「High memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(82ページ目) - Weblio英語例文検索

A range where ratio that face parts of visitors are located is high in image data to be picked up with a camera 101 is specified based on position information of faces parts of the visitors in the past accumulated in a memory 208 by a priority range specification part 2072, and face detection by a face detection circuit 2071 is preferentially performed from the range.例文帳に追加

優先範囲特定部２０７２により、メモリ２０８に蓄積された過去の来訪者の顔部分の位置情報をもとにカメラ１０１により撮像される画像データの中で来訪者の顔部分が位置する率が高い範囲を特定し、この範囲から優先的に顔検知回路２０７１による顔検知を行う。 - 特許庁

The external memory 36 stores the monitoring control information 34 which includes identification information 28 which identifies the communication equipment 14 to be monitored, a monitoring item 30, and analysis decision information 32 on the information 20 to be monitored, thereby an apparatus body with high versatility can be obtained so as to monitor any network communication equipment.例文帳に追加

外部記憶装置３６に、監視対象通信機器１４を識別する識別情報２８と、監視項目３０と、監視対象情報２０の解析判定情報３２とを含む監視制御情報３４を記憶させておくので、装置本体はどのネットワーク通信機器も監視できる汎用性の高いものにすることができる。 - 特許庁

A high-voltage power supply 70 includes a memory 82 which in advance stores a difference voltage Vd when a predetermined voltage and a predetermined current are outputted after a load resistance 91 having a known resistance value is connected, and a difference current Id when the predetermined voltage after corrected with the difference voltage Vd is outputted.例文帳に追加

高圧電源７０は、既知の抵抗値を有する負荷抵抗９１を接続して所定の電圧と所定の電流を出力したときの差分電圧Ｖｄ、及び前記所定の電圧を前記差分電圧Ｖｄによって補正して出力したときの差分電流Ｉｄを予め記憶しているメモリ８２を有している。 - 特許庁

Then, when a free space in a buffer becomes insufficient and a memory full signal is switched to High, a target position at this point is specified to the interruption position Xsp based on the conveyance time Tsp showing the elapsed time to an input point of the line start signal input immediately before and the target position trajectory.例文帳に追加

そしてバッファ空き容量が不足してメモリフル信号がＨｉｇｈに切り替わると直前に入力されたラインスタート信号の入力時点までの経過時間を表す搬送時間Ｔｓｐと目標位置軌跡とに基づき、この時点での目標位置を中断位置Ｘｓｐに特定する。 - 特許庁

In the non-volatile storage system 1000, the nonvolatile storage device 1 and host device 2 manage the state of the physical allocation unit of the nonvolatile memory, based on continuous write allocation unit information, and controls write based on the state of the physical allocation unit, to enable high-speed data write.例文帳に追加

そして、不揮発性記憶システム１０００では、不揮発性記憶装置１とホスト装置２とが連続書込アロケーションユニット情報を元に不揮発性メモリの物理アロケーションユニットの状態を管理し、当該物理アロケーションユニットの状態に基づいて書き込みを制御するため、高速なデータの書込みが可能となる。 - 特許庁

A pixel low in transfer efficiency is stored in a memory as an object pixel to appearance of red noise in a dotted form in high sensitivity; and a reverse-polarity correction signal proportional to a red level is corrected in addition to the pixel low in transfer efficiency when clear red color has come to the object pixel.例文帳に追加

本発明は、高感度時に点々と赤色のノイズが現われるのに対して、転送効率の悪い画素を対象画素としてメモリに保存し、対象画素に鮮明な赤色がきた場合、赤色レベルに比例した逆極性の補正信号を転送効率の悪い画素に加えて補正するものである。 - 特許庁

A charge trapping memory cell whose band gap structure has been designed includes a charge trapping element that is separated from a metal or metal compound gate, such as a platinum gate, by a blocking layer of material having a high dielectric constant, such as aluminum oxide, and separated from a semiconductor body including a channel by an improved tunneling dielectric material.例文帳に追加

バンドギャップを構造設計した電荷捕捉メモリーセルは、プラチナゲートのような金属又は金属化合物のゲートから、酸化アルミニウムのような高い誘電定数を有する材料のブロッキング層によって隔離され、チャンネルを含む半導体本体から改良されたトンネリング誘電体によって隔離される電荷捕捉素子を有する。 - 特許庁

To suppress a short channel effect by achieving uniformity in junction depth of a high concentration impurity layer of a source/drain electrode including an elevated source/drain region in a transistor in a peripheral circuit region while preventing short-circuit due to contact between semiconductor layers on the sourced/drain electrode in the transistor in a memory cell region.例文帳に追加

メモリセル領域のトランジスタにおけるソース／ドレイン電極上の半導体層同士の接触による短絡を防止しつつ、周辺回路領域のトランジスタにおけるせり上げソース／ドレイン領域を含むソース／ドレイン電極の高濃度不純物層の接合深さの均一性を図り、短チャネル効果を抑制する。 - 特許庁

To make a semiconductor device fine and small in size, to provide a semiconductor device capable of suppressing a variation in the threshold voltage of each memory cell transistor and its manufacturing method, and further to provide the semiconductor device having a high reliability tunnel insulating film and its manufacturing method.例文帳に追加

半導体装置の微細化および小型化を図ることであり、また、各メモリセルトランジスタのしきい値電圧のばらつきが抑えられた半導体装置およびその製造方法を提供することであり、さらに、信頼性の高いトンネル絶縁膜を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is suitable for forming a transistor for memory cell and a transistor for a circuit with a high breakdown voltage on one and the same semiconductor substrate and which has such a structure that a side wall insulation film of a shared contact plug part is removed and has little deterioration in electric properties, and also to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

メモリセル用のトランジスタと高耐圧回路部用のトランジスタとを１つの半導体基板上に形成するのに適しており、また、シェアードコンタクトプラグ部分の側壁絶縁膜が除去された構造で電気的特性の劣化の少ない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A wireless reader/writer 1 includes; a data-dividing part which divides instruction data from a high-order device 100; a command-analyzing part 31 which reads out communication-setting conditions, which correspond to a command, from a memory 22 on the basis of the divided one data (command data); and a setting conditions storage part which stores the communication-setting conditions.例文帳に追加

無線リーダライタ１００は、上位装置１００からの指示データを分割するデータ分割部と、分割された一方（コマンドデータ）に基づきコマンドに対応する通信設定条件をメモリ２２から読み出すコマンド解析部３１と、その通信設定条件を保持する設定条件保持部とを備えている。 - 特許庁

To shorten a transmission time to an arithmetic unit in every operation to shorten a processing time in the whole FFT operation, by conducting the FFT-operation after the FFT data is divided from a storage device of large capacity to be transmitted to a high speed access memory, in the FFT operation for the large volume of data.例文帳に追加

大容量のデータのＦＦＴ演算において、大容量記憶デバイスからＦＦＴデータを分割して高速アクセスメモリへ転送した後、ＦＦＴ演算することで、演算装置への演算毎の転送時間を短縮することにより、ＦＦＴ演算全体の処理時間の短縮を実現する。 - 特許庁

To provide a schedule creation method, a schedule creation device and a computer program in which a critical chain method is applicable to the format capable of expressing a given system as an MPL system with reduced memory consumption, delivery date is not missed even when the uncertainty of processing time is high, and reduction in the delivery lead time can be realized.例文帳に追加

より少ないメモリ消費で、与えられたシステムをＭＰＬシステムとして表現できる形式に対してクリティカルチェーン法を適用可能とし、処理時間の不確定性が高い場合にも納期遅れを出さず、かつ納期短縮を図り得るスケジュール作成方法、スケジュール作成装置及びコンピュータプログラムを提供する。 - 特許庁

When a test is performed for the semiconductor memory device, in a period in which an external clock ECLK having a period of integral multiple of the internal clock ICLK is fixed to a high level or a low level, continuous data can be allocated to mini-arrays being different from each other by writing one piece of data.例文帳に追加

本発明による半導体記憶装置に対してテストを行う場合、内部クロックＩＣＬＫの整数倍の周期を持った外部クロックＥＣＬＫがハイレベル又はローレベルに固定されている期間において１つのデータを書き込むことにより、連続するデータを互いに異なるミニアレイに割り当てることが可能となる。 - 特許庁

Then it is judged whether or not there are many low frequency components based on the analyzed frequency components (S22) and when there are many low frequency components (S22:Yes), the communication equipment is set so that voice reproduced by a voice reproduction part 6a and containing many high frequency components is read from a message memory 7 (S23).例文帳に追加

次に、その分析された周波数成分に基づいて、低周波成分が多いか否かを判断し（Ｓ２２）、低周波成分が多い場合は（Ｓ２２：Ｙｅｓ）、音声再生部６ａが再生する音声が高周波成分を多く含む音声をメッセージメモリ７から読み出すように設定する（Ｓ２３）。 - 特許庁

The image signal stored in the frame memory 36 is then enlarged by an electronic zoom section 39 and is given to the 3D noise reduction processing section 40 so as to be converted into an image signal that has the same resolution as that of an image signal that becomes as a high-resolution signal and inputted from the outside, and 3D noise reduction processing is completed.例文帳に追加

そして、このフレームメモリ３６に記憶された画像信号が、電子ズーム部３９によって拡大されて、３次元ノイズ低減処理部４０に与えられることで、外部から入力される高解像度画像となる画像信号と同一の解像度となる画像信号に変換されて、３次元ノイズ低減処理が成される。 - 特許庁

As a result, when the read word line rdword 0 becomes to be at the high level, since only a minute coupling voltage is generated on the write word line wrword 0 and the voltage is equal to or smaller than the threshold voltage of a transfer gate 1 for writing memory cells, this transfer gate is never turned ON and the erroneous write is not generated.例文帳に追加

このため、読み出しワード線ｒｄｗｏｒｄ０がハイレベルになった時、書き込みワード線ｗｄｗｏｒｄ０には微小なカップリング電圧しか発生せず、メモリセルの書き込み用のトランスファーゲート１の閾値電圧以下なので、このトランスファーゲートがオンすることがなく、誤書き込みが生じない。 - 特許庁

In precedence over processing such as the information acquisition of the memory card 8, only the start processing of the imaging system 2 is executed earlier so as to attain high-speed start and to made immediate photographing available so that the start time after application of power until photographing is made available can be reduced to the utmost thereby remarkably reducing the possibility of missing a shutter opportunity.例文帳に追加

メモリカード８の情報取得などの処理に先行して、撮像系２の立ち上げ処理のみを先に実行して高速起動し即撮影可能にすることで、電源を入れてから撮影可能になるまでの起動時間を極力短縮でき、シャッタチャンスを逃す可能性が大幅に少なくなる。 - 特許庁

To provide an optical buffer memory device which can be made low-cost by reducing the number of optical components and stores an optical pulse signal train without electric conversion and is available at a normal temperature and is expected to deal with the up-to-date optical technologies of high speed optical networks, quantum computers, etc. on a full scale.例文帳に追加

光学部品点数を低減させ、低コスト化を図ることができ、光パルス信号列を電気変換を行うことなく蓄積し、常温で使用可能であり、高速光ネットワークや量子コンピュータといった最新の光技術への本格的な対応が期待される光バッファメモリ装置を提供する。 - 特許庁

By utilizing information of VBV delay of a picture included in a video stream and reproduction time information of an audio access unit included in an audio stream or the like buffer time information such as an SCR is obtained through the use of a calculation expression and in high-speed processing with a smaller memory capacity is attained by a simplified method.例文帳に追加

ビデオストリームに含まれるピクチャのＶＢＶｄｅｌａｙの情報や、オーディオストリームに含まれるオーディオアクセスユニットの再生時間情報などを利用することにより、ＳＣＲなどのバッファ時刻情報を計算式を用いて求め、単純化された手法により、少ないメモリでの高速処理を可能とする。 - 特許庁

By using as input voltage of the booster circuit not the conventionally used output VDD of the regulator circuit 104, but the output VDD0 of the rectifier circuit portion 103, which is a higher potential than the VDD, high potential necessary for writing data to a memory can be obtained with a small circuit area.例文帳に追加

昇圧回路の入力電圧として、従来使われていたレギュレータ回路１０４の出力ＶＤＤではなく、ＶＤＤよりも高電位である整流回路部１０３の出力ＶＤＤ０を用いることにより、小さい回路面積で、メモリへのデータ書き込みに必要な高電位を得ることができるものである。 - 特許庁

To enable a semiconductor memory chip having a flip connection structure to realize a high-speed operation by rectilinearly arranging signal wires that connect peripheral circuit units and sub-arrays to pass through between pads in pad arrangement areas so as to make the sub-arrays uniform in signal delay time and signals equal to one another in propagation time.例文帳に追加

フリップ接続構造の半導体メモリチップにおいて、周辺回路部とサブアレイとの間を接続する信号線を、途中のパッド配置部のパッド間を通過するように直線的に配置し、各サブアレイ間での信号の遅延時間のバラツキを避け、信号の伝播時間を揃えることにより高速動作を実現する。 - 特許庁

Consequently, the data volume handled as moving route data can be reduced significantly as compared with conventional one and since a large capacity memory and a high speed processor are not required, the moving route can be recorded and displayed using a single portable communication terminal without communicating the positional data with the radio base station side.例文帳に追加

これにより、移動経路データとして扱うデータ量を従来に比べて著しく減少させることができ、大容量のメモリ及び高速処理装置などを必要としないため、無線基地局側と位置情報のデータ通信を行わなくとも携帯通信端末単体で、移動経路の記録及び表示を行うことができる。 - 特許庁

When an unbuffered type one with ECC function is adapted as a memory module 20, an internal C/A bus structure 50 is set to signal T- branch topology, the output impedance of a chip set 10 is set substantially constant, and a capacity 70 for cutting the high frequency component of a C/A signal is added to a C/AA bus 30.例文帳に追加

メモリモジュール２０としてＥＣＣ機能付のアンバッファタイプのものを採用した場合には内部Ｃ／Ａバス構造６０をシングルＴ−ブランチトポロジとし、チップセット１０の出力インピーダンスを実質的に一定とし、Ｃ／ＡＡバス３０にＣ／Ａ信号の高周波数成分をカットするための容量７０を付加した。 - 特許庁

To provide an organic photoreceptor that can prevent a transfer memory phenomenon or a rise in a residual potential, which are apt to occur by application of a high transfer voltage, and can form a preferable halftone image for a long period of time; and to provide an image forming apparatus and a process cartridge using the organic photoreceptor.例文帳に追加

本発明の目的は、高転写電圧の印加により発生しやすい、転写メモリーや残留電位の上昇を防止し、長期間に亘り良好なハーフトーン画像を形成できる有機感光体及び該有機感光体を用いた画像形成装置及びプロセスカートリッジを提供することである。 - 特許庁

A pair of magnetic pole pieces 6 consisting of soft magnetic material having high permeability are juxtaposed so that it may be close to the magnetic resistance effect type of storage element 1, and the magnetic memory device is constituted so that these paired magnetic pole pieces 6 may be excited by the write current flowing in the direction roughly orthogonal to its row direction.例文帳に追加

磁気抵抗効果型の記憶素子１に近接するように、高透磁率を持つ軟磁性材料からなる一対の磁極片６を並設するとともに、これら一対の磁極片６がその並び方向と略直交する方向に流れる書き込み電流によって励磁されるように、磁気メモリ装置を構成する。 - 特許庁

In the monitoring recording/reproducing device, an equipped RAM (high-speed random access memory) for alarm recording is utilized to control read from a hard disk drive and that from the RAM, thus switching the display without any additional costs and any breaks from the time shift reproduction to the live video reproduction.例文帳に追加

監視記録再生装置において、アラーム録画用の具備したＲＡＭ（高速ランダムアクセスメモリ）を利用し、ハードディスクドライブからの読み出しと、前記ＲＡＭからの読み出しを制御することで、余分なコストをかけることなくタイムシフト再生からライブ映像再生に切れ目を作ることなく表示を切替えることができる。 - 特許庁

To provide an optical output controller and the control method thereof that can facilitate determination processing and control processing for an indication value and increase efficiency of table data stored in a memory regardless of materials and structures of a thin film heater and an optical waveguide and even when a plurality of single VOAs are integrated to high density.例文帳に追加

薄膜ヒータや光導波路の材質や構造に関係なく、かつ複数の単一VOAを高密で集積した場合にも、指示値の決定処理や制御処理が簡便であり、さらにメモリに格納するテーブルデータの効率化も高めることが可能な光出力制御装置およびその制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image forming device that comprises at least a charging means, an exposure means, a development means, and a transfer means around an organic photoreceptor and that forms images repeatedly, the image forming device obtaining a halftone image without a transfer memory or a ghost for a long period of time while maintaining a high transfer rate.例文帳に追加

有機感光体の周辺に少なくとも帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段を有し、繰り返し画像形成を行う画像形成装置において、高転写率を維持しつつ転写メモリーやゴーストの無いハーフトーン画像を長期にわたり得ることができる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

Thus, ferroelectric characteristics can be ensured and a ferroelectric memory suitable for microfabrication and high integration can be obtained.例文帳に追加

強誘電体薄膜を複数個の電極で挟み、強誘電体薄膜を連続、一体化した構成をとり、強誘電体薄膜の中で分極信号を転送する分極転送デバイス構造を強誘電体メモリのメモリセル群として用いることにより、強誘電体特性を確保し、微細化、高集積化に適した強誘電体メモリが得られる。 - 特許庁

In the end of the high-speed operation, a momentary power judging part 7 judges the momentary radio power value of the radio receiving signal for each of the antennas 1a, 1b stored in the memory 6, controls the antenna switcher 2 for fixing to either the antenna 1a or 1b of the larger momentary radio power value.例文帳に追加

瞬時電力大小判定部７は、高速動作の最後に、メモリ６に保存されているアンテナ１ａ，１ｂ毎の無線受信信号の瞬時無線電力値の大小を判定し、アンテナ切り替え機２を制御して瞬時無線電力値が大きなアンテナ１ａ，１ｂのどちらか一方への固定化を行う。 - 特許庁

To improve the taste of a game when a role having a possibility to win in two or more winning lines internally wins, by defining positions enabling a win in respective winning lines as objects of a slip control at high priority without promoting to increase a memory size of a bit data storage area.例文帳に追加

２以上の入賞ラインでの入賞が可能となる役が内部当選した場合に、ビットデータ保存領域等のメモリ量の増大を助長することなく、それぞれの入賞ラインでの入賞を可能とする位置を最優先に滑り制御の対象とすることで、遊技の趣向性を向上する。 - 特許庁

A microcomputer, a high speed memory section 212 and a transfer control circuit are integrated in the same chip, a control circuit 616 arbiters an access from the microcomputer to a RAM 618, and an access from the transfer control circuit to the RAM 618 and the RAM 618 is accessed according to the arbitration result.例文帳に追加

マイクロプロセッサ２１０、高速メモリ部２１２、転写制御回路２１４を同一チップに集積すると共に、マイクロプロセッサ２１０からＲＡＭ６１８に対するアクセスと転写制御回路２１４からＲＡＭ６１８に対するアクセスを制御回路６１６において調停し、この調停結果にしたがってＲＡＭ６１８をアクセスする。 - 特許庁

In a nonvolatile semiconductor storage device 100 in which a memory cell 110 and a transistor 120 are formed on a silicon substrate 101, at least a sidewall 127 covering the side face of a high dielectric film 124 is formed across a lower gate 122 and a silicon gate 126 on the side face of a laminate film 120T configuring the transistor 120.例文帳に追加

メモリセル１１０とトランジスタ１２０とがシリコン基板１０１に形成された不揮発性半導体記憶装置１００において、トランジスタ１２０を構成する積層膜１２０Ｔの側面に、少なくとも高誘電体膜１２４の側面を覆うサイドウォール１２７を下部ゲート１２２からシリコンゲート１２６にかけて形成する。 - 特許庁

The conventional multi-port cache memory is excellent in high speed since it is constituted by using multi-port cell blocks, however, chip size is increased when erroneous cache is attempted to be reduced by increasing its capacity since the areas of the cell blocks to be components increase in proportion to square of the number of ports, which becomes a cause of cost increase.例文帳に追加

従来のマルチポートキャッシュメモリはマルチポートセルブロックを用いて構成されるので高速性には優れているが、構成要素となるセルブロックの面積がポート数の２乗に比例して増大するため、大容量化してキャッシュミスを低減しようとすればチップサイズが増大し、コストアップの原因となっていた。 - 特許庁

This locking mechanism is an electromagnetic locking mechanism 26 which is arranged on the cover 5 and composed of a metallic plate 5C and an electromagnet 27 arranged to be opposed to the metallic plate or a mechanical (high-temperature) locking mechanism 31 formed from a shape-memory material (a spring) 34 whose shape is changed according to the temperature in the drying chamber.例文帳に追加

そのロック機構は、蓋５に設けられた金属製の板５Ｃとこの板に対向するように配置された電磁石２７とからなる電磁ロック機構２６もしくは、乾燥室内の温度によって形状が変化する形状記憶材料（バネ）３４にて形成された機械的な（高温）ロック機構３１である。 - 特許庁

To provide a highly efficient two-stage-excited hologram memory or other optical storage medium making use of a compound, such as an oligothiophene compound, that although being high in the efficiency of generation of singlet excited state and triplet excited state, is not apt to immediately induce a chemical reaction involving a structural change, etc.例文帳に追加

オリゴチオフェン系化合物のような一重項励起状態や三重項励起状態の生成効率が高いものの、直ちに構造変化等の化学反応は生じにくい化合物を用いた高効率な二段階励起型のホログラムメモリを始めとする光記憶媒体を提供することを目的とする。 - 特許庁

A booster circuit is provided in a circuit comprising a comparator 104 and a memory 105 for converting an analog signal outputted from the pixel part 101 into a digital signal and storing the digital signal, so that the high-speed A/D converter which is free from voltage attenuation, is packaged in the NMOS solid-state image pickup device 100.例文帳に追加

画素部１０１から出力されたアナログ信号をデジタル信号に変換して記憶する比較器１０４及び記憶器１０５を構成する回路には昇圧回路が設けられており、それによって、電圧減衰がなく高速なＡＤ変換器をＮＭＯＳ型固体撮像装置１００に搭載できる。 - 特許庁

To provide a process for spin-on depositing a silicon dioxide-containing film under oxidative conditions for gap-filling in high aspect ratio features for shallow trench isolation used in memory and logic circuit-containing semiconductor substrates, such as, silicon wafers having one or more integrated circuit structures contained thereon.例文帳に追加

記憶及び論理回路を含む半導体基材、例えば、１つ又は複数の集積回路構造をその上に有するシリコンウェハにおいて用いられるシャロートレンチアイソレーションのための高アスペクト比の特徴のギャップを充填するための酸化条件下で二酸化ケイ素含有膜をスピンオン堆積させる方法を提供する。 - 特許庁

A signal that is selected by the antenna switch 202a is inputted to a high-frequency amplifier/primary demodulation circuit 203a, the demodulation output is analyzed as antenna level strength by a reception power detection section 203b in synchronization with each antenna, and the result is stored in a memory means 204 for each antenna.例文帳に追加

アンテナスイッチ２０２ａで選択された信号は高周波増幅器兼１次復調回路２０３ａに入力され、各アンテナとタイミングを取ってその復調出力がアンテナレベル強度として受信電力検出部２０３ｂで解析され、その結果が各アンテナ毎にメモリ手段２０４に記憶される。 - 特許庁

In this car navigation device 1, map data can be copied into a memory (S26) and route guide can be performed even on a high place with a considerable altitude where the hard disk cannot be cooled sufficiently even when being cooled by a cooling device (S16-S24), to thereby enable route guide at any place without interruption.例文帳に追加

このカーナビゲーション装置１によれば、冷却装置による冷却によっても（Ｓ１６〜Ｓ２４）ハードディスクを十分に冷却することができない高度の高い場所でも、メモリに地図データを写して（Ｓ２６）経路案内を行うことができるので、どのような場所でも経路案内を途切れさせることなく行うことができる。 - 特許庁

The semiconductor memory device is made high in large in the rewriting number of times by optimizing the reliability margin of both of data "0" and data "1" or the reliability margin of one side by a circuit changing to an optimum read-out condition for the number of times of rewriting by a circuit for monitoring a rewriting state and a monitor result of the rewriting state.例文帳に追加

書き換え状態をモニタするための回路と、書き換え状態のモニタ結果により、書き換え回数に最適な読み出し条件に変更する回路により、データ“０”、データ“１”の両方の信頼性マージンもしくは一方の信頼性マージンを最適化することで、高信頼性、高書き換え回数を実現する。 - 特許庁

In a NAND flash memory, with respect to high-voltage driving transistors HV-P, HV-N and a low-voltage driving P-channel transistor LV-P of its peripheral circuit, after forming their gate electrodes 7, when ion-implanting impurities into them; their gate insulating films 6, 8 are so removed at the same time by a lithographic processing as to implant ions into them.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリで、周辺回路の高電圧駆動トランジスタＨＶ−Ｐ、ＨＶ−Ｎと低電圧駆動ＰチャンネルトランジスタＬＶ−Ｐについて、ゲート電極７の形成後に、不純物のイオン注入時に、リソグラフィ処理で同時にゲート絶縁膜６、８を除去し、イオン注入を行う。 - 特許庁

To provide a memory circuit in which erroneous read-out caused by level floating of the source line caused by a discharge current flowing into the source line from a pre-charged bit lines is prevented at the time of read-out, erroneous read-out based on capacity coupling between adjacent bit lines also is not caused, and large scale high integration can be performed.例文帳に追加

読み出し時に、プリチャージされたビット線からソース線に流入するデスチャージ電流により生じる前記ソース線のレベル浮きによる誤読み出しを防止し、かつ隣接ビット線間の容量カップリングに基づく誤読み出しも生じない、大規模高集積化が可能なメモリ回路を提供する。 - 特許庁

The memory element is provided which has a first conductive layer, a second conductive layer opposing the first conductive layer, and an organic compound layer provided between the first and second conductive layers, wherein the organic compound layer utilizes a high molecular material having an amide group in at least at one kind of side chains.例文帳に追加

第１の導電層と、前記第１の導電層に対向する第２の導電層と、第１の導電層と第２の導電層間に設置された有機化合物層を有し、前記有機化合物層は、少なくとも一種の側鎖にアミド基を有する高分子材料を用いた記憶素子を提供する。 - 特許庁