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current elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7999件
When a semiconductor switching element 12 is short-circuited, a detection means 15 detects that the remaining voltage of the switching element 12 is below a set value,and an opening means 16 which is connected in series between a solenoid 11 and a power supply is opened, by which a current is prevented from flowing through the solenoid 11.例文帳に追加
半導体スイッチ素子12がショート状態であるとき、検出手段15が、半導体スイッチ素子の残り電圧が設定値未満であることを検出し、ソレノイド11と電源間に直列に接続された開放手段16を開放させることによって、ソレノイドが通電しつづけることを防止する。 - 特許庁
Output terminals of a photoelectric conversion element connected to the photoelectric conversion device is connected to a drain terminal and a gate terminal of a MOS transistor which is diode-connected, and a voltage Vout generated at the gate terminal of the MOS transistor in response to a current Ip generated in the photoelectric conversion element is detected.例文帳に追加
光電変換装置に接続された光電変換素子の出力端子を、ダイオード接続したMOSトランジスタのドレイン端子、及びゲート端子に接続し、光電変換素子に発生した電流Ipに応じて、当該MOSトランジスタのゲート端子に発生する電圧Voutを検出する。 - 特許庁
As a result, even if hydrogen which could not be prevented with a diffusion barrier 32, when the ferroelectric memory element is subjected to hydrogen sintering processing bonds with oxygen contained in the SBT thin film to form oxygen vacancies, electrons generated from the oxygen vacancies are so neutralized by the holes as to very much reduce the leakage current of the ferroelectric memory element.例文帳に追加
その結果、水素シンター処理の際に拡散バリア32で防止できなかった水素がSBT中の酸素と結合して酸素空格子が形成されても、上記正孔によって酸素空格子による電子が中和されて本強誘電体メモリ素子のリーク電流が極めて小さくなる。 - 特許庁
A semiconductor device comprises an in-plane magnetization type magnetoresistive element MRD using a spin-transfer torque writing method arranged on a principal surface of a semiconductor substrate, which can change a magnetization state depending on a current flow direction, and first wiring BL electrically connected with the magnetoresistive element MRD and extending in a direction along the principal surface.例文帳に追加
半導体基板の主表面上に配置された、電流の流れる向きに応じて磁化状態を変化させることが可能な、スピントルク書き込み方式の面内磁化型の磁気抵抗素子MRDと、磁気抵抗素子MRDと電気的に接続され、主表面に沿った方向に向けて延びる第1配線BLとを備える。 - 特許庁
This solenoid valve includes a movable iron core 64 having a valve body 22 forming a flowing passage 104 and a freely movable valve element 54 seated on a valve seat 46 arranged in the flowing passage 104 and moving the movably supported valve element 54, and a fixed iron core 74 attracting the movable iron core 64 by current-carrying to a coil 70.例文帳に追加
流通路104を形成した弁本体22と、流通路104に設けた弁座46に着座する移動自在な弁体54とを備えると共に、移動自在に支持され弁体54を移動させる可動鉄心64と、コイル70への通電により可動鉄心64を吸引する固定鉄心74とを備える。 - 特許庁
The hollow cathode keeper power supply is provided with a control circuit 17 that controls a switching element 3 so that a constant voltage is applied to the hollow cathode 18 from a power supply circuit 5 before the hollow cathode 18 starts discharging, and when the hollow cathode 18 starts the discharging, controls the switching element 3 so that the constant current flows to the hollow cathode 18 from the power supply circuit 5.例文帳に追加
ホローカソード18が放電を開始するまでの間、電源回路5から定電圧がホローカソード18に印加されるようにスイッチング素子3を制御し、ホローカソード18が放電を開始すると、電源回路5から定電流がホローカソード18に流れるようにスイッチング素子3を制御する制御回路17を設ける。 - 特許庁
The electrooptical device is provided with: liquid crystal E filled into a gap between an element substrate 11 and a counter substrate 70; a PIN diode 31 which is formed on the element substrate 11 and detects the brightness of external environment; and a control part which controls the luminance of a backlight on the basis of a photoelectric current signal from the PIN diode 31.例文帳に追加
素子基板11と対向基板70との間隙に封入された液晶Eと、素子基板11上に形成されて外部環境の明るさを検知するPINダイオード31と、PINダイオード31からの光電流信号に基づいて、バックライトの輝度を調節する制御部とを備える。 - 特許庁
When a telephone line is closed by a hook relay 7, and a supply current is caused to flow from the line and exceeds a prescribed value, a light emitting side of an optical connection element 16 of an overcurrent detection circuit 14 conducts and emits light, and a light receiving element of a light receiving side receives it to generate an overcurrent detection signal.例文帳に追加
電話回線がフックリレー7により電話回線を閉じて回線より供給電流が流れ、この供給電流が既定値を越えて流れると、過電流検出回路14の光結合素子16の発光側が導通して発光し、受光側の受光素子により受光されて過電流検出信号が生成される。 - 特許庁
The slippage of the gate signal timing of individual semiconductor switching elements connected in series is suppressed with magnetic coupling means, and a voltage unbalance caused by a difference in element property such as a tail current property, etc. is suppressed by adding a means for adjusting the charge time of input capacity, based on the element voltage at turn on.例文帳に追加
直列接続した各半導体スイッチング素子のゲート信号タイミングのズレは磁気結合手段で抑制し、テイル電流特性などの素子特性の違いに起因する電圧アンバランスはターンオン時の素子電圧に基づいて入力容量の充電時間を調整する手段を付加することにより抑制する。 - 特許庁
A switching element 3 whose ON/OFF is performed by a desired pulse input voltage is so connected with an end of a solenoid coil 1 as to constitute a solenoid driving circuit for generating intermittently a magnetism in the solenoid coil 1, and a diode 2 for preventing the reverse current of the solenoid coil 1 is connected in series with the switching-element side of the solenoid coil 1.例文帳に追加
ソレノイドコイル1の一端に所望のパルスの入力電圧によってオンオフされるスイッチング素子3を接続し、前記ソレノイドコイル1に磁気を断続的に発生させるソレノイド駆動回路を構成し、前記ソレノイドコイル1の前記スイッチング素子側に逆流防止のダイオード2を直列に接続する。 - 特許庁
A temperature protection element 21 is connected in series to at least one electrode outside lead wire 15 at the vicinity of the electrode sealing parts 10, 11, and at the end of life of the fluorescent lamp, the temperature protection element 21 is put in current break state in response to heating of the electrode sealing parts 10, 11.例文帳に追加
口金部12内の、電極封止部10,11の近傍に、温度保護素子21が少なくとも一本の電極外部リード線15に直列に接続されて設けられており、蛍光ランプの寿命末期に、電極封止部10,11の発熱に感応して温度保護素子21が電流遮断状態となる。 - 特許庁
The semiconductor device has such a structure that satisfies a relation, V_max1<V_max2, wherein V_max1 is the maximum voltage value of current/voltage characteristic of a source layer arranged inside the element area in a semiconductor substrate, and V_max2 is that of a source layer adjacent to a drain layer arranged on the outermost side of the element area.例文帳に追加
半導体基板内の素子領域の内部に配置されるソース層の電流電圧特性の最大電圧値V_max1と、同素子領域の最も外側に配置されるドレイン層に隣接するソース層の電流電圧特性の最大電圧値V_max2とが、「V_max1<V_max2」なる関係式を満足するような構造とする。 - 特許庁
To provide a high purity W silicide material for obtaining a high reliability semiconductor element by employing a film composed of a high melting point metal, an alloy of high melting point metal, a silicide of high melting point metal, or a nitride of Ti, Ta, W silicide, or Ti-W alloy in a contact barrier layer, a gate electrode or the like thereby suppressing leak current of a semiconductor element.例文帳に追加
高信頼性の半導体素子を得るために高融点金属、高融点金属からなる合金、高融点金属の珪化物、Ti,Ta,Wシリサイド,Ti−W合金の窒化物からなる膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。 - 特許庁
To provide a swirl flow generator of an internal combustion engine capable of restraining large force from operating in the direction for separating from a valve opening position on a valve element by a flow of air in the turning direction with the curve center line of an intake manifold as the center, when holding the valve element of an air current control valve in a valve opening position.例文帳に追加
気流制御弁の弁体を開弁位置に保持しているとき、インテークマニホールドの湾曲中心線を中心とする旋回方向への空気の流れにより、上記弁体に対し開弁位置から離れる方向への大きな力が働くことを抑制できる内燃機関の渦流発生装置を提供する。 - 特許庁
The main valve element 5 is integrated with an inner sleeve 18 guided by an outer sleeve 10, the plunger 20 is disposed in the inner sleeve 18, a movable core 21 is fixed to the upper end, and a spring 22 energizes the plunger 20 so that in the non-current carrying state, the second pilot valve element 19 is in the closed state.例文帳に追加
主弁体5は外側スリーブ10によってガイドされる内側スリーブ18と一体化し、その内側スリーブ18の中にプランジャ20を配置し、上端には可動コア21を固定し、ばね22がプランジャ20を付勢して、非通電状態では、第2パイロット弁体19を閉弁状態になるようにした。 - 特許庁
A shutoff valve (solenoid valve) 3 for opening and closing a flow passage when a valve element 17 is electromagnetically driven, is provided with a control part for selecting a holding current value of a coil 18 of the solenoid which maintains an open state of the valve element 17 against a fluid pressure in response to the upstream side fluid pressure (a primary pressure) of the shutoff valve 3.例文帳に追加
弁体17が電磁的に駆動されて流路が開閉される遮断弁(電磁弁)3において、流体圧に抗して弁体17を開状態に保持するソレノイドのコイル18の保持電流値を、遮断弁3の上流側流体圧(一次圧)に応じて選択する制御部を備えた。 - 特許庁
To provide a thin film magnetic head capable of reducing the magnetic resistance of a magnetoresistance effect element in a magnetic path for guiding a signal magnetic field and also capable of improving reproducing output characteristics through the increase in the electric resistance of the magnetoresistance effect element in a detecting electric current path.例文帳に追加
信号磁界を誘導する磁路中の磁気抵抗効果素子の磁気抵抗を減少させることができ、かつ検出電流経路中の磁気抵抗効果素子の電気抵抗を増加させることにより、再生出力特性を向上させることができる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁
The level conversion circuit includes: a first transistor Q4A which is connected between an output terminal OUT and a low side power supply node S3 and whose gate is connected through a first capacitive element C1A to an input terminal IN; and a first current drive element I1A connected between the output terminal OUT and a high side power supply node S4.例文帳に追加
レベル変換回路は、出力端子OUTとロー側電源ノードS3との間に接続し、ゲートが第1容量素子C1Aを介して入力端子INに接続した第1トランジスタQ4Aと、出力端子OUTとハイ側電源ノードS4との間に接続する第1電流駆動素子I1Aとを備える。 - 特許庁
To provide a DC-DC converter capable of suppressing the puncture of an element without increasing the withstand voltage property of the element in response to a jump of a boosting voltage arising from a sharp rise of an input voltage or a sharp drop of an output current, even in two-stage converter which has poor follow-up capability in an output voltage control.例文帳に追加
出力電圧制御の追従性が悪い2ステージ型コンバータにおいても、入力電圧の急増や出力電流の急減に起因する昇圧電圧の跳ね上がりに対して、素子の耐圧性を上昇させて対応せずに、素子の破損を抑制することができるDC/DCコンバータを提供する。 - 特許庁
In the magnetic resonance-type magnetic field sensing element, in order to effectively utilize the imaginary part of the complex permeability of the magnetic material 3, the size of the magnetic field sensing element 1 is manufactured, so as to match an oscillation wavelength TJ of the current distribution at the inside of the magnetic material 3, having the complex permeability obtained by Maxwell's field equations for electromagnetic fields.例文帳に追加
磁気共鳴型磁気検出素子において、磁性体3の複素透磁率の虚部を有効に利用するために、磁気検出素子1の寸法を電磁場のマクスウエルの電界方程式から得られる複素透磁率を有する磁性体3内部の電流分布の振動波長T_J に合わせて作製する。 - 特許庁
The present invention relates to: the method of manufacturing the electrode for the electrochemical element characterized by forming an electrode layer by supplying an electrode material charged by triboelectrification onto at least one surface of a current collector; and the electrochemical element obtained by the method.例文帳に追加
摩擦帯電により帯電させた電極材料を、集電体上の少なくとも一面上に供給することにより電極層を形成させることを特徴とする電気化学素子用電極の製造方法、および前記製造方法により得られる電気化学素子用電極を備える電気化学素子。 - 特許庁
To provide a power semiconductor module on which a main electrode terminal to which a collector-emitter current of a power semiconductor element flows and a control section for the power semiconductor element are mounted closely to each other, the power semiconductor module having low electric power loss or high destructive strength.例文帳に追加
本発明は、パワー半導体モジュールに係り、パワー半導体素子のコレクタ−エミッタ間電流の流れる主電極端子と、パワー半導体素子の制御部分とが近接して搭載されたパワー半導体モジュールに係り、低電力損失あるいは高破壊耐量を実現したパワー半導体モジュールを提供する事を目的とする。 - 特許庁
The power converter circuit is provided with a non-latching switching element 10 having two main electrodes and one control electrode G, a capacitor 1 connected between the control electrode G and one main electrode, and a control current source 2 connected to the control electrode G so as to apply a gate voltage of the switching element 10.例文帳に追加
2つの主電極と1つの制御電極Gとを有するノンラッチング型のスイッチング素子10と、制御電極Gと1つの主電極との間に接続されたコンデンサ1と、制御電極Gに接続されスイッチング素子10のゲート電圧を与えるための制御電流源2とを具備する。 - 特許庁
The DC/DC converter 14 includes: a transformer having a primary coil connected to the main power supply and having a secondary coil outputting the low voltage power; a switching element connected to the primary coil of the transformer to turn on/off a current in the primary coil; and a drive circuit for controlling on/off the switching element.例文帳に追加
DCDCコンバータ14は、一次側コイルが前記主電源に接続され、二次側コイルから前記低電圧の電力を出力するトランスと、このトランスの一次側コイルに接続され、一次側コイルの電流をオンオフするスイッチング素子と、このスイッチング素子のオンオフを制御するドライブ回路と、を含む。 - 特許庁
Since this causes to supply an excessive current to the other pixels, the accumulation of the detected values is compared with the pre-stored aging data of the brightness characteristics of the light emitting element for every pixel, the video signal for driving the deteriorated pixel of the light emitting element is corrected every time, and the gradation number is decreased.例文帳に追加
他の画素においては過剰の電圧が供給されることになるので、各画素毎に検出値の累積とあらかじめ記憶してある発光素子の輝度特性の経時変化のデータとを比較して、発光素子の劣化した画素を駆動するための映像信号をその都度補正し、階調数を落とす。 - 特許庁
Since this causes to supply an excessive current to the other pixels, the accumulation of the detected values is compared with the pre-stored aging data of the brightness characteristics of the light emitting element for every pixel, the video signal for driving the deteriorated pixel of the light emitting element is corrected every time, and the gradation number is decreased.例文帳に追加
他の画素においては過剰の電流が供給されることになるので、各画素毎に検出値の累積とあらかじめ記憶してある発光素子の輝度特性の経時変化のデータとを比較して、発光素子の劣化した画素を駆動するための映像信号をその都度補正し、階調数を落とす。 - 特許庁
This induction heating cooker is provided with a resonant capacitor 2 constituting a resonance circuit 6 for generating a high-frequency current in a heating coil 1 in response to operation of a switching element, and uses, for the resonant capacitor 2, a capacitor element having a characteristic changed in capacitance in response to temperature and increased in capacitance when the temperature rises.例文帳に追加
スイッチング素子の動作に応じて加熱コイル1に高周波電流を発生させる共振回路6を構成する共振コンデンサ2を備え、共振コンデンサ2として温度に応じて容量が変化し温度が高くなると容量が大きくなる特性を持つコンデンサ素子を用いるようにした。 - 特許庁
When the high-side drive circuit 10a turns on the high-side switching element M1 and a low-side drive circuit 10b turns off the low-side switching element M2, a bootstrap compensation circuit 12 supplies a current from a floating power supply FV, whose reference potential is a high voltage side potential, to the other end of the bootstrap capacitor Cbs.例文帳に追加
ハイサイド駆動回路10aがハイサイドスイッチング素子M1をONにし、ローサイド駆動回路10bがローサイドスイッチング素子M2をOFFにする場合に、ブートストラップ補償回路12は、ブートストラップコンデンサCbsの他端に、高圧側電位を基準電位とするフローティング電源FVからの電流を供給する。 - 特許庁
When the output voltage of the auxiliary power source is equal to or less than a first voltage threshold Vth1, the ECU turns on/off a switching element on the lower stage side (earth side) of a boost circuit to charge the auxiliary power source, and based on the output current value Ib of the main power source, varies the on-duty ratio of the switching element.例文帳に追加
そして、補助電源の出力電圧が第1の電圧閾値Vth1以下である場合には、補助電源を充電すべく昇圧回路の下段側(接地側)のスイッチング素子をオン/オフさせるとともに、主電源の出力電流値Ibに基づいて、そのスイッチング素子のオンDuty比を可変する。 - 特許庁
To provide a battery-driven implement enabling a feed current to a DC motor to be switched by the operation of a starting switch even when the short-circuited obstacle of a semiconductor switching element is caused, and having functions for detecting the short-circuited obstacle of the semiconductor switching element, and to provide a method for controlling the implement.例文帳に追加
半導体スイッチング素子が短絡故障を起こした場合でも起動スイッチの操作によって直流モータへの供給電流を入り切りすることができ、また、半導体スイッチング素子の短絡故障を検知する機能を備えたバッテリー駆動式の作業機及び作業機の制御方法を提供する。 - 特許庁
Further, by making active timing of the plurality of signals periodical and making an active period width fixed, it is possible to simplify a configuration of a peripheral circuit such as a power circuit and a signal generation circuit, and further prevent long-term direct current application to an electrooptical element, and extend a life of the electrooptic element.例文帳に追加
さらに複数の信号のアクティブタイミングを定期的であるとともにアクティブ期間幅を一定とすることによって、電源回路、信号生成回路等の周辺回路構成を簡素化が実現でき、さらには電気光学素子への長期的な直流印加を防止し、電気光学素子の寿命を延ばすことができる。 - 特許庁
To solve a problem with an image display device using a pixel circuit having a switch between a driving transistor and a light emitting element wherein, when the switch is turned on at the beginning of light emission, a transient current flows immediately thereafter in the light emitting element to cause surplus light emission more than the image signal, the black luminance increases and the contrast ratio decreases.例文帳に追加
駆動トランジスタと発光素子との間にスイッチを有する画素回路を用いた画像表示装置において、発光開始時等に当該スイッチをオンすると、その直後に発光素子に過渡的な電流が流れて画像信号以上の過剰な発光を生じ、黒輝度が上昇しコントラスト比が低下する。 - 特許庁
To provide a group III nitride semiconductor laser element having a laser resonator allowing a low threshold current and an end structure reducing a chip width on an element end for the laser resonator on a semipolar plane of a support substrate with a c-axis of a hexagonal group III nitride inclined in the direction of an m-axis.例文帳に追加
六方晶系III族窒化物のc軸がm軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器と該レーザ共振器のための素子端部にチップ幅を縮小可能な端部の構造とを有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁
Since N element or further Fe element are added to the RuTe_2 which is a catalyst for fuel cell demonstrating a superior catalyst action capable of substituting a noble metal catalyst such as platinum with low cost, the catalyst for the fuel cell with increased oxygen reduction reaction starting potential and having a higher potential and much current can be obtained.例文帳に追加
安価で、白金等の貴金属触媒に代替しうる、優れた触媒作用を発揮する燃料電池用触媒であるRuTe_2にN元素、或いは更にFe元素を加えることにより、酸素還元反応開始電位が上昇し、より高い電位で多くの電流を与える燃料電池触媒が得られる。 - 特許庁
The PTC element 24, changed into an insulating body by increasing the inherent resistance value of the same in accordance with temperature rise due to heat generating operation upon overcurrent or heating to limit a current delicately, is arranged while connecting the same in series electrically to a lead member 22 between a pair of lead members 22, 23 provided in a capacitor element 21.例文帳に追加
コンデンサ素子21に設けた一対のリード部材22および23のうち、一方のリード部材22に、過電流時または加熱時の発熱作用による温度上昇に応じて固有抵抗値が増大して絶縁体へ変化し電流を微少に制限するPTC素子24を電気的に直列接続して配備する。 - 特許庁
For example, the composite member contains a semi-conductive element of a fibril shape contained in a binder polymer suitable for attaining a predetermined resistance value, and the fibril integrates and combines each other so that an array of a resistance element which defines and controls precisely a current flow passing through a related device is generated.例文帳に追加
例えば、複合部材は、特定の抵抗値を実現するのに好適なバインダポリマに含まれるフィブリル形状の半導電型素子を含むことができ、フィブリルは、関連デバイスを通る電流の流れを精密に定義して制御する抵抗素子のアレイを生成するように、統合し相互連結することができる。 - 特許庁
An injection current is supplied in the extent at which the semiconductor laser element is not excited, light wave is turned toward a recording layer of the optical recording medium from the surface emitting semiconductor laser element, and a plurality of beam spots are formed, and this recording layer is retrieved by that the beam spots plot loci being not overlapped on the recording layer.例文帳に追加
半導体レーザ素子が励起されない程度に注入電流が供給されて表面発光半導体レーザ素子から光記録媒体の記録層に光波を向けて複数のビームスポットを形成され、ビームスポットが記録層上で重なり合わない軌跡を描いてこの記録層が検索される。 - 特許庁
A CPU 7 turns off the switch 10 when the fire detection signal from the first amplifier 4 is the predetermined level or less, and reduces current consumption by stopping power supply, and turns on the switch 10 when the fire detection signal is the predetermined level or more, and supplies a power to the first fire deciding element 2 and the second fire deciding element 3.例文帳に追加
CPU7は、第1増幅器4からの火災検出信号が所定レベル未満でスイッチ10をオフして電源供給停止により消費電流を低減し、所定レベル以上でスイッチ10をオンして第1火災判定用素子2及び第2火災判定用素子3に電源を供給する。 - 特許庁
The liquid crystal display controller includes a driving circuit which outputs a signal driving a signal line while controlling its polarity, an inductance element whose current inflow is controlled in synchronism with the control over the polarity, and a driving switching unit which switches and connects the inductance element and driving circuit to the signal line in order.例文帳に追加
液晶表示制御装置が、信号線を駆動する信号をその極性を制御して出力する駆動回路と、極性の制御と同期して、電流の流入が制御されるインダクタンス素子と、インダクタンス素子および前記駆動回路を順に切り換えて、前記信号線に接続させる駆動切換部と、を具備する。 - 特許庁
A plurality of display pixels PX which are arranged in matrix have a self-luminous element 16, a driving transistor 22 which controls the amount of a current made to flow to the self-luminous element according to a video signal, and a switch 24 which is composed of a thin-film transistor and connected between the gate and the drain of a driving transistor 22.例文帳に追加
マトリクス状に配列された複数の表示画素PXは、自己発光素子16、自己発光素子に流れる電流量を映像信号に応じて制御する駆動トランジスタ22、および薄膜トランジスタにより形成され駆動トランジスタのゲート、ドレイン間に接続されたスイッチ24をそれぞれ有している。 - 特許庁
The power conversion circuit 10 converts DC power obtained from a battery 12 into an alternate current, and comprises a first switching element 22, a second switching element 24, and three pairs of series switch parts 20a, 20b and 20c which are connected in series toward a negative pole line 12n from a positive pole line 12p in this order.例文帳に追加
電力変換回路10はバッテリ12から得られる直流電源を交流に変換するものであって、正極ライン12pから負極ライン12nに向かって順に直列接続された第1スイッチング素子22及び第2スイッチング素子24からなる3組の直列スイッチ部20a、20b及び20cを有する。 - 特許庁
This head is provided with a write-in head element having a coil conductor in which a write-in current is made to flow and a yoke, an overcoat layer laminated on the write-in head element, and a heat block layer formed in the overcoat layer being an upper part of the coil conductor and made of a material having lower heat conductivity than this overcoat layer.例文帳に追加
書込み電流が流れるコイル導体及びヨークを有する書込みヘッド素子と、書込みヘッド素子上に積層されたオーバーコート層と、コイル導体の上方のオーバーコート層内に形成されておりこのオーバーコート層より低い熱伝導率を有する材料による熱ブロック層とを備えている。 - 特許庁
A storage element (MC) is constituted of four variable resistance elements (VREa-VREd) arranged circularly, write-in bit lines (WBLa, WBLb) and digit lines (DLa, DLb) are current-driven, and a magnetic field having intensity in accordance with data of arithmetic operation and contents of arithmetic operation is applied to the variable resistance element.例文帳に追加
環状に配置される4個の可変抵抗素子(VREa−VREd)で記憶素子(MC)を構成し、書込ビット線(WBLa,WBLb)およびデジット線(DLa,DLb)を電流駆動して、可変磁性体抵抗素子に演算データおよび演算内容に応じた強度の磁界を印加する。 - 特許庁
To provide a disk memory system, having an electric power supply unit obtaining stable output voltage without having to depend on a load current, by using a circuit constitution with no short-circuiting impediment element in the output of the electric power supply unit, and correcting a voltage drop of the output voltage caused by a voltage drop element of an output diode, transistor, etc.例文帳に追加
電源装置出力の短絡障害要素の無い回路構成を用い、出力ダイオード、トランジスタ等の電圧降下素子に起因する出力電圧の電圧降下を補正し、負荷電流に依存がなく安定な出力電圧が得られる電源装置ユニットを有するディスク記憶システムを提供する。 - 特許庁
A tilt error signal is compensated to apply tilt servo by using the tilt controller comprising a filter element which does not permeate the signal component near the primary resonance frequency of a tilt actuator, a filter element which amplifies the signal by a band below a medium rotating frequency and a means which controls the current value to be energized to a tilt drive coil.例文帳に追加
チルトアクチュエータの1次共振周波数付近の信号成分を非通過にするフィルタ要素、媒体回転周波数以下の帯域で信号を増幅するフィルタ要素、及び、チルト駆動コイルに通電する電流値を制限する手段から構成されるチルト制御器を用いてチルトエラー信号を補償し、チルトサーボをかける。 - 特許庁
The boron phosphide semiconductor light emitting element having the high light emitting intensity of a wide light emitting region is obtained by avoiding the short circuiting flow of the element drive current to a light emitting layer by selectively disposing the boron phosphide semiconductor noncrystal layer which can constitute a pn junction with a high resistance or substrate layer of a pedestal electrode under the pedestal electrode.例文帳に追加
台座電極を高抵抗または下地層とpn接合を構成できるリン化硼素系半導体非晶層を台座電極の下に選択的に配置して、素子駆動電流の発光層への短絡的な流通を回避して、発光領域の広い高発光強度のリン化硼素系半導体発光素子を得る。 - 特許庁
The wiring circuit board has an emitter pattern connected to the emitter of the power semiconductor element and a gate pattern connected to the gate of the power semiconductor element, the gate pattern having an induction causing pattern extending in parallel to a direction where the current of the main electrode terminal flows while not shielded by the emitter pattern.例文帳に追加
そして、該配線回路基板は、パワー半導体素子のエミッタに接続されるエミッタパターンと、パワー半導体素子のゲートに接続されるゲートパターンとを備え、該ゲートパターンは、該エミッタパターンによりシールドされず該主電極端子の電流の流れる方向と平行方向に伸びる誘導発生用パターンとを有する。 - 特許庁
An electric field radiated from an end of the ETC antenna element 21 reaches the GPS antenna base plate 13 and a current flows on the GPS antenna base plate 13, however a collision between currents flowing from a periphery below the ETC antenna element 21 can be suppressed to suppress reradiation of a radio wave.例文帳に追加
ETCアンテナエレメント21の端部から放射された電界がGPSアンテナ地板13に到達し、GPSアンテナ地板13上を電流が流れることになるが、ETCアンテナエレメント21の下方で周囲から流れてきた電流同士の衝突を抑制することができ、電波の再放射を抑制することができる。 - 特許庁
The provided analog signal buffer is connected between a photoelectric conversion element for conversion to an analog signal and an analog signal processing circuit for converting the analog signal to a digital signal, and is equipped with circuit means for blocking the reverse current from being induced within the analog signal buffer when the output power from the photoelectric conversion element is lowered.例文帳に追加
本発明は、アナログ信号に変換する光電変換素子と、アナログ信号をデジタル信号に変換するアナログ信号処理回路との間に接続され、光電変換素子の出力電力の低下時にアナログ信号バッファ内に生じる逆電流を阻止する回路手段と備えるアナログ信号バッファを提供する。 - 特許庁
The constant voltage control element 6 controls the secondary batteries 1 so that each voltage of theirs shall not exceed a regulated voltage for them 1, and the control means 5 turns the switching element 13 in a conductive state when a voltage of the secondary battery block 2 exceeds the regulated voltage, and lets it bypass a charging current.例文帳に追加
定電圧制御素子6により二次電池1の個々の電圧が二次電池1に対する規定の電圧を超えないように制御され、制御手段5により二次電池ブロック2の電圧が規定の電圧を超えたときにスイッチ素子13が導通状態となり、充電電流をバイパスするように制御される。 - 特許庁
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