「current element」に関連した英語例文の一覧と使い方(81ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an electron-emitting element which offers a large emission current without inviting an increase in the size of the electron-emitting element and can be manufactured easily, an electron source using the electron-emitting element, and an image display device using the electron source which offers fine image quality and high definition.例文帳に追加

電子放出素子の大型化を招くことなく大きな放出電流が得られ、且つ、容易に製造可能な電子放出素子、当該電子放出素子を利用した電子源、及び、該電子源を利用した、画質が良好で高精細な画像表示装置を提供することにある。 - 特許庁

The PTC unit 20 is provided with a PTC element 23 for intercepting current when temperature on an outer surface of the coin type battery 1 exceeds designated temperature, a first lead body 24 for connecting the PTC element 23 with the coin type battery 1, and a second lead body 25 for connecting the PTC element 23 with the protection circuit.例文帳に追加

ＰＴＣユニット２０は、コイン型電池１の外表面温度が所定温度を超えると電流を遮断するＰＴＣ素子２３と、ＰＴＣ素子２３とコイン型電池１とを接続する第１リード体２４と、ＰＴＣ素子２３と保護回路とを接続する第２リード体２５とからなる。 - 特許庁

A pixel array part includes red pixels R each of which is provided with a red light emitting element for emitting red light according to a driving current, green pixels G each of which is provided with a green light emitting element for emitting green light and blue pixels B each of which is provided with a blue light emitting element for emitting blue light.例文帳に追加

画素アレイ部は、駆動電流に応じて赤色に発光する赤色発光素子を備えた赤色画素Ｒと、緑色に発光する緑色発光素子を備えた緑色画素Ｇと、青色に発光する青色発光素子を備えた青色画素Ｂとを含む。 - 特許庁

A data signal to be applied to an element driving transistor Tr2 which controls an electric current flowing through an EL element is adjusted in accordance with use environment such as external light luminance, temperature and deterioration extent of the EL element, and the power source voltage difference (CV margin) between a driving power source and a cathode power source is adjusted.例文帳に追加

外光輝度や温度、ＥＬ素子の劣化程度などの使用環境に応じ、ＥＬ素子に流す電流を制御する素子駆動用トランジスタＴｒ２に印加するためのデータ信号を調整し、かつ、駆動電源とカソード電源との電源電圧差（ＣＶマージン）を調整する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a self-luminescent element, in which, in the case of heat treatment for eliminating film deposition failure or preventing the generation of a leak current of the self-luminescent element, the film deposition failure and the like is eliminated without increasing treatment space and good productivity is provided by shortening the time for manufacturing the self-luminescent element.例文帳に追加

成膜不良の改善あるいは自発光素子のリーク電流発生防止のために加熱処理を行う場合に、処理スペースを増すことなく成膜不良等の改善が可能になること、自発光素子の製造時間を短縮することで良好な生産性を得ることができること。 - 特許庁

The electron emitter 18 has a pair of element electrodes 31, 32 formed on a rear plate 10, a conductive film 34 formed so as to joint the element electrodes 31, 32, and an electron emitting part 36 formed on the conductive film 34 by supplying current to the element electrodes 31, 32.例文帳に追加

電子放出素子１８は、リアプレート１０上に形成した一対の素子電極３１、３２、素子電極３１、３２をつなぐように形成された導電膜３４、および素子電極３１、３２に通電することにより導電膜３４に形成された電子放出部３６を有する。 - 特許庁

In the offset canceling circuit 100 of the Hall element 10, an external voltage is applied from four directions so that a current flowing in the Hall element 10 is switched at every 90° and turned into first to fourth states, thereby averaging each output voltage of the Hall element 10 in the first to fourth states.例文帳に追加

ホール素子１０のオフセットキャンセル回路１００において、ホール素子１０に流れる電流が９０°ずつ切り替わるように４方向から外部から電圧を印加して第１から第４の状態とし、第１から第４の状態におけるホール素子１０の出力電圧を平均化する。 - 特許庁

The ferrite magnet device includes a ferrite element 32 having first and second central electrodes 35, 36 arranged to intersect one another in an electrically insulated state, and a pair of permanent magnets fixed to both main surfaces of the ferrite element so as to apply a direct current magnetic field to the ferrite element 32.例文帳に追加

互いに電気的に絶縁状態で交差して配置された第１及び第２中心電極３５，３６を有するフェライト３２と、該フェライト３２に直流磁界を印加するようにフェライトの両主面に固着した一対の永久磁石とからなるフェライト・磁石素子。 - 特許庁

Furthermore, a current constriction structure is disposed in the laser element 30, and thicknesses of an n-type optical guide layer 22 and a p-type optical guide layer 24 in the laser element 20 are larger than those of an n-type optical guide layer 32 and a p-type optical guide layer 34 in the laser element 30.例文帳に追加

そして、レーザ素子部３０には電流狭窄構造が設けられており、レーザ素子部２０のｎ型光ガイド層２２およびｐ型光ガイド層２４の厚みがレーザ素子部３０のｎ型光ガイド層３２およびｐ型光ガイド層３４の厚みよりも大きくなっている。 - 特許庁

To reduce a conduction loss generated on an energizing path of a switching element by making it possible to control the driving timing of the switching element that is turned on after the supply of a current from a DC power supply to a coil is cut off, without providing a resistor on the energizing path of the switching element, in a DC-DC converter.例文帳に追加

ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、直流電源からコイルへの通電遮断後にオンされるスイッチング素子の駆動タイミングを、そのスイッチング素子の通電経路上に抵抗を設けることなく制御可能にすることで、その通電経路で生じる導通損失を低減する。 - 特許庁

The light emitting element driving device includes: a voltage control circuit 1; a plurality of light emitting element arrays constituted of a plurality of light emitting elements 2 to 7 which emit light in accordance with levels of supplied currents; and constant-current drive control parts 8 to 10 connected to the light emitting element arrays in series respectively.例文帳に追加

発光素子駆動装置は、電圧制御回路１と、与えられた電流の大きさに応じて発光する複数の発光素子２〜７からなる複数の発光素子列と、前記発光素子列にそれぞれ直列に接続された定電流駆動制御部８〜１０とを備えている。 - 特許庁

In the lighting device 100 having the organic EL element 10 as a light source, a plurality of organic EL element regions 10a, 10b formed on an identical substrate and a driving means 20 which supplies a forward current one by one for each organic EL element region are provided.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１０を光源とする照明装置１００において、同一基板上に形成された複数の有機ＥＬ素子領域１０ａ、１０ｂと、各有機ＥＬ素子領域１０ａ、１０ｂ毎に、順次、順方向電流を供給する駆動手段２０と、を設ける。 - 特許庁

When it is determined that a current flows in the diode element 22a, a stop signal to stop driving of an IGBT element 21a is input from the feedback circuit section 40 to an AND circuit 10, and driving of the IGBT element 21a is stopped at the AND circuit 10.例文帳に追加

そして、ダイオード素子２２ａに電流が流れていると判定された場合、フィードバック回路部４０からＩＧＢＴ素子２１ａの駆動を停止させる停止信号がＡＮＤ回路１０に入力され、ＡＮＤ回路１０にてＩＧＢＴ素子２１ａの駆動が停止される。 - 特許庁

To provide the voltage controller of an AC generator for a vehicle, which can suppress calorific value of an element at switching, by suppressing current change occurring at switching of the semiconductor element, and shortening the time for its passing through the transient region at switching of the semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子のスイッチング時に発生する電流変化を抑制し、半導体素子のスイッチング時に過渡領域を通過する時間を短くすることで、スイッチング時の素子の発熱量を抑えることができる車両用交流発電機の電圧制御装置の提供すること。 - 特許庁

To provide a resistance element and inverting circuit that can reduce the change in resistance caused by a potential on a power supply line and signal line, etc, passing through a semiconductor substrate around a resistance element layer or passing above the resistance element layer without producing wasted current or distortion of signals.例文帳に追加

無駄な電流や信号の歪みを発生させることなく、抵抗素子層の周辺の半導体基板や、抵抗素子層の上部を通過する電源線、信号線等の電位によって抵抗値が変化するのを抑えることのできる抵抗素子及び反転バッファ回路を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element improving electrical properties of the element by suppressing a leakage current which flows through a memory cell by turning off a drain select transistor, a source select transistor, and a side transistor of an unselected memory cell block when the semiconductor memory element operates.例文帳に追加

本発明は、半導体メモリ素子の動作時、非選択のメモリセルブロックのドレイン選択トランジスタと、ソース選択トランジスタ、及びサイドトランジスタをターンオフさせてメモリセルを通じて流れる漏洩電流を抑制し、素子の電気的特性を改善させる半導体メモリ素子を提供することにある。 - 特許庁

A current fuse unit 1 has an element 2, formed mainly of aluminum with the size of 180 mm or larger, 1 mm thick or smaller, and 12 mm wide or smaller; an arc-extinguishing sand 3 filled around the element 2; and a container 4 that houses the element 2 and the arc-extinguishing sand 3.例文帳に追加

長さ１８０ｍｍ以上、板厚１ｍｍ以下、幅１２ｍｍ以下であり、アルミニウムを主成分とするエレメント２と、前記エレメントの周囲に充填される消弧砂３と、前記エレメント２と消弧砂３とを収納する収納体４と、を含む電流ヒューズユニット１である。 - 特許庁

To prevent the destruction of an element such as a transistor inside in the case of changing the size of an EL element or placing connection in an open state, and prevent the flicker and non-lighting of the EL element when lowering supply voltage or reducing current consumption.例文帳に追加

ＥＬ表示装置において、ＥＬ素子の大きさを変更する場合や接続が開放状態に置かれた場合に、内部のトランジスタ等の素子破壊を防止し、かつ電源電圧が低下した場合や消費電流を低減した場合に、ＥＬ素子のちらつきや不点灯を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method including a capacitance element (for instance, a MIM capacitance element) having a large margin for a leak current, and capable of easily leveling an interlayer insulating film by decreasing a step of the interlayer insulating film when forming the capacitance element.例文帳に追加

リーク電流に対するマージンが大きい静電容量素子（例えばＭＩＭ静電容量素子）を備え、静電容量素子を形成するときの層間絶縁膜の段差を低減して層間絶縁膜の平坦化を容易にできる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A sense current of a proper direction passes through the GMR element 10 via the upper and lower lead layers 21, 23, thereby, a joule heat produced from the GMR element 10 is absorbed by the lower and upper heat sinks 25, 26 using a thermoelectric effect, and the GMR element 10 is cooled.例文帳に追加

上部および下部リード層２１，２３を介してＧＭＲ素子１０に適切な方向のセンス電流を流すことにより、ＧＭＲ素子１０で発生するジュール熱を、熱電効果を利用して下部および上部ヒートシンク２５，２６によって継続的に吸収し、ＧＭＲ素子１０を冷却する。 - 特許庁

A series circuit of the TFT 12 for driving and the element 14 is connected through switches S1 and S2 to a power source circuit to selected a state that a forward current is supplied to the light emitting element and a state that a reverse bias voltage is applied to the light emitting element.例文帳に追加

駆動用ＴＦＴ１２と発光素子１４の直列回路は、スイッチＳ１ ，Ｓ２ を介して電源回路に接続されており、発光素子に対して順方向電流を供給する状態、および発光素子に対して逆バイアス電圧が印加される状態が選択される。 - 特許庁

By forming the capacity film of each capacity element in this way, it is made possible to greatly reduce a variation in capacity ratio resulting from a variation in the capacity film of the capacity element C1 and the capacity element C2, and moreover to reduce a variation in the current performance Icp of the pump circuit 110.例文帳に追加

各容量素子の容量膜をこのように形成することによって、容量素子Ｃ１と容量素子Ｃ２の容量膜のばらつきに起因する容量比のばらつきを大きく低減し、チャージ・ポンプ回路１１０の電流能力Ｉｃｐのばらつきを低減することができる。 - 特許庁

The integrated semiconductor laser element is equipped with a purple-blue laser element 110 comprising a light emitting region 13 and a ridge unit 8, and a red laser element 120 comprising another light emitting region 34 and the opening 30a of an n-type current block layer 30.例文帳に追加

この集積型半導体レーザ素子は、発光領域１３を含むとともに、リッジ部８を有する青紫色レーザ素子１１０と、発光領域３４を含むとともに、ｎ型電流ブロック層３０の開口部３０ａを有する赤色レーザ素子１２０とを備えている。 - 特許庁

In this control valve 10, since a part of the valve element 30 facing to a valve seat 12 is formed into a truncated conical shape, a slide-contact area of the valve element 30 with the valve seat 12 can be reduced in comparison with the current control valve, and the valve element 30 can be smoothly rotated.例文帳に追加

本発明の制御弁１０では、弁体３０のうち弁座シート１２との対向部分を円錐台形状としたので、従来の制御弁より弁体３０と弁座シート１２との摺接面積を減らすことができ、弁体３０をスムーズに回転させることが可能となる。 - 特許庁

The impact force to be generated in the piezoelectric element 13 can be controlled by applying the high-speed rising voltage from the direct current voltage power source 51 to the piezoelectric element 13, and after the predetermined time is passed, turning on the discharge switch 53 to control width of the voltage pulse to be applied to the piezoelectric element 13.例文帳に追加

充電スイッチ５２をオンして直流電圧電源５１から圧電素子１３に立ち上がりの速い電圧を印加し、所定時間経過後に放電スイッチ５３をオンして圧電素子１３に印加される電圧パルスの幅を制御することで、圧電素子１３に発生するインパクト力を制御する。 - 特許庁

An ammeter 70 detects the current consumption of the heating element 35 when applying voltage by a DC power supply 65, and a control part 66 switches whether to apply the voltage to the heating element 35 by the DC power supply 65 based on the temperature of the heating element 35 arithmetically calculated from a detection value.例文帳に追加

直流電源６５による電圧印加時の発熱体３５の消費電流を電流計７０が検出し、制御部６６は、検出値から演算された発熱体３５の温度に基づき、直流電源６５による発熱体３５への電圧印加の有無を切り換える。 - 特許庁

An infrared ray made incident to the side face E of a resin sealed body 20 is received by a light receiving element 14, and the output currents of the light receiving element 14 are converted into a voltage by a current/voltage converting circuit 15 formed on a first semiconductor chip 17 on which the light receiving element 14 is also formed.例文帳に追加

樹脂封止体２０の側面Ｅに入射された赤外線は、受光素子１４に受光され、受光素子１４の出力電流は、受光素子１４と同一の第１半導体チップ１７上に形成された電流電圧変換回路１５で電圧変換される。 - 特許庁

The solid electrolytic capacitor 1 is formed through steps of forming a first electrolytic layer in an element main body 20 through chemical polymerization, placing the element main body 20 in a 1-10 wt% of thiophene-based solution, and passing a current through the element main body 20 for electrolytic polymerization to form a second electrolytic layer.例文帳に追加

固体電解コンデンサ1は、素子本体20に化学重合にて第１の電解質層を形成する工程と、該素子本体20を１−１０ｗｔ％のチオフェン系溶液に入れる工程と、該素子本体20に通電して電解重合し、第２の電解質層を形成する工程を経て形成される。 - 特許庁

When the high-side switching element Tr1 or the low-side switching element Tr2 are turned off, a regenerative current caused by electromagnetic energy accumulated in an inductance element L2 is refluxed via the second diode D2 or the first diode D1, not via the saturable transformer L1.例文帳に追加

ハイサイドのスイッチ素子Ｔｒ１またはロウサイドのスイッチ素子Ｔｒ２がオフした時に、インダクタンス素子Ｌ２に蓄積された電磁エネルギーによる回生電流が可飽和トランスＬ１を介さずに第２のダイオードＤ２または第１のダイオードＤ１を介して還流されるようにする。 - 特許庁

If it is determined that a current is caused to flow at the diode element 22a, a stop signal, which stops drive of an IGBT element 21a, is entered from the feedback circuit unit 40 into an AND circuit 10, so the drive of the IGBT element 21a is stopped by the AND circuit 10.例文帳に追加

そして、ダイオード素子２２ａに電流が流れていると判定された場合、フィードバック回路部４０からＩＧＢＴ素子２１ａの駆動を停止させる停止信号がＡＮＤ回路１０に入力され、ＡＮＤ回路１０にてＩＧＢＴ素子２１ａの駆動が停止される。 - 特許庁

An electromagnetic wave-electricity conversion circuit 20 constituting the electromagnetic wave utilization system comprises a conversion element 21 which generates a current in an electromagnetic wave atmosphere, a rectifying diode 22 connected in series with the conversion element 21, and a capacitor 23 connected with the conversion element 21 through the rectifying diode 22.例文帳に追加

電磁波利用システムを構成する電磁波−電気変換回路２０は、電磁波雰囲気中で電流を発生させる変換素子２１と、同変換素子２１に直列接続された整流用ダイオード２２と、整流用ダイオード２２を介して変換素子２１に接続されたコンデンサー２３とを備える。 - 特許庁

This semiconductor laser element is provided with a pair of trenches 20 which are opposed to each other across a current injection area 70, also have a depth reaching a GaAs substrate 1 from an upper face of an element part 50, and are provided so as to extend in parallel to a side end of the element part 50.例文帳に追加

この半導体レーザ素子は、電流注入領域７０を挟んで対向するとともに、素子部５０の上面からＧａＡｓ基板１に達する深さを有し、かつ、素子部５０の側端面と平行に延びるように設けられた一対の溝部２０が設けられている。 - 特許庁

To prevent a current from overly flowing through an organic EL element and suppress the reduction of an opening area while preventing disconnection between the organic EL element and a second electrode which is caused by a step in a top emission type light emitting device where a white organic EL element is combined with a resonance structure.例文帳に追加

白色の有機ＥＬ素子と共振構造を組み合わせたトップエミッション方式の発光装置において、有機ＥＬ素子に過剰に電流が流れること、および、有機ＥＬ素子と第２電極の段切れを防止しつつ、開口面積が減少することを抑制する。 - 特許庁

According to such a nitride-based light-emitting element and a method for manufacturing the element, ohmic contact characteristics for the p-type clad layer are improved, thereby superior current-voltage characteristics are exhibited; and in addition, luminous efficiency of the element is improved by the high light-transmittance of a transparent electrode.例文帳に追加

このような窒化物系発光素子及びその製造方法によれば、ｐ型クラッド層とのオーミック接触特性が改善されて、優秀な電流−電圧特性を表すだけでなく、透明電極が有する高い光透過性によって素子の発光効率を高めうる。 - 特許庁

A current sensor (1) including a magnetoelectric conversion element (10) for outputting an electric signal corresponding to a magnetic flux density, and a magnet (12) arranged on the periphery of the magnetoelectric conversion element, is used in the state where the magnetoelectric conversion element and the magnet are arranged in a gap of a magnetic core (2) having the gap (3).例文帳に追加

電流センサ（１）は、磁束密度に応じた電気信号を出力する磁電変換素子（１０）と、上記磁電変換素子の周辺に配置された磁石（１２）と、を備え、上記磁電変換素子及び上記磁石を、ギャップ（３）を有する磁心（２）の当該ギャップに配置して用いられる。 - 特許庁

In the light emitting device equipped with a light emitting element 2 and a driving circuit 3 for driving the light emitting element 2, a transistor 4 is interposed in the driving circuit 3 and a substance of which the electric resistance is lowered by the light emitted by the light emitting element 2 is incorporated into a current route of the transistor 4.例文帳に追加

発光素子２と、発光素子２を駆動する駆動回路３とを備える発光装置であって、駆動回路３中にトランジスタ４が介装されるとともに、トランジスタ４の電流経路に、発光素子２から発する光により電気抵抗が低下する物質を含有させる。 - 特許庁

The controller calculates a neutral point voltage Vc[V] for alternately switching a time when a U-phase current iu[A] passes through a U-phase switching element Tu+ and a time when it passes through a U-phase reflux element Du- so that the temperature of the U-phase switching element Tu+ may be a predetermined value or lower.例文帳に追加

Ｕ相スイッチング素子Ｔｕ＋の温度が所定値以下になるように、Ｕ相電流ｉｕ［Ａ］がＵ相スイッチング素子Ｔｕ＋を通過する時間とＵ相還流素子Ｄｕ−を通過する時間とを交互に切替えるための中性点電圧Ｖｃ［Ｖ］を演算する。 - 特許庁

The semiconductor laser has a semiconductor laser element supported above a stem formed of a lead frame and a high frequency superposition means for superposing a high frequency on a driving current of the laser element, and the high frequency superposition means is mounted on the frame supporting the semiconductor laser element.例文帳に追加

リードフレームからなるステムの上方に支持された半導体レーザ素子と、そのレーザ素子の駆動電流に高周波を重畳する高周波重畳手段とを具備し、前記高周波重畳手段は前記半導体レーザ素子を支持するフレームに載置されていることを特徴とする。 - 特許庁

In the front surface side of a ceramic recording material 1 of a heating body A, PTC patterns (positive temperature coefficient characteristic patterns) 3A, 3B each having a length equal to that of a heating element pattern are formed on both sides of the heating element pattern 2A, and a current is carried to the heating element pattern 2A through the PTC patterns 3A, 3B.例文帳に追加

加熱体Ａのセラミック記録材１の表面側において、発熱体パターン２Ａの両側にこれと同じ長さのＰＴＣパターン（正温度係数特性パターン）３Ａ、３Ａを形成し、これらＰＴＣパターン３Ａ、３Ａを介して、発熱パターン２Ａに通電する。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent light emitting device which can restore an abnormal light emitting element by surely impressing a reverse voltage on the abnormal light emitting element to pass a refresh current through it, and can avoid applying stress to an normal light emitting element, and to provide a luminaire.例文帳に追加

異常である発光素子に確実に逆電圧を印加してリフレッシュ電流を流し、異常である発光素子を回復させることができるとともに、正常な発光素子にストレスを与えることを回避できる有機エレクトロルミネッセント発光装置および照明器具を提供する。 - 特許庁

This gate drive circuit uses, as a power source, a voltage obtained by dividing a voltage impressed between main electrodes of a power-switching element 9 by resistors 4a, 4b and has a current drive means 6 that charges a current to gate electrodes according to the voltage impressed between the main electrodes of the power-switching element 9.例文帳に追加

電力用スイッチング素子９の主電極間に印加される電圧を抵抗４a、４bで分圧した電圧を電源とするとともに電力用スイッチング素子９の主電極間に印加される電圧に応じてゲート電極に電流を注入する電流駆動手段６を有することを特徴とする。 - 特許庁

The control circuit 300 sets the switch element (FET) 3 to an off state when an output current of a DC/DC converter 200 is a prescribed amount or larger (when a load is in a normal mode), and the switch element (FET) 3 to an on state when the output current is less than the prescribed amount (when a load is in a power saving mode).例文帳に追加

制御回路３００は、ＤＣ／ＤＣコンバータ２００の出力電流が所定値以上の場合（負荷が通常モードの場合）には、スイッチ素子（ＦＥＴ）３をオフ状態に設定し、出力電流が所定値よりも少ない場合（負荷が省電力モードの場合）にはスイッチ素子（ＦＥＴ）３をオン状態に設定する。 - 特許庁

A variable channel-size MOS transistor is used as a transistor 121 for driving a light emitting element and when a voltage of a signal 124 applied to a control gate is controlled for each sub-pixel, the amount of current or the current density flowing in the light emitting element 122 can be adjusted and luminance of each sub-pixel of each color can be adjusted for each other.例文帳に追加

発光素子駆動用トランジスタ１２１にチャネルサイズ可変型MOSトランジスタに用いて、コントロールゲートに供給される信号１２４電圧を副画素ごとに調整することにより、発光素子１２２に流れる電流、若しくは電流密度の大きさを調整することができ、各色の副画素での輝度調整を可能とする。 - 特許庁

Therefore, the second current control and drive element connected to the output terminal of the error amplifier 32 can be operated using a positive voltage Vout generated on the positive output voltage line 26, as the reference voltage like the first current control and drive element forming the DC voltage stabilizing circuit 21.例文帳に追加

したがって、この誤差増幅器32の出力端子に接続する第２の電流制御駆動素子は、直流電圧安定化回路21を構成する第１の電流制御駆動素子と同じく、プラス側出力電圧ライン26に発生する正の出力電圧Ｖoutを基準電圧として動作させることができる。 - 特許庁

The distance between the center of the portion wherein the magnetization state of the magnetic resistance element is changed and the center of the portion wherein the current of the word line flows mainly is made smaller than the distance between the center of the portion wherein the magnetization state of the magnetic resistance element is changed and the center of the portion wherein the current of the bit line flows mainly.例文帳に追加

そして、磁気抵抗素子の磁化状態が変化する部分の中心とワード線の主に電流が流れる部分の中心との距離は、磁気抵抗素子の磁化状態が変化する部分の中心とビット線の主に電流が流れる部分の中心との距離より短くなっている。 - 特許庁