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crystallization methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1091件
The method of manufacturing a high purity lithium carbonate includes a first process for obtaining a purified lithium hydroxide by crystallization after microfiltration of a water solution containing a crude lithium hydroxide; and a second process for reacting the purified lithium hydroxide with carbon dioxide in a water solvent and recovering lithium carbonate (a) crystallized.例文帳に追加
粗製水酸化リチウムを含む水溶液を精密濾過した後、晶析を行って精製水酸化リチウムを得る第一工程、及び該精製水酸化リチウムと二酸化炭素とを水溶媒中で反応させて析出させた炭酸リチウム(a)を回収する第二工程、を含む高純度炭酸リチウムの製造方法。 - 特許庁
In the method for producing high-purity adamantyl (meth)acrylates by reacting adamantanols with (meth)acrylates, a nitroso-based polymerization inhibitor such as N-nitroso-N-phenylhydroxylamine ammonium or N-nitroso-N-phenylhydroxylamine aluminum is added when crystallization is carried out.例文帳に追加
アダマンタノール類と(メタ)アクリル酸類を反応させてアダマンチル(メタ)アクリレート類を製造する方法において、晶析時にN−ニトロソ−N−フェニルヒドロキシルアミンアンモニウム、N−ニトロソ−N−フェニルヒドロキシルアミンアルミニウム等のニトロソ系重合禁止剤を添加することを特徴とする高純度アダマンチル(メタ)アクリレート類の製造方法。 - 特許庁
The forming method of a ferroelectric film comprises a step of crystallizing a raw material body 20 of a complex oxide which step comprises a step of performing a first heat treatment to form an initial nucleus, and a step of a second heat treatment for making crystallization growth at a temperature lower than that in the first heat treatment.例文帳に追加
本発明の強誘電体膜の形成方法は、複合酸化物の原材料体20を結晶化する工程を含み、 初期核を形成するための第1の熱処理を行う工程と、 結晶成長をさせるために、前記第1の熱処理と比して低い温度である第2の熱処理を行う工程と、を含む。 - 特許庁
Furthermore, an etching process to the single crystal silicon layer 10b of a substrate which requires a long time, and film deposition of the piezoelectric material layer 34 by a hydrothermal crystallization method are performed simultaneously, by which time required for one process is shortened, and improvement in production efficiency and reduction in manufacturing cost are attained.例文帳に追加
更に、長時間を要する基板の単結晶シリコン層10bに対するエッチング処理と水熱合成法による圧電体層34の成膜とを同時に行うことで、一方の工程に要する時間を短縮することが可能となり、生産効率の向上と製造コストの削減とを図ることができる。 - 特許庁
The magnet powder whose oxygen content is 0.2 mass% or below is manufactured by pulverizing quenched alloy ribbon in advance, thereafter applying crystallization heat treatment to the obtained pulverized ribbon and furthermore pulverizing the ribbon by the impact method in high speed air streams so as to obtain particles 80 mass% or over of which have a grain diameter of 150 μm or below.例文帳に追加
急冷合金薄帯を予め粉砕した後、得られた粉砕物を結晶化熱処理してから高速気流中衝撃法によりさらに粉砕し、全体の80質量%以上が粒径が150μm以下の粒子とした、酸素含有量が0.2質量%以下の磁石粉末である。 - 特許庁
In treating phosphorus-containing wastewater by a fluidized bed type crystallization method, a distributor 5 for uniformly introducing phosphorus-containing wastewater is provided under the fluidized bed 4 of a reaction column 3 and a calcium compound is added so that Ca+2/PO4-P becomes 10-15 mol times and the pH in the reaction column 3 is controlled to 9-11.例文帳に追加
リン含有排水を流動床式晶析法で処理するに当たり、反応塔3の流動床4の下部にリン含有排水を均一に導入するためのディストリビュータ5を設け、Ca^2+/PO_4−Pが10〜15モル倍となるようにカルシウム化合物を添加すると共に、反応塔3内のpHを9〜11に制御する。 - 特許庁
To provide a control apparatus and a control method in a phosphorous recovery device by crystallization, with which the improvement of efficiency of recovering phosphoric acid is made possible by calculating a phosphoric acid content in surplus sludge, finding a phosphoric acid release rate from the phosphoric acid content and controlling an organic matter injection amount so that phosphoric acid release can be made the maximum.例文帳に追加
余剰汚泥のりん酸含有量を演算し、りん酸含有量からりん酸放出速度を求めて、りん酸放出が最大となるように有機物注入量を制御することで、りん酸回収効率向上を可能とする晶析によるりん回収装置の制御装置及び制御方法を提供する。 - 特許庁
To provide a cup-like container excelling in heat resistance without deformation in order to heat a neck part uniformly and limitedly over the whole periphery in a short time in view of problems concerning a method for thermal crystallization treatment of particularly the neck part of the cup-like container.例文帳に追加
本発明は、カップ状容器の特に頸部の熱結晶化処理方法に係る上記問題点を解決するために創案したものであり、頸部を短時間に、限定的に全周に亘って均一に加熱することを課題として、もって変形のない、耐熱性にすぐれたカップ状容器を提供することを目的とする。 - 特許庁
The method for producing the polyester resin composition has a melt-polymerization step for producing the polyester resin by melt polymerization, an addition step for adding 8-32C aliphatic monocarboxylic acid and/or its metal salt to the polyester resin to provide the polyester resin composition and a crystallization step for crystallizing the polyester resin composition after the addition step.例文帳に追加
例えば、ポリエステル樹脂を溶融重合により製造する溶融重合工程と、炭素数8〜32の脂肪族モノカルボン酸および/またはその金属塩をポリエステル樹脂に添加してポリエステル樹脂組成物とする添加工程と、添加工程後にポリエステル樹脂組成物を結晶化する結晶化工程を有する方法により製造できる。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a thin film semiconductor device which is formed on a substrate to exhibit various merits that semiconductor film is formed of large size crystal particle having excellent crystallization property, location of crystal particle of channel forming area is controlled, electrical characteristics is excellent and short channel effect can be suppressed.例文帳に追加
基板上に形成された薄膜半導体装置の製造方法において、半導体膜が結晶性の良い大粒径の結晶粒から成り、チャネル形成領域の結晶粒界の位置が制御されており、電気特性が良く、短チャネル効果を抑制することができ、電気特性ばらつきの少ない薄膜半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁
In a repairing method for concrete structure 1 in which a deteriorated surface of an existing concrete structure is chipped off and a repairing material 4 consisting of fresh mortar or concrete is placed to the chipped-off surface 1b, a cement crystallization increasing material having an action of continuously increasing the cement hydration product is used.例文帳に追加
既存コンクリート構造物の表面劣化部位をはつり取り、はつり面1bにフレッシュモルタルまたはコンクリートからなる修復材4を打設して構造物表面を修復するようにしたコンクリート構造物1の補修方法において、セメント水和生成物を連続的に増殖する作用を有するセメント結晶増殖材を用いる。 - 特許庁
In a method for producing the citrulline anhydride crystal crystallized with a citrulline anhydride from a citrulline aqueous solution to collect the citrulline anhydride crystal, crystallization is carried out under the presence of a basic amino acid such as ornithine, lysine and arginine, and preferably under the presence thereof in concentration of 0.003 to 10.0 g/100 g H_2O to water in the citrulline aqueous solution.例文帳に追加
シトルリン水性溶液からシトルリン無水化物の晶析を行い、シトルリン無水化物結晶を採取する、シトルリン無水化物結晶の製造法において、晶析をオルニチン、リジン、アルギニン等の塩基性アミノ酸の存在下で、好ましくは、シトルリン水性溶液中の水に対して、0.003〜10.0g/100g H_2Oの濃度で存在下で行う。 - 特許庁
To provide a method for continuously conveying slurry through suppressing crystallization and other solids deposition or the cloggings of slurry conveyance pipings associated with these phenomena as the most problematic points in the case of handling aqueous terephthalic acid slurry at high temperatures and pressures, thus keeping devices including the slurry conveyance pipings and valves in continuously operable conditions.例文帳に追加
テレフタル酸の水スラリーを高温高圧で取り扱う場合において、最大の問題点である結晶析出その他の固形物の堆積、又はこれに伴うスラリー輸送配管の閉塞を抑制し、スラリー輸送配管、弁などの装置を連続運転可能な状態に保つ連続的なスラリー送液方法を提供するものである。 - 特許庁
To solve the problem related to the thermal crystallization treatment method of the flange, neck part or both of them of a cup-shaped container, achieve uniform heating in a partial or the whole circumference in a short time and provide a cup-shaped container free from deformation and excellent in heat resistance.例文帳に追加
カップ状容器のフランジ、頸部、あるいはこれら両者の熱結晶化処理方法に係る上記問題点を解決するために創案したものであり、これら部分を短時間に、限定的に全周に亘って均一に加熱することを課題として、もって変形のない、耐熱性にすぐれたカップ状容器を提供することを目的とする。 - 特許庁
In the method for forming the oriented polyester film, a mold having an uneven pattern which is heated at a temperature between the glass transition temperature and crystallization temperature of the polyester of the polyester film is pushed to at least one side of the polyester film and then peeled off to transfer the uneven pattern of the mold to the polyester, and the polyester film is stretched.例文帳に追加
ポリエステルフィルムの少なくとも片面に、ポリエステルフィルムのポリエステルのガラス転移温度以上結晶化温度以下の温度に加熱した凹凸パターンを有する型を押し当てその後に型を剥離することで型の凹凸パターンをポリエステルフィルムに転写し、ポリエステルフィルムを延伸することを特徴とする、延伸ポリエステルフィルムの製造方法。 - 特許庁
A manufacturing apparatus and a manufacturing method for manufacturing a substrate having a dielectric film including a heat treatment apparatus that subjects a substrate, on which a raw material containing a composite oxide is applied, to heat treatment and crystallization in an atmosphere containing oxygen in a volume ratio of 20% or above under pressure of atmospheric pressure or above, are provided.例文帳に追加
誘電体膜を有する基板を製造する製造装置であって、複合酸化物を含む原材料体が塗布された基板を、大気圧以上の圧力に加圧した、体積比20%以上の酸素を含む雰囲気中で熱処理して結晶化させる熱処理装置を備える製造装置および製造方法を提供する。 - 特許庁
The method for granulating a color developing agent has a step for preparing a powdery color developing agent containing water of crystallization as starting material, a step for warming the powdery starting material, a step for applying pressure to the powdery starting material and a step for cooling the material granulated by the warming and the application of pressure.例文帳に追加
結晶水を含む発色現像主薬粉体を原材料として用意する工程、前記粉体原材料を加温する工程、前記粉体原材料を加圧する工程、前記各工程によって加温、加圧されて造粒された材料を冷却する工程とを具備することを特徴とする発色現像主薬の造粒方法。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a transparent conductive laminate which improves pattern alignment accuracy of a plurality of transparent conductive films by suppressing a dimensional change due to heat applied during a post process by conducting crystallization of a transparent conductive layer in a short time and a heat contraction processing of a substrate prior to patterning and joining of the conductive layer.例文帳に追加
短時間で透明導電層を結晶化させること、及び、基板の熱収縮処理を行い、導電層のパターニング、貼り合せの前に、後工程で加えられる熱による寸法変化を抑制することで、複数の透明導電性フィルムのパターン位置合わせ精度を向上させる透明導電性積層体の製造方法を提供する。 - 特許庁
In the method for producing the olefin resin foam by extrusion foaming with the use of a combustible gas as the blowing gas, after the temperature of the central part of the foam after foaming falls to the crystallization temperature of a gas permeation modifier added or lower, the foam is perforated in the thickness direction from its surface.例文帳に追加
発泡剤として可燃性ガスを用いた押出発泡による発泡体の製造において、発泡後の発泡体中心部温度が、添加されているガス透過調整剤の結晶化温度以下に降下した後、発泡体の表面から厚み方向に穿孔を施すことを特徴とするオレフィン系樹脂発泡体の製造方法。 - 特許庁
The method comprises providing a substrate 100, depositing an amorphous silicon layer 114 on the substrate 100, adjusting the threshold voltage of the thin film transistor 101 by bringing the plasma into contact with the amorphous silicon layer 114, and performing a crystallization process to convert the amorphous silicon layer 114 into a polycrystalline silicon layer 114'.例文帳に追加
基板100を提供することと、前記基板100の上に非晶質シリコン層114を堆積することと、プラズマを前記非晶質シリコン層114と接触させることによって、前記薄膜トランジスタ101の閾値電圧を調整することと、結晶工程を行い、前記非晶質シリコン層114を多結晶シリコン層114に変換することを含む。 - 特許庁
This method for producing the diglycosylated gallic acid derivative comprises performing a condensation reaction of gallic acid, a gallic acid ester or a gallic acid salt with an acetylated monosaccharide, disaccharide or oligosaccharide while distilling off acetic acid produced as a byproduct, and after the completion of the reaction, isolating the obtained diglycosylated gallic acid derivative by crystallization.例文帳に追加
没食子酸、没食子酸エステル、又は没食子酸の塩と、アセチル化された単糖類、二糖類、又はオリゴ糖類とを、副生する酢酸を反応系外へ留去しながら縮合反応を行い、反応終了後、得られたジグリコシル化没食子酸誘導体を晶析により単離することを特徴とするジグリコシル化没食子酸誘導体の製造方法。 - 特許庁
By a method having (a) a step for depositing an amorphous film on a substrate by supplying a precursor solution that is a film precursor dissolved in a supercritical fluid into a deposition chamber, and (b) a step for heat-treating the amorphous film under a heat-treating atmospheric gas at a temperature that is lower than its crystallization temperature, the amorphous film is formed on the substrate.例文帳に追加
(a)膜前駆体を超臨界流体に溶解させた前駆体溶液を成膜チャンバ内に供給して、基板上にアモルファス膜を成膜する工程と、(b)熱処理雰囲気ガス下、前記アモルファス膜をその結晶化温度より低い温度で熱処理する工程とを有する方法により、基板上にアモルファス膜を形成する。 - 特許庁
(1) The recording method is adapted to reduce a difference between recording sizes regarding the expansion of an amorphous mark in a direction (lateral direction) vertical to a laser beam advancing direction when recording is carried out by irradiating a phase-change optical recording medium having a crystallization promoting layer adjacent to a recording layer with a laser beam to form a crystal phase and an amorphous phase.例文帳に追加
(1)記録層に隣接した結晶化促進層を有する相変化型光記録媒体に対し、レーザー光をパルス状に照射して、結晶相とアモルファス相を形成することにより記録を行うに際し、レーザー光進行方向と垂直な方向(横方向)のアモルファスマークの拡がりに関する記録サイズ間差が微少になるようにする記録方法。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a crystalline thermoplastic resin molded object improved in heat-resistant rigidity, by improving the degree of crystallization of a thermoplastic resin and fusion peak temperature due to DSC in a process for molding the crystalline thermoplastic resin, and to provide the thermoplastic resin molded object improved in heat-resistant rigidity obtained thereby.例文帳に追加
、結晶性の熱可塑性樹脂の成形工程において、熱可塑性樹脂の結晶化度、DSCによる融解ピーク温度の改良を行うことにより、耐熱剛性の改良された熱可塑性樹脂成形体を製造する方法、及び、それによって得られた耐熱剛性の改良された熱可塑性樹脂成形体の提供 - 特許庁
This manufacturing method of a fluoride single crystal has a melt process in which a fluoride filled in a crucible is heated in a vacuum furnace to make a fluoride melt, a carbon monoxide removing process in which carbon monoxide is removed from the fluoride melt, and a crystallization process in which the fluoride melt after carbon monoxide removing process is cooled and crystallized.例文帳に追加
ルツボに充填したフッ化物を真空炉内で加熱してフッ化物融液とする融解工程と、フッ化物融液から一酸化炭素(CO)を除去する一酸化炭素除去工程と、一酸化炭素除去工程を経たフッ化物融液を冷却して結晶化する結晶化工程と、を有する製造方法によりフッ化物単結晶を製造する。 - 特許庁
The laser crystallization method includes steps of: providing a substrate on which a silicon thin film is formed; positioning the laser mask composed of four blocks having a periodicity pattern including a plurality of transmission regions and one cut-off region on the substrate; and crystallizing the silicon thin film by emitting laser beams via the laser mask.例文帳に追加
レーザー結晶化方法は、シリコン薄膜が形成された基板を提供する段階と、前記基板上に、複数の透過領域及び1つの遮断領域を含む周期性パターンを有する4つのブロックにより構成されるレーザーマスクを位置させる段階と、前記レーザーマスクを介してレーザービームを照射して、前記シリコン薄膜を結晶化する段階とを含む。 - 特許庁
To provide a process for fabricating a semiconductor device using a laser crystallization process for preventing formation of a grain boundary in the channel forming region of a TFT, significant lowering in mobility of the TFT due to the grain boundary, reduction of on current, or increase of off current, and to provide a semiconductor device fabricated by that method.例文帳に追加
TFTのチャネル形成領域に粒界が形成されるのを防ぎ、粒界によってTFTの移動度が著しく低下したり、オン電流が低減したり、オフ電流が増加したりするのを防ぐことができるレーザー結晶化法を用いた、半導体装置の作製方法及び該作製方法を用いて作製された半導体装置の提供を課題とする。 - 特許庁
To provide a semiconductor device using a laser crystallization method which can prevent a grain boundary from being formed in a channel formation area of a TFT, and can prevent a conspicuous reduction in mobility of the TFT, a reduction in an on-current, or an increase in an off-current, and to provide a production system of the semiconductor device.例文帳に追加
TFTのチャネル形成領域に粒界が形成されるのを防ぎ、粒界によってTFTの移動度が著しく低下したり、オン電流が低減したり、オフ電流が増加したりするのを防ぐことができるレーザー結晶化法を用いて形成される半導体装置及び半導体装置の生産システムの提供を課題とする。 - 特許庁
To provide a method for producing bis-β-hydroxyethyl terephthalate(BHET), by which BHET having an improved quality can be produced in an improved yield without being affected by reaction inhibitors such as water and polyvinyl chloride contained in PET supplied for recycling, while overcoming the heterogeneous low reactivity of solid PET due to shape and crystallization states and ensuring stable high performance productivity and operability.例文帳に追加
再利用に供するPETに混在する水、ポリ塩化ビニールなどの反応阻害物の悪影響を除き、形状や結晶化状態によるPET固体の不均一な低い反応性を克服し、安定した高能率の生産性、操業性を確保すると共に、品質、収率ともに改善されたBHETの製造方法を提供すること。 - 特許庁
The method for the production of the chromone compound crystal comprises the addition of an organic solvent solution of the chromone compound of general formula (1) to water, the removal of the organic solvent and water by distillation and the crystallization of the chromone compound of general formula (1) while adding water of an amount nearly equal to the water distilled out by the distillation.例文帳に追加
上記一般式(1)で示されるクロモン化合物の有機溶媒溶液を水に添加し、有機溶媒および水を蒸発留去するとともに、蒸発留去した前記水と略同量の水を系内に添加しながら、一般式(1)で示されるクロモン化合物結晶を析出させることを特徴とするクロモン化合物結晶の製造方法。 - 特許庁
To detect the lateral crystal growth process and lengths and widths of lateral growth crystal grains, realize uniform lateral crystal length in the predetermined region of semiconductor film through feedback control from the detecting inforamtion obtained, and continuously realize reliable growth of lateral crystal grains with the SLS (Selective Laser Sintering) method, for the crystallization of a semiconductor film by irradiation of laser.例文帳に追加
レーザ照射による半導体膜の結晶化において、横方向結晶成長過程および横方向成長結晶粒の長さや幅を検知し、得られた検知情報からフィードバック制御を行って半導体膜の所望の領域に一様な横方向結晶長さを実現し、SLS法で確実に横方向結晶粒を引き継いで成長させる。 - 特許庁
The method for producing a (meth)acrylic acid ester having high purity comprises the (meth)acrylation of a hydroxy compound derived from D-glucurono-6,3-lactone expressed by formula (1) (R^1 and R^2 are each a hydrogen atom or a 1-4C alkyl) and the purification of the (meth)acrylation product by crystallization.例文帳に追加
下記式(1)(式中、R^1及びR^2は水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基である。)で表されるD−グルクロノ−6,3−ラクトンから派生するヒドロキシ化合物を(メタ)アクリル化する方法において、(メタ)アクリル化反応後に晶析工程により生成物の精製をすることを特徴とする高純度(メタ)アクリル酸エステルの製造方法。 - 特許庁
To provide a resin composite material which has excellent dynamic characteristics such as rigidity (strength, elastic modulus and the like), toughness and ductility, and excellent crystallization speed, and comprises at least two polymers and a laminar clay mineral, wherein different kinds of the polymers are sufficiently homogeneously compatibilized between the layers of the laminar clay mineral, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加
少なくとも2種のポリマー及び層状粘土鉱物を含有する樹脂複合材料において、層状粘土鉱物の層間に異種のポリマー同士が十分に均一に相溶しており、剛性(強度、弾性率など)、靭性、延性などの力学的特性や結晶化速度に優れた樹脂複合材料、並びにその製造方法を提供すること。 - 特許庁
This method for producing the acicular aliphatic dicarboxylic acid crystal in which the average value in the ratio of the largest crystal length to its width (aspect ratio) is 2-20, comprises crystallization-recovering a crystal of aliphatic dicarboxylic acid from an aqueous solution containing at least one selected from aliphatic dicarboxylic acids and salts thereof derived from biomass resources.例文帳に追加
バイオマス資源から誘導された脂肪族ジカルボン酸および脂肪族ジカルボン酸の塩から選ばれる少なくとも一つを含む水溶液から脂肪族ジカルボン酸結晶を晶析回収することによる、最大結晶長さとその巾の比(アスペクト比)の平均値が2以上20以下である針状の脂肪族ジカルボン酸結晶の製造方法。 - 特許庁
A method for refining a chloroacetophenone isomer mixture containing 70-98 wt.% of p-chloroacetophenone to obtain the p- chloroacetophenone ≥99% in purity comprises the step of subjecting the isomer mixture to crystallization in the presence of a solvent to obtain the p- chloroacetophenone.例文帳に追加
パラクロロアセトフェノンの含有量が70〜98%であるクロロアセトフェノンの異性体混合物を精製することにより、純度が99%以上であるパラクロロアセトフェノンを得るクロロアセトフェノンの精製方法において、クロロアセトフェノンの異性体混合物を溶媒の存在下に晶析しパラクロロアセトフェノンを得る晶析工程を有する、クロロアセトフェノンの精製方法。 - 特許庁
The method of manufacturing the reproduced all-solid battery includes a crystallization process of forming a reproduced solid electrolyte layer by crystallizing amorphous Li ion conductive sulfur glass by heating a solid electrolyte layer before reproduction which includes the amorphous Li ion conductive sulfur glass.例文帳に追加
上記目的を達成するために、本発明は、アモルファス状のLiイオン伝導性硫化物ガラスを含む再生前固体電解質層を加熱することにより、上記アモルファス状のLiイオン伝導性硫化物ガラスを結晶化し、再生化固体電解質層を形成する結晶化工程を有することを特徴とする再生化全固体電池の製造方法を提供する。 - 特許庁
This method for producing the optically active 3-aminopiperidine derivative or its salt comprises forming an oxime of an optically active 3- oxopiperidine derivative or its salt, collecting a diastereomeric isomer mixture obtained by a reduction of the oxime group, separating both isomers by distributing the both isomers unevenly into a filtrate and crystal by a crystallization, and then removing its protecting group.例文帳に追加
光学活性3−オキソピペリジン誘導体又はその塩をオキシム化、オキシム基の還元によりジアステレオ異性体混合物として取得後、晶析によって両異性体を濾液と結晶にそれぞれ偏在させることで両異性体を分離し、保護基の除去を行うことにより光学活性3−アミノピペリジン誘導体又はその塩を製造する。 - 特許庁
With the crystallization method, a first amorphous silicon film 6 is deposited on an oxide film 4, that is deposited for improving viscosity having a glass substrate 2 and for preventing contamination by approximately 10-300 Å, and then a silane (SiH4) or disilane (Si2H6) gas is allowed to flow to form a silicon crystal nucleus 8 on the first amorphous silicon film 6.例文帳に追加
結晶化方法は、ガラス基板2との粘着性向上及び汚染防止用として蒸着する酸化膜4上に第1非晶質シリコン膜6を約10〜300Å程度蒸着後シラン(SiH4)或いはジシラン(Si2H6)ガスをフローしてシリコン結晶核8を第1非晶質シリコン膜6上に形成させる。 - 特許庁
To provide a composition containing a UV absorbent precursor, not causing image defects due to the crystallization of the precursor even when held in a high temperature environment and excellent in storage stability and to provide an image forming method by which an image free from image defects such as irregular color can stably be formed using the composition.例文帳に追加
高温環境下に保持された場合でも、紫外線吸収剤前駆体の結晶化による画像欠陥を伴うことがなく、保存安定性に優れた、紫外線吸収剤前駆体を含有する組成物、及び該組成物を用いて、色ムラ等の画像欠陥のない画像を安定に形成しうる画像形成方法を提供する。 - 特許庁
To obtain a good filtration property and crystalls of uniform grain size in the method for evaporation and crystallization, a slightly water-soluble organic compound is dissolved in a slightly water-soluble organic solvent and the obtained solution is supplied to water having temperature not lower than the temperature at which the organic solvent is boiled, and not higher than the temperature at which the organic compound is solidified while water is agitated.例文帳に追加
水難溶性の有機化合物を水難溶性の有機溶媒に溶解させた液を有機溶媒が沸騰する温度以上且つ有機化合物が固化する温度以下の水に攪拌下に供給し、有機溶媒を蒸発させて有機化合物を晶析する蒸発晶析方法において、濾過性が良好で、粒径が均一な結晶を得ること。 - 特許庁
In a method for dephosphorizing water containing phosphorus in which phosphorus in the water is converted into MAP by adding a magnesium compound, and MAP is crystallized for dephosphorization, magnesium hydroxide slurry is dissolved by using the dephosphorized water, and water containing magnesium ions in which the concentration of magnesium ions is larger than that of the treated water is supplied to a crystallization dephosphorization process.例文帳に追加
リンを含有した被処理水中のリンを、マグネシウム化合物を添加してMAPを生成させ、晶析脱リンする方法において、脱リン処理された処理水を用いてスラリー状の水酸化マグネシウムを溶解させ、溶解性のマグネシウムイオン濃度が処理水より高まったマグネシウムイオン含有水を、上記晶析脱リン処理工程に供給することを特徴とするリン含有水の脱リン方法。 - 特許庁
Diarsenic trioxide is treated by a treatment method comprising a leaching step of adding water to diarsenic trioxide into slurry, warming the slurry and leaching out arsenic while adding an oxidizing agent to thereby obtain a leachate; a deoxidizing step of removing any oxidizing agent remaining in the leachate to thereby obtain a preparation liquid; and a crystallization step of converting the arsenic in the preparation liquid to a scorodite crystal.例文帳に追加
三酸化二砒素に水を加えスラリーとし、当該スラリーを加温し酸化剤を加えながら砒素を浸出して浸出液を得る浸出工程と、当該浸出液に残留する酸化剤を除去し、調製液を得る脱酸工程と、当該調整液中の砒素をスコロダイト結晶へ転換する結晶化工程とを、有する処理方法により三酸化二砒素を処理する。 - 特許庁
The crystalline polymorphous forms of rifaximin (INN) (rifaximin α and rifaximin β) and a poorly crystalline polymorphous form of rifaximin (rifaximin γ) are obtained by the following crystallization method: hot-dissolving raw material rifaximin in ethanol and crystallizing the resultant product by adding water thereto at a constant temperature, followed by finally drying thereof under controlled conditions until a specific water content is reached in the end product.例文帳に追加
原料リファキシミンをエタノールに熱溶解し、一定の温度での水添加による生成物の結晶化をさせ、最後に最終生成物中の正確な水分含量になるまでコントロールされた条件で乾燥されることで実施される結晶化方法で得られる、リファキシミン(INN)の結晶性多形体(リファキシミンαおよびリファキシミンβ)、および貧結晶性多形体(リファキシミンγ)。 - 特許庁
The purification method of Si, by forming a compound (solid phase) of an alkali metal and Si, and crystallizing Si out of a melt of the compound, at least includes a step of removing impurity through unidirectional solidification of the compound, and includes steps of Si crystallization and alkali metal reutilization by making use of vapor pressure difference of Na depending on the temperature of the alkali metal/Si melt.例文帳に追加
アルカリ金属とSiとの化合物(固相)の生成後にこの化合物の融液から晶出させることによるSiの精製方法であって、少なくとも、前記化合物の一方向凝固による不純物除去を含むことと、アルカリ金属Si融液の温度によるNa蒸気圧差を利用したSiの晶出およびアルカリ金属の再利用の工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁
To provide a method and an apparatus for producing a raw material to be charged into a blast furnace, with which strength and reducibility of an iron ore in charging thereof into the blast furnace can be improved as a result of a higher plastic content in the iron ore compared to that in conventional ones achieved by infiltrating plastic into the iron ore containing crystallization water so as to convert the same into the raw material to be charged into the blast furnace.例文帳に追加
結晶水を含む鉄鉱石を高炉用原料とするためにプラスチックを浸透させるに当たって、鉄鉱石内のプラスチック含有量を従来よりも多く含有させて、その結果、鉄鉱石の高炉装入時の強度と被還元性を向上させることができる高炉装入原料の製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
By the manufacturing method, the amount of the metal catalyst contributing to crystallization is adjusted using the filtering oxide film that makes the diffusion of the metal catalyst difficult, so that the crystal grains in the polycrystalline silicon layer become larger in size due to the adjusted metal catalyst, the amount of the metal catalyst remaining in the polycrystalline silicon layer is minimized, and thus the thin film transistor having superior characteristics is provided.例文帳に追加
金属触媒の拡散が困難なフィルターリング酸化膜を用いて結晶化に寄与する金属触媒の量を調節し、調節された金属触媒によって多結晶シリコン層の結晶粒の大きさを大きく形成し、多結晶シリコン層に残留する金属触媒の量を最小化して特性が優れた薄膜膜トランジスタを製造できる効果がある。 - 特許庁
In the method for producing high-purity terephthalic acid, having a slurrying process, dissolution process, reduction process, crystallization process, separation process, cleaning process and drying process, cleaning waste fluid after cleaning discharged in the cleaning process is kept in a state at ≥120°C and ≤200°C and used as a water solvent in the slurrying process to produce high-purity terephthalic acid.例文帳に追加
スラリー化工程、溶解工程、還元工程、晶析工程、分離工程、洗浄工程、及び乾燥工程を有する高純度テレフタル酸の製造方法において、上記洗浄工程で排出される洗浄後の洗浄排液を、120℃以上、200℃以下の状態を維持させて、上記スラリー化工程の水溶媒として使用して、高純度テレフタル酸を製造する。 - 特許庁
A method for forming a PLZT ferroelectric thin film comprises the following procedure: a heat-resistant substrate is coated with the above composition followed by heating in air, an oxidative atmosphere or hydrous vapor atmosphere, this practice is repeated until a film of desired thickness is afforded, and during or after heating at least in the final step, the film is baked at the crystallization temperature or higher.例文帳に追加
このPLZT強誘電体薄膜形成用組成物を耐熱性基板に塗布し、空気中、酸化雰囲気中又は含水蒸気雰囲気中で加熱する工程を所望の厚さの膜が得られるまで繰り返し、少なくとも最終工程における加熱中或いは加熱後に膜を結晶化温度以上で焼成するPLZT強誘電体薄膜の形成方法。 - 特許庁
The method comprises the following process: using an aqueous polyvinyl alcohol solution as a poor solvent, a good solvent solution prepared by dissolving at least a medicament and PLGA in a good solvent comprising a mixture of acetone and ethanol is added to the poor solvent to form the objective PLGA nanoparticles by spherical crystallization technique.例文帳に追加
貧溶媒としてポリビニルアルコール水溶液を用い、アセトンとエタノールの混合液から成る良溶媒中に少なくとも薬物とPLGAとを溶解させた良溶媒溶液を貧溶媒に加えて、球形晶析法によりPLGAナノ粒子を形成するナノ粒子形成工程において、良溶媒及び貧溶媒に対するPLGAの濃度を共に6mg/mL以下とする。 - 特許庁
To provide a method which enables simple and quick evaluation of the physical properties of semiconductor material consisting of metal oxide particles or metal sulfide particles, in particular, constitutional component consisting of amount of crystal defects, degree of crystallization and crystalline form type and/or amorphous type, using a nondestructive means and additionally, to provide a physical property evaluating device used for the implementation of these methods.例文帳に追加
金属酸化物粒子又は金属硫化物粒子からなる半導体材料の物性、特に結晶欠陥量、結晶化度及び結晶型及び/又は非結晶型からなる構成成分を簡便且つ迅速に、非破壊な手段で評価し得る方法を提供すること、また、該方法の実施に使用するこれら物性の評価装置を提供すること。 - 特許庁
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