「ISOLATION」に関連した英語例文の一覧と使い方(134ページ目) - Weblio英語例文検索

Whereby the hardware and the software can be commonly used to be operated as an intranet, and the sub-intranet is defined inside to control the contact and isolation of the contents when the same groupware is operated as an intranet system among companies having business connection.例文帳に追加

このことにより、取引関係のある企業間で同一のグループウェアをイントラネットシステムとして稼動させた場合に、そのハードウェア、ソフトウェアを共通化してイントラネットとして稼動させ、その内部でサブイントラネットを定義してコンテンツの接触と隔離をコントロールする。 - 特許庁

The electric device comprises an ion generating element having a plus discharge section arranged by adjacently separating a distance capable of securing its isolation and generating a plus ion and a minus discharge section for generating a minus ion, and a transmitting means for transmitting the generated ion.例文帳に追加

本発明の電気機器は、絶縁が確保できる距離を隔てて隣接して配置されたプラスイオンを発生するプラス放電部およびマイナスイオンを発生するマイナス放電部を備えたイオン発生素子および発生したイオンを送出するための送出手段を備える。 - 特許庁

To provide a high frequency switch module for realizing high isolation with respect to the high frequency module for particularly branching at least two transmission reception signals with different frequency bands into respective transmission signals or reception signals.例文帳に追加

本発明は特に周波数帯域が異なる少なくとも２つの送受信信号をそれぞれの送信信号或いは受信信号に分波する高周波スイッチモジュールに関するものであって、高周波スイッチモジュールにおける高いアイソレーションを実現するものである。 - 特許庁

To provide a simple and industrially suitable method for producing an (S)-7-substituted quinolyl-5-hydroxy-3-oxohept-6-enoic acid ester derivative in high optical purity and in high isolation yield.例文帳に追加

本発明は、簡便な方法によって、高い光学純度及び高い単離収率で、(S)-7-置換キノリル-5-ヒドロキシ-3-オキソヘプト-6-エン酸エステル誘導体を得る、工業的に好適な(S)-7-置換キノリル-5-ヒドロキシ-3-オキソヘプト-6-エン酸エステル誘導体の製法を提供することを課題とする。 - 特許庁

A vertical base isolation device is provided between an upper structure 2 and a lower structure 4 as an overall building and includes disc springs 12 capable of supporting a load of the upper structure 2, and an oil damper 14 which performs piston action in a vertical direction and suppresses horizontal displacement of the disc springs 12.例文帳に追加

建屋全体としての上部構造物２と下部構造物４との間に設けられ、上部構造物２の荷重を支持可能な皿ばね１２と、上下方向にピストン運動し、皿ばね１２の水平変位を抑えるオイルダンパー１４とを備えるようにする。 - 特許庁

The form insert 5 is arranged in a first compartment A in communication with the atmosphere through a duct 36, in which airtight isolation is generated from the remaining part of the space B in the casing of the tire by flexible membranes 51, 51a, 51b, and the space B has communication with inflation valves 4 and 41.例文帳に追加

フォームインサート（５）がダクト（36）を介して大気と連通状態にある第１のコンパートメント（Ａ）内に配置されていて、可撓性メンブレン（51,51a,51b）によりタイヤのケーシング内部の空間（Ｂ）の残部から気密的に隔離され、空間（Ｂ）がインフレーション弁（4,41）と連通状態にある。 - 特許庁

In the reverse blocking insulated gate type bipolar transistor of which the substrate thickness is equal to 150 μm or less, a trench 23 formed on a first main surface side is used to form an isolation diffusion region 32.例文帳に追加

基板の厚さが１５０μｍ以下の逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタにおいて、第一主面側に形成した分離領域形成用トレンチ溝２３を利用して分離拡散領域３２が形成されている逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタとする。 - 特許庁

The element isolation region is a deep trench 15, consisting of a forward taper profile 13 and a bowing profile connecting to a lower part, and a boundary surface between the forward taper profile 13, and the bowing profile is arranged in the high concentration impurity diffusion semiconductor layer 1.例文帳に追加

素子分離領域は、順テーパ形状部１３及び下部に繋がるボーイング形状部からなるディープトレンチ１５であり、前記順テーパ形状部と前記ボーイング形状部との境界面は高濃度不純物拡散半導体層１内に配置されている。 - 特許庁

To provide a multiband enabled antenna device which attains reduction in size/in space, prevents a gain from being reduced, by ensuring isolation even in a plurality of frequency bands, and has a broad bandwidth and a high average gain in each of frequency bands.例文帳に追加

本発明は、小型化・省スペース化を図ると共に、複数の周波数帯域においてもアイソレーションを保って利得の低下を防ぐと共に、各周波数帯において帯域幅が広く且つ平均利得も高いマルチバンド対応のアンテナ装置を提供する。 - 特許庁

To solve the inconvenience of a conventional method for setting a base isolation device to an existing building, in which a temporary jack must be set in a position distant from a column.例文帳に追加

本発明は、既存建物に対する免震装置の設置方法に関し、従来の既存建物に対する免震装置の設置方法における仮設ジャッキを柱から離れた位置に設置することの不都合な課題を、本発明の設置方法により解消することである。 - 特許庁

To provide a code recognition device which has no loss, does not become complicated but is very simple, further, is capable of recognizing many codes by conquering poor net angle isolation caused by the fact that a diffraction angle has a full width at half maximum to a certain reproduced angle.例文帳に追加

本発明は、ロスがなく、煩雑にならず、きわめて簡便で、さらに一定の再生角度に対して回折角度が半値全幅を持つ事による角度分離性の悪さを克服して、多数のコードを認識できる事が出来るコード認識装置を提供する。 - 特許庁

An N+ diffused layer 15, an N well 14, and a deep N-well 15 are formed in a position deeper than a shallow trench isolation region as an emitter diffused layer so that the discharge current of a bipolar transistor of a static protective element flows mainly vertically to the substrate surface.例文帳に追加

静電保護素子のバイポーラトランジスタの放電電流が主に基板表面に対して縦方向となるように、シャロートレンチ分離体１６よりも深い位置に、エミッタ拡散層として、Ｎ^+拡散層１５、Ｎウエル１４及び深いＮウエル１１を形成する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device with which thinning of a gate insulating layer in an STI end of a transistor element having an STI (Shallow Trench Isolation) structure, especially, a high breakdown voltage transistor element, and the structure is formed without adding a large process.例文帳に追加

ＳＴＩ構造を有するトランジスタ素子、特に高耐圧トランジスタ素子のＳＴＩ端部でのゲート絶縁層のシニングを防止し、なおかつ大幅な工程を追加することなくその構造を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する - 特許庁

A driver can easily confirm that the lock state of a signal obtaining device 34 mounted in a scan room 2 of a vehicle 20 is effected and that the base-isolation state of an operating device 36 mounted in an operating room 24 of the vehicle 20 is effected.例文帳に追加

車両２０のスキャンルーム２２に設置した信号獲得装置３４の拘束状態が成立していること、および、車両２０の操作室２４に設置した操作装置３６の免震状態が成立していることを、運転者が確認できるようにした。 - 特許庁

To suppress the seismic force applied to a frame when an earthquake occurs, and support a structure so that it is not overturned by the overturning moment in the seismic input in a base isolation frame to generate the vibration by the rotation of a structure itself.例文帳に追加

構造物自体が回転駆動することにより振動を生ずる免震架台において、地震発生時に、架台に加わる地震力を一定以下に抑えると共に、地震時入力の転倒モーメントに対して、構造物が転倒しないように支持する。 - 特許庁

The connection part in one section among the connection parts in at least two sections made of the vibration isolation material is provided close to a discharge part of the circulating pump 9, and the connection part in the other section is provided on the downstream side of a corner part bent first from the direction of blowing-out of the circulating pump 9.例文帳に追加

ここで、防振材からなる少なくとも二箇所の接続部のうちの一箇所は、循環ポンプ９の吐出部の近辺とし、他の一箇所は循環ポンプ９の吹出し方向から最初に折れ曲がるコーナ部の下流側とするとよい。 - 特許庁

Then, in a photolithographical process, element isolation formation of the thin film semiconductor layer and formation of video signal wiring and a drain electrode are conducted simultaneously by a single photolithographical process by using a photomask capable of modulating the quantity of exposed light of a channel area of a thin film transistor element.例文帳に追加

その後、ホトリソグラフィー工程で、薄膜トランジスタ素子のチャネル領域の露光光量を変調可能なホトマスクを用いて、薄膜半導体層の素子分離形成と映像信号配線とドレイン電極の形成を１回のホトリソグラフィー工程で同時に形成する。 - 特許庁

To provide a high frequency switch circuit capable of improving maximum input power without incurring deterioration in isolation characteristics by individually controlling gate widths of FETs in a multi-stage according to the power received by each FET.例文帳に追加

多段化したＦＥＴのゲート幅を各々のＦＥＴに入力される電力に応じて個別に制御することによって、アイソレーション特性の劣化を招くことなく最大入力電力を向上させることの可能な高周波用スイッチ回路を提供すること。 - 特許庁

A p-n joint part between a p-type diffusion layer 2 and an n-type silicon substrate 1 is formed in an element formation area divided by an element isolation area 5 on the surface of a semiconductor substrate 1, and a radiation sensitive area is formed by the p-n joint part.例文帳に追加

半導体基板１の表面の素子分離領域５により区画された素子形成領域に、ｐ型拡散層２とｎ型シリコン基板１とのｐｎ接合部が形成されており、このｐｎ接合部により放射線有感領域が構成されている。 - 特許庁

The vibration isolation members 5, 6 are set to mutually different elastic moduli determined by a stress exerted according to the amount of horizontal deviation between the center of gravity of the structure, including the excitation section 9 and the carrier section 11, and the center between the front and rear legs 3, 4.例文帳に追加

防振部材５，６は、起振部９及び搬送部１１を含む構造部分の重心と前後の脚３，４の中心との水平方向のずれ量に対応して作用する応力によって決定されるそれぞれ異なる弾性係数に設定されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can suppress the occurrence of inconvenience caused by the removal of an end part of an element isolation insulating film, when removing a first insulation film formed on the surface of a first electrode of a first element.例文帳に追加

第１素子の第１電極の表面上に形成される第１絶縁膜を除去する際に、素子分離絶縁膜の端部が除去されることに起因する不都合が発生するのを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To form a trench isolation region which is capable of preventing an insulating layer formed on a silicon nitride liner from separating off at an interface and being damaged, by a method wherein a uniform gas distribution region is formed on a trench, and an insulating layer of uniform density is grown.例文帳に追加

トレンチ上に均一のガス分布領域を形成して、均一の密度を有する絶縁層を成長することにより、シリコン窒化膜ライナー層上に形成された絶縁層が界面で剥れる損傷を防止するトレンチ隔離領域の形成方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is composed of two capacitors C1 and C2 comprising a polysilicon capacitor and an n-type transistor formed, for instance, on a semiconductor substrate 11 comprising a p-type silicon substrate with its element separated, for instance, by an STI (Shallow Trench Isolation) technology.例文帳に追加

この半導体装置は、例えばＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ ＴｒｅｎｃｈＩｓｏｌａｔｉｏｎ）技術により素子分離された例えばｐ型のシリコン基板からなる半導体基板１１に、ポリシリコンキャパシタからなる２つのキャパシタＣ１およびＣ２とｎ型トランジスタとを備えて構成されている。 - 特許庁

A vibration isolation member 20 is mounted on a pivot holder 16 such that a stopper part 21e is positioned between two opening end parts 17a (or 18a) of the pivot holder 16.例文帳に追加

防振部材２０は、その筒部２０ａの挿通孔２０ｄに円筒部２１ａを挿通してカラー部材２１が嵌め込まれ、ストッパ部２１ｅがピボットホルダ１６の取付部１７（又は１８）の両開口端部１７ａ（又は１８ａ）間に位置するよう該ピボットホルダ１６に装着されている。 - 特許庁

The case 10 is integrated with a cover 40 by arranging an adhesive 30 for vibration isolation for absorbing the vibration that is received by the cover 40 from the measuring object between an opening end 16 of the case 10 storing the sensor and the cover 40 for covering a recessed part 13 of the case 10.例文帳に追加

センサを収納したケース１０の開口端１６とケース１０の凹部１３を覆うカバー４０との間に、カバー４０が測定対象物から受ける振動を吸収する防振用接着剤３０を配置させてケース１０とカバー４０とを一体化させる。 - 特許庁

The method includes a step to form a buried oxide layer BOX at the logic circuit part 18 of a substrate, which is not masked by a first mask, by injecting oxygen and a step to apply etching to isolation trenches inside the array part 17 and the logic circuit part 18 by a second mask.例文帳に追加

酸素を注入して、第１のマスクによってマスクされていない基板の論理回路部分１８に埋設酸化物層ＢＯＸを形成するステップと、第２のマスクでアレイ部分１７と論理回路部分１８内の分離トレンチにエッチングを施すステップを含む。 - 特許庁

Concerning the reactor containment, the Regulatory Guide for Reviewing Safety Design specifies the following:　the reactor containment shall be designed to withstand the load resulting from the postulated events for reactor containment design and an appropriate seismic load and prevent the specified leakage rate from being exceeded with the aid of properly operating isolation functions, the reactor containment shall be so designed that the leakage rate of the entire containment can be measured under a specified pressure on a periodic basis, the reactor containment boundary shall be designed not to exhibit brittlebehavior and develop any quickly propagative failure during normal operation, maintenance, testing and abnormal conditions, and the pipelines that penetrate the reactor containment walls shall in general be fitted with containment isolation valves.例文帳に追加

原子炉格納容器については、 設計用想定事象に起因する荷重及び適切な地震荷重に耐え、かつ、所定の漏えい率を超えることがない設計であること、 定期的に漏えい率の測定ができる設計であること、 そのバウンダリが通常運転時、保修時、試験時、及び異常状態において、脆性的挙動を示さず、かつ、急速な伝播型破断を生じない設計であること、それを貫通する配管系が隔離弁を設けた設計であることが安全設計審査指針で求められている。 - 経済産業省

This base isolation pipe joint 10 is provided with: a cylindrical joint body 11 formed of relatively soft rubber; and shape-keeping rubber 12 mounted integrally with the joint body 11 so as to be wound around the circumference thereof for keeping the cylindrical shape of the joint body 11.例文帳に追加

免震管継手１０を、相対的に軟質のゴムで形成された筒状の継手本体１１と、継手本体１１の外周に巻き付けるように一体に設けられ継手本体１１の筒状を保形する相対的に硬質のゴムで形成された保形用ゴム１２と、を備えたものとする。 - 特許庁

The sound isolation panel includes a honeycomb core 2 having opened front side and the back side, air permeable materials 4 and 4 stuck on at least one of the front side and the back side, and plates 3 and 3 respectively provided at the front side and the back side of the honeycomb core 2.例文帳に追加

本発明の遮音パネルは、表面および裏面が開放されたハニカムコア材２と、ハニカムコア材２の表面および裏面の少なくとも一方に貼り付けられた通気性材料４、４と、ハニカムコア材２の表面側および裏面側にそれぞれ設けられた板材３、３と、を備えている。 - 特許庁

Thus, the width of the respective circuit patterns 3 or the width of an isolation groove 4 between the circuit patterns can be still kept in the same state when a single lead frame 1 is formed, and only the thickness of the circuit pattern 3 can be made large in proportion to the number of the stacked lead frames 1.例文帳に追加

こうすると、各回路パターン３の幅や回路パターン３間にある分離溝４の幅は、単独のリードフレーム１を形成したときの状態と同じまま、回路パターン３の厚さだけを、重ねあわせたリードフレーム１の枚数に比例して増加させることができる。 - 特許庁

Both end parts of a plural number of curved members 7 made of an elasto-plastic material constituting an isolator 1 and a damping mechanism 6 are arranged between an upper part structure 2 and a lower part structure 3 and they are fixed on the upper part structure 2 and the lower part structure 3 respectively on the base isolation device.例文帳に追加

本発明の免震装置は、上部構造２と下部構造３のに間に、アイソレータ１と、減衰機構６を構成する弾塑性材料からなる複数の彎曲状部材７の両端部８，９を配置し、上部構造２と下部構造３に夫々固定する。 - 特許庁

Besides, in the case of strong horizontal shaking at occurrence of earthquake, the rolling body 16 rotates accompanying horizontal oscillation of a lower raceway board 12, and an upper raceway board 14 relatively moves in the horizontal direction with respect to the lower raceway board 12, so that a base isolation effect can be obtained.例文帳に追加

一方、地震発生時のように水平方向の揺れが大きい場合は、下部軌道盤１２の横揺れに伴い、転動体１６が回動すると共に、上部軌道盤１４が下部軌道盤１２に対し水平方向に相対移動するので、免震効果が得られる。 - 特許庁

The second gate electrode 52 is disposed between the other part of the first main electrode 41 and the other part of the second main electrode 42 which faces the other part of the first main electrode 41 so as to sandwich an isolation region 6 between the first gate electrode 51 and the second gate electrode 52, and is controlled independently from the first gate electrode 51.例文帳に追加

第２のゲート電極５２は、第１の主電極４１の他の一部と対向する第２の主電極４２の他の一部との間において、第１のゲート電極５１との間に分離領域６を介在し配設され、第１のゲート電極５１に対して独立に制御される。 - 特許庁

To provide a base isolation stand provided with a fail safe mechanism for excessive vertical/horizontal vibrations, while allowing the horizonta/vertical vibrations together, which can exhibit a stable friction damping force in the middle of the swing following to the vertical vibration and whose plane shape and upper/lower size are compact.例文帳に追加

水平・上下方向の振動をともに許容しつつ、過大な上下・水平振動に対するフェイルセーフ機構を備え、また上下振動を伴う揺れの最中にも安定した摩擦減衰力を発揮し、しかも平面形状・上下寸法がコンパクトな免震台を提供する。 - 特許庁

P type buried diffusion layers 2 are formed on an element isolation area of a P type Si substrate 1 and a division part area between a photodiode II and an NPN transistor I respectively, and an N type buried diffusion layer 3 is formed in an area of an NPN transistor I.例文帳に追加

Ｐ型Ｓｉ基板１の表層部の素子分離領域およびフォトダイオードＩＩとＮＰＮトランジスタＩとの分割部領域にＰ型埋め込み拡散層２をそれぞれ形成するとともに、ＮＰＮトランジスタＩの領域内にＮ型埋め込み拡散層３を形成する。 - 特許庁

A semiconductor memory device according to an embodiment comprises: a semiconductor substrate; a plurality of element isolation insulators which are formed on an upper part of the semiconductor substrate and divide the upper part to a plurality of active areas extending in a first direction; and an electric contact connected to the active areas.例文帳に追加

実施形態に係る半導体記憶装置は、半導体基板と、前記半導体基板の上層部分に形成され、前記上層部分を第１方向に延びる複数本のアクティブエリアに区画する複数本の素子分離絶縁体と、前記アクティブエリアに接続されたコンタクトと、を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which elements 3 separated longitudinally and laterally by insulating members 2a in element, well, and circuit units, the semiconductor device having a high isolation breakdown voltage and being manufactured inexpensively without using an SOI substrate, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

素子、ウェル、および回路単位で縦横方向が絶縁部材２ａで分離された構造の素子３が形成された半導体装置において、高い分離耐圧を有し、さらにＳＯＩ基板を使わずに低コストで製造できる半導体装置、および、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the element isolation formation method of a semiconductor device, that can reduce aspect ratio for forming an element separation film without voids, by minimizing loss in a thermal oxide film on the sidewall of a trench, by completely removing the thermal oxide film on the bottom surface of the trench for normally growing silicon.例文帳に追加

トレンチ側壁の熱酸化膜の損失を最小化し、トレンチ底面の熱酸化膜を完全に除去して正常的にシリコンを成長させて、アスペクト比を減らしてボイドの無い素子分離膜を形成できる半導体素子の素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁

The isolation and refining of the cubic spinel-type silicon nitride comprises accommodating a mixed power 12 comprising the cubic spinel-type silicon nitride and the low pressure phase silicon nitride and a mixed acid solution 13 comprising hydrofluoric acid and nitric acid or sulfuric acid in a reaction vessel 1 and reacting them while heating.例文帳に追加

立方晶スピネル型窒化ケイ素の分離、精製は、反応容器１内に立方晶スピネル型窒化ケイ素と低圧相窒化ケイ素の混合粉末１２と、フッ化水素酸及び硝酸又は硫酸の混酸溶液１３とを収容し、加熱状態で反応させることにより行われる。 - 特許庁

An impurity diffused layer 141 functions as one of the electrodes of a capacitor C, a data transmission path, and a window W which generates a tunnel current in a TN region in element regions 131 and 132 surrounded by an element isolation region 12 on a substrate 11.例文帳に追加

素子分離領域１２に囲まれた基板１１上の素子領域１３１，１３２において不純物拡散層１４１はキャパシタＣの一方電極、不純物拡散層１４１はデータ伝送経路及び領域ＴＮでトンネル電流を発生させるためのウィンドウＷとして機能する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device which can reduce an isolation width on the occasion of electrically isolating in distance between wells and between well and source or drain and thereby can reduce the size not only in the lateral direction but also in the depth direction.例文帳に追加

本発明は、ウェルとウェルとの間またはウェルとソースまたはドレインとの間を距離的、電気的に分離するに際し、その分離幅を縮小することができ、その結果、横方向のみならず深さ方向の寸法の縮小を可能にする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave branching filter where which first and second surface acoustic wave filter chips are mounted by a flip-chip bonding method in a package member, the isolation between the first and second surface acoustic wave filter chips is improved, and proper attenuation characteristics are achieved.例文帳に追加

フリップチップボンディング方式で第１，第２の弾性表面波フィルタチップがパッケージ材に搭載されており、さらに第１，第２の弾性表面波フィルタチップ間のアイソレーションを改善することができ、良好な減衰特性を有する弾性表面波分波器を提供する。 - 特許庁

To provide an acoustic signal processing apparatus, method and program and recording medium with the acoustic signal processing program recorded thereon, for sound source normalization and sound source isolation, capable of dealing with sound sources as many as or more than the number of microphones, while relaxing the limitations on the sound sources.例文帳に追加

音源への制約を緩和しつつ、マイクロホン数以上の音源を扱うことのできる音源定位と音源分離のための音響信号処理装置、音響信号処理方法、音響信号処理プログラム、及び音響信号処理プログラムを記録した記録媒体を提供する。 - 特許庁

Since the gate electrode 11 on an element formation region comprises a lamination film of first and second silicon layers 3, 8 and a WSix film 9, and the gate electrode 11 on the isolation film 6 comprises the first silicon layer 3 and the WSix film 9, resulting in the relation h2<h1.例文帳に追加

すなわち、素子分離膜（６）上のゲート電極（１１）は、第１及び第２のシリコン層（３）（８）とＷＳｉｘ膜（９）の積層膜から成り、素子分離膜（６）上のゲート電極（１１）は、第１シリコン層（３）とＷＳｉｘ膜（９）から成るので、ｈ２＜ｈ１となる。 - 特許庁

A gate electrode 15 is formed via a gate oxidized film 14 on a prescribed channel region 13 on a semiconductor substrate 11 enclosed with an element isolation oxide film 12, and a source/drain diffusion layer 16 is formed on the both-side substrates, and the gate electrode 15 is coated with dielectric 17.例文帳に追加

素子分離酸化膜１２に囲まれた半導体基板１１上における所定のチャネル領域１３上にゲート酸化膜１４を介してゲート電極１５、その両側の基板上にはソース／ドレイン拡散層１６が形成されゲート電極１５は絶縁膜１７で覆われている。 - 特許庁