「dangling」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A mud guard 23 dangling from the front under part of the air cleaner box 21 covers the front of the cylinder head 31 in cooperation with the front 40a of an under-guard 40 covering the lower half of the front of the cylinder head 31.例文帳に追加

エアクリーナボックス２１の前部下部から垂下して設けられるマッドガード２３は、シリンダヘッド３１の前部の下半部を覆うアンダーガード４０の前部４０ａと協働してシリンダヘッド３１の前部を覆う。 - 特許庁

The silicon substrate can be manufactured by the manufacturing method including a step of bonding the cyano groups to the dangling bonds existing on the surface of the silicon substrate by treating the silicon substrate in a solution.例文帳に追加

このシリコン基板は、（ｉ）シリコン基板を溶液で処理することによって、シリコン基板の表面に存在する未結合手にシアノ基を結合させる工程を含む製造方法によって製造できる。 - 特許庁

To solve the problem with a conventional vehicle construction, which is not equipped with any arrangement in the vehicle to support the dangling force of a handicapped person in foot or feet when he is going to get on the cabin in the facing-back attitude to result in instability in the attitude.例文帳に追加

自動車車内において足の悪い身障者の乗車、振り向き姿勢に対し、ぶらさがる力を、補助するものが無く姿勢が不安定になることを解決すること。 - 特許庁

The method for manufacturing a thin film semiconductor element comprises a step for supplying hydrogen terminating the dangling bond in a polysilicon semiconductor film more effectively using a metal film as a diffusion barrier of hydrogen.例文帳に追加

金属膜を水素の拡散バリヤとして用いることにより、多結晶シリコン半導体膜中のダングリングボンドを終端する水素をより有効に供給する製造ステップを有することを特徴とする。 - 特許庁

The shearing stress in a carbon fiber is increased by irradiating an electron beam having an energy amount required to recombine dangling bonds to the carbon fiber to repair broken π-bonds in the carbon fiber.例文帳に追加

ダングリングボンドを再結合させるのに必要なエネルギー量を有する電子線を炭素繊維に照射することにより、炭素繊維内の切れたπ結合を修復し、せん断強度を増大させる。 - 特許庁

In cases of ranges of such temperatures and processing times, bonds between Si and other atoms (for example, H) are hard to be cut off, and dangling bonds (defects) in the amorphous silicon film can be reduced.例文帳に追加

このような基板温度および処理時間の範囲であれば、Ｓｉと他の原子（例えば、Ｈ）との結合の手が切れ難く、非晶質シリコン膜中のタングリングボンド（欠陥）を低減することができる。 - 特許庁

An insulating layer 9 which includes a silicon atom and in which dangling bond of the silicon atom is terminated by a nitrogen atom or an ON group exists in an interface of the polysilicon film 4 and the gate insulating film 5.例文帳に追加

ポリシリコン膜４とゲート絶縁膜５との界面には、シリコン原子を含み、当該シリコン原子のダングリングボンドが窒素原子あるいはＯＮ基で終端された絶縁層９が存在している。 - 特許庁

A record exists that says that products with seven or nine chains with glass ornaments dangling were popular among young daughters of wealthy family in Kyoto and Osaka from the second to third year of Tenpo era. 例文帳に追加

天保二年から三年頃には、京阪の裕福な家庭の若い子女の間で、鎖を七･九筋垂らした先に硝子の飾り物を下げた豪勢なタイプが人気を博していたと記録されている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

This strap comprises a thin strap form hanging strap body for a hung body of a cellular phone, etc., and a thick strap body to the proximal end side and is connected with a dangling strap body longer than the hung strap body via a stopper.例文帳に追加

携帯電話機等の被吊体に対する細紐状の吊紐体と手許側の太紐体からなり且つ前記吊紐体より長尺の下げ紐体とを止具を介して結合する。 - 特許庁

To inhibit dangling or rolling of an electric wire and enable safe working, when the electric wire (a ground wire, a power line) installed between paths of existing steel towers is shifted to a steel tower located sideways which is formed newly or temporarily.例文帳に追加

既設鉄塔の径間に架設の電線（地線、電力線）を、側方に位置する新設又は仮設鉄塔に移設する時の電線の垂下りや横振れを抑制し、作業を安全に行う。 - 特許庁

Then, very gradually, part by part, a pale, dangling individual stepped out of the wreck, pawing tentatively at the ground with a large uncertain dancing shoe. 例文帳に追加

それから、きわめてゆるやかに事故車から出てきた舞踏靴が確かめるように地面を叩き、それからよろめいている青ざめた人影が、体の1部分1部分を車外に運び出すみたいな感じで降りてきた。 - F. Scott Fitzgerald『グレイト・ギャツビー』

Then, the substrate 50 is loaded into a heat treatment oven, the semiconductor film 100 is subjected to heat treatment in a high-temperature atmosphere of 400°C-600°C (heat treatment process), and dangling bond that remains on the semiconductor film 100 is eliminated.例文帳に追加

次に、基板２０を熱処理炉に入れて、半導体膜１００に対して温度が４００℃〜６００℃の高温雰囲気中での熱処理を行い（熱処理工程）、半導体膜１００に残るダングリングボンドを除去する。 - 特許庁

Under the abutting piece 22, a dangle preventive projection 23 for preventing the ring part 13 from dangling is formed consolidatedly which is interposed between the ring part 13 and base part 12 in the condition that the base part 12 protrudes.例文帳に追加

当接片部２２の下方には、ベース部１２が突出した状態で、リング部１３と、ベース部１２との間に介在して、リング部１３の垂下を防止する垂下防止突起部２３が一体に形成されている。 - 特許庁

To provide a wedge type anchor clamp and an attaching method thereof capable of attaching to an electric wire in a stretched state by a simple structure of a clamp body and capable of attaching within short time, preventing variation of the position of the electric wire and the degree of dangling of the electric wire from its chord.例文帳に追加

クランプ本体の簡単な構造で緊線状態の電線に取り付けでき、電線位置及び弦度のばらつきを抑え短時間で取り付ける楔型引留クランプ及びその取付方法を提供する。 - 特許庁

To securely cut a large amount of such as, strings dangling from a pit 2 to a hopper in a waste feed system used for a waste incineration facility to incinerate waste such as garbage.例文帳に追加

ごみ等の廃棄物を焼却処理する廃棄物焼却施設に用いられる廃棄物供給設備に於て、ピットからホッパへ垂れ下がった紐類が大量にあっても、確実に切断処理が行なえる様にする。 - 特許庁

The self-repairing resin body has an amorphous polymer X having a dangling chain and a crosslinking structure, and an amorphous polymer Y whose glass transition temperature by dynamic viscoelastic measurement is equal to or more than room temperature.例文帳に追加

自己修復性樹脂体は、ダングリング鎖を有し、且つ架橋構造を有する非晶性ポリマーＸと、動的粘弾性測定によるガラス転移点温度が室温以上である非晶性ポリマーＹとを含む。 - 特許庁

To provide a heat treatment method, a method of manufacturing a semiconductor apparatus, and a flash lamp annealing apparatus, which suppress diremption of hydrogen from a dangling bond terminated with hydrogen at an insulating film/semiconductor interface due to irradiation of ultra violet rays.例文帳に追加

熱処理方法、半導体装置の製造方法、及びフラッシュランプアニール装置に関し、紫外線照射による絶縁膜／半導体界面における水素で終端されたダングリング・ボンドからの水素の乖離を抑制する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device composed of an NMOS having a Si channel and a PMOS having an SiGe channel, wherein a tensile stress can be applied to the NMOS and dangling bonds can be reduced from the surface of the PMOS.例文帳に追加

Ｓｉチヤネルを有するＮＭＯＳとＳｉＧｅチャネルを有するＰＭＯＳで、ＮＭＯＳには引張り歪みを与える、ＰＭＯＳには、表面のダングリングボンドを減少させることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

Thus, the dangling bond in the gate nitride film 4 is terminated by an Si-F combination to lower an interface level between the gate nitride film 4 and the N-type well layer 2.例文帳に追加

このようにすれば、ゲート窒化膜４の中のダングリングボンドをＳｉ−Ｆ結合によって終端させることができ、ゲート窒化膜４とＮ型ウェル層２との界面における界面準位を低減することができる。 - 特許庁

The memory device is provided with an Si substrate 1, a gate insulating film 5 which is formed on the Si substrate 1 and comprises a carrier trap level (dangling bond 5a) and a gate electrode 6 formed on the gate insulating film 5.例文帳に追加

このメモリ装置は、Ｓｉ基板１と、Ｓｉ基板１上に形成され、キャリアトラップ準位（ダングリングボンド５ａ）を含むゲート絶縁膜５と、ゲート絶縁膜５上に形成されたゲート電極６とを備えている。 - 特許庁

An interface state density caused by dangling bonds is a little on the interface between the silicon carbide epitaxial layer 3 and the gate insulating films 5a and 5b, so that the silicon carbide semiconductor apparatus 1 can be improved in a driving force.例文帳に追加

また、炭化珪素エピタキシャル層３とゲート絶縁膜５ａ，５ｂの界面には、未結合手に起因する界面準位が少ないので、炭化珪素半導体装置１の駆動力を向上させることができる。 - 特許庁

Since the dangling bonds of silicon in the interfaces of the substrate 11 are sufficiently terminated by the cyano-ions, the bonds become electrically inactive and no dark current is generated near the interfaces of the substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１の界面のシリコンのダングリングボンドは、シアノイオンによって十分に終端化されているので電気的に不活性となり、半導体基板１１の界面付近で暗電流が発生することがなくなる。 - 特許庁

Thus, the surface rejoint of minority carriers due to dangling bond or impurity level or the like on the surface of the n-type semiconductor layer 2 is significantly reduced than that in a conventional violet cell.例文帳に追加

こうして、ｎ型半導体層２の表面におけるダングリングボンドの存在や不純物準位の存在等による少数キャリアの表面再結合を従来のバイオレットセルの場合よりも大幅に低減する。 - 特許庁

To reduce dark current by making a sufficient amount of hydrogen reach a silicon interface to terminate dangling-bond in hydrogen sintering in a solid-state imaging apparatus with an antireflection film for improvement of sensitivity.例文帳に追加

感度向上のための反射防止膜を備える固体撮像装置において、水素シンター時にシリコン界面上へ十分な量の水素を到達させてダングリングボンドの終端を行ない、暗電流を低減する。 - 特許庁

Therefore, the value of the initial value counter repeatedly updated within the indefinite time is used as the initial value for updating the random number counter so as to make it impossible for the "dangling board" to acquire the timing of the occurrence of a jackpot.例文帳に追加

よって、かかる不定な時間内に繰り返し更新される初期値カウンタの値を乱数カウンタの更新の初期値として使用するので、「ぶら下げ基板」による大当たり発生のタイミングの把握を不可能にすることができる。 - 特許庁

To provide a wire winding device which returns a wire drum to the reverse direction after forcibly stopping a moved body at a lowering limit position or a lifting the limit position, even when the weight loaded on a dangling wire is large in the wire winding device.例文帳に追加

ワイヤ巻取り装置において、懸垂ワイヤにかかる荷重が大きくなっても、移動体を下降限度位置または上昇限度位置で強制停止させた後、ワイヤドラムを逆方向に戻すことができるワイヤ巻取り装置。 - 特許庁

Therefore, in the channel region formed in the vicinity of the boundary of the first oxide semiconductor film that is in contact with the second oxide semiconductor film, the deterioration in mobility due to the electron trap or the like caused by the dangling bond can be suppressed.例文帳に追加

このため、第２の酸化物半導体膜と接する第１の酸化物半導体膜の界面近傍に形成されるチャネル領域では、未結合手による電子トラップなどに起因した移動度の低下を低減できる。 - 特許庁

With this constitution, and elongation of a depletion layer in a glass junction plane of the n-type substrate 1 can be reduced, when a reverse-bias voltage is applied and dangling bonds can be reduced, so that dielectric strength can be improved, and further, a leakage current can be reduced.例文帳に追加

これによって、逆バイアス印加時にｎ型基板１のガラス接合面の空乏層の伸びを減少させることで、ダングリングボンドの低減が可能となり、高耐圧でかつリーク電流の低減を図ることができる。 - 特許庁

Thereafter, oxygen or hydrogen is bonded to a dangling bond of a semiconductor thin film 34 constituting the TFT 40, 43 by subjecting the resulting structure to heat treatment in a water atmosphere, and the interlayer insulating film 44 is made to be dense.例文帳に追加

その後、水分雰囲気中において熱処理を行うことによりＴＦＴ４０、４３を構成する半導体薄膜３４のダングリングボンドに酸素または水素を結合させると共に、層間絶縁膜４０の緻密化を図る。 - 特許庁

Thereby, the cutting of a raw material 10 is carried out smoothly and easily without generating a dangling at the cutting time even if the clearance of the angle parts 12B, 52A against the plate thickness of the thin raw material 10 is large.例文帳に追加

角部１２Ｂにシヤー角θ１をつけるので、薄い加工素材１０の板厚に対する角部１２Ｂ，５２Ｂのクリヤランスが大きくても切断時にだれなどが生じず、加工素材１０の切断を円滑かつ容易に行うことができる。 - 特許庁

Therefore, the value of the initial value counter repeatedly updated within the indefinite time is used as the initial value for updating the random number counter so as to make it impossible for the "dangling board" to acquire the timing of the occurrence of the big win.例文帳に追加

よって、かかる不定な時間内に繰り返し更新される初期値カウンタの値を乱数カウンタの更新の初期値として使用するので、「ぶら下げ基板」による大当たり発生のタイミングの把握を不可能にすることができる。 - 特許庁

Therefore, many of the hydrogen atoms are supplied to the layer 1 to terminate the dangling bond of silicon, whereby a leakage current from the layer 1 can be reduced to a substantially constant value, and hence variations in the resistance value of the layer 1 can be suppressed.例文帳に追加

従って、水素原子の多くがポリシリコン層１に供給されてシリコンのダングリングボンドを終端化するので、ポリシリコン層１のリーク電流を減少させて略一定にでき、ポリシリコン層１の抵抗値のばらつきを抑える。 - 特許庁

Therefore, as the folding by the dangling when the thin raw material 10 is cut as usual and a halfway cutting are prevented, the work efficiency is improved and the waste of the raw material 10 is prevented.例文帳に追加

従って、従来のように板厚の薄い加工素材１０を切断する際にだれなどにより折れ曲がったり、切断が途中までとなることが防止されるので、作業能率が向上すると共に加工素材１０の無駄が防止される。 - 特許庁

Thereafter, the dangling bond of silicon is terminated with fluorine atoms by diffusing the fluorine contained in the source and drain regions 24 and 26 to the interface between the insulating film 14 and substrate 10 below the electrode layer 16 by performing heat treatment.例文帳に追加

この後、ソース領域２４及びドレイン領域２６中のフッ素を熱処理により電極層１６の下方で絶縁膜１４と基板１０との界面に拡散させてシリコンのダングリングボンドをフッ素原子で終端させる。 - 特許庁

The catalytic noble metal, by having the d- or f-orbit of the second component or by an interaction with a dangling bond existing in a boundary part between the first component and the second component, produces cohesion to be supported directly.例文帳に追加

触媒貴金属は、第二成分のｄまたはｆ軌道を共有することにより、あるいは、第一成分と第二成分の境界部に存在するダングリングボンドとの相互作用により、結合力を発生し、直接担持可能となる。 - 特許庁

To provide a method which improves a characteristic deterioration caused by carbon, sub-oxide or dangling bond included in an inter-electrode insulating film of a capacity for use in a gate insulating film of a MOSFET or a memory device and enhances a characteristic of the insulating film.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのゲート絶縁膜やメモリーデバイスに用いられる容量の電極間絶縁膜中に含まれるカーボン、サブオキサイド、ダングリングボンド等に起因する特性劣化を改善し、絶縁膜の特性を向上させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a seat cover device for a load stabilizer attachment capable of taking-in of a seat cover and its extension in dangling automatically by making the most of the functions of members constituting the load stabilizer attachment, i.e. in such a way as interlocking with the elevating/sinking motions of a hold-down plate.例文帳に追加

ロードスタビライザアタッチメントを構成する部材の機能を最大限に活用して、即ち押え板の昇降動作に連動して自動的にシートカバーの取込み・垂下延在を可能にしたロードスタビライザアタッチメント用シートカバー装置を提供する。 - 特許庁

An oxide insulating layer containing a large number of defects represented by dangling bonds may be formed in contact with the oxide semiconductor layer, so that the impurity diffuses into the oxide insulating layer and the impurity concentration in the oxide semiconductor layer is reduced.例文帳に追加

酸化物半導体層に接して未結合手に代表される欠陥を多く含む酸化物絶縁層を形成し、当該酸化物絶縁層に不純物を拡散させ、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減すればよい。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate which can reduce an interface state by terminating a dangling bond generated at the interface of a semiconductor layer with fluorine and can efficiently introduce the fluorine only to an active region even in the process of a low thermal history.例文帳に追加

半導体層の界面に生じるダングリングボンドをフッ素で終端することで、界面準位を低減することができ、また、低熱履歴のプロセスでも活性領域のみへ効率よくフッ素を導入することができる半導体基板を提供する。 - 特許庁

Also, by thermally treating the solid-state imaging device at or higher than 400°C, hydrogen atoms in the USG film and having the passivation film discharged and bonded with dangling bonds on the surface of the Si semiconductor substrate surface, the dark current is reduced.例文帳に追加

また、この固体撮像装置を４００℃以上で熱処理することにより、ＵＳＧ膜およびパッシベーション膜中の水素原子を放出させ、Ｓｉ半導体基板表面の未不結合手と結合することにより、暗時電流を低減する。 - 特許庁

In the disclosed thin film transistor 10, the hydrogen feeding layer 8 for diffusing hydrogen to a dangling bond on an interface between a polycrystalline silicon thin film 3 and a gate insulating film 7 in a position between the film 7 and a gate electrode 9.例文帳に追加

開示される薄膜トランジスタ１０は、ゲート絶縁膜７とゲート電極９との間の位置に、多結晶シリコン薄膜３とゲート絶縁膜７との界面のダングリングボンドに水素を拡散するための水素供給層８が形成されている。 - 特許庁

According to legend, Tokuhon roamed around the provinces on a cow, medicine bag dangling from his neck and, regardless of the treatment he provided he refused to take more than 16 mon (mon=old minor unit of currency/penny), or possibly 18 mon (according to some sources), lead him to be referred to as 'Doctor 16 pennies.' 例文帳に追加

伝承に拠れば彼は首から薬袋を提げ、牛の背に横になって諸国を巡り、どんな治療を行っても報酬として16文（18文ともいう）以上の金額を受け取らなかったと伝わり、「十六文先生」とも称されたらしい。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Preferably the compound [A] has at least one ring selected from a group consisting of an aromatic ring and a hetero aromatic ring, and a dangling bond represented by * in the formula (1) is connected directly to or through an oxygen atom to the ring.例文帳に追加

［Ａ］化合物が、芳香環及びヘテロ芳香環からなる群より選ばれる少なくとも１種の環を有し、上記式（１）で表される基の＊で示される結合手が、これらの環に直接又は酸素原子を介して結合していることが好ましい。 - 特許庁

Since a cavity can be formed by the light element that is about 10^20 atoms/cm^2 in peak density, and the metallic impurity is highly efficiently obtained by high density dangling bond at the inner surface; a strong gettering capability can be exerted while maintaining productivity.例文帳に追加

このキャビティは軽元素ピーク濃度10^20atoms/cm^2程度で形成でき、かつその内部表面の高密度なダングリングボンドにより高効率に金属不純物をゲッタリングできるため、生産性を確保しつつ強力なゲッタリング能力を発揮させられる。 - 特許庁

An oxide insulation layer containing many defects typified by a dangling bond may be formed in contact with the oxide semiconductor layer and the impurities may be diffused in the oxide insulation layer, so that the impurity concentration of the oxide semiconductor layer is reduced.例文帳に追加

酸化物半導体層に接して未結合手に代表される欠陥を多く含む酸化物絶縁層を形成し、当該酸化物絶縁層に不純物を拡散させ、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減すればよい。 - 特許庁