「dry- process」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide nonwoven fabric wallpaper having excellent air permeability, bulkiness and even good embossing properties by laminating backing paper onto a nonwoven fabric layer produced by a dry process and a nonwoven fabric layer composed of synthetic fibers without using an adhesive.例文帳に追加

裏打紙、乾式法により製造される不織布層、合成繊維から成る不織布層を接着剤を用いることなく積層し、通気性に優れ、嵩高性があり、かつエンボス加工性も良好な不織布壁紙を提供する。 - 特許庁

The negative electrode 21 has a structure where a deposition substrate 21B for depositing Li and an inorganic compound layer 21C having Li ion conductivity formed by a dry film forming process are laminated on a substrate 21A for film forming.例文帳に追加

負極２１は、成膜用基体２１Ａの上に、Ｌｉを析出させるための析出基板２１Ｂと、乾式成膜プロセスにより形成されたＬｉイオン伝導性を有する無機化合物層２１Ｃとが積層された構成を有している。 - 特許庁

To provide an organic antireflection forming material that is deposited in the same process as the conventional art, effectively prevents reflection of exposure light with an antireflective coating, has high dry etching speed, and is useful for forming a fine pattern.例文帳に追加

従来と同じプロセスで成膜可能で、その反射防止膜は効果的に露光光の反射を防止し、更に、高いドライエッチング速度を兼ね備え、微細パターン形成に有用である有機反射防止形成材料を提供する。 - 特許庁

To prevent a defect of an organic electroluminescent display device from being caused by contaminations in a laser transfer process by performing dry cleaning to eliminate the contaminations present on a transfer layer on a donor substrate.例文帳に追加

乾式洗浄を行い、ドナー基板の転写層上に存在する汚染物を除去することによって、レーザ転写工程中において汚染物による有機電界発光表示装置の欠陥を防止することを目的とする。 - 特許庁

An anisotropic etching is executed by employing a dry etching process after forming an aluminum film 103 by means of spattering on the layer insulating film 101 on which the hole 321 is formed, and forming a resist pattern 104 at a part at which a bit wire 13b is formed.例文帳に追加

ホール３２１が形成された層間絶縁膜１０１の上に、スパッタリングにてアルミニウム膜１０３を形成し、ビット線１３ｂの形成部位にレジストパターン１０４を形成した後、ドライエッチングプロセスを用いて異方性エッチングを行う。 - 特許庁

In dry wet process spinning of a film formable resin solution, a fiber is aerially run through the inside of an atmosphere maintained at a low moisture atmosphere near the spout of a nozzle and at a high moisture atmosphere in an exposure section exclusive thereof, by which the porous hollow fiber membrane is manufactured.例文帳に追加

膜形成性樹脂溶液を乾湿式紡糸するに際し、ノズル吐出口付近を低湿度雰囲気とし、それ以外の暴露区間を高湿度雰囲気とした雰囲気中を空走させ、多孔質中空糸膜を製造する。 - 特許庁

To provide a dry two-component developer free of degradation of color properties such as color muddiness, capable of forming an image of good quality, and suitable for use particularly as a start developer, and to provide a method for manufacturing the developer and a process cartridge filled with the developer.例文帳に追加

色濁りなどの色特性の劣化がなく、良質な画像を形成でき、特にスタート現像剤として好適な乾式二成分現像剤、該現像剤の製造方法、及び該現像剤を充填したプロセスカートリッジを提供する。 - 特許庁

To provide a pattern defect detection device that detects a fluorescent image, a diffusion light image, and a reflection light image of a substrate formed by laminating dry films so as to easily detect various defects occurring in an exposure process.例文帳に追加

ドライフィルムが積層された基板の蛍光イメージと散乱光イメージ、そして反射光イメージをさらに検出して、露光工程で発生する様々な欠陥を容易に検出できるようにしたパターン欠陥検出装置を提供する。 - 特許庁

The composite material is used as the target material to perform dry process vapor deposition such as a reactive sputtering method or the like to obtain a product such as a cutting tool, a slide part or the like coated with a hard thin film excellent in abrasion resistance or oxidation resistance.例文帳に追加

該複合材をターゲット材として、反応性スパッタ法等のドライプロセス蒸着を行い、表面に耐摩耗性又は耐酸化性の優れた硬質薄膜をコーティングした切削工具又は摺動部品等の製品を得る。 - 特許庁

The method for drying the timber without cracking comprises the steps of applying a high pressure in the oven to extract a moisture so as to dry the timber, and drying the timber without cracking by utilizing drying of the air in the oven in a process of returning the high pressure to an ordinary pressure.例文帳に追加

この発明は、木材を乾燥させるのに、高圧釜で高圧をかけて水分を抜き、さらに常圧に戻す課程で釜の内部の空気が乾燥するということを利用して木材をひび割れなく乾燥させる方法である。 - 特許庁

To provide the side etching of a silicon oxide film base which is generated in a washing process after dry etching for forming a transfer elec trode, and to prevent the transfer failure of the signal charge of a vertical registor to improve the image pickup of an incidence image.例文帳に追加

転送電極を形成するドライエッチング後の洗浄工程で生じる下地の酸化シリコン膜のサイドエッチングを防止して、垂直レジスタの信号電荷の転送不良を防いで入射画像の撮像を良好にする。 - 特許庁

The luminous coating material holds a state that the particles of the luminous material 3 in the colorless transparent clear coating layer 2 are homogeneously dispersed by the actions of the dispersant and the precipitation-preventing agent, in a process for evaporating the thinner to dry the coating material.例文帳に追加

シンナーが蒸発して塗料が乾燥していく過程で分散剤と沈降防止剤の作用によって無色透明クリヤー塗料層２内の蓄光材料３の粒子は均一に拡散した状態を保ち続ける。 - 特許庁

To provide a cleaning apparatus for effectively cleaning a metal stuck to a tool in the tool used in a dry etching apparatus, a CVD (chemical vapor deposition) apparatus, or the like, used in a process for manufacturing a semiconductor, a liquid crystal substrate or a solar battery.例文帳に追加

半導体又は液晶基板、太陽電池の製造過程で使用されるドライエッチング装置、ＣＶＤ装置などで使用される冶具に対して、この冶具に付着した金属を有効に洗浄する洗浄装置を実現すること。 - 特許庁

To form a fine pattern of an organic material film in an easy process and reduce the fringing capacitance of the gate electrode of a field effect transistor using a selective dry recess etching to improve the operating speed of a semiconductor device.例文帳に追加

容易なプロセスで有機材料膜の微細パターンを形成し、選択ドライリセスエッチングを用いて、電界効果型トランジスタのゲート電極のフリンジング容量を低減し、半導体装置の動作速度を向上することを目的とする。 - 特許庁

To provide a spinneret for dry-wet spinning having excellent spinning stability in the process of manufacturing a filament yarn which can provide a filament yarn free from thickness unevenness between the filament yarns as well as excellent quality in terms of e.g. strength and elongation.例文帳に追加

フィラメント糸を製造する際に、紡糸安定性に優れ、フィラメント糸間の太さ斑が無く、強度・伸度等の品質良好なフィラメント糸を得るために顕著な効果を発揮する乾湿式用紡糸口金を提供すること。 - 特許庁

To provide a polymerizable monomer for use in a resist, suitable for microfabrication performed by dry exposure, immersion exposure or a double patterning process, and to provide a polymer of the same, a resist material using the same, and a pattern formation method.例文帳に追加

ドライ露光、液浸露光やダブルパターンニングプロセスで行われる微細加工に適するレジスト用重合性単量体およびそれら重合体の提供それらを使ったレジスト材料およびパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

An iron oxide whose source is red sludge discharged from an aluminum refinery process and a titanium oxide waste and a manganese oxide and a zinc oxide whose source is the recycled powder of a dry cell are mixed and sintered and then the electromagnetic wave absorption material supporting a soft ferrite is obtained.例文帳に追加

アルミニウム精錬過程で排出される赤泥及び酸化チタン廃棄物を酸化鉄源とし、乾電池のリサイクル粉末を酸化マンガン、酸化亜鉛源として混合焼結し、ソフトフェライトを担持した電磁波吸収材料とする。 - 特許庁

The method employs dry spinning process, and produces the polyurethane yarn whose main constituents are a polymer diol and a diisocyanate , wherein the polyurethane yarn contains a silicone oil and a nonionic surfactant as an ether-type surfactant.例文帳に追加

紡糸方法が乾式であり、主要構成成分がポリマージオールおよびジイソシアネートであるポリウレタン糸を製造するに際して、エーテル型界面活性剤である非イオン系界面活性剤およびシリコーンオイルを含有するポリウレタン糸。 - 特許庁

Before an electrode forming process for forming a negative electrode (n electrode c) on the polished surface of the semiconductor substrate (a) consisting of a group III conductive nitride compound semiconductor and has already been polished, the polished surface is dry-etched.例文帳に追加

既に研磨加工された導電性の ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体から成る半導体基板ａの被研磨面に負電極（ｎ電極ｃ）を形成する電極形成工程の前に、その被研磨面をドライエッチングする。 - 特許庁

With the use of a photosensitized polyimide instead of polyimide, a via hole, etc., required for multi layer or other application is provided by exposure and development through a mask with no etching dry film pasted nor laser process.例文帳に追加

ポリイミドの代わりに感光性ポリイミドを使用することによって、エッチング用ドライフィルムを貼ったり、レーザー処理しなくてそのままマスクを通して、露光、現像すれば多層化その他の用途に必要なビアホール等ができることになる。 - 特許庁

The electrophotographic dry process toners are formed by adhering a multi component oxide (TiO_2-Al_2O_3) of titanium oxide and alumina to the toner particles of the electrophotographic toners essentially consisting of the toner particles containing at least a binder resin and coloring agents.例文帳に追加

少なくとも結着樹脂と、着色剤とを含有するトナー粒子を主成分とする電子写真用トナーに於いて、前記トナー粒子に酸化チタンとアルミナとの複合酸化物（TiO_２-Al_２O_３) を付着してなる電子写真用乾式トナー． - 特許庁

The electrophotographic dry process toners are formed by adhering a multi component oxide (TiO_2-SiO_2) of titanium oxide and silica to the toner particles of the electrophotographic toners essentially consisting of the toner particles containing at least a binder resin and coloring agents.例文帳に追加

少なくとも結着樹脂と、着色剤とを含有するトナー粒子を主成分とする電子写真用トナーに於いて、前記トナー粒子の表面に酸化チタンとシリカとの複合酸化物（TiO_２-SiO_２)を付着してなる電子写真用乾式トナー． - 特許庁

To provide a temperature measuring instrument capable of measuring a temperature precisely under a plasma generating environment in a process for PVD, CVD, dry etching or the like, and capable of precluding atmosphere from being contaminated even when measuring the temperature in a high temperature range.例文帳に追加

ＰＶＤ、ＣＶＤ、ドライエッチング等の工程におけるプラズマ発生環境下において、精度の高い温度計測が可能で、且つ高温域で温度計測する場合にも雰囲気を汚染することのない温度計測器を提供すること。 - 特許庁

A process for accumulating the insulating protective film on the semiconductor substrate is performed, and the surface of the insulating protective film is dry-etched, and the tip of the bump 5 is removed to form a second insulating protective film 6 coating the barrier metal layer.例文帳に追加

半導体基板上に絶縁性保護膜を堆積する工程と、前記絶縁性保護膜表面をドライエッチングして、バンプ５の先端部分を除いてバリアメタル層を被覆する第２の絶縁性保護膜６を形成する。 - 特許庁

Next, the anti-reflection film 12 and the SiOC film 11 are subjected to dry-etching using the resist pattern 13 as the mask and using process gas prepared by adding CO gas to mixed gas of CHF_3 gas, CF_4 gas, O_2 gas and Ar gas.例文帳に追加

次に、反射防止膜１２及びＳｉＯＣ膜１１に対して、レジストパターン１３をマスクにすると共に、ＣＨＦ_3 ガス、ＣＦ_4 ガス、Ｏ_2 ガス及びＡｒガスの混合ガスにＣＯガスが添加されてなるプロセスガスを用いてドライエッチングを行なう。 - 特許庁

To provide a wafer polishing method wherein scraps resulting from polishing are kept from being entrapped in between the wafer periphery and a protective tape in the process of dry-polishing with a pad the rear surface of the wafer with a protective tape attached to its front surface.例文帳に追加

ウエーハの表面に保護テープを貼着し裏面を研磨パッドによって乾式研磨する際にウエーハの外周のウエーハと保護テープとの間に研磨くずが付着しないようにすることができる、ウエーハの研磨方法を提供する。 - 特許庁

When a high melting point metal film formed on a substrate via an SiO_2 film is subjected to dry etching, the transition of the plasma emission intensity in an overetching process is monitored to confirm that the etching selection ratio between the high melting point metal film and the SiO_2 film can be secured.例文帳に追加

基板上にＳｉＯ_2を介して形成された高融点金属薄膜をドライエッチングする際、オーバーエッチングにおけるプラズマ発光強度の推移をモニターすることにより、ＳｉＯ_2とのエッチング選択比の確保が確認可能となる。 - 特許庁

To provide a composite false-twist yarn excellent in the process passableness in undergoing a weaving/knitting because of being in convergence while being capable of giving woven/knitted fabrics afforded with firm texture owing to the convergence, imparted with dry touch and having varied surface properties.例文帳に追加

織編物としたとき集束性によってハリ・コシを持たせ、ドライ感を付与し、さらに表面変化を生みだしながら、集束性しているため、製編織時の工程通過性に優れた複合仮撚糸を提供すること。 - 特許庁

The method of manufacturing SHOCHU lees feed obtained by drying SHOCHU lees includes: a process of supplying SHOCHU lees slurry into combustion gas generated by firing a fuel with a pulse combustion device while dispersing the SHOCHU lees slurry mistily to dry the SHOCHU lees slurry; and a process of heating dried SHOCHU lees through indirect heat exchange with a heat medium 13 used for cooling the pulse combustion device to further dry the SHOCHU lees dried by the heating.例文帳に追加

焼酎粕を乾燥させた焼酎粕飼料を製造する方法であって、パルス燃焼装置５で燃料を燃焼させて生ずる燃焼ガス中に、焼酎粕スラリーを霧状に分散させて供給することによって、前記焼酎粕を乾燥させ、前記乾燥させた焼酎粕を、前記パルス燃焼装置を冷却するために用いられた熱媒体１３との間接熱交換によって加熱し、この加熱によって前記乾燥させた焼酎粕を更に乾燥させる。 - 特許庁

The method has a process for forming a resist pattern on a film formed on a semiconductor substrate, performing the dry etching using the resist pattern as a mask to form the micro pattern, a process for supplying a resist removing liquid to the micro pattern formation plane of the semiconductor substrate to remove the resist pattern by single wafer processing, and a process for performing rinsing on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に設けられた膜上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクに用いてドライエッチングを行い、前記膜の微細パターンを形成する工程と、前記半導体基板の微細パターン形成面にレジスト除去液を供給し、枚葉式処理により前記レジストパターンを除去する工程と、前記半導体基板をリンス処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductor devices by which harmful effects due to residues of deteriorated layer formed in a metal film during a wet etching process on subsequent processes and on device characteristics can be reduced, and high-quality semiconductor devices can be stably manufactured when it has a process for wet etching the metal film and a process for dry etching the metal film afterward.例文帳に追加

金属膜をウエットエッチングする工程と、この後、この金属膜をドライエッチングする工程を有する場合において、ウエットエッチング工程において金属膜に形成された変質層の残渣に起因する以後の工程に与える悪影響及びデバイス特性に与える悪影響を軽減することができ、良質な半導体装置を安定的に製造することのできる半導体装置の製造方法等を提供する。 - 特許庁

A dry etching step of a phase shifter film in a phase shift mask essentially comprises predicting an etching rate in the next process substrate by using a correlation between an average phase difference in a plasma current-voltage and the etching rate of the phase shifter film observed during the etching process and using changes in the phase difference output with time, and then setting an optimum etching time to carry out the etching process.例文帳に追加

位相シフトマスクに於ける位相シフター膜のドライエッチング工程に於いて、エッチング処理中に観測されるプラズマ電流−電圧間の位相差の平均値と位相シフター膜のエッチング速度の相関関係と位相差出力の経時変化とを用いて次回処理基板に於けるエッチング速度を予測し、然る後、最適エッチング時間を設定してエッチング処理を行なう過程が含まれてなることを基本とする。 - 特許庁

This method of polishing an optical connector ferrule formed by a resin molding method comprises a dry polishing process of pressing an optical connection face of the optical connector ferrule 1 to a polishing tape 10, and allowing the optical connector ferrule 1 to meander on the surface of the polishing tape 10 to dry-polish the optical connection face of the optical connector ferrule 1.例文帳に追加

本発明の光コネクタフェルールの研磨方法は、樹脂成形法によって形成された光コネクタフェルールを研磨する方法であって、光コネクタフェルール１の光接続面を研磨テープ１０に押圧させると共に、光コネクタフェルール１を研磨テープ１０の表面に対して蛇行させて、光コネクタフェルール１の光接続面を乾式研磨する乾式研磨工程を有することを特徴としている。 - 特許庁

When Cu wiring 33 is embedded, by the damascene process, in the wiring trench 32 formed by dry-etching the interlayer dielectric containing the SiOF films 26, 29, an oxynitrided silicon film 27 is interposed between a silicon nitride film 28 constituting the etching stopper layer of the dry etching and the SiOF film 26, thereby trapping free F generated in the SiOF film 26 with the oxynitrided silicon film 27.例文帳に追加

ＳｉＯＦ膜２６、２９を含む層間絶縁膜をドライエッチングして形成した配線溝３２の内部にダマシン法でＣｕ配線３３を埋め込む際、上記ドライエッチングのエッチングストッパ層を構成する窒化シリコン膜２８とＳｉＯＦ膜２６との間に酸窒化シリコン膜２７を介在させ、ＳｉＯＦ膜２６中で発生した遊離のＦを酸窒化シリコン膜２７でトラップする。 - 特許庁

The material of the coloring elements 59r, 59g and 59b is discharged into a plurality of display dot areas D while leaving space equivalent to at least one display dot area D, and further a first process to dry the discharged material of the coloring elements is performed.例文帳に追加

少なくとも１つの表示ドット領域Ｄ分の間隔を開けて複数の表示ドット領域Ｄ内に着色要素５９ｒ，ｇ，ｂの材料を吐出し、さらに、吐出された着色要素材料を乾燥する１回目のプロセスを実行する。 - 特許庁

In the removal process of the semiconductor layer 14, a dry etching method is used so that even an electrode film 19 hidden under a resist 20 can be prevented from being removed, and that any level in difference can be prevented from being generated between the electrode 15 and 16 and the semiconductor layer 14.例文帳に追加

半導体層１４の除去工程では、ドライエッチング法を用いているので、レジスト２０の下に隠れている電極膜１９まで除去されることがなく、電極１５，１６と半導体層１４との間で段差は生じない。 - 特許庁

To provide a method and a device for surface treatment of a Mg alloy member capable of performing surface treatment for mass production at a low cost in a simple process by a dry method free from any environmental pollution caused by hexavalent chromium like that by a wet method.例文帳に追加

湿式法のような６価クロムによる環境汚染のない乾式法で、かつ単純なプロセスによる低コストで大量生産のための表面処理が可能な耐食性Ｍｇ合金の表面処理方法及び表面処理装置を提供する。 - 特許庁

In an electrode film removal process, a wet etching method whose required time is short is used so that a predetermined time as a whole can be made shorter than a case of carrying out both electrode film removal and the semiconductor layer removal processes by using the dry etching method.例文帳に追加

電極膜除去の工程では所要時間の短いウエットエッチング法を用いているので、電極膜除去と半導体層除去の両工程をドライエッチング法で行う方法に比べると、全体としての所要時間が短い。 - 特許庁

To control excessive etching process within a reactor during dry cleaning while controlling the accumulated film thickness in the down-stream side of a processing region for the purpose of forming a film within the reactor of a double structure including a vertical internal pipe and an external pipe.例文帳に追加

縦型の内管及び外管を含む二重構造の反応容器内を用いて成膜を行うにあたって、処理領域の下流側の累積膜厚を抑制してドライクリーニング時における反応容器内の過剰なエッチングを抑えること。 - 特許庁

In the dry etching process of the first stage, a mixture gas of CF_4 and O_2 is used, and a hole 4a having a depth of a level without exposing the carbon nanotube layer 3 is formed in a state where pressure in a reaction chamber is set below 50 Pa.例文帳に追加

第１段階のドライエッチング工程においては、ＣＦ_4およびＯ_2の混合ガスが用いられ、反応室内圧力が５０Ｐａより小さく設定されている状態で、カーボンナノチューブ層３を露出させない程度の深さのホール４ａが形成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a polarizing film with improved production efficiency by forming an antireflective layer in a web state by a dry process when a web type polarizing film or a protective film is subjected to the antireflective treatment.例文帳に追加

ウェブ状偏光フィルム、または保護フィルムに反射防止加工処理するにあたり、ウェブ状にて反射防止層をドライプロセスにより形成し、生産性効率の向上させた偏光フィルムの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a damage recovery method of an insulating film, which is superior in mass productivity, capable of preventing restorative from remaining on wiring materials such as a copper wiring layer, and capable of carrying out treatment based on a dry process, when carrying out the damage recovery treatment of an interlayer dielectric.例文帳に追加

層間絶縁膜のダメージ回復処理の際に、銅配線層などの配線材料上に回復剤が残留することがなく、かつドライプロセスによる処理が可能な、量産性に優れる絶縁膜のダメージ回復方法を提供する。 - 特許庁

In the emitter aperture window forming process, immediately after a SiO_2 layer is removed with the dry etching method using a resist mask, the phosphorus ion is implanted into an Si substrate through the IBDP layer, SiO_2 layer and Si/SiGe layer using the same resist mask.例文帳に追加

エミッタ開口窓の形成工程において、レジストマスクを用いてＳｉＯ_2層をドライエッチングした直後に、同じレジストマスクを用いてＩＢＤＰ層とＳｉＯ_2層とＳｉ／ＳｉＧｅ層を貫通させて、Ｓｉ基板中にＰのイオン注入を行う。 - 特許庁

The thick plastics 9 and thin plastics 8 are then separated respectively by air table type dry process specific gravity shape separators 31 and 32 to heavy objects (chlorine-containing plastics) 101 and 102 and light objects (plastics not containing the chlorine) 111 and 112.例文帳に追加

次いで、厚ものプラスチック８及び薄ものプラスチック９を、それぞれエアテーブル型乾式比重形状分離装置３１、３２によって、重量物（塩素含有プラスチック）１０１、１０２と、軽量物（塩素を含有しないプラスチック）１１１、１１２とに分離する。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device excellent in element characteristics with a better yield by removing a resist by wet cleaning and by sufficiently removing particles and metal impurities without damaging a micro pattern after dry etching in a lithographic process.例文帳に追加

リソグラフィ工程のドライエッチング後において、ウェット洗浄によりレジストを除去するとともに、微細パターンにダメージを与えることなくパーティクルや金属不純物を十分に除去し、素子特性に優れた半導体装置を歩留まりよく製造する。 - 特許庁