「c source」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

A light source B8 using a third wavelength λ3 is prepared in the optical communication unit on the user end side, its laser beam is radiated toward a collimator A4 to combine it with the collimator, total reflection is applied only to the laser beam having the wavelength λ3 to use it as pilot light for adjusting the optical axis to the light beam control device C.例文帳に追加

ここで、ユーザーエンド側の光通信ユニットＢに第３の波長λ３の光源Ｂ８を用意し、これをコリメータＡ４へ向けて照射して結合し、さらにこの第３の波長λ３のみを全反射させて、光ビーム制御装置Ｃへ光軸調整用のパイロット光として用いる。 - 特許庁

The left side piston 5B is moved to the direction of discharging liquid D sucked into the left side cylinder chamber 4B with the compressed air C, and then the right side piston 5A is also moved to the direction of sucking the liquid D stored in the liquid supply source BB into the right side cylinder chamber 4A.例文帳に追加

左側ピストン５Ｂを圧縮されたエアーＣにより左側シリンダ室４Ｂに吸入された液体Ｄが吐出される方向へ移動すると、右側ピストン５Ａも液供給源ＢＢに貯蔵された液体Ｄが右側シリンダ室４Ａ内へ吸入される方向へ移動する。 - 特許庁

A spindle motor 4 is started by supplying a power source (step 101), temperature of the ramp 25 is measured and it is decided whether temperature of the ramp 25 reaches the set temperature (approximate 25°C) or not, when it does not reach, a heater 28 is energized, the ramp 25 is heated, and the temperature is raised (step 103).例文帳に追加

電源投入によりスピンドルモータ４を起動し（ステップ１０１）、ランプ２５の温度の測定を行い、ランプ２５の温度が設定温度(約２５°Ｃ)に達しているかどうかを判定し（ステップ１０２）、達していない場合にヒータ２８に通電してランプ２５を加熱し、温度を上げる（ステップ１０３）。 - 特許庁

An epitaxial growth layer 13 consisting of the group III nitride semiconductor is formed through a buffer layer 12 on a sapphire substrate 11 which has a surface A (a surface parallel to C axis of sapphire single crystals) as its main surface, and a gate electrode 16, source electrode 15, and drain electrode 17 are formed on it.例文帳に追加

Ａ面（サファイア単結晶Ｃ軸に平行な面）を主面とするサファイア基板１１上に、バッファ層１２を介してIII族窒化物半導体からなるエピタキシャル成長層１３を形成し、その上にゲート電極１６、ソース電極１５およびドレイン電極１７を形成する。 - 特許庁

As a heat source for the reduction firing furnace 2, exhaust gas in the cement firing equipment may be steam-extracted and is introduced into the reduction firing furnace 2, or a part of raw materials heated to ≥800°C such as raw materials exhausted from a cyclone 12 at the lowest stage of a preheater may be fed to the reduction firing furnace 42.例文帳に追加

還元焼成炉２の熱源として、セメント焼成設備の排ガスを抽気し、還元焼成炉２に導入してもよく、プレヒータの最下段サイクロン１２から排出された原料等、温度が８００℃以上の原料の一部を還元焼成炉４２に供給してもよい。 - 特許庁

A sterilization treatment part 153a heats the hot water in the hot water storage tank up to temperature (75 °C) for surely perishing Legionella by starting an auxiliary heat source device 11 after being put in a hot water supply prohibited state by cutting off a water feed to the hot water supply faucet side by fully closing the hot water supply side of a water mixer 101.例文帳に追加

滅菌処理部１５３ａにおいて、混水器１０１の給湯側を全閉にして給湯カラン側への通水を遮断して給湯使用禁止状態にした上で、補助熱源装置１１を起動させて貯湯タンク内の湯水をレジオネラ菌が確実に死滅する温度（７５℃）まで加熱する。 - 特許庁

The device 10 for improving the oral environment is provided with a tray 12 for an oral cavity capable of filling the composition 11 whose viscosity at 25°C is 0.1 to 1,000 Pa×s, a vibrator 13 for vibrating the tray 12, and a vibration source 14 for supplying vibrations to the vibrator 13.例文帳に追加

本発明の口腔環境改善用装置１０は、２５℃における粘度が０．１〜１０００Ｐａ・ｓである組成物１１を充填可能な口腔用トレー１２と、該トレー１２を振動させる振動子１３と、該振動子１３に振動を供給する振動源１４とを備える。 - 特許庁

When data are effectively stored in a backup area 13b when the current is again switched on, a main control substrate C transmits to a control substate D for display commands for control in the order of a power source returning command 40, left or right figure pattern specifying commands 34 to 37, and a customer waiting command 41.例文帳に追加

電源再入時にバックアップエリア１３ｂにデータが有効に記憶されている場合には、主制御基板Ｃは、表示用制御基板Ｄへ電源復帰コマンド４０、左又は右図柄指定コマンド３４〜３７、客待ちコマンド４１の順番で制御用コマンドを送信する。 - 特許庁

The powder coating method comprises blowing fuel-gas flame containing a silicon-containing compound or blowing a silicon-containing compound through the use of a heat source at 400°C or higher to the surface of a solid substance before powder coating that involves applying a powder coating to the solid substance.例文帳に追加

粉体塗料を固体物質へ適用して粉体塗装する前に、当該固体物質の表面に対して、ケイ素含有化合物を含む燃料ガスの火炎を吹き付け処理するか、あるいは、ケイ素含有化合物を、４００℃以上の熱源を介して吹き付け処理する粉体塗装方法である。 - 特許庁

A light of a light source 20 is guided to a first irradiation direction A1 and a second irradiation direction A2 to irradiate an original 10 with the guided light, and a reflection light reflecting from the original in a predetermined reflection direction C is guided to a CCD unit 50 for performing photoelectric conversion, so that image data is obtained.例文帳に追加

光源２０の光を，原稿１０に対して第１の照射方向Ａ１と第２の照射方向Ａ２とに導いて照射し，原稿から所定の反射方向Ｃへ反射する反射光を，光電変換を行うＣＣＤ部５０に導いて画像データを得る。 - 特許庁

Preferably, the plurality of laser beams having different wavelengths are generated by making single wavelength light from a single mode laser light source A on a multi-wavelength generator B and making light wave having a plurality of wavelengths generated from the multi-wavelength generator B on a wavelength selection means C.例文帳に追加

好ましくは、異なる波長を有する複数のレーザ光は、単一モードレーザ光源Ａからの単一波長光を多波長発生器Ｂに入射し、該多波長発生器Ｂから生成される複数の波長を有する光波を波長選択手段Ｃに入射して生成することを特徴とする。 - 特許庁

The multiple power source device is equipped with two power supply systems for supplying electric power from an A power supply 1 and a B power supply 2 to individual loads (an A load 6a and B load 6b), and with a C power supply 3 as a booster power supply for supplying auxiliary power to the A load 6a or the B load 6b.例文帳に追加

マルチ電源装置は、Ａ電源１とＢ電源２から個別の負荷（Ａ負荷６ａとＢ負荷６ｂ）に電力を供給する２つの電源系統を備えると共に、Ａ負荷６ａ又はＢ負荷６ｂに補助電力を供給するブースタ電源としてＣ電源３を備える。 - 特許庁

A PC determines, in conversion of a calculation model formed by technological calculation software to a source code of C language, whether replacement of block set to map is needed or not for each block set of 1-input/1-output, 2-input/1-output, and 3-input/1-output (S140-S200).例文帳に追加

ＰＣは、科学技術計算ソフトウェアにて作成された計算モデルを、Ｃ言語のソースコードに変換するに際し、１入力１出力、２入力１出力、３入力１出力の各ブロックセット毎に、ブロックセットをマップに置換する必要があるか否かを判断する（Ｓ１４０〜Ｓ２００）。 - 特許庁

The manufacturing method of the volatile organic compound adsorbent includes steps for: (a) obtaining a precursor of cylindrical aluminum silicate by mixing a solution containing silicic acid source and a solution containing aluminum source; (b) washing the precursor; (c) obtaining the cylindrical aluminum silicate by heating the precursor after washing in the step (b) in the presence of an acid; and (d) washing the cylindrical aluminum silicate.例文帳に追加

揮発性有機化合物吸着剤の製造方法は、（ａ）ケイ酸源を含む溶液とアルミニウム源を含む溶液とを混合して筒状アルミニウムケイ酸塩の前駆体を得る工程と、（ｂ）前駆体を洗浄する工程と、（ｃ）工程（ｂ）における洗浄後の前駆体を酸の存在下で加熱して筒状アルミニウムケイ酸塩を得る工程と、（ｄ）筒状アルミニウムケイ酸塩を洗浄する工程とを備える。 - 特許庁

In this method, a mixture of diamond crystal, a boron source, and an inert particles are prepared and this mixture is heated to approximately to 800-1200°C for a period suitable for diffusing boron on a surface of the diamond and improving oxidation resistance and mechanical strength of the diamond crystal in which the boron is diffused.例文帳に追加

この方法では、ダイヤモンド結晶、ホウ素源及び不活性粒子の混合物を形成し、この混合物を、ダイヤモンド結晶の表面中にホウ素を拡散させてそのホウ素が拡散したダイヤモンド結晶の耐酸化性と機械的強度を改良するのに適した時間約８００〜１２００℃の温度に加熱する。 - 特許庁

Since the silicon oxide film 7 for protecting against ion implantation damage and for forming source and drain regions is formed by the low-temperature normal pressure CVD method at 400-500°C, the no molybdenum constituting the gate electrode 5 is oxidized or sublimated when forming the silicon oxide film 7, to prevent the damage or peeling of the gate electrode 5.例文帳に追加

このように、４００〜５００℃の低温の常圧ＣＶＤ法によって、ソース、ドレイン領域形成のためのイオン注入損傷の保護用のシリコン酸化膜７を形成するので、シリコン酸化膜７の形成時にゲート電極５を構成するモリブデンが酸化または昇華せず、ゲート電極５の損傷や剥離を防止できる。 - 特許庁

This method comprises employing a gas obtained by means of gasifying hexamethyldisilane as a material gas, and spraying the gas on a substrate in a film forming chamber, while generating an ion beam of argon from an ion source, and irradiating the substrate with the ion beam at 300 eV or less while simultaneously spraying the material gas, to form the SiC thin-film at 300°C or lower.例文帳に追加

材料ガスとしてヘキサメチルジシランを気化せしめて得たガスを用い、該ガスを成膜チャンバー内の基板上に吹き付け、一方、イオン源によりアルゴンのイオンビームを発生させ、該イオンビームを該材料ガスの吹き付けと同時に基板上に３００ｅＶ以下で照射し、３００℃以下でＳｉＣ薄膜を形成する。 - 特許庁

The fund management system 10 records payment request data including payment source information in accordance with a payment request from a member companies a1, a2 and the like, creates alternative payment data in which a plurality of payment plans are assembled based on the payment request data and transmit the alternative payment data to banks A, B, C to make them process each payment plan.例文帳に追加

資金管理システム１０は、子会社ａ１，ａ２…からの支払依頼に応じて支払元情報を含む支払依頼データを記録し、該支払依頼データに基づいて複数の支払案件をまとめた支払代行データを作成し、該支払代行データを銀行Ａ，Ｂ，Ｃに伝送して各支払案件を処理させる。 - 特許庁

The composite product is obtained by softening and melting the resin using the laser beam as the heat source relating to the bonding of the heterogeneous materials of (A) the molded article in which the linear coefficient of the thermoplastic resin is 2.0-4.5×10^-5/°C and (B) the metal the surface of which is treated by a triazine dithiol derivative, hydrazine, or anodic oxidization.例文帳に追加

（Ａ）熱可塑性樹脂の線膨張係数が２．０〜４．５×１０^−５／℃である成形品と、（Ｂ）金属表面をトリアジンチオール誘導体、ヒドラジン、陽極酸化処理した異種材同士の接合について、レーザ光を熱源として樹脂を軟化溶融させることによって得られる複合製品。 - 特許庁

The operator, while observing the image, operates so that the focusing index images Fb and Fc are aligned in a line, from (a) to (b), and the positioning index image P is located in a positioning index circle C, for positioning and focusing, and when positioning and focusing are achieved, an imaging switch is pushed to emit an imaging light source.例文帳に追加

操作者は画像を見ながら、（ａ）〜（ｂ）に至るように、フォーカス指標像Ｆｂ、Ｆｃが一列に並び、位置合わせ指標像Ｐが位置合わせ指標サークルＣ内に位置するように操作して、位置合わせ、ピント合わせを行い、位置、ピントが合ったところで、撮影スイッチを押し撮影用光源を発光させる。 - 特許庁

The corner C1 on at least the rear surface side of the light transmission plate 1 which guides the light from a light source 2 from the side 1c and emits the light to a front surface side 1a is right angled or the corner C1 at least at its rear surface side 1b is rounded (R) within 0.1 mm or is chamfered (C) within 0.1 mm.例文帳に追加

光源２からの光を側方１ｃから導き表面側１ａに出射させる導光板１において、その少なくとも裏面側１ｂのコーナー部Ｃ１が直角であるか、また、その少なくとも裏面側１ｂのコーナー部Ｃ１がアール（Ｒ）０．１ｍｍ以内、又は、面取り（Ｃ）０．１ｍｍ以内である。 - 特許庁

Therefore, air for cooling from a suction fan 61 flows while being branched in four directions between the upside of the fixer 35 and the first auxiliary plate 57 (direction A), on the side of the lower surface of the first auxiliary plate 57 (direction B), on the side of the top end of the process cartridge 21 (direction C) and on the side of the power source part 73 (direction D).例文帳に追加

従って、吸気ファン６１からの冷却用空気は、定着器３５の上方と第１補助プレート５７との間（Ａ方向）と、第１補助プレート５７の下面側（Ｂ方向）と、プロセスカートリッジ２１の先端側（Ｃ方向）と、電源部７３側（Ｄ方向）の４方向に分かれて分流する。 - 特許庁

In the case the camera is set to a C-AF (continuous-AF) photographing mode when the power source switch 1161 of the camera is turned on or the camera is restarted by releasing the sleep state of the camera, a focusing lens of a photographic lens 101 is moved to scan all the area of a movable range in the first focusing operation so that the peak position of a focus evaluation value is searched.例文帳に追加

カメラの電源スイッチ１１６１がオンされたり、カメラのスリープ状態が解除されて再起動されたときにＣ−ＡＦ撮影モードに設定されている場合には、最初の合焦動作においては撮影レンズ１０１のフォーカシングレンズを可動範囲の全域にスキャンして、焦点評価値のピーク位置をサーチする。 - 特許庁

A semiconductor wafer or semiconductor device having surface defects generated in a stage of manufacturing the semiconductor wafer or in a specified process of manufacturing the semiconductor device is annealed in a hydrogen gas atmosphere including a semiconductor material source gas at low temperatures of 950°C or lower in a high vacuum of 102 Torr or below.例文帳に追加

半導体ウェーハの製造段階または半導体素子の特定工程段階で発生した表面欠陥が存在する半導体ウェーハまたは半導体素子を１０^-2Ｔｏｒｒ以下の高真空、９５０℃以下の低温及び半導体物質ソースガスを含む水素ガス雰囲気下でアニーリングさせる。 - 特許庁

The method for manufacturing the pyrolytic carbon or graphite- coated carbon material is characterized in that the carbon material is coated with the pyrolytic carbon or the graphite by feeding in a hydrocarbon gas as a source gas and a hydrogen gas as a carrier gas together with a hydrogen chloride gas to the carbon material in a reduced pressure in the atmosphere of 1,200°C or higher.例文帳に追加

減圧下、１２００℃以上の雰囲気で、炭素材料に原料ガスである炭化水素ガス、キャリアガスである水素ガスと同時に塩化水素ガスを流入させ、熱分解炭素または黒鉛を炭素材料に被覆させることを特徴とする熱分解炭素または黒鉛被覆炭素材料の製造方法。 - 特許庁

The failure detection in the steering torque sensor is left under the prohibited condition until the lapse of a prescribed time is confirmed by a restoration counter, even when the power source voltage is restored thereafter to exceed the operation voltage lower limit value (referring to an area C), and the failure detection in the steering torque sensor is allowed after the lapse of the prescribed time (referring to an area A').例文帳に追加

その後に電源電圧が回復して動作電圧下限値を超えても、復帰カウンタが所定時間の経過を確認するまでは操舵トルクセンサの故障検出を禁止したままとし（領域Ｃ参照）、前記所定時間が経過した後に操舵トルクセンサの故障検出を許可する（領域Ａ′参照）。 - 特許庁

One of a plurality of accumulating units A, B and C is selected so that AC/DC conversion efficiency of the stabilized power source 500 based on total current of load current to a controller section 200 and charging current to the accumulating unit is highest and then charging to the selected accumulating unit is carried out.例文帳に追加

制御コントローラ部２００への負荷電流と蓄電装置への充電電流との合計電流に基づく安定化電源５００のＡＣ／ＤＣ変換効率が最も高くなるように、複数の蓄電装置Ａ、Ｂ、Ｃのいずれかが選択され、選択された蓄電装置への充電が行われる。 - 特許庁

The semiconductor-on-insulator type transistor comprises (a) an insulating layer, (b) a semiconductor material layer on the insulating layer, (c) a transistor gate provided in the semiconductor material layer, and (d) a vertical, outer source/drain diffusion region and a vertical, inner diffusion-region, provided in the semiconductor material layer operationally adjacent to the transistor gate.例文帳に追加

セミコンダクタ・オン・インシュレータ型トランジスタは、ａ）絶縁層、ｂ）絶縁層上の半導体物質の層、ｃ）半導体物質層内に設けられたトランジスタゲート、ｄ）トランジスタゲートに動作上近接して半導体物質層内に設けられた上下方向外側ソース／ドレイン拡散領域及び上下方向内側拡散領域とからなる。 - 特許庁

The silicon oxide thin film is formed in the presence of oxygen at ≤300°C by spraying a material gas obtained by vaporizing hexamethyldisilane onto a substrate placed inside a film-forming chamber while simultaneously applying an ion beam such as argon generated by an ion source onto the substrate at ≤300 eV .例文帳に追加

材料ガスとしてヘキサメチルジシランを気化せしめて得たガスを用い、該ガスを成膜チャンバー内の基板上に吹き付け、一方、イオン源によりアルゴン等のイオンビームを発生させ、該イオンビームを該材料ガスの吹き付けと同時に基板上に３００ｅＶ以下で照射し、酸素の存在下、３００℃以下で、酸化ケイ素薄膜を形成する。 - 特許庁

The cogeneration system is constituted by a combination of it and an absorption refrigerator 14 driven by combustion exhaust gas c discharged from gas turbine generator 7 as a heating source, and cold water produced by the absorption refrigerator 14 is supplied as primary cooling water to a condenser 24 of the water vapor compression refrigerator 15.例文帳に追加

該ガスタービン発電機７から排出される燃焼廃ガスｃを加熱源として駆動する吸収冷凍機１４との組合せでコジェネレーションシステムが構成し、該吸収冷凍機１４で製造した冷水を一次冷却水として水蒸気圧縮冷凍機１５の凝縮器２４に供給する。 - 特許庁

To provide a hot air/cold air blower which overcomes the problem wherein, since an insufficient heat radiation capacity causes an increase in temperature and a backflow of heat to a cooling face, a temperature of a Peltier element becomes 150°C, leading to melting of metal and breaking of wire, and uses the Peltier element as a thermo-module generating a high temperature heat source in winter.例文帳に追加

放熱能力が十分でないとき、温度が上昇して冷却面に熱が逆流し、ペルチェ素子全体が１５０℃になり金属が溶け出し断線する、課題を解決する、冬場に高温度の熱源を発生させるサーモ・モジュールとして、ペルチェ素子を用いた温風・冷風機を提供する。 - 特許庁

A lowpass filter is formed by a wire resistor R connected to the first electrode film 104 and a capacitor C formed between the first electrode film 104 and the light shielding film 121, whereby noise of a power source for applying a voltage to the first electrode film 104 is suppressed from being propagated to the first electrode film 104.例文帳に追加

第１電極膜１０４に接続される配線の抵抗Ｒと第１電極膜１０４—遮光膜１２１間に形成されるキャパシタＣとでローパスフィルタが形成されるため、第１電極膜１０４に電圧を印加する電源のノイズが第１電極膜１０４に伝搬するのが低減される。 - 特許庁

An LPF 52, which comprises only a coil L and a capacitor C, excluding a resistor R, extracts the low frequency component of the transmission signal canceled by the HPF 51, and a detection circuit 53 converts the low frequency component of the transmission signal extracted by the LPF 52 into a DC power source through AC/DC conversion.例文帳に追加

抵抗Ｒを除いたコイルＬ及びコンデンサＣのみから成るＬＰＦ５２が、ＨＰＦ５１によって除去される伝送信号の低周波成分を抽出し、検波回路５３がＬＰＦ５２により抽出された伝送信号の低周波成分を交流／直流変換して直流電源に変換する。 - 特許庁

The expanding multi-component epoxy resin coating agent comprises (A) a component containing at least an epoxy resin, (B) a curing agent component containing at least a curing agent for the epoxy resin, and (C) an expanding component containing at least an oxidation part, at least a carbon source, and at least a gas generation part.例文帳に追加

膨張多成分エポキシ樹脂コーティング剤は、少なくともエポキシ樹脂を含有する成分（Ａ）と、少なくとも前記エポキシ樹脂のための硬化剤を含有する硬化剤成分（Ｂ）と、少なくとも酸化部分、少なくとも炭素源、および少なくともガス発生部を含有する膨張成分（Ｃ）とを含む。 - 特許庁

The electrostatic atomization apparatus is provided with a cooling means 5 for producing water on a discharge electrode portion based on a moisture content in air by cooling a discharge electrode 2, a high voltage power source 4 for atomizing water by generating discharge, and a control means C for monitoring the discharge state and controlling the cooling means 5 by the discharge state.例文帳に追加

放電電極２を冷却して放電電極部分に空気中の水分を基に水を生成させる冷却手段５と、放電を生じさせて上記水を霧化する高圧電源４と、放電状態を監視して放電状態により冷却手段５を制御する制御手段Ｃを備える。 - 特許庁

This illumination system is composed of plural lighting systems A including a light source, plural switch devices B for switching the lighting systems A to the ON state or the OFF state, and a control panel C connected to each switch device B by a signal wire Ls, for receiving data showing the ON/OFF state of the lighting systems A through the signal wire Ls.例文帳に追加

照明システムは、光源を含む複数台の照明装置Ａと、照明装置Ａをオン・オフする複数台のスイッチ装置Ｂと、各スイッチ装置Ｂと信号線Ｌｓにより接続され、照明装置Ａのオン・オフの状態を示すデータを信号線Ｌｓを介して受信する制御盤Ｃとで構成される。 - 特許庁

The heat source device 1 extracts the storage quantity of the heating medium H to be stored in a storing means for the next discharging operation, on the basis of the data relating to the discharging quantity of the heating medium S discharged in the past discharging motion, and an inflow temperature tc of the heating medium C supplied from the external of the heating system Sh.例文帳に追加

熱源装置１は、過去の排出動作において排出された熱媒体Ｓの排出量に関するデータと、加熱系Ｓｈの外部から供給される熱媒体Ｃの流入温度ｔｃとに基づき、次回の排出動作に備えて貯留手段に貯留すべき熱媒体Ｈの貯留量を導出する。 - 特許庁

This method for cultivating plants comprises application of rise alternating temperature treatment of treatment temperature in illumination lighting time by ≥3°C than treatment temperature in lights-out time, in flower bud formation through using artificial light source in a flower bud differentiation formation stage in plant cultivation, and performing short-day treatment through controlling illumination lighting time and lights-out time.例文帳に追加

植物栽培における花芽分化形成段階において人工光源を利用し、照明点灯時間と消灯時間の制御により短日処理を行う花芽形成において、照明点灯時間の処理温度を消灯時間内の処理温度より３℃以上の増加変温処理を施す植物栽培方法。 - 特許庁

For example, in the Fig. 1, the transmission source terminal device 11 is connected with the receiving side terminal devices A 12 and B 13 and the receiving side terminal device B 13 is connected with the receiving side terminal device C 14 respectively, and further to the receiving side terminal device D 15 is connected to the receiving side terminal device B 13.例文帳に追加

例として、図１では、送信元端末装置１１に受信側端末装置Ａ１２及び受信側端末装置Ｂ１３が、受信側端末装置Ｂ１３には受信側端末装置Ｃ１４がそれぞれ接続され、更に受信側端末装置Ｄ１５が受信側端末装置Ｂ１３に接続されようとしている。 - 特許庁

The photosensitive resin composition contains: (A) a polyamic acid prepared from polysiloxane diamine expressed by general formula (1) as the source material; (B) a (meth)acrylate compound having at least two or more photopolymerizable unsaturated double bonds; (C) a photopolymerization initiator; and (D) a flame retardant comprising a phosphorous atom.例文帳に追加

（Ａ）下記一般式（１）で表されるポリシロキサンジアミンを原料として得られるポリアミド酸、（Ｂ）少なくとも２つ以上の光重合可能な不飽和２重結合を有する（メタ）アクリレート化合物（Ｃ）光重合開始剤および、（Ｄ）燐原子を含有してなる難燃剤を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。 - 特許庁

Connection C for transferring important flow is established in a provider domain 20 between an entrance transfer control part 2a and an exit transfer control part 2b, the entrance transfer control part 2a determines whether a user flow packet transferred from a source user terminal 1a is an important flow packet f1 or a general flow packet f2.例文帳に追加

入口転送制御部２ａと出口転送制御部２ｂとの間で、プロバイダドメイン２０内に、重要フロー転送用コネクションＣを確立し、入口転送制御部２ａは、送信元ユーザ端末１ａから転送されたユーザフローパケットが、重要フローパケットｆ１であるか、一般フローパケットｆ２であるかを判別する。 - 特許庁

On the upper surface of a second interlayer insulation layer 7, a second local interconnect line 8 connecting the source region 4A of an MOS transistor T with the lower electrode layer 10A of a ferroelectric capacitor C and connecting a part of the gate electrodes 3A and 3C of the MOS transistor T with the uppermost layer interconnect line 12 is formed.例文帳に追加

また、第二の層間絶縁層７の上面に、ＭＯＳトランジスタＴのソース領域４Ａと強誘電体キャパシタＣの下部電極層１０Ａとを接続し、且つ、ＭＯＳトランジスタＴの一部のゲート電極３Ａ、３Ｃと最上層配線１２とを接続する第二の局所配線８を形成する。 - 特許庁

Then, the reaction chamber 11 and a piping 63a are heated up to 100 to 150°C, and while the piping 63a is kept at a pressure of 10 to 30 kPa by the combination valve CV, hydrogen fluoride is supplied for cleaning through inlets 64a to 64c from a gas source 35d to points, where exhaust gas drops in conductance and temperature.例文帳に追加

次いで、反応室１１と配管６３ａとを１００℃〜１５０℃に加熱し、コンビネーションバルブＣＶにより配管６３ａ内を１０ｋＰａ〜３０ｋＰａの圧力に維持しつつ、排気ガスのコンダクタンスや温度の低下が起きる箇所に、インレット６４ａ〜６４ｃからガス源３５ｄのフッ化水素を供給し、洗浄する。 - 特許庁

The coefficient of linear expansion of a first dust-proof glass 2 and a second dust proof glass 3 is specified to ≤1.0×10-6/°C so that even when heat is accumulated in a light-transmitting member or a transparent substrate by supplying intense light from a light source, generation of double refraction due to the heat can be prevented.例文帳に追加

第１の防塵ガラス２および第２の防塵ガラス３は、線膨張係数が１．０×１０^-6／℃以下に設定されているので、光源から強い光を供給することで光透過部材や透明基板に蓄熱現象が生じても、それに起因した複屈折の発生を防ぐことが可能となる。 - 特許庁

A heterojunction field effect transistor 1 is fabricated by depositing an AlN buffer layer 3, a first GaN layer 4, an AlGaN barrier layer 5, and a second GaN layer 6 in this order on an SiC substrate 2 whose front face is a C surface, and then forming a source electrode 7, a drain electrode 8, and a gate electrode 9 on the GaN layer 6.例文帳に追加

ヘテロ接合電界効果型トランジスタ１は、表面がＣ面であるＳｉＣ基板２の上にＡｌＮバッファ層３、第１のＧａＮ層４、ＡｌＧａＮバリア層５、および第２のＧａＮ層６をこの順番に積層して、ＧａＮ層６の上にソース電極７、ドレイン電極８およびゲート電極９形成する。 - 特許庁