time and a management information temporarily storing means for temporarily storing management information of the content in the nonvolatile memory 23 when the content writing means operates.例文帳に追加

このリードライト制御手段は、さらに上位ＣＰＵ部から送信されるコンテンツのＡＶ信号をリアルタイムに光ディスク２４に書き込む処理を行うコンテンツ書込み手段と、コンテンツ書込み手段が作動しているときに、コンテンツの管理情報を不揮発性メモリ２３に一時的に記憶する処理を行う管理情報一時記憶手段とを備えている。 - 特許庁

The print control system comprises resources including a plurality of host computers 1, and a plurality of printing device 2, both of which are connected with a high-speed line 3, wherein accessible memory devices in the resources are shared according to need, a printing calculation process for the printing operation is separated into prescribed units to distribute the process by the resources.例文帳に追加

複数のホストコンピュータ１と複数の印刷装置２とからなる資源が高速回線３で接続された印刷制御システムにおいて、前記資源が持つ記憶装置群を利用可能な数だけ必要に応じて共有使用し、印刷処理を行なう際に印刷計算処理を所定の単位毎に分割し、前記資源毎に適切に処理を分散させる。 - 特許庁

Alternatively, a high-availability cluster device including a plurality of computing nodes of the cluster concerned in the present invention and a cluster master connected communicatably to the each node is constituted to make a nonvolatile memory related to the cluster master store a data tracking a quality measure of the node, and can store also a data tracking a freshness measure of the node.例文帳に追加

あるいは、本発明にかかる上記クラスタの複数のコンピューティングノードおよび各ノードに通信可能に接続されたクラスタマスタを含む高可用性クラスタ装置は、クラスタマスタに関連する不揮発性メモリが、ノードの品質測度を追跡するデータを記憶するように構成され、ノードの鮮度測度を追跡するデータも記憶することができる。 - 特許庁

The memory device is provided with a bit line sense amplifier amplifying voltage difference of a pair of bit lines, a sense amplifying driver supplying a driving power source of a high level to the bit line sense amplifier to enable the bit line sense amplifier during an over driving period, and an over driving controller adjusting an over driving period in accordance with variation of power source voltage.例文帳に追加

本発明のメモリ装置は、ビットライン対の電圧差を増幅するビットラインセンスアンプと、オーバードライブ期間の間、前記ビットラインセンスアンプのイネーブルのために、前記ビットラインセンスアンプに高いレベルの駆動電源を供給するセンスアンプ駆動部と、前記オーバードライブ期間を電源電圧の変動に応じて調整するオーバードライブ制御部とを備える。 - 特許庁

To provide a flash memory element manufacturing method for which can minimize the interference effect between adjacent cells, and can improve a coupling ratio by increasing the contact area between a dielectric film and a floating gate, and can make the coupling ratio increased, a gate oxide film in a high voltage transistor area thicker than that of the tunnel oxide film in a cell area too.例文帳に追加

隣接セル間の干渉効果を最小化することができ、誘電体膜とフローティングゲートの接触面積を増加させてカップリング比を向上させることができ、セル領域のトンネル酸化膜より厚い高電圧トランジスタ領域のゲート酸化膜によってもカップリング比を増加させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。 - 特許庁

Since the fine silicon particles 302 and the polysilicon film 502 are separated by a specified distance over a relatively wide area, a large quantity of charges can be delivered between the second electrode and the fine silicon particles 302 in a short time through the projecting film part 202a, resulting in a memory film structure capable of high speed operation with low power consumption.例文帳に追加

凸状膜部２０２ａによって、シリコン微粒子３０２とポリシリコン膜５０２とが、比較的大きい面積で所定の距離に隔てられるので、この凸状膜部２０２ａを介して第２電極とシリコン微粒子３０２とが短時間で多くの電荷を授受でき、低消費電力で高速動作可能なメモリ膜構造が得られる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with a highly reliable three-dimensional structure large capacity semiconductor memory, for suppressing the characteristics degradation of a dielectric film due to internal stress generated within the surface of a substrate, and the increase of a leakage current at the edge of an electrode even in the case of using a high dielectric film or a ferroelectric film for the dielectric film of a capacitor.例文帳に追加

キャパシタの誘電体膜に高誘電体膜や強誘電体膜を用いた場合でも基板の面内に発生する内部応力による誘電体膜の特性劣化や、電極のエッジ部分でのリーク電流の増大を抑制し、高信頼性の３次元構造大容量半導体メモリを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

This device is provided with a boosting circuit 12 boosting power source voltage 11 supplied to an IC, and a limiter circuit 13 having a function by which high voltage being an output of the boosting circuit is limited, binary voltage values are selected from the limiter circuit 13 depending on recording/erasing of data or evaluation of data, either of voltage values is outputted to a memory block 14.例文帳に追加

ＩＣに供給される電源電圧１１を昇圧する昇圧回路１２、昇圧回路出力である高電圧を電圧制限する機能を持つリミッタ回路１３を備えており、データの記録／消去時または評価時によって、リミッタ回路１３から二値の電圧値を選択し、どちらか一方の電圧値をメモリブロック１４に出力する。 - 特許庁

This synchronous semiconductor memory, which has latch circuits and an output circuit for outputting the data latched in the latch circuits and keeps the output circuit in a high impedance when the power is supplied, is provided with an internal reset output means for resetting the latch circuits at the time when data are not inputted.例文帳に追加

ラッチ回路と、前記ラッチ回路でラッチされたデータを出力する出力回路とを有する電源投入時に前記出力回路をハイインピーダンスにするようにした同期型半導体記憶装置であって、前記同期型半導体記憶装置は、データ入力時以外には、前記ラッチ回路をリセットする内部リセット出力手段を有することを特徴とする。 - 特許庁

For the purpose of attaining a high integration of the flash memory to increase a coupling ratio of an interpolysilicon insulating film formed between polysilicons with use for floating and control gates, a second polysilicon film 18 for the floating gate is formed not by etching using a mask but by depositing a first polysilicon film 16 thereunder and selectively growing it.例文帳に追加

フラッシュメモリで高集積化を達成して、フローティングゲートとコントロールゲートに用いられるポリシリコンの間に構成されたインタポリ絶縁膜のカップリング比を高めるために、フローティングゲート用第２ポリシリコン膜１８をマスクを用いた蝕刻で形成せずに、下部に第１ポリシリコン膜１６を蒸着してこれを選択的に成長させ第２ポリシリコン膜を形成する。 - 特許庁

Thus, ferroelectric characteristics can be ensured and a ferroelectric memory suitable for microfabrication and high integration can be obtained.例文帳に追加

強誘電体薄膜を複数個の電極で挟み、強誘電体薄膜の中で分極信号を転送する分極転送部と、ゲート部に強誘電体薄膜を有する電界効果型トランジスタを分極検出部とをメモリの構成要素として組み合わせ、かつ強誘電体薄膜を連続、一体化した構成をとることにより、強誘電体特性を確保し、微細化、高集積化に適した強誘電体メモリを得る。 - 特許庁

To provide means for reducing current density required for spin injection magnetization reversal, to provide means for performing magnetic writing operation directly conducting a current to a memory cell without utilizing an external magnetic field, and further to provide a high density magnetic recording apparatus for enabling record reading operation in an equivalent device structure.例文帳に追加

スピン注入磁化反転に要する電流密度を低減化する手段を提供するとともに、高密度磁気記録装置の磁気的メモリーセルに対して、外部磁場を利用することなく、メモリーセルに直接電流を流すことにより磁気的書き込み操作を行う手段を提供し、かつ、同等の素子構造において記録読み取り操作を可能とする高密度磁気記録装置を提供すること。 - 特許庁

To inexpensively and reliably attain high performance and responsiveness as to a common bus, an information processor connected to other information processors through a common memory connected to the common bus and capable of taking charge of part of prescribed distributed processing and a bus control device for suitably imparting the use right of the common bus to each of these information processors.例文帳に追加

本発明は、共通バスと、その共通バスに接続された共通メモリとを介して他の情報処理装置と連係し、かつ所定の分散処理の一部を担う情報処理装置と、これらの情報処理装置にこの共通バスの使用権を適宜付与するバス制御装置とに関し、安価に、かつ確実に高い性能および応答性が達成されることを目的とする。 - 特許庁

In the liquid crystal driving circuit composing a liquid crystal display, high quality display is realized by arranging a dither processing circuit for performing optimal color subtraction processing of picture data having more gradation information than the colors displayable by a liquid crystal display at the preceding stage of display memory or an error diffusing circuit, and thereby distributing gradation components (brightness components) composed of lower order bits to adjacent pixels.例文帳に追加

液晶ディスプレイを構成する液晶駆動回路において、表示メモリの前段に液晶ディスプレイの表示可能色よりも、多くの階調情報を有する画像データを最適に減色処理するディザ処理回路もしくは、誤差拡散回路を設けることで、下位ｂｉｔで構成されていた階調成分（輝度成分）を隣接画素に分配し、高画質表示を実現する。 - 特許庁

A circuit board 10 is mounted with an optical cable connector 12 and a twisted pair cable connector 14, a gigabit LAN controller 16, a controller FPGA 18 forming analysis data from the frame signals obtained through the gigabit LAN controller 16, a memory 20 where the formed data are stored, and a high-speed (32 bits or 64 bits) bus interface 22 where a computer is connected.例文帳に追加

回路基板１０上に、光ケーブル用コネクタ１２及びツイストペアケーブル用コネクタ１４と、ギガビットＬＡＮコントローラ１６と、このギガビットＬＡＮコントローラで得られたフレーム信号から解析用のデータを作成するコントローラ用ＦＰＧＡ１８と、作成されたデータを格納するメモリー２０と、コンピュータが接続される３２ビット又は６４ビット高速バスインターフェース２２とを搭載する。 - 特許庁

In the semiconductor memory device, at least one non-activated wordline neighboring the activated wordline and remaining non-activated wordlines are driven with different wordline driving voltage levels during a period of time that the activated wordline is driven at a high voltage level by applying and selecting an active command.例文帳に追加

本発明の半導体メモリ装置は、アクティブコマンドが印加されて選択されたいずれか１本のワードラインが活性化されることにより、活性化されたワードラインが高電位電圧で駆動される期間において、活性化されたワードラインに隣接する少なくとも１本の非活性化ワードラインと残りの非活性化ワードラインとに対するワードライン駆動電圧を互いに異なる大きさで印加する。 - 特許庁

To provide a spin injection magnetization reversal element which has high perpendicular magnetic anisotropy and moreover does not deteriorate the perpendicular magnetic anisotropy by heat treatment, a magnetic random access memory and an optical modulator constituted by using this spin injection magnetization reversal element, a display device, a holography apparatus, and a hologram recording apparatus constituted by using this optical modulator, and a method of manufacturing the optical modulator.例文帳に追加

高い垂直磁気異方性を有し、また、熱処理によっても垂直磁気異方性が劣化することのないスピン注入磁化反転素子、このスピン注入磁化反転素子を用いて構成される磁気ランダムアクセスメモリおよび光変調器、この光変調器を用いて構成される表示装置、ホログラフィ装置およびホログラム記録装置、この光変調器の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes word lines 1, bit lines 2 arranged so as to intersect with the word lines 1, an insulating film 3 arranged at each of intersections of the word lines 1 and the bit lines 2, an interlayer dielectric filling between the word lines 1 and between the bit lines 2, and a resistance varying material 4 connected to the bit lines 1 and shifted between a low resistance state and a high resistance state.例文帳に追加

半導体記憶装置は、ワード線１と、ワード線１と交差するように配置されたビット線２と、ワード線１とビット線２との各交差部に配置された絶縁膜３と、ワード線１の間及びビット線２の間を埋め込む層間絶縁膜と、ビット線１に接続され、低抵抗状態と高抵抗状態との間で遷移する抵抗変化材４とを備える。 - 特許庁

The first priority encoder circuit of the associative memory is equipped with a priority modification part which masks hit flags of higher order side flag registers corresponding to words of higher order than the top priority word specified by a top priority specification part 31 on the priority defined fixedly in a priority encoder 35 and transmits the purport that hit flags are not stored in flag registers corresponding to high order words to the priority encoder 35.例文帳に追加

プライオリティエンコーダ３５において固定的に定められている優先順位上、最優先指定部３１で指定された最優先のワードよりも上位のワードに対応する上位側フラグレジスタのヒットフラグをマスクして、プライオリティエンコーダ３５に上位のワードに対応するフラグレジスタにはヒットフラグが格納されていない旨伝達する優先順位変更部を備える。 - 特許庁

To obtain accurate results without substantially increasing calculation time, required memory, etc., for a polycrystalline thin film transistor containing a crystal grain boundary with a high trap density and a MOS interface in a device simulation method of dividing a semiconductor element into a mesh and solving physical equations such as potential equations, carrier continuity equations, etc., by each mesh.例文帳に追加

半導体素子をメッシュに分割し、各メッシュで電位方程式・キャリア連続方程式等の物理方程式を解く、デバイスシミュレーション方法において、トラップ密度の高い結晶粒界やMOS界面を含む多結晶薄膜トランジスタに対しても、計算時間や必要メモリ等の大幅な増加なしに、正確な結果を与える、デバイスシミュレーション方法を、実現することを目的とする。 - 特許庁

To provide an information recorder capable of saving electric power, capable of attaining high-speed and reliable writing and reading operations for the information, and allowing convenient handling for a user, in the information recorder for recording information to a disk-like recording medium, using a nonvolatile memory as a cache, and a control method therefor.例文帳に追加

この発明は、ディスク状記録媒体に不揮発性メモリをキャッシュとして情報の記録を行なうものにおいて、省電力化を図り、高速でかつ信頼性の高い情報の書き込み及び読み出し動作を実現することができ、しかも、ユーザにとっての取り扱いを便利にし得るようにした情報記録装置及びその制御方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

When the temperature is high in midsummer, a rod formed of a shape memory alloy is deformed so that the power generation panel becomes substantially perpendicular to the sun in midsummer, thus enhancing power generation efficiency, and a lot of air from many holes around the power generation panel passes through the gap between the power generation panel and transparent glass thereabove to cool them and to reduce defects.例文帳に追加

ソーラーパネル本体と蓋状体の二つの組み合わせで、真夏などの高温時には、形状記憶合金製の棒の変形で発電パネルが真夏の太陽にほぼ直角になって発電効率を上昇させると同時に、発電パネルの周りの多数の穴から大量の空気が発電パネルとその上の透明ガラスの隙間を通過して両者を冷やして故障を少なくする。 - 特許庁

The charge trap memory device characterized by comprising a tunnel insulating film formed on a substrate and a charge trap layer formed on the tunnel insulating film and composed of a high-k dielectric insulating film doped with transition metal and in that the tunnel insulating film reacts with the metal of the charge trap layer and the metal is formed so that it is prevented from spreading to the substrate side.例文帳に追加

基板上に形成されたトンネル絶縁膜と、このトンネル絶縁膜上に形成され、遷移金属がドーピングされた高誘電率絶縁膜からなる電荷トラップ層とを備え、トンネル絶縁膜が電荷トラップ層の金属と反応することや、この金属が基板側に広がることを防止するように形成されたことを特徴とする電荷トラップ型メモリ素子である。 - 特許庁

In the present invention, a means for decoding the data at a normal state in data distribution and securing high security to unauthorized access to the data by encrypting, holding the data managed by a data management server, not by placing a key for decrypting encryption in a data storage device of a computer but arranging the key only in a main memory of the computer is provided.例文帳に追加

本発明では、データ管理サーバで管理するデータを暗号化して保持すると共に，暗号を解読するための鍵を当該コンピュータのデータ記憶装置におくのではなく，当該コンピュータのメインメモリのみに配置することで，データ配信時にはデータを通常状態にデコードできると共に，データへの不正アクセスに対して高いセキュリティを確保できる手段を提案する． - 特許庁

To provide an information recorder which records information onto a disk-like recording medium by using a nonvolatile memory as a cache, and which achieves power-saving, high-speed and highly reliable writing and reading operations of information and is user-friendly, and to provide a control method therefor.例文帳に追加

この発明は、ディスク状記録媒体に不揮発性メモリをキャッシュとして情報の記録を行なうものにおいて、省電力化を図り、高速でかつ信頼性の高い情報の書き込み及び読み出し動作を実現することができ、しかも、ユーザにとっての取り扱いを便利にし得るようにした情報記録装置及びその制御方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

Control of the refresh-control circuit 25 is switched by detection of the prescribed temperature tx0 by the temperature detecting section 12A, current consumption IDD in a low temperature region can be reduced keeping a data holding characteristic of the memory cell 26 in whole temperature range by performing refresh-operation with a short period in a high temperature region, with a long period in a low temperature region.例文帳に追加

温度検出部１２Ａによる所定温度ｔｘ０の検出によりリフレッシュ制御回路２５の制御が切り替わり、高温領域において短周期で、低温領域において長周期をリフレッシュ動作を行わせることにより、全温度範囲でのメモリセル２６のデータ保持特性を維持しながら低温領域における消費電流ＩＤＤを低減することができる。 - 特許庁

The method of fabricating a flash memory element includes steps of: forming an undoped first polysilicon film on a semiconductor substrate; forming on said first polysilicon film an undoped second polysilicon film provided with a high-concentration doped region; implementing processing such that the doping concentration of said second polysilicon film and the doping concentration of said first polysilicon film will be similar; and forming a dielectric film on the resultant product.例文帳に追加

半導体基板上にアンドープト第１ポリシリコン膜を形成する段階と、前記第１ポリシリコン膜の上部に、高濃度ドーピング領域が備えられたアンドープト第２ポリシリコン膜を形成する段階と、前記第２ポリシリコン膜のドーピング濃度と前記第１ポリシリコン膜のドーピング濃度が類似となるようにしながら、前記結果物上に誘電体膜を形成する段階とを含む。 - 特許庁

The navigation system for searching a route and guiding to the setup destination comprises the memory means for storing the map data including the searched data, the running history acquisition part for storing the running history information acquired in the area including registered spots of high priority, and the route searching part for searching the route while utilizing the stored running history information.例文帳に追加

設定した目的地までの経路を探索して案内を行うナビゲーション装置であって、探索データを含む地図データを格納する記憶手段と、優先順位の高い登録地点を含むエリアにおいて走行履歴情報を取得して前記記憶手段に蓄積する走行履歴取得部と、蓄積された前記走行履歴情報を利用して経路を探索する経路探索部とを有する。 - 特許庁

Address registers 109-1 to 109-3 set the right of access to each CPU and DMAC 105 for each arbitrary area inside a memory area to be accessed by the CPU and DMAC 105 and comparators 112-1 to 112-3 determine the access right so as to respectively take priority over the access of high priority corresponding to the state of access to this arbitrary area.例文帳に追加

ＣＰＵとＤＭＡＣ１０５とがアクセスするメモリ領域中の任意の領域毎に各ＣＰＵとＤＭＡＣ１０５に対するアクセス権をアドレスレジスタ１０９−１〜１０９−３により設定し、該任意の領域に対するアクセス状態に応じてそれぞれ優先順位の高いアクセスを優先するようにアクセス権をコンパレータ１１２−１〜１１２−３により決定する構成を特徴とする。 - 特許庁

To find the magnification, rotation angle and the amount of parallel movement of a part corresponding to a reference image promptly and with high accuracy while reducing the memory capacity when the reference image is collated with an inputted image in a part of which an image formed by rotating and/or magnifying and reducing the image corresponding to the reference image is included.例文帳に追加

参照画像と、該参照画像に対応する画像を回転及び又は拡大縮小した画像をその一部に含む入力画像とを照合する場合に、参照画像に対応する部分の拡大率、回転角及び平行移動量を、メモリ容量を低減しつつ、迅速かつ精度良く求めることができる画像照合方法、装置及び記録媒体を提供すること。 - 特許庁

A clock deviation detector 214 starts counting both clock signals 204, 212 at their output timings, obtain the deviation of a specified count value of the lower speed clock signal 212 from that of the high speed clock signal 204 just when this specified count value is reached, and stores the deviation in a clock deviation data memory 207, thereby using it for correcting the clock of the low speed clock signal 212.例文帳に追加

クロック偏差検出部２１４は両クロック信号２０４、２１２が出力されるタイミングでこれらのカウントを開始し、低速クロック信号２１２が所定数カウントされた時点における高速クロック信号２０４のカウント値から偏差量を求めて、クロック偏差データ格納部２０７に格納しておき、低速クロック信号２１２のクロックの修正に使用する。 - 特許庁