「current element」に関連した英語例文の一覧と使い方(129ページ目) - Weblio英語例文検索

A drive controlling transistor T5 is inserted between the driver transistor T4 for applying a drive current corresponding to a gate potential Vg from a power supply PVdd to an organic electroluminescence element EL and the organic electroluminescence element EL and a short-circuiting transistor T3 is provided which controls whether or not the driver transistor T4 is to be diode-connected.例文帳に追加

ゲート電位Ｖｇに応じた駆動電流を電源ＰＶｄｄから有機ＥＬ素子ＥＬに流す駆動トランジスタＴ４と前記有機ＥＬ素子の間に駆動制御トランジスタＴ５を挿入配置するとともに、駆動トランジスタＴ４をダイオード接続するかを制御する短絡トランジスタＴ３を設ける。 - 特許庁

To provide a current perpendicular to plane-magnetoresistive effect element in which a large amount of varying resistance is allowed by implementing a fundamental review of material attribute of a pin layer, free layer and a spacer layer of a spin valve structure, and to provide a magnetic head and a magnetic reproducing device using such a magnetoresistive effect element as above.例文帳に追加

スピンバルブ構造のピン層、フリー層およびスペーサ層の材料物性を根本的に見直すことにより、大きな抵抗変化量を可能とした垂直通電型の磁気抵抗効果素子、およびこのような磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド、磁気再生装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a sealed type storage battery with improved safety preventing generation of large current at short-circuit and extreme temperature rise by a PTC element, by making a sealing body of a structure in which the PTC element can easily expand when its temperature rises due to overcurrent or overheating.例文帳に追加

過電流や過熱によってＰＴＣ素子の温度が上昇すると、ＰＴＣ素子が容易に膨張できるような組み付け構造の封口体とすることにより、短絡時の大電流発生を防止するとともにＰＴＣ素子による極度の温度上昇を防止して、安全性が向上した密閉形蓄電池を提供する。 - 特許庁

The amplifier 100 includes: a filter circuit for interrupting a basic wave component and a secondary higher harmonic component which are included in a current supplied from a power supply; a switching element 104 connected between the filter circuit and ground potential; and a capacitor connected in parallel with the switching element 104 and connected between the filter circuit and the ground potential.例文帳に追加

電源からの供給電流に含まれる基本波成分および２次高調波成分を遮断するフィルタ回路と、フィルタ回路と接地電位との間に接続されるスイッチング素子と、スイッチング素子と並列に接続され、フィルタ回路と接地電位との間に接続されるキャパシタと、を備える、増幅器が提供される。 - 特許庁

A positioning device 1 as one embodiment of the impact driving device is provided with a direct current voltage power source 51, a charge switch 52 for charging the piezoelectric element 13, a discharge switch 53 for discharging the piezoelectric element 13, and a signal generator 54 for transmitting the ON/OFF signal to the charge switch 52 and the discharge switch 53.例文帳に追加

インパクト駆動装置の一実施形態である位置決め装置１は、直流電圧電源５１と、圧電素子１３を充電する充電スイッチ５２と、圧電素子１３を放電する放電スイッチ５３と、充電スイッチ５２と放電スイッチ５３にオン／オフ信号を送信する信号発生器５４を具備する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-voltage transistor of a flash memory element, which can restrain the punch leakage current of an element isolation film, while not requiring a mask process for the field stop of the high-voltage transistor, an ion implantation process, and a mask removing process, and satisfying the active property of the high-voltage transistor.例文帳に追加

高電圧トランジスタのフィールドストップのためのマスク工程、イオン注入工程及びマスク除去工程を必要とすることなく、高電圧トランジスタのアクティブ特性を満足させながら、素子分離膜のパンチ漏洩電流を抑制することが可能なフラッシュメモリ素子の高電圧トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

This light source is characterized by comprising: a laser element 11 which has the plurality of light emitting parts 12 emitting light, and wherein cut parts 22 electrically cutting an electrode supplying current to at least the plurality of light emitting parts 12 are formed between at least partial light emitting parts 12; and a support board 20 with the laser element 11 mounted thereon.例文帳に追加

光を射出する複数の発光部１２を有し、少なくとも一部の発光部１２間に、少なくとも複数の発光部１２に電流を供給する電極を電気的に切断する切断部２２が形成されたレーザ素子１１と、該レーザ素子１１が実装された支持基板２０とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an integrated small-size and high-performance drive circuit by enhancing a current drive capability of an element at an output stage of the drive circuit of a semiconductor insulated gate type switching element for power conversion to reduce the circuit size, and a small-size and high-performance power converter using the drive circuit.例文帳に追加

電力変換用の半導体絶縁ゲート型スイッチング素子の駆動回路の出力段の素子の電流駆動能力を高め小型化することで、駆動回路を集積化したより小型で高性能な駆動回路と、さらにこれを用いることでより小型で高性能な電力変換装置を提供する。 - 特許庁

A third winding is wound around the energy transfer element core to generate a third-winding electrostatic field to compensate significantly for relative electrostatic fields generated by the first and second windings with respect to the energy transfer element core and to reduce significantly a capacitive displacement current between the first and second windings.例文帳に追加

第３の巻線がエネルギー伝達要素コアの回りに巻かれ、第３の巻線静電界を発生し、エネルギー伝達要素コアに対して第１の巻線及び第２の巻線によって生じた相対静電界を大幅に相殺し、第１の巻線と第２の巻線との間の容量性変位電流を大幅に低減させる。 - 特許庁

When the addressing light emitted from the external light emitting element 10 is accepted by the photo-addressable display element 7, the carrier is multiplied by the current amplification mechanism of the photoconductive layer and a voltage is applied on the electrochromic layer to cause the developing or erasing reaction only in the part where the addressing light is accepted and to display an image.例文帳に追加

外部発光素子１０から出射された書込み光が、光書込み表示素子７に受光されると、キャリアが光導電層の電流増幅機構によって増倍され、エレクトロクロミック層に電圧が印加されて、書込み光の受光部分のみに発消色反応が生じて表示が行われる。 - 特許庁

A controller 100 controls to switch a switching element Q3 connected in parallel to the switching element Q1 and the field winding 50, thereby controlling the field current to adjust magnetic flux density between a rotor and a stator, and converting the output voltage of the battery B into a voltage according to a voltage command value.例文帳に追加

制御装置１００は、スイッチング素子Ｑ１および界磁巻線５０に並列接続されるスイッチング素子Ｑ３をスイッチング制御することにより、界磁電流を制御してロータおよびステータの間の磁束密度を調整するとともに、バッテリＢの出力電圧を電圧指令値に従った電圧に変換する。 - 特許庁

Furthermore, the organic electroluminescence element manufacturing device is arranged by forming an angle of 30 to 70 ° relative to the upper face of the organic electroluminescence element in which a protective layer should be formed on the upper part, and has a sputtering device provided with two targets of a protective layer constituent material impressed with alternating current power, respectively.例文帳に追加

また本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置は、上部に保護層を形成すべき有機エレクトロルミネッセンス素子の上面に対して３０〜７０度の角度を成して配置され、各々交流電力の印加される保護層構成材質の二つのターゲットを備えたスパッタリング装置を有する。 - 特許庁

The magnetic memory in which the memory has the element 10 and an electrode connected to the element 10, the current in the in-face direction is made to flow into the layer 4 through the electrode when the information is recorded and the directions of the magnetizations of the layers 1 and 3 at the lower end and the upper end are changed is configured.例文帳に追加

また、上記磁気記憶素子１０と、磁気記憶素子１０に接続された電極とを有し、情報の記録を行う際に、電極を通じて、記憶層４にその面内方向の電流が流れ、下端部及び上端部の高飽和磁束密度層１，３の磁化の向きが変化する磁気メモリを構成する。 - 特許庁

This pulse is to be set so that its width is narrower than that of the blanking signal, and the potential of the output terminal OA1 is a little lower than that of the forward voltage VF1 of the organic EL element at which the organic EL element can be made to emit with a desired brightness, at the falling point of the pulse of the large current control signal PC.例文帳に追加

このパルス幅は、ブランキング信号のパルス幅より狭く、大電流制御信号ＰＣのパルスの立ち下がり時点で、出力端子ＯＡ１の電位が有機ＥＬ素子を所望の輝度で発光することができる有機ＥＬ素子の順方向電圧ＶF1の電位より若干低くなるように設定する。 - 特許庁

Mechanical strength required for working the semiconductor element 100, used to make a current flow across a first electrode E1 and a second electrode E2, in such a way that the inside of the semiconductor wafer 110 is passed through the first main face and the second main face of the semiconductor wafer, which face each other is ensured by a thickness do of the semiconductor wafer on which the element is formed.例文帳に追加

半導体ウエハ10の内部を該半導体ウエハの互いに対向する第一、第二の主面に抜けるように第一、第二電極E１,E2間で主たる電流を流す半導体素子100 を加工するときに必要な機械強度は、当該素子を作り込む半導体ウエハの厚みdoにより確保する。 - 特許庁

To provide a low-pass filter circuit (loop filter) for making a capacitive element compact, in which a variation in a PLL response characteristic due to voltage dependence when a MOS capacitor is used as a capacitive element and a deterioration in a jitter characteristic by gate leak current when a thin-film gate transistor is used as a MOS capacitor are suppressed.例文帳に追加

容量素子の小型化を図る低域ろ波回路（ループフィルタ）において、容量素子としてＭＯＳ容量を使用した場合の電圧依存によるＰＬＬ応答特性のばらつきと、ＭＯＳ容量として薄膜ゲートトランジスタを使用した場合のゲートリーク電流によるジッタ特性の劣化を抑制する。 - 特許庁

In the chip region TAR, there are formed a trimmed circuit 11, a fuse element Fm(m=1 to 2M), and a constant current source IPm(m=1 to 2M) and an invertor INm(m=1 to 2M) which play a role of a detection circuit for detecting whether or not the fuse element Fm(m=1 to 2M) is disconnected.例文帳に追加

チップ領域ＴＡＲには、トリミング対象回路１１と、ヒューズ素子Ｆｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）と、ヒューズ素子Ｆｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）が断線状態であるか否かを検出する検出回路としての役割を果たす定電流源ＩＰｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）及びインバータＩＮｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）とが形成されている。 - 特許庁

To improve an upper limit of an ejection frequency by applying a drive waveform for improving a responsiveness of deformation of a share mode type piezoelectric element, and to provide a drive circuit capable of preventing malfunction of a peripheral control circuit due to an excessive current, and a timing of a waveform in an inkjet recorder having the share mode type piezoelectric element inkjet head.例文帳に追加

シェアモード型圧電素子インクジェットヘッドを用いたインクジェット記録装置において、圧電素子の変形の応答性を良好にする駆動波形を印加し、射出周波数の上限を改善するとともに、過大電流によって周辺の制御回路が誤動作することがない駆動回路ならびに波形のタイミングを提供する。 - 特許庁

This heater device 2 causes a voltage output circuit 12 to output a small voltage at low temperatures immediately after activation, when a heating element 11 whose resistance value increases as temperature rises is to be heated; the voltage is increased or decreased as the magnitude of a current flowing in the heating element 11 is measured.例文帳に追加

このヒータ装置２では、温度上昇によって抵抗値が増加する発熱体１１を発熱させる場合に、起動直後の低温状態では、電圧出力回路１２から小さい電圧を出力させ、発熱体１１に流れる電流の大きさを測定しながら電圧を増加又は減少させる。 - 特許庁

The pressure chamber 95 has first and second guide surfaces 93, 97 generating fuel pressure for pressing the valve element 84 toward the open position by reversing a flowing direction of fuel, and when the solenoid 8 is energized by a prescribed current value, the valve element 84 is moved to the closing position against energizing force of the spring 23 and fuel pressure.例文帳に追加

圧力室は、燃料の流れ方向を反転させることで弁体を開き位置に向けて押圧する燃料圧力を発生させる第１および第２のガイド面93,97を有し、ソレノイドを所定の電流値で励磁させた時に、弁体がスプリングの付勢力および燃料圧力に抗して閉じ位置に移動される。 - 特許庁

By connecting a resistive element 22 between the collector of a transistor 5 and the cathode of a Zener diode 7, a passage for flowing a current via the resistive element 22 when surge voltage having a positive polarity is applied to the input terminal 1 of a semiconductor integrated circuit is formed to set the collector potential Vc to one smaller than the potential of the input terminal 1.例文帳に追加

トランジスタ５のコレクタとツェナーダイオード７のカソードとの間に抵抗素子２２を接続することで、半導体集積回路の入力端子１に正極性のサージ電圧が印加された際に抵抗素子２２を介して電流を流す経路を形成し、コレクタ電位Ｖｃを、入力端子１の電位未満に設定する。 - 特許庁

In the electronic apparatus 30, when the temperature of the AC adapter 10 rises, and the input voltage from the AC adapter 10 in the off-state of the switching element 31 is lower than a set voltage, the control circuit 32 blocks an input current from the AC adapter 10 by switching the state of the switching element 31 into the off-state.例文帳に追加

電子機器３０は、ＡＣアダプタ１０の温度が高くなって、スイッチング素子３１のオフ状態におけるＡＣアダプタ１０からの入力電圧が設定電圧よりも低くなると、制御回路３２がスイッチング素子３１をオフに切り換えてＡＣアダプタ１０からの入力電流を遮断する。 - 特許庁

In an electrolyte impregnation method for impregnating a poured electrolyte into a battery element 2, which is housed within an exterior member 3 and includes a positive electrode 4 and a negative electrode 6 laminated via a separator 5, an AC voltage or an AC current is applied between the positive electrode 4 and the negative electrode 6 of the battery element 2.例文帳に追加

外装部材３内に収容した、セパレータ５を介して積層された正極４と負極６とからなる電池要素２に、注液された電解液を含浸させる電解液含浸方法であり、前記電池要素２の正極４・負極６間に交流電圧または交流電流を印加するようにした。 - 特許庁

In the electromagnetic-field generating element, the magnetization of the spin-wave excitation layer is biased in a direction substantially perpendicular to its layer surface by a portion of the magnetic field generated from the first magnetic pole, and an electric current for exciting the spin-wave flows in the electromagnetic-field generating element in a direction from the second pole to the first pole.例文帳に追加

さらにこの電磁界生成素子においては、スピン波励起層の磁化が第１の磁極から発生する磁界の一部によって層面に実質的に垂直な方向にバイアスされ、スピン波を励起するための電流が電磁界生成素子内を第２の磁極から第１の磁極へ向かう方向に流れる。 - 特許庁

It is canceled by controlling a source voltage in an MOS amplifying transistor 10 in a column amplifying circuit 9 that an elevation of a temperature, of a thermoelectric transducing picture element 1, caused by Joule heat generated by a bias current for reading out temperature information inside the picture element is contained in an output signal as a self-heating voltage component.例文帳に追加

画素内部の温度情報を読み出すためのバイアス電流により発生するジュール熱に起因する、熱電変換画素１の温度の上昇が自己加熱電圧成分として出力信号中に含まれるのを、カラム増幅回路９のＭＯＳ増幅トランジスタ１０におけるソース電圧を制御することで、キャンセルする。 - 特許庁

To obtain a small-sized power module wherein a metal wiring board is installed which is connected to an emitter electrode of a power semiconductor element without applying a high temperature and high pressure, connection resistance between the metal wiring board and the emitter electrode is small, damage to the power semiconductor element is excluded, reliability is superior and a current carrying capacity is large.例文帳に追加

電力半導体素子のエミッタ電極に高温、高圧力を印加することなく接続された金属の配線板を備え、金属の配線板とエミッタ電極と接続抵抗が小さい、電力半導体素子のダメージがなく信頼性に優れ、且つ、小形で電流容量の大きなパワーモジュールを得ること。 - 特許庁

To provide a carrier diffusion control means which prevents the increase of the loss of the main circuit element of an inverter device and also minimizes the error in element loss estimating operation and besides reduces the noise caused by electromagnetic sound and further does not exert a bad influence on current control at the time of low carrier frequency.例文帳に追加

鉄道車両において、インバータ装置の主回路素子の損失増加を防止するとともに、素子損失推定演算誤差を最小限にし、かつ電磁音による騒音を低減し、さらに低キャリア周波数時に電流制御に悪影響を与えないキャリア拡散制御手段を提供する。 - 特許庁

When each pixel of the line for which the second mode is designated is output, each of the plurality of light emitting elements E is driven by the supply of a driving current according to the image data G of the line and a correction value Ab of the light emitting element E without any correction according to the characteristic of each light emitting element E being carried out.例文帳に追加

第２モードが指定されたラインの各画素の出力時には、各発光素子Ｅの特性に応じた補正が実行されることなく、複数の発光素子Ｅの各々が、このラインの画像データＧと当該発光素子Ｅの補正値Ａbとに応じた駆動電流の供給によって駆動される。 - 特許庁

In the method for feeding the electric power to the planar light-emitting element 1, the anode terminal portions 9a, 9b have the same peak values of currents, and can be equalized in current supply time per unit time, so that the light-emitting element can emit the light with the uniform luminance distribution.例文帳に追加

発光素子１に対する給電方法は、各陽極取り出し部９ａ、９ｂにおける電流のピーク値が同じであり、かつ、各陽極取り出し部９ａ、９ｂにおける電流の単位時間当たりの供給時間を同じにすることができるので、均一な輝度分布で発光させることができる。 - 特許庁

Then one end of an auxiliary antenna 8 formed of a flexible conductive material is attached to the adapter 6 and a light emitting member 7 provided with a light emitting element which emits light when the element receives an electric current obtained upon receiving a radio wave transmitted from or received by the radio telephone equipment is connected to the other end section of the auxiliary antenna 8.例文帳に追加

そして、このアダプタに、可撓性を有する導電材によって形成された補助アンテナ8の一端部を取付け、補助アンテナの他端部に、無線電話機の送受信用電波を受信することによって得られる電流によって発光する発光素子を備えた発光部材7を接続してある。 - 特許庁

Each pixel part has sub-pixels R, G and B in a delta array including a self-light-emitting element and a pixel circuit supplying a driving current to the self-light-emitting element, and the sub-pixels of the three colors are provided alternately by rows so that sub-pixels in odd-numbered rows and sub-pixels in even-numbered rows shift in the row directions.例文帳に追加

各画素部は、それぞれ自己発光素子および自己発光素子に駆動電流を供給する画素回路を含みデルタ配列された３色のサブピクセルＲ、Ｇ、Ｂを有し、３色のサブピクセルが交互に各行に並んで設けられ、奇数行のサブピクセルと偶数行のサブピクセルとは行方向にずれて配列されている。 - 特許庁

The MR element capable of detecting the magnetic field of the narrow region with the high sensitivity is constituted by adopting the element structure which has the shape in which all of the current flowing through a MR film 5 pass the intermediate layer at all times and is formed by connecting a nonmagnetic metal (conductor) as an electrode to at least part of the MR film 5.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜に流れるすべての電流が上記中間層を必ず通過する形状の素子構造にして、電極として非磁性金属（導体）を磁気抵抗効果膜の少なくとも一部に接続した素子構造として、狭い領域の磁界を高感度に検出できる磁気抵抗効果素子を構成する。 - 特許庁

In the motor drive system 1, an inverter 2 constituted of the switching element SW is controlled in a range not exceeding the allowable junction temperature THM on the basis of a junction temperature Tj which is detected by a temperature detection sensor SR arranged at the switching element SW, and the magnetization current Idm is made to flow to the variable magnetic flux motor 4.例文帳に追加

スイッチング素子ＳＷにより構成されたインバータ２を、スイッチング素子ＳＷに設けられた温度検出センサＳＲにより検出されたジャンクション温度Ｔｊに基づいて、許容ジャンクション温度ＴＨＭを超えない範囲で制御し、可変磁束モータ４に磁化電流Ｉｄｍを流すモータドライブシステム１。 - 特許庁

The display element included in the display device comprises a TFT circuit part 14, a pixel opening part 15 on which an organic EL element material is painted, emitting light in accordance with an amount of current from the TFT circuit part 14, a scanning signal line electrode 11, a data signal line 12, and a power source line electrode 13.例文帳に追加

本表示装置に含まれる表示素子は、ＴＦＴ回路部１４と、有機ＥＬ素子材料が塗布されてＴＦＴ回路部１４からの電流量に応じて発光する画素開口部１５とを備えており、走査信号線電極１１とデータ信号線１２と電源線電極１３とが配置される。 - 特許庁

The sensor which is used for detecting a nonmagnetic object, is equipped with the magnetic impedance element which detects flux changes, caused by an oppositional magnetic field of eddy current induced in the nonmagnetic object by the coil exciting the nonmagnetic object; and a signal processing circuit which is arranging the magnetic impedance element arranged outside the circumference of the coil.例文帳に追加

非磁性体対象物の検出センサであって、該非対象物を励磁するコイルにより、該非対象物に生じた渦電流反磁界による磁束変化を検出する磁気インピーダンス素子、及び該インピーダンス素子を該コイルの円周外部に配置することを特徴とする信号処理回路を備えた検出センサ - 特許庁

A booster circuit 2 is composed of a series circuit of switching element Q1, Q2 connected between the output terminals of a rectified current smoothing circuit 1 and a multiplier circuit 2c connected between the both ends of the low side switching element Q2, and a load circuit 3 is connected between the output terminals of the booster circuit 2.例文帳に追加

昇圧回路２は、整流平滑回路１の出力端子間に接続されたスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の直列回路と、ローサイドのスイッチング素子Ｑ２の両端間に接続された逓倍回路２ｃとで構成され、昇圧回路２の出力端子間には負荷回路３が接続されている。 - 特許庁

The device for applying the substances comprises an applicator element 22 having a surface suitable to be filled with the substances, and an electric exciter having at least two electrodes 30 permanently contacting the applicator element for enabling electric current to flow between the two electrodes.例文帳に追加

物質を塗布するための装置を提供し、この装置は、物質で満たすのに適切な表面を有するアプリケータ要素２２と、アプリケータ要素と永久的に接触した少なくとも２つの電極３０を有し、電流を起こしてこの２つの電極間に流すことを可能にする電気励起装置とを含むものである。 - 特許庁

By manufacturing a two-layer structure provided by depositing the manganese oxide on an amorphous substrate or an amorphous film, the switching element or the memory element, having the characteristics of reversibly changing from a high resistance condition to a low resistance condition, or from a low resistance condition to a high resistance condition by applying specific current threshold or voltage threshold.例文帳に追加

マンガン酸化物をアモルファス基板またはアモルファス膜に堆積した２層構造物を作製することにより、特定の電流閾値、あるいは電圧閾値の印加により、高抵抗から低抵抗状態へ、低抵抗から高抵抗状態に可逆的に変化する特性を持つスイッチング素子あるいはメモリー素子が出来る。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element that can more easily reduce a drive current and a drive voltage at a high output with excellent long term reliability by intentionally using a film with a high stress for a film providing void atoms in the case of forming a window structure of the semiconductor laser element through disordering, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

半導体レーザ素子の窓構造を無秩序化によって形成する際、空孔原子を与える膜として、意図的に、よりストレスの高い膜を用いることにより、より容易に、高出力時の駆動電流，駆動電圧を低減し、且つ、長期信頼性に優れた半導体レーザ素子、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When discharging the capacitor 16 by turning both of the switching element Swp on the high potential side and the switching element Swn on the low potential side of a U phase and a V phase to the ON state, in the case that a current flows to the motor generator 10, a voltage change command signal Rv is outputted to a drive unit DU on the high potential side.例文帳に追加

Ｕ相およびＶ相の高電位側のスイッチング素子Ｓｗｐおよび低電位側のスイッチング素子Ｓｗｎの双方をオン状態とすることでコンデンサ１６を放電するに際し、モータジェネレータ１０に電流が流れる場合、高電位側のドライブユニットＤＵに電圧変更指令信号Ｒｖを出力する。 - 特許庁

A charge/discharge current Icp is input from the charge pump 14 to the capacitive element 15 to reduce the difference between the phase of a reference oscillation signal RCLK and that of a feedback oscillation signal PCLK input to the phase comparison unit 12, and the potential of a first end of the capacitive element 15 is adjusted by the potential adjustment unit 16.例文帳に追加

位相比較部１２に入力される基準発振信号ＲＣＬＫと帰還発振信号ＰＣＬＫとの位相差が小さくなるように、チャージポンプ１４から容量素子１５へ充放電電流Ｉｃｐが入力され、また、電位調整部１６により容量素子１５の第１端の電位が調整される。 - 特許庁

The semiconductor ceramic composition is constituted so that a divalent element and a tetravalent element are added to a lanthanum cobalt based compound to give negative resistance temperature property and as a result, the semiconductor ceramic device capable of reducing the power consumption of electronic equipments and instruments and suppressing the rush current at a temperature near room temperature is obtained.例文帳に追加

ランタンコバルト系化合物に対し、２価の元素と４価の元素とを添加した負の抵抗温度特性の半導体磁器組成物の構成としたものであり、これにより、電子機器の消費電力量を低減し、常温付近での突入電流を抑制することができる半導体磁器素子を得ることができる。 - 特許庁

A power semiconductor element 6 connected to the direct current output of the fuel cell main body 3 is mounted to a cooling fin 5a, and the cooling fin 5a is arranged at a flow path of the water to be supplied to a reforming device 1 by a pump 9, and the exhausted heat of the power semiconductor element 6 is utilized as a thermal output.例文帳に追加

燃料電池本体３の直流電気出力に接続された電力用半導体素子６を冷却フィン５ａに取り付け、改質器１にポンプ９により供給される水の流路に冷却フィン５ａを配置し、電力用半導体素子６の排熱を熱出力として利用する。 - 特許庁

Power supply is made to the lighting circuit through a semiconductor switching element 11 that is installed in the switch control circuit 8, and, by detecting a part of the current flowing in the semiconductor switching element 12 and comparing this with the reference value by comparators 21, 22, abnormality of the lighting circuit or the discharge lamp is detected.例文帳に追加

スイッチコントロール回路８に設けられた半導体スイッチ素子１１を介して点灯回路に電源供給を行うとともに、半導体スイッチ素子１２に流れる電流の一部を検出して、これをコンパレータ２１、２２で基準値と比較することにより、点灯回路又は放電灯の異常検出を行う構成にした。 - 特許庁

To simply obtain an organic electroluminescence element capable of stably perform good light emission by restraining lowering of light emission luminance due to leakage current flowing through a high conductive defective part or gradual increase in size of a defective part such as a dark spot when the organic electroluminescence element is caused to emit light.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子を発光させた場合に、導電性の高い欠陥部分にリーク電流が流れて発光輝度が低下したり、ダークスポット等の欠陥部分が次第に拡大したりするのを抑制し、良好な発光が安定して行える有機エレクトロルミネッセンス素子が簡単に得られるようにする。 - 特許庁