「V-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

The range α where the grooves 11 are formed in greater than the range of 15° around the axis V and is smaller than the range of 180° around the axis V.例文帳に追加

前記各溝１１が形成されている範囲αは、各々、前記軸線Ｖのまわりの１５°の範囲よりも大きく、かつ、前記軸線Ｖのまわりの１８０°の範囲よりも小さい。 - 特許庁

Thus, a difference in the quantity of group III and group V raw materials to be supplied between the edge part of the device forming region D and the central part is suppressed and the central part of the device region D is not recessed.例文帳に追加

これにより、素子形成領域Ｄのエッジ部分と中央部とでIII族及びV族の原料の供給量の差が抑制され、素子領域Ｄ中央部が凹部となることがない - 特許庁

The white vaseline is hydrogenated in the presence of a group VIII metal catalyst under conditions of 170-250°C and 6-30 MPa to have ≤0.25 ultraviolet absorbance (value of 1 w/v% isooctane solution and 1 cm optical path length) at 275 nm.例文帳に追加

白色ワセリンを第VIII族金属触媒の存在下、170〜250℃、６〜30MPaの条件下で水素化して、275nmの紫外部吸光度（１w／v％イソオクタン溶液の値、光路長１cm）を0.25以下にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of nitride group III-V compound and a method for manufacturing the device, which can reduce crystalline defects in a nitride group III-V compound semiconductor growth layer to improve characteristics.例文帳に追加

ナイトライド系III-Ｖ族化合物半導体装置及びその製造方法に関し、ナイトライド系III-Ｖ族化合物半導体成長層の結晶欠陥を低減し、特性を向上する。 - 特許庁

This method for inducing the differentiation of a soybean adventive embryo is characterized by culturing a soybean spherical embryo on a generation culture medium containing agar in an amount of 0.5 (W/V)% to 2 (W/V)%, and the like.例文帳に追加

０．５（Ｗ／Ｖ）％〜２（Ｗ／Ｖ）％の寒天を含む発生培地上でダイズの球状型胚を培養することを特徴とするダイズ不定胚の分化誘導方法、等。 - 特許庁

In the figure, a motor voltage is v, a motor current is i, and a phase difference between the coordinate (δ-γ) at V/f-control and the coordinate (d-q coordinate) at sensorless vector control is θ.例文帳に追加

同図で、モータ電圧をｖ、モータ電流をｉ、Ｖ／ｆ制御時の座標軸（δ−γ座標軸）とセンサレスベクトル制御時の座標軸（ｄ−ｑ座標軸）との位相差をθとする。 - 特許庁

In this semiconductor device, a positive pump circuit 14 for driving is driven by external power supply voltage EXVDD (e.g. 1.8 V), and generates positive voltage VPD (e.g. 2.4 V).例文帳に追加

この半導体装置では、駆動用正ポンプ回路１４は、外部電源電圧ＥＸＶＤＤ（たとえば、１．８Ｖ）によって駆動され、正電圧ＶＰＤ（たとえば、２．４Ｖ）を生成する。 - 特許庁

In the mean time, those who want to get the very most out of FreeBSD's A/V capabilities will have to cobble together knowledge from several FAQs and tutorials and use a few different applications. 例文帳に追加

それまでの間、FreeBSD の A/V 能力を最大限発揮させたい人々は、 FAQおよびチュートリアルから得た知識を寄せ集めて、わずかなアプリケーションを使用しなければならないでしょう。 - FreeBSD

(5) When incorporating a limited liability audit corporation, the fact that all of its partners will be limited liability partners shall be stated as the matter set forth in paragraph (3)(v) , item (v). 例文帳に追加

５　有限責任監査法人を設立しようとする場合には、第三項第五号に掲げる事項として、その社員の全部を有限責任社員とする旨を記載しなければならない。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

In a state of a terminal door being open, each switch knob 66 is rotated and connected with an available conductive bar N, L1, so that a changing between a 100 V connection and 200 V connection is made possible.例文帳に追加

端子ドアを開いた状態で各切替つまみ66を回動し、適宜の導電バーＮ，Ｌ1と接続することにより、１００Ｖ状態と２００Ｖ状態とを切り替えできる。 - 特許庁

To prevent the increase in the number of and the complexity of power supply lines and to provide a vehicle-mounted power supply system for supplying power to a group of high-voltage, large-capacity equipment of V>V_0 as needed.例文帳に追加

電源線の多数化、複雑化を防ぎつつ、必要に応じてV＞V_0の高圧大容量機器群に対しても電力供給が可能な車載電源システムを提供する。 - 特許庁

The area server 20 communicates with the mobile station V, extracts area information based on the current location information of the mobile station V from a database 21 is which the area information is stored in advance and provides the area information.例文帳に追加

エリアサーバ２０は、移動局Ｖと通信して移動局Ｖの現在位置情報に基づいたエリア情報を予め記憶したデータベース２１から抽出して提供する。 - 特許庁

A peripheral groove V is formed around the inner peripheral wall of the annular magnet housing hole 24, and an O ring 27 is fitted in this peripheral groove V to retain the upper surface end part of the backyoke 26 by abutting.例文帳に追加

環状磁石収納穴２４の内周壁の周りに周溝Ｖを形成し、この周溝ＶにＯリング２７を嵌めてバックヨーク２６の上面周端部分を当て止めしている。 - 特許庁

An element 20 constituting a housing element as the electromagnetic wave shielding member is molded into a shape including a V-shaped channel 24 having the V-shaped cross-section on a single surface in the thickness direction with the conductive resin.例文帳に追加

電磁波シールド部材である筐体要素を構成する素材２０を、導電性樹脂により、厚さ方向片面に断面Ｖ字形のＶ字溝２４を有する形状に成形する。 - 特許庁

In the V-ribbed belt, a surface of a rib part is subjected to a curing treatment by an irradiation of infrared ray or far infrared radiation and a friction of a contact border surface of the rib part and a V-ribbed pulley can be reduced.例文帳に追加

赤外線または遠赤外線の照射によってリブ部表面が硬化処理され、リブ部とＶリブドプーリとの接触界面の摩擦を低減せしめたＶリブドベルトである。 - 特許庁

The whole volume V of the shock absorbing body 6 is 300 to 2,000 mm^3, and the volume Vn of the shock absorbers included in the three areas satisfies 0.5≤Vn/(V/4)≤1.5.例文帳に追加

衝撃吸収体６の全体積Ｖが３００〜２０００mmであり、かつ、３つの領域に含まれる衝撃吸収体の体積Ｖｎは、０．５≦Ｖｎ／（Ｖ／４）≦１．５を満足する。 - 特許庁

Six V-shaped grooves 8 are formed in the front end surface of the body 2, and the bottoms 8a of the respective V-shaped grooves 8 are matched with the intersecting point 9 of the respective sides of the fit hole 6 and the runs-off 7.例文帳に追加

本体２の先端面に、６個のＶ形溝８を設け、各Ｖ形溝８の底部８ａを、嵌合穴６の各辺と逃げ部７との交点９に一致させる。 - 特許庁

An intake device 16 formed into C character shape surrounding an engine body from a crank case 13 side when viewed in a plan is attached to an outer side of a V bank of the four cycle V type multiple cylinder engine 11.例文帳に追加

４サイクルＶ型多気筒エンジン１１のＶバンクの外側に、平面視においてクランクケース１３側からエンジンボディを囲むＣ字状に形成した吸気装置１６を取付ける。 - 特許庁

In the M-algorithm processing, (p) v-value symbol replicas increasing likelihood are narrowed down and selected out of the v-value symbol replicas using a quadrant table 202, and then likelihood calculation and surviving replica selection are performed.例文帳に追加

Ｍアルゴリズム処理において、ｖ値シンボルレプリカの中から尤度を高めるｐ個を象限テーブル２０２にて絞込み選択してから尤度計算、生残りレプリカ選択を行うようにした。 - 特許庁

When color difference data U and V include many high-frequency components, luminance and color difference data Y, U, and V are sampled by the second sampling processing circuit 38B in accordance with the sampling frequency ratio of 4:2:2.例文帳に追加

色差データＵ、Ｖの高周波成分が多い場合、輝度、色差データＹ、Ｕ、Ｖを、第２サンプリング処理回路３８Ｂにおいて、４：２：２のサンプリング周波数比に従ってサンプリングする。 - 特許庁

The outer side of the display region V is provided with an auxiliary liquid crystal region 17 where the inflow of the liquid crystals 4 in the display region V is possible and portions 19 not contg. the liquid crystals are formed.例文帳に追加

表示領域Ｖの外側に、表示領域Ｖ内の液晶４が流入できると共に液晶未入部分１９が形成される補助液晶領域１７を設ける。 - 特許庁

To provide a stator, or a rotor, for a motor that includes magnetic steel sheets configured so as to reduce friction between a V-shaped caulking and an opening in which the V-shaped caulking is fitted.例文帳に追加

本発明の課題は、ＶカシメとＶカシメが嵌合する開口との間の摩擦を軽減する構造の電磁鋼板から成る電動機の固定子または回転子を提供することにある。 - 特許庁

To calculate sonic speed V in a material by irradiating an ultrasonic wave into the material to detect the ultrasonic wave reflected with a reflecting plate as a delayed electric signal.例文帳に追加

物質中に超音波を照射し、反射板等によって反射させた超音波を遅延電気信号として検出することにより、物質中の音速Vを算出すること。 - 特許庁

A displacement detection device measures a time t0 from the time of passing a measurement face k1 to the time of passing a measurement face k2 in a standard measurement line L1 without any displacement, and previously stores it with a moving speed v.例文帳に追加

位置ズレのない基準計測線Ｌ１において、計測面k1を通過してから計測面k2を通過する時間t0を計測し、移動速度vとともに予め記憶しておく。 - 特許庁

Since plate-like sidewall parts 30a and 30b of the inverse V-shaped sidewall part 30 are respectively integrated into the manifold arrangement, the two-manifold arrangement is connected in a straight line shape by the plate-like bottom wall part 32.例文帳に追加

逆V字状側壁部30の板状側壁部30a,30bがそれぞれマニホールド配列に一体化しているので2つのマニホールド配列は板状底壁部32により直線状に接続されている。 - 特許庁

The V shaped holding part 8a is fitted to the V shaped protruding part 7a and is not removed by putting the cover plate 8 on the mounting fitting 7 in a way to open a mouth of the cover plate 8.例文帳に追加

このカバープレート８を口を押し広げるようにして取付金具７に被せると、Ｖ字形抱持部８ａが取付金具のＶ字突出部７ａに嵌合して外れなくなる。 - 特許庁

The three-phase phase comparator 40 is shifted among three states in response to leading transition of 1st and 2nd clock (R/V) inputs to detect a phase difference of the (R/V) inputs.例文帳に追加

３相位相比較器４０は、第１、第２クロック（Ｒ／Ｖ）入力の位相差を検出するように、Ｒ／Ｖ入力の立ち上がり遷移に応答して３つの状態の間を遷移する。 - 特許庁

In the mesa 15, the top face is a {100} crystal plane of the III-V compound semiconductor and the lateral faces are {110} crystal planes of the III-V compound semiconductor.例文帳に追加

メサ１５は、上面がＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の｛１００｝結晶面であり、側面がＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の｛１１０｝結晶面であることを特徴とする。 - 特許庁

To suppress reduction of discharge capacity of manganese oxide having a spinel structure when charge and discharge of a non-aqueous electrolyte secondary battery is repeated in the vicinity of 3 V (for example, 2.5-3.5 V).例文帳に追加

非水電解質二次電池の充放電を３Ｖ付近（例えば２．５〜３．５Ｖ）で繰り返す場合に、スピネル構造を有するマンガン酸化物の放電容量の減少を抑制する。 - 特許庁

In a V-zone guiding stage 64, the motions till a pachinko ball enters a V-winning zone 74 are performed mechanically by such a natural motion of the pachinko ball as rolling on a slope plate 68.例文帳に追加

Ｖゾーン案内ステージ６４ではスロープ板６８上でのパチンコ球の転動という自然動作によってＶ入賞ゾーン７４への入賞までを所謂メカ的な動作で行った。 - 特許庁

As a result, flexure and breakage of the V-grooved substrate for optical fiber alignment can be reduced in comparison with the use of a conventional V-grooved substrate with screw holes for optical fiber alignment.例文帳に追加

その結果、従来のねじ穴付光ファイバ整列用Ｖ溝基板を使用したときに比べ、光ファイバ整列用Ｖ溝基板のたわみ及び破損を低減させることができる。 - 特許庁

MONOCLONAL ANTIBODY TO BE SPECIFICALLY REACTED WITH COPLANAR PCB SUBSTANTIALLY NOT REDUCING ANTIGEN RECOGNITION CHARACTERISTIC EVEN IN 50 (V/V)% AQUEOUS SOLUTION OF ORGANIC SOLVENT, AND ITS MEASUREMENT例文帳に追加

５０（ｖ／ｖ）％有機溶媒水溶液においてもその抗原認識特性が実質的に低下しないコプラナ—ＰＣＢに特異的に反応するモノクロ—ナル抗体及びその測定方法 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of surely suppressing frequency dispersion resulting from the trap of the upper surface of a III-V group nitride semiconductor, in the semiconductor device using a III-V group nitride semiconductor.例文帳に追加

III-Ｖ族窒化物半導体を用いた半導体装置において、III-Ｖ族窒化物半導体の上面のトラップに起因する周波数分散を確実に抑制できるようにする。 - 特許庁

To suppress the generation of aluminum chloride (AlCl) and aluminum bromide (AlBr), which react with quartz, in the crystal growing of an Al-based III-V compound semiconductor by a conventional HVPE method.例文帳に追加

Alを含むIII-V族化合物半導体を従来のＨＶＰＥ法で結晶成長させる場合にて、石英と反応する塩化アルミニューム（AlCl）、臭化アルミニューム（AlBr）の発生を抑制すること。 - 特許庁

In the case of a liquid crystal display device, the gate insulation film of a TFT driven on a low voltage (3.3 V or 5 V) is constituted of one layer of an insulation film 113 and is turned to the thickness of 30 nm for instance.例文帳に追加

液晶表示装置の場合、低電圧（３．３Ｖ又は５Ｖ）で駆動するＴＦＴのゲート絶縁膜を１層の絶縁膜１１３で構成し、例えば３０ｎｍの厚さとする。 - 特許庁

In the process for epitaxially growing a III-V compound semiconductor containing nitrogen in a group V element by metal organic vapor phase epitaxy, the III-V compound semiconductor is heat treated in nitrogen atmosphere following to epitaxial growth in hydrogen atmosphere.例文帳に追加

本発明の結晶成長方法は、有機金属気相成長法によりＶ族元素中に窒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を結晶成長させる方法であって、水素雰囲気中でＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を結晶成長した後に、窒素雰囲気中で前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体に熱処理を行う。 - 特許庁

In the case of supplying power in a reverse way to it, 12[V] is converted to 36[V] by the switching of a switching device 10b, counter electromotive force of the inductance 12, and the rectification of a parasitic diode 11a.例文帳に追加

また、それとは逆に電力を供給する場合は、スイッチング素子１０ｂのスイッチングとインダクタンス１２の逆起電力、及び寄生ダイオード１１ａの整流作用により、１２［Ｖ］を３６［Ｖ］へ変換する。 - 特許庁

The gate voltage V(GE) converted in level, according to the transition of the switching control signal V(SW) input without dedicated power supply required is output to a positive side and a negative side in a self-matching manner.例文帳に追加

専用の電源を必要とすることなく入力されたスイッチング制御信号Ｖ（ＳＷ）の遷移に応じて自己整合的に正側および負側にレベル変換されたゲート電圧Ｖ（ＧＥ）が出力される。 - 特許庁

A gear change state, engine rotation speed Ne, vehicle speed V and engine torque are read in as vehicle operation conditions (S1) and reduction gear ratio corresponding to engine rotation speed Ne and vehicle speed V is operated (S2) in an estimating fashion.例文帳に追加

車両運転状態として変速状態，エンジン回転速度Ｎｅ，車速Ｖ及びエンジントルクＴを読み込み（Ｓ１）、エンジン回転速度Ｎｅ及び車速Ｖに応じた減速比を推定演算する（Ｓ２）。 - 特許庁

A threshold voltage in a V-T curve representing relationships between a voltage applied to the liquid crystal layer of the first region (SPa) and the transmission differs from a threshold voltage in a V-T curve of the second region (SPb).例文帳に追加

第１領域（ＳＰａ）の液晶層に印加される電圧と透過率との関係を示すＶ−Ｔ曲線におけるしきい値電圧は第２領域（ＳＰｂ）のＶ−Ｔ曲線におけるしきい値電圧と異なる。 - 特許庁

A short pinion 3 is inserted in the carrier setting position with a centering part 50 nearly V-shaped when viewed in a plane, and with an insertion jig 49 having a pinion rotary jig 52 disposed at the nearly V-shaped groove center.例文帳に追加

平面視略Ｖ字型のセンタリング部５０及びその略Ｖ字型の溝中央部に配置されたピニオン回転治具５２を有する挿入治具４９によってショートピニオン３をキャリアの組付け位置に挿入する。 - 特許庁

To provide a Pachinko game machine capable of transferring game balls to respective V winning holes without trouble via corresponding separate routes by utilizing a transfer body rotating in the periphery of an image display device even if two V winning holes are disposed in a Pachinko game machine.例文帳に追加

二つのＶ入賞口が配設されても、画像表示装置の周囲で回転する移送体を利用し、対応した別ルートにより、支障なく、遊技球を各Ｖ入賞口に移送できるパチンコ遊技機の提供。 - 特許庁

This apparatus 6 for removing a waste bag is an apparatus wherein the waste bag V and recyclable wastes B and C are received in the inclined part 36 of a conveyer line 30 and the waste bag V is removed by using the difference in their wt.例文帳に追加

本発明のごみ袋除去装置６は、ごみ袋Ｖおよび資源ごみＢ，Ｃをコンベアライン３０の傾斜部分３６に受け入れ、その重量の差を用いてごみ袋Ｖを除去する装置である。 - 特許庁

When the first resistive film comes into contact with the second resistive film at the two points, a potential V(X) has a value corresponding to the distance between the two points in the X-axis direction, and a potential V(Y) has a value corresponding to the distance in the Y-axis direction.例文帳に追加

第１の抵抗膜が第２の抵抗膜に対して２点で接触するとき、電位Ｖ（Ｘ）は、この２点のＸ軸方向の距離に係る値をとり、電位Ｖ（Ｙ）は、Ｙ軸方向の距離に係る値をとる。 - 特許庁

A cross-sectional shape of the keel part 22 arranged on the air floor 21 is formed in a V-shape, and since the ship bottom can be projected in a V-shape, the sailing performance of the inflatable boat can be enhanced.例文帳に追加

エアフロア２１に設けられるキール部２２の断面形状はＶ字状に形成されており、船底をＶ字状に突き出させることができるため、インフレータブルボートの航行性能を高めることが可能となる。 - 特許庁