「Negative pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a negative type resist composition which has superior storage stability for resist liquid and post-exposure temporal stability as well as high sensitivity and high resolving power in pattern formation by irradiation with an electron beam or EUV in microprocessing of a semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子の微細加工における性能向上及び技術の課題を解決することであり、電子線又はＥＵＶの照射によるパターン形成において、高い感度及び解像度とともに、レジスト液の保存安定性及び引き置き経時安定性に優れたネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

When a contact M and a contact J are set on and other contacts are set off, the current from the constant-current source 31 will flow through the contact M, the needle 13, the circuit pattern 51, the needle 11, and the contact J, and the polarity of the needle 13 is positive, while the polarity of the needle 11 is set negative.例文帳に追加

接点Ｍおよび接点Ｊをオンとし、他の接点をオフとすれば、定電流源３１からの電流が接点Ｍ、ニードル１３、回路パターン５１、ニードル１１、接点Ｊと流れ、ニードル１３の極性をプラス、ニードル１１の極性をマイナスとすることができる。 - 特許庁

When the code of the frequency component of a beat signal being the difference between the frequency of a transmission signal and the frequency of a receiving signal is detected to be negative, the correction of amplitude and a phase performed with respect to a signal subjected to complex Fourier transform is performed according to a calibration pattern II.例文帳に追加

送信信号の周波数と受信信号の周波数との差であるビート信号の周波数成分の符号が負であることが検出された場合には、複素フーリエ変換された信号に対して行われる振幅、位相の補正が校正パターンIIに従って行われる。 - 特許庁

To provide a chemically amplifying positive or negative radiation sensitive composition capable of stably forming a fine pattern excellent in machining performance in a small space, critical dimension uniformity, maintainability and stability as a resist, having small density dependence in high accuracy.例文帳に追加

レジストとして、狭スペースの加工性能、多様なパターンデザインにおけるＣＤ均一性および保存安定性に優れ、粗密依存性が小さく、微細パターンを高精度で安定に形成することができる化学増幅型ポジ型またはネガ型の感放射線性組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a negative resist composition which simultaneously satisfies high sensitivity, high resolution, a preferable pattern profile and a decrease in microbridges by solving problems related to the techniques for improving the performance in microfabrication of a semiconductor device using high energy beams, in particular, electron beams, X rays or EUV light.例文帳に追加

高エネルギー線、特に電子線、Ｘ線、あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、マイクロブリッジ低減を同時に満足するネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element, and its manufacturing method, which can prevent short-circuiting between a positive electrode layer and a negative electrode layer and can aim at improvement of production efficiency and reduction of manufacturing cost by easily forming any luminescent pattern.例文帳に追加

発光効率が高く、陽電極層と陰電極層との間のショートを防止可能であり、しかも、任意の発光パターンを容易に形成して生産効率の向上や、製造コストの低減が可能な有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

As for the CuKα-ray diffraction pattern of a negative electrode material, the peak intensity ratio of a peak A corresponding to a tin element existing in a region of 31.5-32.5 degree, to a peak B corresponding to Cu_6Sn_5 existing in a region of 29.5-30.5 degree (A/B) is 0.2 or less.例文帳に追加

ＣｕＫα線によるＸ線回折パターンにおいて、３１．５〜３２．５度の領域内に表れる錫単体に対応するピークＡと、２９．５〜３０．５度の領域内に表れるＣｕ_６Ｓｎ_５に対応するピークＢとのピーク強度比（Ａ／Ｂ）が０．２以下であることを特徴としている。 - 特許庁

A high frequency module 10 comprises: a layered body including a plurality of dielectric layers having an electrode pattern thereon; and a switching element 11 integrally mounted on the surface of the layered body and having a test terminal PT for outputting a negative voltage applied to the switching element 11.例文帳に追加

高周波モジュール１０は、電極パターンが形成された複数の誘電体層を有する積層体と、スイッチ素子１１に印加された負電圧を出力するテスト端子ＰＴを有し、積層体の表面に実装されたスイッチ素子１１とが一体成型されている。 - 特許庁

Although character lack is conventionally generated at the edge part of the anode 1 in the lower part of the grid 2 by adjoined two negative potential anodes, since an area enlarged part 3 allowing for a display lack part is formed in the same position, emission is performed in a pattern needed for actual display and unnecessary black lines do not produced on a screen.例文帳に追加

隣接する−電位のアノード１等により、従来はグリッド２の下方のアノード１の縁部に字カケが発生したが、本発明は同位置に表示欠けの部分を見込んだ面積拡大部３があるので実際に表示に必要なパターンで発光し、表示面に不要な黒線は生じない。 - 特許庁

Positive side conductors and negative side conductors of input terminals, connected electrically with semiconductor devices, are electrically isolated from each other and are stacked; and a substrate mounted with the input terminals, output terminals, and semiconductor devices in a stacked structure are arranged in a checkered pattern inside a case.例文帳に追加

上記課題を解決するために本発明は、半導体素子と電気的に接続される入力端子の正極側導体と負極側導体を電気的に絶縁して積層し、この積層構造の入力端子，出力端子、及び半導体素子が実装された基板を容器内に市松模様状に配設している。 - 特許庁

The manufacturing method for the color filter is characterized in that development is performed after exposure and exposure is performed again after forming a pattern in a step for creating the color filter using the negative type colored photosensitive composition containing binder polymer, a photopolymerizable monomer or oligomers, an optical initiator, dye or pigment, and an organic solvent.例文帳に追加

バインダーポリマー、光重合性モノマーまたはオリゴマー、光開始剤、染料または顔料、有機溶剤を含有するネガ型着色感光性組成物を用いてカラーフィルターを作成する工程において、露光後現像しパターンを形成した後に再度露光することを特徴とするカラーフィルターの製造方法。 - 特許庁

After a lower columnar electrode 10 is formed by electrolytic plating on an upper surface of a connection pad part of an upper metal layer 9 for wiring, a plating resist film 27 for upper columnar electrode formation made of negative dry film resist is pattern-formed on an upper surface of a base metal layer 8 including the upper metal layer 9.例文帳に追加

配線用の上部金属層９の接続パッド部上面に電解メッキにより下部柱状電極１０を形成した後、上部金属層９を含む下地金属層８の上面にネガ型のドライフィルムレジストからなる上部柱状電極形成用メッキレジスト膜２７をパターン形成する。 - 特許庁

To provide a negative resist composition which satisfies such properties as high sensitivity, high resolution, a good pattern shape and a good margin for light exposure in microfabrication particularly when KrF excimer laser, X-radiation, an electron beam or an ion beam is used.例文帳に追加

半導体素子の微細加工における性能向上技術における課題を解決することであり、特にＫｒＦエキシマレーザー、Ｘ線、電子線又はイオンビームの使用に対して高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好な露光量マージンの特性を同時に満足するネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a negative radiation-sensitive resin composition which can suppress indentation of a resist pattern and resist cracking by plating stress at a plating step and accurately form thick platings, even when descumming (O_2 plasma ashing) treatment is performed as pretreatment for plating, and which is excellent in resolution and adhesion.例文帳に追加

メッキ前処理としてデスカム（Ｏ_2プラズマアッシング）処理を行っても、メッキ工程時のメッキ応力によるレジストパターンへの押し込みやレジストのクラックを抑制することができ、厚膜のメッキ造形物を精度よく形成することができるとともに、解像度および密着性などに優れるネガ型感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

The lithium secondary battery is characterised in that in an X-ray diffraction pattern for CuK α rays in a charged state of the negative electrode, charging and discharging are carried out in a charging depth, not recognizing a peak of compound of lithium and silicon (for example, intermetallics compound such as Li_13Si_4) in the range from 18 to 28°, for example.例文帳に追加

負極の充電状態におけるＣｕＫα線のＸ線回折パターンにおいて、例えば１８〜２８度の範囲内でリチウムとシリコンの化合物（例えば、Ｌｉ_１３Ｓｉ_４などの金属間化合物）のピークが認められない範囲の充電深度で充放電することを特徴としている。 - 特許庁

A control unit 40 determines the conduction time of each switch, in the range of a control pattern related to the conduction time of each switch that has an output voltage according to output voltage commands vu*-vw*, based on the configuration of each switch of the power converter 10 and the position of a common bus (a negative electrode bus 11).例文帳に追加

制御ユニット４０は、電力変換器１０の各スイッチの構成と、共通母線（負極母線１１）の位置とに基づいて、出力電圧指令値ｖu*〜ｖw*に応じた出力電圧を具備する各スイッチの導通時間に関する制御パターンの範囲において各スイッチの導通時間を決定する。 - 特許庁

To provide a negative type resist composition through which performance improvement technology in the microfabrication of semiconductor elements is provided using high energy rays and high sensitivity, high resolution, good pattern shapes and good line edge roughness are simultaneously satisfied while using electron beams or ion beams.例文帳に追加

高エネルギー線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、特にＫｒＦエキシマレーザー、Ｘ線、電子線又はイオンビームの使用に対して高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスを同時に満足するネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The magnetic slit pattern is formed by magnetizing a part to be magnetized 56a formed along the inner peripheral surface of the conveying belt 56 to positive poles and negative poles respectively at regular intervals by a slit forming part 120 regularly arranged along the outer peripheral surface of a tool main body 110.例文帳に追加

治具本体１１０の外周面に沿って規則的に配置されたスリット形成部１２０によって、搬送ベルト５６の内周面に沿って形成された被磁化部５６ａが正極および負極それぞれに規則的な間隔で磁化され、これにより磁気的なスリットパターンを形成することができる。 - 特許庁

A laminate of the thick film, a pattern and the like are formed using the negative resist composition for a thick film comprising a photoacid generator (A) represented by formula (1), a phenolic resin (B) having an ADR (alkali dissolution rate) of ≥1,000 Å/s, and an epoxy resin (C) having two or more epoxy resins per molecule.例文帳に追加

下記式（１）で表される光酸発生剤（Ａ）、ＡＤＲ（アルカリ溶解速度）が１０００Å／ｓ以上であるフェノール樹脂（Ｂ）及び一分子中にエポキシ基を二個以上有するエポキシ樹脂（Ｃ）を含有してなる厚膜用ネガ型レジスト組成物を用いて、厚膜の積層体、パターン等を形成する。 - 特許庁

In order to solve the matter described above, a conductor in the positive electrode of an input terminal, electrically connected to a semiconductor device, is electrically insulated and stacked with a conductor in a negative electrode of the terminal, and a substrate is arranged in a checkered pattern inside a container with the semiconductor device mounted thereon.例文帳に追加

上記課題を解決するために本発明は、半導体素子と電気的に接続される入力端子の正極側導体と負極側導体を電気的に絶縁して積層し、この積層構造の入力端子，出力端子、及び半導体素子が実装された基板を容器内に市松模様状に配設している。 - 特許庁

The method of manufacturing the color filter includes processes of: forming the negative type films 18 by using green, blue and red colored compositions in accordance with a plurality of photo-electric conversion elements 12 in an imaging device 14; performing pattern-exposure of the films via a density distribution mask; and thereafter, developing the film to form the outer surface of each color filter into a convex lens shape.例文帳に追加

カラーフィルター製造方法は：撮像素子１４の複数の光電変換素１２に対応して緑，青，赤色組成物によりネガ型膜１８を形成し、この膜を濃度分布マスクを介してパターン露光した後に現像し、現像後に各色フィルターの外表面が凸レンズ形状に形成されている。 - 特許庁

In this method for forming a wiring, after an upper face of a translucent main body 24 of a reticle 22 which forms a wiring light blocking pattern 26 is positioned at a focal position X, and a negative photoresist film 18 is sensitized by i-rays 30, a lower face of the translucent main body 24 is positioned at a focal position to sensitize a light-shielding photoresist film 16.例文帳に追加

配線用遮光パターン２６が形成してあるレチクル２２の透光性本体２４の上面を焦点位置Ｘにし、ｉ線３０によりネガ型フォトレジスト膜１８を感光させたのち、透光性本体２４の下面を焦点位置にして遮光フォトレジスト膜１６を感光させる。 - 特許庁

A pattern of an electrode of a surface emitting element which is mounted face up and a plurality of wiring patterns connected to it by wire bonding is so designed that no wire connected to a positive-pole side electrode in all surface emitting elements crosses a wire connected to a negative-pole side electrode nor mounting directions of both wires are identical.例文帳に追加

フェースアップ実装された面発光素子の電極とワイヤボンディングで接続される複数の配線パターンを、全ての面発光素子における正極側電極に接続されるワイヤと負極側電極に接続されるワイヤとを交差させず、かつ、両ワイヤの装架方向が同一方向とならないように、パターン設計する。 - 特許庁

To provide a transparent electroconductive patterned film such as an ITO (indium tin oxide), etc., having a fine pattern equipped with transparency and electroconductivity jointly, a method for producing the same and negative type photosensitive coating liquid for forming the transparent electroconductive film, capable of producing such the transparent electroconductive patterned film such as the ITO, etc., simply at a low cost.例文帳に追加

本発明は、透明性と導電性を兼ね備えた微細なパターンを有するＩＴＯ等の透明導電パターン膜とその製造方法、及びそのＩＴＯ等の透明導電パターン膜を低コストかつ簡便に製造できる透明導電膜形成用ネガ型感光性塗布液を提供する。 - 特許庁

To solve the problems of a performance enhancing technique in microfabrication of a semiconductor device and to provide a negative resist composition which simultaneously satisfies such properties as high sensitivity, high resolution, a good pattern shape and good line edge roughness particularly in microfabrication of a semiconductor device using an electron beam or X-ray.例文帳に追加

半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、特に電子線又はＸ線を用いた半導体素子の微細加工において高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスの特性を同時に満足するネガ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

Disclosed is the negative type resist composition containing (A) an alkali-soluble resin, (B) a cross-linking agent cross-linking the alkali-soluble resin through reaction of an acid, (C) a compound advancing cross-linking reaction by irradiation with an active light beam or radiation, and (D) a compound having a cation polymerizable group; and the pattern forming method.例文帳に追加

（Ａ）アルカリ可溶性樹脂、（Ｂ）酸の作用によりアルカリ可溶性樹脂を架橋する架橋剤、（Ｃ）活性光線又は放射線の照射により架橋反応を進行させる化合物、（Ｄ）カチオン重合性基を有する化合物、を含有することを特徴とするネガ型レジスト組成物およびパターン形成方法。 - 特許庁

The thermally insulative coating material giving stone grain pattern and generating negative ion mainly comprises a synthetic resin emulsion, ceramic fine hollow particles of a water resistant strength of ≥600 kgf/cm^2, a bulk density of 0.3-0.5 g/cm^3 and a melting point of ≥1,500 °C and finely ground particles of granite.例文帳に追加

御影石（花崗岩）を粉砕粒子とした骨材に耐水圧強度６００ｋｇｆ／ｃｍ^２以上で、嵩比重０．３〜０．５ｇ／ｃｍ^３、且つ融点１５００℃以上のセラミック微細中空粒子と合成樹脂エマルジョンを主構成組成物として石目調マイナスイオン発生断熱塗材を作製する - 特許庁

To solve the problems of a performance enhancing technique in microfabrication of a semiconductor device and to provide a negative resist composition which satisfies such properties as high sensitivity, high resolution, a good pattern shape, good line edge roughness and few development defects particularly in microfabrication of a semiconductor device using an electron beam or X-ray.例文帳に追加

半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、特に電子線又はＸ線を用いた半導体素子の微細加工において高感度、高解像性、良好なパターン形状、ラインエッジラフネス、現像欠陥の特性を満足するネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a negative type resist composition through which problems associated with the performance improvement technology in the microfabrication of semiconductor elements are solved and characteristics including high sensitivity, high resolution, good pattern shapes and good line edge roughness are satisfied in the semiconductor microfabrication using especially electron beams and X-rays.例文帳に追加

半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、特に電子線又はＸ線を用いた半導体素子の微細加工において高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスの特性を満足するネガ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a negative resist composition having sensitivity to a g-line, an i-line, a KrF excimer laser and an electron beam and usable in a mix and match process where exposure is performed using at least two kinds of exposure light sources selected from a g-line, an i-line, a KrF excimer laser and an electron beam, and to provide a resist pattern forming method.例文帳に追加

ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザーおよび電子線に対する感度を有し、ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザーおよび電子線から選ばれる少なくとも２種の露光光源を用いて露光するミックスアンドマッチ工程に使用できるネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an original plate for letterpress printing with which the problems with the use of the conventional negative film and its alternative and the problems with formation of a mask pattern by an ink composition directly on the surface of a photosensitive resin layer can be simultaneously solved and a method for manufacturing a letterpress printing plate using the original plate for letterpress printing.例文帳に追加

凸版印刷において、従来のネガフィルムおよびその代替品を用いた場合の問題点と、感光性樹脂層表面に直接インク組成物によりマスクパターンを形成する場合の問題点とを同時に解決することのできる凸版印刷用原版と、該凸版印刷用原版を用い凸版印刷版の製造方法を提供する。 - 特許庁

It becomes easy to form the etching pattern representing information in a desired shape and size under control by imposing a negative bias to the micro chip 50 and using heat up and melt by the electron beam 30 generated from the micro chip 50 with imposed by the prescribed voltage without applying strong mechanical force like in a conventional way.例文帳に追加

マイクロチップ５０に負のバイアスを印加することにより、従来のように機械的な強い力を加えずに、所定電圧を印加したマイクロチップ５０から発生された電子ビーム３０による加熱及び溶解を実行する方式を用いて、情報を表すエッチングパターンを所望の形状と大きさに制御して形成することが容易となる。 - 特許庁

The etching pattern displaying information is easily formed with a prescribed shape and size controlled using a process for performing heating and dissolution by the electron beams 30 generated from the microchip 50, to which a prescribed voltage is applied without applying a mechanical strong force like that in the conventional one by applying negative bias to the microchip 50.例文帳に追加

マイクロチップ５０に負のバイアスを印加することにより、従来のように機械的な強い力を加えずに、所定電圧を印加したマイクロチップ５０から発生された電子ビーム３０による加熱及び溶解を実行する方式を用いて、情報を表すエッチングパターンを所望の形状と大きさに制御して形成することが容易となる。 - 特許庁

Moreover, they are also characterized in that they have a plurality of the capacitance of a structure holding the insulating layer between the semiconductor layer and the metallic layer at prescribed intervals; the capacitance is formed by applying a negative voltage to the metallic layer; and impurities presenting an n-type are injected into the inter- capacitance semiconductor layer as a pattern residual existing between the adjacent capacitance.例文帳に追加

また、絶縁膜層を半導体層と金属層により挟んだ構造の複数の容量を所定の間隔で備え、前記金属層に負の電圧を印加して容量を形成し、隣接する前記容量間に存在するパターン残りとしての容量間半導体層中に、ｎ型を呈する不純物が注入されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition or a transfer material being developable with a low alkaline developing solution even in the case of any of positive type and negative type photosensitive resin compositions or a photosensitive resin layer transfer material, having high resolution giving a pattern having excellent removing solution resistance after heat curing and exhibiting excellent aging stability of a photosensitive material.例文帳に追加

ポジ型、ネガ型の何れの感光性樹脂組成物、又は感光性樹脂層転写材料においても弱アルカリ性現像液による現像が可能で、解像度が高く、熱硬化処理後の剥離液耐性に優れたパターンが得られ、かつ感材の経時安定性にも優れた感光性樹脂組成物或いは転写材料を提供する。 - 特許庁

The positive electrode member 27 and the negative electrode member 28 are electrically connected with the circuit patterns 35a and 35b of the power source adjustment substrate 31 and the copper pattern 24 of the insulation metal substrate 22, and come in surface contact with the heat sink 11 via the insulation metal substrate 22 to be coupled to the heat sink 11 in a manner capable of heat transfer.例文帳に追加

正極用電極部材２７及び負極用電極部材２８は、電源調整用基板３１の回路パターン３５ａ，３５ｂ、及び絶縁金属基板２２の銅パターン２４と電気的に接続されるとともに絶縁金属基板２２を介してヒートシンク１１に面接触して、このヒートシンク１１に熱伝達可能に結合されている。 - 特許庁

A sector correction processing section 34 measures an error caused by a fluctuation in frequency synchronized with rotation with respect to a predetermined writing start position as the clock number of the clock signal of a negative ohmat frequency for each sensor of a disk, and corrects the starting position of the format pattern signal of each sector including a servo frame signal stored in a memory.例文帳に追加

セクタ補正処理部３４は、ディスクの各セクタ毎に、予め定めた書込開始位置に対する回転に同期した周波数変動による誤差を、負オーマット周波数のクロック信号のクロック数として測定し、メモリに格納されたサーボフレーム信号を含む各セクタ毎のフォーマットパターン信号の開始位置を測定誤差により補正する。 - 特許庁

A tread pattern having a negative ratio of a value exceeding 45% is formed in accordance with the arrangement of the block row 16 and the lug row 18 in the tread 14, and expansion coefficient in the both side regions B of the tread 14 is set larger than that in the central region A of the tread 14 in the pressurization of a tire from a low inner pressure state to an inner pressure filling state.例文帳に追加

これらブロック列１６及びラグ列１８がトレッド１４に配置されるのに伴って、４５％を越える値のネガティブ率のトレッドパターンとなり、低内圧状態から内圧充填状態までのタイヤの加圧時において、トレッド１４の両側領域Ｂの膨張率がトレッド１４の中央領域Ａの膨張率より大きく設定される。 - 特許庁

When the determination results in steps SC13 and SC15 in special symbol start processing are negative, a CPU for main control determines whether a losing symbol is a second losing symbol between first and second losing symbols in step SC17, and determines the second losing symbol and a variation pattern P5 for specified losing variation when the determination result is affirmative.例文帳に追加

特別図柄開始処理におけるステップＳＣ１３，ＳＣ１５の判定結果が否定の場合、主制御用ＣＰＵは、ステップＳＣ１７においてはずれ図柄を第１，第２はずれ図柄のうち第２はずれ図柄とするか否かを判定するとともに、この判定結果が肯定の場合に第２はずれ図柄、及び特定はずれ変動用の変動パターンＰ５を決定する。 - 特許庁

A molding mold is formed with a negative-engraved pattern on an inner face of the molding mold to be deeper than a squeezed deformation of an outer surface of layer-like prepregs after laminated, by molding pressure of the molding mold, and to be communicated with a mold outside, in this molding method for the composite molding material for molding/curing the plurality of layer-like prepregs after laminated and put into the molding mold.例文帳に追加

複数層の層状プリプレグを積層してから成形型内に入れて成形／硬化させる複合材成形品の成形方法において、前記成形型は、成形型の内面に、陰刻模様を、前記成形型の成形圧力による、前記積層後の層状プリプレグの外表面の絞り変形より深く、型外と連通するように形成する複合材成形品の成形方法。 - 特許庁

An external terminal corresponding to positive and negative polarities and a leader line for electrolytic gold plating used to perform electrolytic gold plating on the external terminal are formed on an assembled printed wiring board supporting a plurality of printed wiring boards on which a conductive pattern is provided on a laminate plate.例文帳に追加

積層板上に導電性パターンが設けられたプリント配線板が複数支持された集合プリント配線板上に、正負の極性に対応する外部端子と、この外部端子に電解金めっきを施すための電解金めっき用引き出し線を形成し、外部端子から引き出された電解金めっき用引き出し線は、プリント配線板の異なる辺に臨むように設けるようにする。 - 特許庁

To provide a heat resistant negative type photosensitive resin composition having satisfactory adaptability independently of the structure of a polybenzoxazole precursor to which photosensitivity is imparted and also having good sensitivity and resolution, to provide a method for producing a pattern of good shape using the composition and excellent in sensitivity, resolution and heat resistance, and to provide high reliability electronic parts.例文帳に追加

本発明は、感光性を付与するポリベンゾオキサゾール前駆体がいかなる構造であっても充分に対応でき、しかも感度や解像度も良好な耐熱性ネガ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた感度、解像度および耐熱性に優れ、良好な形状のパターンが得られるパターンの製造法、信頼性の高い電子部品を提供するものである。 - 特許庁

This manufacturing method for a microstructure array includes the processes of: forming an insulating layer 3 on a conductive portion 2 of a substrate 1, forming an opening 4 having a periodic repetitive array pattern on the insulating layer 3, and forming an electrodeposition layer 7 on the opening 4 and the insulating layer 3 through the opening 4 by the electrodeposition of the conductive portion 2 as a negative or positive electrode.例文帳に追加

マイクロ構造体アレイの作製方法は、基板１の導電性部２上に絶縁層３を形成する工程、絶縁層３に周期的な繰り返し配列パターンを有する開口部４を形成する工程、導電性部２を陰極ないし陽極として電着により開口部４を通じて開口部４及び絶縁層３上に電着層７を形成する工程を有する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the organic electric field light- emitting element 23 wherein the layer having electron transporting layers which are the light emitting regions between ITO transparent picture element electrodes 2 and negative electrodes 22, at least the electron transporting layers 5 among the layers are formed in a prescribed pattern by dropping an organic EL material solution 5a of the constituting materials of the layers.例文帳に追加

ガラス基板１上のＩＴＯ透明画素電極２と陰極２２との間に、発光領域である電子輸送層を有する層が設けられた有機電界発光素子２３の製造方法において、前記層のうち少なくとも電子輸送層５をその構成材料の有機ＥＬ材料溶液５ａの滴下によって所定パターンに形成する、有機電界発光素子２３の製造方法。 - 特許庁

The first pattern exposure is performed to a resist film, consisting of negative type resist material by using the first photomask A, having a first hole light-shielding part 1 for forming the first hole patterns to be arranged sparsely, a second dummy light-shielding part 2 arranged in the periphery of the part 1 and a second hole light-shielding part 3 for forming the second hole patterns to be arranged densely.例文帳に追加

ネガ型のレジスト材料からなるレジスト膜に対して、疎に配置される第１のホールパターンを形成するための第１のホール用遮光部１と、該第１のホール用遮光部１の周辺に配置されたダミー遮光部２と、密に配置される第２のホールパターンを形成するための第２のホール用遮光部３を有する第１のフォトマスクＡを用いて第１回目のパターン露光を行なう。 - 特許庁