「c source」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

The optical distance measuring system 1 also includes an optical fiber 43 for correction for allowing light radiated from a light source part 31 to detour around the optical system component group 45 and to enter a photodetection part 32, and at least a partial fiber coil 43C of the optical fiber 43 for correction is provided in contact with the casing C.例文帳に追加

光学式距離測定システム１は、さらに、光源部３１から放射した光を、光学系部品群４５を迂回して光検出部３２に入射する補正用光ファイバ４３をさらに備え、この補正用光ファイバ４３の少なくとも一部のファイバコイル４３Ｃは、筐体Ｃに接して設けられる。 - 特許庁

This method comprises a process of forming a first silicon layer, a process of imparting a second silicon layer superposed on the first silicon layer, a process of oxidizing the second silicon layer at a temperature of <400°C, by using an inductively coupled plasma source, and a process of forming an oxide layer superposed on the first silicon layer.例文帳に追加

本発明の方法は、第１のシリコン層を形成する工程と、第１のシリコン層の上に重なる第２のシリコン層を付与する工程と、誘導結合プラズマソースを用いて、４００℃未満の温度で、第２のシリコン層を酸化する工程と、第１のシリコン層の上に重なる酸化物層を形成する工程とを含む。 - 特許庁

To provide an intermediate-temperature heat low-temperature refrigerating device which has solved a problem of global environment destruction caused by the clogging of slurry and use fuel, using 100°C or lower of intermediate-temperature heat by using regeneration use energy and unused energy such as solar heat and garbage incineration waste heat as a heat source and using dissolution heat, in the dissolution type refrigerating device.例文帳に追加

溶解式冷凍装置において、スラリーの閉塞や使用燃料による地球環境破壊問題を解決した、太陽熱やゴミ焼却排熱などの再生利用エネルギーや未利用エネルギーを熱源として１００℃以下の中温熱を利用する、溶解熱を利用した中温熱低温冷凍装置を提供する。 - 特許庁

In this structure, since light is emitted from the light emitting panel 2 integrally installed on the upper face of the top plate 11 or the lower face of the bottom plate 12, a shielding member or the like for hiding a light source is not necessitated, uniform light can be emitted on a ceiling C or on a floor F, and indirect illumination of good appearance can be performed.例文帳に追加

この構成によれば、天板１１の上面又は底板１２の下面に一体に設けられた発光パネル２から光を出射するので、光源を隠すための遮蔽部材等を必要としなくなり、天井Ｃ又は床面Ｆに均一な光を出射でき、見た目の良い間接照明を行なうことができる。 - 特許庁

The method for manufacturing the metal oxide powder mainly comprising the metal oxide containing titanium includes (a) a process preparing a raw material solution in which a titanium source is dissolved in an aqueous solvent, (b) a process for forming mist from the raw material solution, and (c) a process for forming the powder by heating the mist.例文帳に追加

チタンを含む金属酸化物を主体とする金属酸化物粉末を製造する方法であって、（ａ）．水系溶媒にチタン源が溶解している原料溶液を用意する工程と、（ｂ）．その原料溶液のミストを生成する工程と、（ｃ）．そのミストを加熱して粉末を生成させる工程とを包含する。 - 特許庁

The reactor is provided with a tube-shaped electric resistance heat generating body 36 capable of holding the temperature of the reaction cartridge at 380°C and a cable 38 connected to an emergency power source (not illustrated) capable of supplying power at all times and energizing the electric resistance heat generating body 36 as a heating means 35 for heating the reaction cartridge.例文帳に追加

反応器は、反応カートリッジを加熱する加熱手段３５として、反応カートリッジを３８０℃に保持できるチューブ状の電気抵抗発熱体３６と、常時、電力供給可能状態にある非常電源（図示せず）に接続され、電気抵抗発熱体３６に通電するケーブル３８とを備えている。 - 特許庁

When executing bmov instruction for transferring the content of a source bit in a specified general-purpose register (rn) and if the both are specified as the same bit, a decoder of a CPU executes a processing of transferring the content of a carry flag [C] disposed in a condition code register to a destination bit of the register (rn).例文帳に追加

ＣＰＵのデコーダは、指定した汎用レジスタｒｎ内でソースビットの内容をデスティネーションビットに転送するｂｍｏｖ命令を実行する際に、双方が同じビットに指定されている場合は、コンディションコードレジスタ内に配置されるキャリーフラグ［Ｃ］の内容を、レジスタｒｎのデスティネーションビットに転送する処理を実行する。 - 特許庁

This method for producing humic acid-based soil amendments comprises adding and mixing a coal ash regulated to a pH value 4-6 with an organic carbon source, adding water to the resultant mixture, subjecting the mixture to thermochemical reaction under temperature conditions of ≥90°C and converting the mixture into a humic acid-based material.例文帳に追加

有機質の炭素源にｐＨ値４〜６に調整した石炭灰を添加混合し、この混合物に水を添加すると共に９０℃以上の温度条件で熱化学反応させてＡ型腐植酸を含有する腐植酸質に変成させることからなる腐植酸質土壌改良資材の製造方法とする。 - 特許庁

The minimum voltage Vsmin being a saturation polarization point C is detected by sweeping voltage applied to at least one capacitor out of a plurality of ferroelectric capacitors 18 formed at each intersections of a plurality of word lines 14 and a plurality of bit lines 16 in the direction of lower voltage than power source voltage VDD by a tester 40.例文帳に追加

複数のワード線１４及び複数のビット線１６の各交点に形成される複数の強誘電体キャパシタ１８の少なくとも一つに印加される電圧を、テスタ４０によって、電源電圧ＶＤＤより低い方向にスイープさせて、飽和分極点Ｃとなる最小電圧Ｖｓｍｉｎを検出する。 - 特許庁

The light guide plate for a surface light source comprises a hydrogenated styrene copolymer having ≥70 wt.% to ≤97 wt.% of hydrogenated styrene polymer unit content and ≥30 Pa×s and ≤150 Pa×s melt viscosity (melt viscosity under conditions of at 300°C and 10^3 s^-1 shear rate).例文帳に追加

水素化されたスチレン重合単位の含有量が７０重量％以上９７重量％以下であり、溶融粘度（３００℃においてシェアレートが１０^3ｓ^-1における溶融粘度）が３０Ｐａ・ｓ以上１５０Ｐａ・ｓ以下である水素化スチレン共重合体からなることを特徴とする面状光源用導光板。 - 特許庁

(c) Alternatively, based on its reasonable country of origin inquiry, if the registrant knows that any of its necessary conflict minerals originated in the Democratic Republic of the Congo or an adjoining country and are not from recycled or scrap sources, or has reason to believe that its necessary conflict minerals may have originated in the Democratic Republic of the Congo or an adjoining country and has reason to believe that they may not be from recycled or scrap sources, the registrant must exercise due diligence on the source and chain of custody of its conflict mineral, as discussed in paragraph (c)(1) of this item, that conforms to a nationally or internationally recognized due diligence framework, if such a framework is available for the conflict mineral.例文帳に追加

(c)あるいは、合理的な原産国調査に基づき、必要な紛争鉱物がコンゴ民主共和国もしくはその周辺国を原産国としており再生利用品もしくはスクラップ起源ではないと登録者にわかっている場合、または必要な紛争鉱物がコンゴ民主共和国もしくはその周辺国を原産国とする可能性があると考える理由、およびそれらが再生利用品もしくはスクラップ起源ではない可能性があると考える理由を持つ場合、登録者は、その紛争鉱物について国内的または国際的に認められたデュー・ディリジェンスの枠組みがあるならばそれに準拠して、紛争鉱物の起源と加工・流通過程に関して本項目のパラグラフ(c)(1)に記された通りのデュー・ディリジェンスを実行しなければならない。 - 経済産業省

a. In the case of said light used in a location prescribed under item (x), sub-item "a" and used in the location prescribed under item (xi), the location prescribed under sub-item "c" that is every other location prescribed under said item in descending order from the location prescribed under item (x), sub-item "a" (except the lowest location), the intensity at a level 10 degrees above the horizontal plane comprising the light source center shall be 100 candela or more, and at a level 3 degrees below the horizontal plane comprising the light source center shall be 100 candela or more to 150 candela or less. 例文帳に追加

ａ　第十号イに規定する位置に使用されるもの及び第十一号の物件において第十号イに規定する位置から下方に順に一つ置きの同号ハに規定する位置（最も低い位置を除く。）に使用されるものにあつては、光源の中心を含む水平面上十度における光度は、百カンデラ以上であり、かつ、光源の中心を含む水平面下三度における光度は、百カンデラ以上百五十カンデラ以下であること。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

A semiconductor memory device is configured, with a charge capture film 5 being arranged, composed of the sequential lamination of a gate oxide film 11, silicon nitride film 12, silicon oxide film 13, silicon nitride film 14, silicon oxide film 15, silicon nitride film 16, and silicon oxide film 17, between a channel region C located between a source region 3 and drain region 4, and a gate electrode 6.例文帳に追加

ソース領域３−ドレイン領域４間のチャネル領域Ｃとゲート電極６との間に、ゲート酸化膜１１、シリコン窒化膜１２、シリコン酸化膜１３、シリコン窒化膜１４、シリコン酸化膜１５、シリコン窒化膜１６及びシリコン酸化膜１７が順次積層されてなる電荷捕獲膜５が配されて半導体記憶装置が構成される。 - 特許庁

The snubber device 6 comprises: an SiC-MOSFET 3 connected between an output terminal C and a reference terminal E of the switching transistor 1; a Zener diode 4 formed between a gate terminal G and a drain terminal D of the SiC-MOSFET 3; and a resistor 5 formed between the gate terminal G and a source terminal S of the SiC-MOSFET 3.例文帳に追加

スナバデバイス６は、スイッチングトランジスタ１の出力端子Ｃ−基準端子Ｅ間に接続されたＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ３と、ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ３のゲート端子Ｇ−ドレイン端子Ｄ間に形成されたツェナーダイオード４と、ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ３のゲート端子Ｇ−ソース端子Ｓ間に形成された抵抗器５とを備える。 - 特許庁

The control computer C radiates infrared rays from the infrared light source 16 by supply of a preheating signal E11, to thereby perform preheating control for preheating the thermopile infrared sensor 17, so as to be different from flashing radiation at a normal radiation time by supply of a normal flashing signal Eo, and then transfers to a normal flashing control.例文帳に追加

制御コンピュータＣは、通常の点滅信号Ｅｏの供給による通常放射時の点滅放射とは異なるように、予熱用信号Ｅ１１の供給によって赤外線光源１６から赤外線を放射させてサーモパイル型赤外線センサ１７を予熱する予熱制御を行なった後に、通常の点滅制御へ移行する。 - 特許庁

The light source 2 irradiates plants P with UV-B having wavelength components of approximately 280 to 340 nm, UV-C comprising wavelength components of approximately 100 to 280 nm from which wavelength components of ≤255 nm are cut, and visible light having a peak in wavelength components having a wavelength distribution of approximately 460 to 550 nm in at least a superimposed state.例文帳に追加

光源２は、略２８０〜３４０ｎｍの波長成分を有するＵＶ−Ｂと、略１００〜２８０ｎｍの波長成分のうちの略２５５ｎｍ以下の波長成分がカットされたＵＶ−Ｃと、略波長分布４６０〜５５０ｎｍの波長成分の中にピークを有する可視光とを少なくとも重畳して植物Ｐに照射する。 - 特許庁

In molding a layer of the optical element by a forming mold 70 using an epoxy resin 35 added with an optical latent polymerization initiator in the layer of the actuator 6 manufactured by a photolithography technique, the temperature of the resin 35 is controlled to ≥60 to ≤500°C by a heater 105 and the light from a light source 125 is partially cast thereto to temporary fix the layer.例文帳に追加

フォトリソグラフィ技術により製造したアクチュエータ６の層に光学素子の層に光潜在性重合開始剤添加エポキシ樹脂３５を用いて成形型７０で成形して製造する際に、樹脂３５の温度を６０℃以上５００℃以下の温度にヒータ１０５で制御すると共に、光源１２５からの光を部分的に当てて仮止めする。 - 特許庁

When the solenoid 7 does not drive, the stopper 9 regulates the position of the shade 5 by two directions B and C different from the direction slantly crossed against the axes (light source axis Z-Z, optical axis Z-Z, and lens axis Z1-Z1) in the direction A for switching the position of the shade 5, namely, in the direction for turning around the turning axis 19.例文帳に追加

このストッパ９は、ソレノイド７が非駆動時において、シェード５の姿勢を、シェード５の姿勢が切り替わる方向Ａすなわち回動軸１９回りに回動する方向であって軸（光源軸Ｚ−Ｚ、光軸Ｚ−Ｚ、レンズ軸Ｚ１−Ｚ１）に対して斜めに交差する方向と異なる２方向Ｂ，Ｃで規制制動する。 - 特許庁

The method for activating an oxygen trapping film comprises a step of preparing an oxygen trapping film containing an oxidizable organic compound and a transition metal catalyst, a step of exposing the film to an Ultra violet-C light source, and a step of producing a packaging item for containing an item such as food by applying the film to a shaped web.例文帳に追加

酸化可能な有機化合物及び遷移金属触媒を含有する酸素捕獲フィルムを用意する工程、このフィルムをＵＶ−Ｃ光の光源に曝露する工程、及び該フィルムを成形されたウエブへ適用して、食品等の物品を包含するための包装物を製造する工程を含む、酸素捕獲フィルムの作動化方法。 - 特許庁

A cosmetic method comprising applying hot steam to the skin and then massaging the skin uses, as a source of steam, a steam generator containing metallic powders, salts and water and having built therein a steam generating composition which emits steam as the oxidation of the metallic powders proceeds, so that the steam generator emits steam of 50°C or less from its surface.例文帳に追加

温熱水蒸気を皮膚に適用し、次いでマッサージすることからなる美容方法において、水蒸気発生源として、金属粉、塩類及び水を含有し、金属粉の酸化に伴って水蒸気を放出する水蒸気発生組成物を内蔵し、表面から５０℃以下の水蒸気を放出する水蒸気発生体を使用する。 - 特許庁

An air conditioner for a vehicle is provided with a variable displacement compressor using a vehicle engine as a drive source and provided with a variable set pressure type capacity control valve 50; a vehicle speed sensor 87; a sensor 88 for detecting accelerator opening; and an A/C controller 80 controlling current application to the control valve on the basis of various external information.例文帳に追加

車輌用空調装置は、車輌エンジンを駆動源とすると共に設定圧可変型の容量制御弁５０を備えた容量可変型圧縮機と、車速センサ８７と、アクセル開度を検知するセンサ８８と、各種外部情報に基づいて前記制御弁５０への通電制御を行うＡ／Ｃコントローラ８０とを備えている。 - 特許庁

To provide a base substrate with a transparent conductive oxide film which has low resistance, high transparency, excellent light scattering performance over the entire wavelength range of sunlight, and especially, has sufficiently small variance in C-light-source haze ratio even when used for a transfer type CVD device; a method for producing the base substrate; and a photoelectric conversion element using the base substrate.例文帳に追加

低抵抗、高透明で、太陽光の全波長域で良好な光散乱性能を有し、特に、搬送型のＣＶＤ装置に用いた場合であってもＣ光源ヘイズ率のばらつきが十分に小さい、透明導電性酸化物膜付き基体およびその製造方法ならびに該基板を用いた光電変換素子の提供。 - 特許庁

When operations are made to open the file at the C company terminal, the file is opened with a corresponding application program, the address of the log collection server of the A or B company buried in the file is read and specified as the transmission source of the log data, and the log data including the file ID and operation contents read from the file is transmitted.例文帳に追加

Ｃ社の端末でファイルを開く操作が行われると、対応するアプリケーションプログラムによってファイルが開かれるとともに、ファイルに埋め込まれたＡ社又はＢ社のログ収集サーバのアドレスを読み取り、このアドレスをログデータの送信先に指定し、ファイルから読み取ったファイルＩＤや操作内容などを含むログデータを送信する。 - 特許庁

This paper tube seedling aggregate transfer device is characterized be having a paper tube seedling-loading portion A for picking up and loading a paper tube seedling aggregate P, a wheel-driving mechanism portion B having a driving source M which can separately rotate a pair of travel wheels 5, 5, and an operation portion C for operating the wheel-driving mechanism portion B.例文帳に追加

本発明に係る紙筒苗集合体の移載装置は、紙筒苗集合体Ｐを掬い上げて乗載する紙筒苗乗載部Ａと、一対の走行用車輪５，５を個別に回転駆動できる駆動源Ｍを備えた車輪駆動機構部Ｂと、この車輪駆動機構部Ｂの駆動操作を行う操作部Ｃとを有して構成されている。 - 特許庁

The quality of the aluminum diffusion film having excellent fatigue life of a base material as well as oxidation resistance can be controlled by regulating the composition of powder consisting of aluminum, aluminum fluoride and aluminum oxide as a diffusion film supply source under the heat treatment condition of about 950°C and also regulating heating time and the amount of the powder mixture, respectively.例文帳に追加

９５０℃程度の加熱処理条件で、拡散皮膜の供給源としてアルミニウム、フッ化アルミニウムおよび酸化アルミニウムからなる粉末の組成の調整ならびに加熱時間および混合粉末の量を調整することにより、耐酸化性および母材の疲労寿命が良好なアルミニウム拡散皮膜の品質を制御する。 - 特許庁

The method of forming a semiconductor structure includes: providing a stack, which comprises a high dielectric constant (k) dielectric 14 and an interfacial layer 12, on a surface of a substrate 10; and forming a TiC film 16 on the stack by sputtering with a Ti target in an atmosphere comprising Ar and a carbon (C) source that is diluted with He.例文帳に追加

高誘電率（ｋ）の誘電体１４および界面層１２を含む積層体を基板１０の表面上に設けるステップと、Ｈｅによって希釈された炭素（Ｃ）源およびＡｒを含む雰囲気において、Ｔｉターゲットをスパッタすることにより、前記積層体上にＴｉＣ膜１６を形成するステップとを含む、半導体構造を形成する方法である。 - 特許庁

The method for manufacturing the catalyst comprises the steps of: heating a liquid mixture, which contains the carbon material, a metal compound having a metal exhibiting catalytic activity and water, by using a heat source of ≤180°C to evaporate the water; and reducing the metal on the surface of the carbon material heated thus, namely, the metal on the surface of the catalytic carrier in a hydrogen-containing gas atmosphere.例文帳に追加

この触媒を製造するには、炭素材、触媒活性を示す金属を有する金属化合物、および水を含む混合液を１８０℃以下の熱源で加熱して蒸発させる工程と、この工程後の触媒担体を水素含有ガス雰囲気に置いてその担体表面の金属を還元する工程とを有する方法を使用すると良い。 - 特許庁

The number of optical members to be provided at the optical scanning mechanism is decreased by the function as the optical lens of the light transmission member 2, and the photoreceptor 13 is not irradiated with the reflected light B of the laser beam from the laser light source 11 in the light transmission plate 2, and the photoreceptor 13 is irradiated only with the reflected light C in the micromirror 1.例文帳に追加

光透過部材２の光学レンズの機能により、光走査機構に設けるべき光学部材の点数を低減できるとともに、レーザ光源１１からのレーザ光の光透過部材２における反射光Ｂは感光体１３に照射されず、マイクロミラー１における反射光Ｃのみが感光体１３に照射される。 - 特許庁

In the processing method for a photopolymerizable sensitive material containing (A) an ethylenically unsaturated compound, (B) a photoinitiator, (C) a sensitizing dye and (D) a polymer binder, the photoinitiator is an organic boron salt, and after exposure and development, postexposure is performed with a light source including a wavelength of 600-900 nm.例文帳に追加

Ａ）エチレン性不飽和化合物、Ｂ）光重合開始剤、Ｃ）増感色素、Ｄ）高分子結合材を含む光重合性感光材料の処理方法において、光重合開始剤が有機ホウ素塩であり、露光及び現像処理後、６００〜９００ｎｍの波長を含む光源で後露光することを特徴とする光重合性感光材料の処理方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the memory element includes steps of: (a) forming a first electrode; (b) forming a memory node on the first electrode; (c) forming an insulating layer contacting the memory node, and formed by using a source substance without containing hydrogen as a constituent; and (d) forming a second electrode on the memory node.例文帳に追加

メモリ素子の製造方法において、（ａ）第１電極を形成する段階と、（ｂ）前記第１電極上にメモリノードを形成する段階と、（ｃ）前記メモリノードと接し、構成成分として水素が含まれないソース物質を利用して形成された絶縁層を形成する段階と、（ｄ）前記メモリノード上に第２電極を形成する段階と、を含む。 - 特許庁

The color filter is characterized in that the area of a triangle formed by connecting each chromaticity coordinates of red, green and blue in the XYZ color specification system measured by using a light source C is not smaller than 80% to the NTSC standard and pixels with one or more colors are formed by laminating a layer containing a photosensitive resin on a colored layer containing a non-photosensitive resin.例文帳に追加

Ｃ光源を使用して測定した、ＸＹＺ表色系色度図における赤、緑、青の各色度座標を結んでなる三角形の面積がＮＴＳＣ規格比８０％以上であり、一色以上の画素が、非感光性樹脂を含む着色層上に感光性樹脂を含む層が積層されたものであることを特徴とするカラーフィルター。 - 特許庁

To realize the flat frequency characteristic up to the high frequency range without having the peaking property in a thin film magnetic head device provided with a thin film magnetic head element such that an electrically equivalent circuit is constituted of a series circuit defined by an equivalent voltage source and a series resistor RH, and a parallel capacitor C connected with this series circuit in parallel.例文帳に追加

電気的等価回路が、等価電圧源および直列抵抗Ｒ_Ｈで定義される直列回路と、この直列回路と並列に接続される並列コンデンサＣとで構成される薄膜磁気ヘッド素子を有する薄膜磁気ヘッド装置において、ピーキング特性を持たず、高周波数領域まで平坦な周波数特性を実現する。 - 特許庁

The method comprises employing a mixture gas containing N_2O gas and SiH_4 gas as source gas, Ir metal as a catalyst body, contacting the mixture gas with Ir metal which is heated to 1,800°C to decompose then, generating radicals or ions of Si or O, and depositing them on a substrate as deposition seeds to form the silicon oxide film.例文帳に追加

原料ガスとしてＮ_2ＯガスとＳｉＨ_4ガスとを含有する混合気体を用い、触媒体としてＩｒ金属を用い、１８００℃に加熱したＩｒ金属と前記混合気体とを接触分解させて、Ｓｉ及びＯのラジカルまたはイオンを生成し、これらを堆積種として基板上に堆積させてシリコン酸化膜を形成する。 - 特許庁

The resistivity measuring device for measuring the resistivity of the semiconductor sample 22 generating the electromotive force upon receiving light irradiates light from a light source 21 to the semiconductor sample 22 and detects the electromotive force generated by the semiconductor sample 22 between two exploring needles b, c of a probe 15 with four exploring needles for output to a voltage measurement unit 17.例文帳に追加

受光すると起電力が発生する半導体試料２２の抵抗率を測定する抵抗率測定装置において、光源部２１から半導体試料２２に光を照射し、半導体試料２２が発生する起電力を４探針プローブ１５の２つの探針ｂ、ｃ間で検出して電圧測定部１７へ出力する。 - 特許庁

A method for producing a polyamide resin comprises applying a ring-opening treatment at 290-350°C to the recovered lactam aqueous solution containing unreacted caprolactam, oligomer and water, obtained by aqueous extraction treatment of the polyamide resin obtained by the ring opening polymerization of a caprolactam in the presence of water, and then reusing the whole or a part of the recovered lactam aqueous solution as a source material.例文帳に追加

水の存在下、カプロラクタムの開環重合によって得られるポリアミド樹脂を水抽出して、得られる未反応のカプロラクタム、オリゴマーおよび水を含有する回収ラクタム水溶液を２９０〜３５０℃で開環処理した後に、この全量又は一部を再び原料として用いることを特徴とするポリアミド樹脂の製造方法である。 - 特許庁

The color filter and a liquid crystal display device using the same are achieved, in which, concerning the coloring layer, the area of a triangle formed by connecting each chromaticity coordinate of red, green, and blue in the XYZ color specification system measured by using a C light source is not smaller than 80% on the NTSC standard ratio, and the thickness is not thicker than 4 μm.例文帳に追加

また、着色層について、Ｃ光源を使用して測定した、ＸＹＺ表色系色度図における赤、緑、青の各色度座標を結んでなる三角形の面積がＮＴＳＣ規格比８０％以上であり、かつ膜厚が４μｍ以下であることカラーフィルター、およびこれを用いた液晶表示装置を実現する。 - 特許庁

with respect to taxes on income which are not withheld at source, as regards income for any taxable year beginning on or after 1 January in the calendar year next following that in which the notice is given; and (c) with respect to other taxes, as regards taxes levied on or after 1 January in the calendar year next following that in which the notice is given 2 Notwithstanding paragraph 1, each Contracting Party shall remain bound by Article 8 with respect to any information provided and received by the competent authority of the Contracting Party under this Agreement 例文帳に追加

その他の租税に関しては、終了の通告が行われた年の翌年の一月一日以後に課される租税 ２１の規定にかかわらず、各締約者は、この協定に基づき当該締約者の権限のある当局が提供し、及び受領した情報について、引き続き第八条の規定に拘束される。 - 財務省

In the light source used for the radiation, an energy quantity A in the wavelength range of 410-505 nm is higher than an energy quantity B in a wavelength range excepting the range of 410-505 nm, and an energy quantity C included in a wavelength range of 510-610 nm is lower than an energy quantity D included in a wavelength area excepting the range of 510-610 nm.例文帳に追加

その光源は、４１０〜５０５ｎｍまでの範囲の波長域におけるエネルギー量をＡ、それ以外の波長域におけるエネルギー量をＢ、さらに、５１０〜６１０ｎｍまでの範囲の波長域において含まれるエネルギー量をＣ、それ以外の波長域において含まれるエネルギー量をＤとしたときに、Ａ＞Ｂ、かつＣ＜Ｄとなるものを用いる。 - 特許庁

The manufacturing method of the spin injection source device performs a step for forming a CaF_2 film 2 by epitaxial growth while the clean surface of the Si substrate 1 is being heated, and a step for forming an Fe_3Si film 5 by a molecular beam epitaxy method for simultaneously applying Si 3 and Fe 4 onto the CaF_2 film 2 at 400°C.例文帳に追加

スピン注入源デバイスの製造方法において、Ｓｉ基板１の清浄表面を加熱した状態で、ＣａＦ_2 膜２をエピタキシャル成長により形成する工程と、次に、前記ＣａＦ_2 膜２上に４００℃でＳｉ３とＦｅ４を同時に照射する分子線エピタキシー法によりＦｅ_3 Ｓｉ膜５を形成する工程とを施す。 - 特許庁

Fine indium-tin oxide particles having an average particle size of 100 nm or lower are mixed with at least one kind of metal source selected from among group 1A elements of the periodic table, and the resultant mixture is treated at 150-300°C in the atmosphere of an inert gas, an inert gas containing an alcohol, or a gas mixture comprising a reducing gas and an inert gas.例文帳に追加

平均粒径が１００ｎｍ以下のインジウム錫酸化物微粒子と周期律表の２Ａ族群から選択された少なくとも１種の金属源とを混合した後、不活性ガス、あるいはアルコールを含む不活性ガス、もしくは還元性ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気下１５０〜３００℃の温度で処理することを特徴とする。 - 特許庁

The circularly polarized light initiated liquid crystal display element with a vertical alignment mode is constructed with a light source BL, a circular polarizer structure P containing a first polarizing plate 6 and a first retardation plate 4, a variable retarder structure VR containing a liquid crystal cell C and a circular analyzer structure A containing a second polarizing plate 5 and a second retardation plate 3 in sequence.例文帳に追加

円偏光主導型の垂直配向モードの液晶表示素子は、光源ＢＬ、第１偏光板６及び第１位相差板４を含む円偏光子構成体Ｐ、液晶セルＣを含む可変リターダー構成体ＶＲ、第２偏光板５及び第２位相差板３を含む円検光子構成体Ａの順に構成する。 - 特許庁

Fine indium-tin oxide particles having an average particle size of 100 nm or lower are mixed with at least one kind of metal source selected from among group 1A elements of the periodic table, and the resultant mixture is treated at 150-300°C in the atmosphere of an inert gas, an inert gas containing an alcohol, or a gas mixture comprising a reducing gas and an inert gas.例文帳に追加

平均粒径が１００ｎｍ以下のインジウム錫酸化物微粒子と周期律表の１Ａ族群から選択された少なくとも１種の金属源とを混合した後、不活性ガス、あるいはアルコールを含む不活性ガス、もしくは還元性ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気下１５０〜３００℃の温度で処理することを特徴とする。 - 特許庁

The junction type field effect transistor comprises a p-type semiconductor film 2 formed on the front side of an n-type semiconductor C substrate 1, an n-type semiconductor film 3 involving a channel region 4 formed thereon, source and drain regions 5, 6 formed at both sides of the channel region on the semiconductor film 3, and a gate electrode 13 in contact with the n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型半導体Ｃ基板１の表（おもて）面に成膜されたｐ型半導体膜２と、その上に形成されたチャネル領域４を含むｎ型半導体膜３と、ｎ型半導体膜の上であって、チャネル領域の両側に形成されたソース、ドレイン領域５,６と、ｎ型半導体基板に接して設けられたゲート電極１３とを備える。 - 特許庁

By thus arranging a channel length direction c of the thin film transistor Q, among incident light to the polarizer, S polarization is maximally absorbed which goes on in the incident direction to a semiconductor layer 13 directly from a source and a drain electrodes side, or being reflected by the electrodes with amplitude in the orthogonal direction to the channel length direction.例文帳に追加

このように、薄膜トランジスタＱのチャネル長方向ｃを揃えたことにより、偏光板へ入射する光のうち、ソース、ドレイン電極側から直接又は、電極により反射され半導体層１３に入射する方向に進行し、かつチャネル長方向と直交方向の振幅のＳ偏光を最大に吸収することが可能となる。 - 特許庁

The rotary tool includes: a motor 2 as a rotary driving source; a torque application structure for applying torque generated by rotation of the motor to an output shaft 7; a sensor 10 for measuring the torque applied to the output shaft; and a controller C for stopping the torque application to the output shaft when the torque measured by the sensor reaches a set target torque.例文帳に追加

回転駆動源としてのモータ２と、モータ回転で発生させたトルクを出力軸７に加えるトルク印加手段と、上記出力軸に加わるトルクを測定するセンサ１０と、該センサにより測定されたトルクが設定された目標トルクに達した時に上記出力軸へのトルク印加を停止させる制御手段Ｃとを備える。 - 特許庁