「half width」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

The SiC dummy wafer being obtained by forming an SiC film on the surface of a basic material by CVD and then removing the basic material comprises an SiC shaped body having such properties as the half peak width of SiC (111) face measured by X-ray diffraction is 0.2° or less and the warp is 0.5 mm or less.例文帳に追加

ＣＶＤ法により基材面にＳｉＣ膜を成膜した後基材を除去して得られ、Ｘ線回折により測定されるＳｉＣ（１１１）面の半値幅が０．２°以下、反りが０．５mm以下の性状を備えたＳｉＣ成形体からなるＳｉＣダミーウエハ。 - 特許庁

The device has at least one driven driving member which spans at least half of the width of the slot and passes through a path which is substantially parallel to the course of the slot and is designed to move along the slot the slaughtered animals or parts thereof which are in the slot.例文帳に追加

この装置は、少なくとも１被駆動駆動部材を有し、これは、スロットの幅の少なくとも半分にまたがり、スロットのコースと実質的に平行な経路を通り、スロット中の屠殺動物またはその一部をスロットに沿って移動させるように設計されている。 - 特許庁

Next, in the light emission spectrum obtained by the photoluminescence measuring, the damage of the surface 10a of the compound semiconductor board 10 is evaluated using the half width W_1 of a peak P_1 in a wavelength λ_1 corresponding the band gap of the compound semiconductor board 10.例文帳に追加

次に、フォトルミネッセンス測定によって得られた発光スペクトルにおいて、化合物半導体基板１０のバンドギャップに対応する波長λ_１におけるピークＰ_１の半値幅Ｗ_１を用いて、化合物半導体基板１０の表面１０ａのダメージを評価する。 - 特許庁

The resin composition is for forming unevenness on the surface of a transparent substrate and comprises particles having an average particle diameter of 0.1-0.5 μm and a half width of the maximum peak of particle size distribution of ≥0.2 μm and a resin component.例文帳に追加

本発明の樹脂組成物は、透明基板の表面に凹凸を形成するために用いる樹脂組成物であって、平均粒子径が０．１〜０．５μｍ、かつ粒度分布の最大ピークの半値幅が０．２μｍ以上の粒子と、樹脂成分とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The film-modifying resin composition includes 0.0001-0.1 wt.% of a light absorber wherein an absorption peak appears at 550-650 nm and a half band width of the maximum absorption value is 50-200 nm, and a urethane (meth)acrylate compound.例文帳に追加

５５０〜６５０ｎｍに吸収ピークを有し、最大吸収値の半値幅が５０〜２００ｎｍである光吸収剤を０．０００１〜０．１重量％含有し、さらにウレタン（メタ）アクリレート化合物を含有することを特徴とするフィルム改質用樹脂組成物。 - 特許庁

For the ferrite with cadmium chloride structure (LiFeO_2 with CdCl_2 structure), the integrated intensity ratio of the diffraction peak of (003) against the diffraction peak of (104), obtained by the powder method of X ray diffraction, is 2.5 or more, or the half value width of the diffraction peak of (003) is 0.45 of less.例文帳に追加

この塩化カドミウム型フェライト（ＣｄＣｌ_2 型ＬｉＦｅＯ_2 ）は、粉末Ｘ線回折法により得られる、（１０４）の回折ピークに対する（００３）の回折ピークの積分強度比が２．５以上、または（００３）の回折ピークの半値幅が０．４５以下となっている。 - 特許庁

Also, for a signal with a peak within a specific range out of screened signals, a measurement signal or noise is judged based on at least either the time integration of waveform or the half-value width of a peak value and statistical data being obtained in advance.例文帳に追加

また、選別された信号のうち所定の範囲にピークを有する信号については、波形の時間積分若しくはピーク値の半値幅の少なくとも一つと、予め求めた統計データを基に測定信号若しくはノイズの判定を行なうようにした。 - 特許庁

The metal partitioning material for the image display unit is the Fe-Ni alloy or the Fe-Ni-Cr alloy including, by wt.% 38-52% Ni, and the residual stress is controlled to 0.2-0.7 degrees by half-width of a X-ray diffraction peak for the face (311).例文帳に追加

重量％でＮｉを３８〜５２％含むＦｅ−Ｎｉ系合金またはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金であって、残留応力が（３１１）面Ｘ線回折ピークの半価幅で０．２〜０．７度に制御した画像表示装置用金属隔壁材とする。 - 特許庁

Amorphous β-FeOOH having a mode diameter of particles of 10 μm or less and indicating the (110) face diffraction peak having a half- value width Y of 0.3<Y(2θ) in the X-ray diffraction method using the CuKα beam, is used as a positive electrode active material of the nonaqueous electrolyte secondary battery.例文帳に追加

非水電解質二次電池の正極活物質として、粒子のモード径が１０μｍ以下で、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折法で、半値幅Ｙが０．３°＜Ｙ（２θ）の（１１０）面回折ピークを示す非晶質β−ＦｅＯＯＨを用いる。 - 特許庁

Then, in the emission spectrum obtained by photoluminescence measuring, the damage of the surface 10a of the compound semiconductor substrate 10 is evaluated by using the half value width W_1 of the peak P_1 in the wavelength λ_1 corresponding to the band gap of the compound semiconductor device 10.例文帳に追加

次に、フォトルミネッセンス測定によって得られた発光スペクトルにおいて、化合物半導体基板１０のバンドギャップに対応する波長λ_１におけるピークＰ_１の半値幅Ｗ_１を用いて、化合物半導体基板１０の表面１０ａのダメージを評価する。 - 特許庁

When the search route 101 passing through the high-level road overlaps with the search route 102 passing through the road under the high-level, the search route 101 is moved parallel to the direction of an arrow 103 by the length half of the line width of the search route 101.例文帳に追加

高架道路を通過する探索経路１０１と高架下の道路を通過する探索経路１０２が重なっている場合は、まず探索経路１０１は矢印１０３の方向へ探索経路１０１の線幅の長さの半分の長さを平行移動する。 - 特許庁

The target for ion plating used for forming the zinc oxide-based electroconductive film comprises a sintered compact mainly containing zinc oxide and has diffraction peaks by (100), (002) and (101) planes in X-ray diffraction pattern, wherein any of the diffraction peaks has a half-value width of ≤0.110°.例文帳に追加

酸化亜鉛主体の焼結体からなり、Ｘ線回折パターンにおいて（１００）、（００２）、（１０１）面による回折ピークを有し、該回折ピークの何れかの半値幅が０．１１０度以下である酸化亜鉛系導電膜形成用のイオンプレーティング用ターゲットを開示する。 - 特許庁

To provide a silicon oxynitride fluorescent substance exhibiting brightness higher than that of a conventional fluorescent substance, chemical stability and temperature characteristics, providing an emission spectrum having wider half value width, and emitting yellow light, to provide a method for producing the fluorescent substance, and to provide a light-emitting device using the fluorescent substance.例文帳に追加

従来の蛍光体よりもさらに高い輝度を示し、化学的安定性、温度特性並びに発光スペクトルの半値巾が広い、黄色に発光するシリコン酸窒化物蛍光体および製造方法ならびにそれを用いた発光装置を提供する。 - 特許庁

For this deposited film, the C-C bond half value width of a C1s waveform separation which is measured by the X-ray photoelectron spectroscopy method measurement of a surface on which the deposited film is not provided of the biaxially oriented PET film, on one surface of which an inorganic oxide deposited film is provided, is 1.225 to 1.554 eV.例文帳に追加

片面に無機酸化物蒸着膜を設けた二軸延伸ＰＥＴフィルムの蒸着膜を設けてない面のＸ線光電子分光法測定で得られるＣ１ｓ波形分離のＣ−Ｃ結合半値幅が１．２２５〜１．５５４ｅＶである。 - 特許庁

The control of the density of the dislocation is carried out by suppressing the width of a half value in the X-ray diffraction of a base powder to low, or by the method of not applying a pressure of >100 kgf/cm2 in the steps before obtaining the sintered compact, or by sintering with nitrifying reaction of Si powder.例文帳に追加

転位密度の制御は、原料粉末のＸ線回折における半価幅を低く抑えるか、焼結体を得るまでの工程で１００ｋｇｆ／ｃｍ^2を越える圧力を加えない方法、又はＳｉ粉末の窒化反応焼結による。 - 特許庁

An Ag particle where a BET value and half-value width in an X-ray diffraction peak are controlled is contained into the conductive paste, thus allowing the contraction behavior of the conductive paste after the completion of degreasing in a burning process to coincide with that of the ceramic green sheet.例文帳に追加

導電性ペーストに、ＢＥＴ値、Ｘ線回析ピークの半値幅を規制したＡｇ粒子を含有させることにより、焼成過程の脱脂終了後の導電性ペーストの収縮挙動を、セラミックグリーンシートの収縮挙動に合わせることができる。 - 特許庁

The periodical length of the multilayer unit for repetition in the multilayer film structure is determined in such a manner that the half width center of the reflectance when the light is reflected on a specified number of layers coincides with the center wavelength of the EUV light (S102).例文帳に追加

そして、そのときに、所定数の反射体を経た場合の反射率の半値幅中心と反射すべき極短紫外光の中心波長とが一致するように（Ｓ１０２）、その多層膜構造における繰り返し積層単位の周期長を設定する。 - 特許庁

The plastic multilayer container 1 comprises inner and outer layers each made of a thermoplastic polyester, the oxygen absorption layer between the inner and outer layers so that a half-width of a peak of a diffraction profile by an X-ray diffraction of the inner and outer layers in at least a container body 4 is 15° or less.例文帳に追加

熱可塑性ポリエステルからなる内外層と、前記内外層の間に酸素吸収層を有し、少なくとも容器胴部４における内外層のＸ線回折による回折プロファイルのピークの半値幅が１５°以下であるプラスチック多層容器１とする。 - 特許庁

A horizontal intensity distribution curve from an asymmetric diffraction plane of a crystalline sample in a reciprocal space is obtained by irradiating the surface of the crystalline sample with X-rays, and thus dislocation of the crystalline sample is evaluated based on the half-width of the intensity distribution curve.例文帳に追加

結晶試料の表面にＸ線を照射することにより、逆格子空間における結晶試料の非対称回折面からの水平方向の強度分布曲線を作成し、該強度分布曲線の半値幅により結晶試料の転位を評価する。 - 特許庁

This complex is provided by adopting an europium complex exhibiting an especially excellent light-emitting characteristic, making the complex structure as an asymmetric structure, and further using the europium complex expressed by formula (1) or (2) having a narrow half width of emitted light spectrum caused by an f-f transition.例文帳に追加

ランタノイド錯体のうち、特に優れた発光特性を示すユーロピウム錯体を採用し、更に、錯体構造を非対称構造とし、ｆ−ｆ遷移に起因するその発光スペクトルの半値幅が狭い、一般式（１）又は一般式（２）のユーロピウム錯体を用いる。 - 特許庁

To provide a code recognition device which has no loss, does not become complicated but is very simple, further, is capable of recognizing many codes by conquering poor net angle isolation caused by the fact that a diffraction angle has a full width at half maximum to a certain reproduced angle.例文帳に追加

本発明は、ロスがなく、煩雑にならず、きわめて簡便で、さらに一定の再生角度に対して回折角度が半値全幅を持つ事による角度分離性の悪さを克服して、多数のコードを認識できる事が出来るコード認識装置を提供する。 - 特許庁

In this configuration, when the occupant gets on the vehicle from the outside in the seat-width direction of the occupant's seat 12, for example, the occupant can assist his/her movements for getting-on the vehicle (the anterior half of getting-on) by gripping the grip part 16.例文帳に追加

この構成によれば、例えば、乗員が助手席シート１２に対するシート幅方向外側から乗車する場合には、グリップ部１６を乗員が握ることで、乗員が車両に乗り込む際（すなわち、乗車前半）の動作を補助することができる。 - 特許庁

The ejector member 32 which has an arm section 32A having a length corresponding to half the horizontal width of the IC card 2 is engaged with apertures 12BH, 12BK at its bottom plate section and the engagement section 32k respectively, and can move in the removal and attachment direction of the IC card 2.例文帳に追加

ＩＣカード２の横幅の半分に相当する長さを有するアーム部３２Ａを備えるイジェクタ部材３２は、その底板部３２Ｌ、被係合部３２ｋが孔１２ＢＨ，１２ＢＫに係合されてＩＣカード２の着脱方向に沿って移動可能とされるもの。 - 特許庁

A different continuous spectrum generates a difference or ratio of a different signal after computation processing and the difference or ratio is provided as a feedback signal for a servo system to stabilize the center wavelength of an incident light source and monitor the half-value width energy of the light signal.例文帳に追加

異なる連続スペクトルは、計算処理の後、異なる信号の差、又は、比を生じ、この差又は比をサーボ系にフィードバック信号として提供することにより、入射光源の中心波長を固定し、さらに、光信号の半値幅エネルギーを監視している。 - 特許庁

In the first nitride semiconductor, an Al content to the total content of a III-group element is 50 atom% or more, its dislocation density if 10^11/cm^2 or less, and a half-value width in an X-ray locking curve on a (002) surface is 200 seconds or less.例文帳に追加

第一の窒化物半導体において、ＩＩＩ属元素の含有量の合計に対するＡｌ含有量が５０原子％以上であり、転位密度が１０^１１／ｃｍ^２以下であり、（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブにおける半値幅が２００秒以下である。 - 特許庁

The half-engagement detection member 30 has a pair of correction ribs 32 which house the female connector housing 20 and contact a pair of contact faces 222 provided on both sides of the cut-out groove 221 and opposed to each other and prevent deformation of the groove width of the cut-out grooves 221 in shrinking direction.例文帳に追加

半嵌合検知部材３０が、雌コネクタハウジング２０を収容し、かつ切欠溝２２１の両側に設けた互いに対向する一対の当接面２２２と当接して切欠溝２２１の溝幅が縮まる方向に変形するのを防止する一対の矯正リブ３２を有する。 - 特許庁

In the first nitride semiconductor, the Al content amount is 50 atom% or more against the sum of III element contents, a dislocation density is 10^11/cm^2 or below, and the half band width of an X-ray locking curve on a (002) plane is 200 sec or below.例文帳に追加

第一の窒化物半導体においてＩＩＩ属元素の含有量の合計に対するＡｌ含有量が５０原子％以上であり、転移密度が１０^１１／ｃｍ^２以下であり、（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅が２００ｓｅｃ以下である。 - 特許庁

To provide a magnetic detecting element suitable to high recoding density etc., capable of improving PW50 (waveform half-value width) and an SN ratio compared to a conventional element without deteriorating reproduction characteristics represented by a resistance change value (ΔR/R) by improving, specifically a base layer.例文帳に追加

特に、下地層を改良して、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）に代表される再生特性を低下させることなく、従来に比べて、ＰＷ５０（波形半値幅）やＳＮ比等を向上でき高記録密度化に適した磁気検出素子を提供することを目的としている。 - 特許庁

In the disk drive using the disk 1 of the perpendicular magnetic recording system having two layer structure, the narrowed width in the half value (PW50) of the differential signal waveform of a read signal is realized by setting the nonlinear degree in the magnetic field responsiveness of the GMR element constituting a read head 30.例文帳に追加

２層構造の垂直磁気記録方式のディスク１を使用するディスクドライブにおいて、リードヘッド３０を構成するＧＭＲ素子の磁界応答性での非線形度を設定することにより、リード信号の微分信号波形の半値幅（ＰＷ５０）の狭小化を実現する。 - 特許庁

A spot is photographed on a photographing surface 95S where the half width of a light intensity distribution of a spot image becomes smaller than an imaging surface CP of a wavefront splitting optical system constituted of a plurality of condensing elements with a small Fresnel number so that a cross-talk quantity between spot images is reduced in the photographed result.例文帳に追加

フレネル数が小さな複数の集光素子から構成される波面分割光学系９４の像面ＣＰよりもスポット像の光強度分布の半値全幅が小さくなる面を撮像面９５Ｓとしてスポットを撮像し、撮像結果におけるスポット像間のクロストーク量を低減する。 - 特許庁

The composite yarn for forming composite materials is constituted with polybenzazole fiber that has the half value width of ≤0.3°/GPa in the X-ray meridian diffraction and the proton T1H relaxation time of ≥5.0 sec. and the matrix fiber made of a thermoplastic polymer melting at 200-600°C.例文帳に追加

Ｘ線子午線回折半値幅因子が０．３゜／ＧＰａ以下でプロトンのＴ1H緩和時間が５．０秒以上であるポリベンザゾール繊維と融点が２００〜６００℃の熱可塑性重合体からなるマトリックス繊維とで構成されてなる複合材成形用複合糸条。 - 特許庁

A curve I_9 for showing a loss wavelength characteristic of the optical gain equalizer has a first loss peak located on a short wavelength side and a second loss peak located on a longer wavelength side than the first loss peak and having a larger peak value and a wider half value width than the first loss peak.例文帳に追加

光利得等化器の損失波長特性を示す曲線ｌ_９について、短波長側に位置する第１の損失ピークと、第１の損失ピークよりも長波長側に位置し、第１の損失ピークよりも大きいピーク値を有し、広い半値幅を有する第２の損失ピークとを備える。 - 特許庁

To provide a concentration measuring method of a trace amount of material in gas using the half value width of a transmitted light spectrum of an optical resonator absorption cell, capable of measuring highly accurately the concentration of the trace amount of material in a sample gas in the ppm order or smaller without heightening device cost.例文帳に追加

試料気体中の微量物質の濃度を、装置コストを高くすることなく、且つ、ｐｐｍ以下の濃度を高精度で測定できる、光共振器吸収セルの透過光スペクトルの半値幅を使用した気体中微量物質の濃度測定方法を提供する。 - 特許庁

In a die 31 at the lower side in an intermediate forming process, since the width W1 of the interval at the upper opening end of an inclining restricted surface 311 is largely formed a little rather than the outer diameter size D of the outer periphery 11 of a first rack blank 1, the upper half part of the rack blank 1 has no binding force at the forming time.例文帳に追加

中間成形工程の下側のダイ３１は、傾斜拘束面３１１の上方開口端間の幅Ｗ１が、第１のラック素材１の外周１１の外径寸法Ｄよりも若干大きく形成されているため、ラック素材１の上半分は、成形時の拘束力が無い。 - 特許庁

A plurality of Z heads 76, 74 are arranged parallel to a X axis, on +X, -X sides of a projection unit PU at an interval WD less than half of an effective width of Y scale so that a pair of each two Z heads always are opposed to a pair of Y scale (reflective surface) on a wafer stage.例文帳に追加

投影ユニットＰＵの＋Ｘ，−Ｘ側にそれぞれ複数のＺヘッド７６，７４が、常時各２つのＺヘッドが対になってウエハステージ上の一対のＹスケール（反射面）に対向するように、Ｘ軸と平行に、Ｙスケールの有効幅の半分以下の間隔ＷＤで配列されている。 - 特許庁

The first nitride semiconductor has an Al content of ≥50 atom% with respect to the sum total of contents of group-III elements, has a dislocation density of ≤10^11/cm^2 and has an X-ray locking curve half width in a (002) plane of ≤200 seconds.例文帳に追加

第一の窒化物半導体において、ＩＩＩ属元素の含有量の合計に対するＡｌ含有量が５０原子％以上であり、転位密度が１０^１１／ｃｍ^２以下であり、（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブにおける半値幅が２００秒以下である。 - 特許庁

The light irradiation device includes a light source giving light in a wavelength of 400-1,200 nm as pulses having a full width at half maximum of 600μs, and a light guide distributing the pulses of the light given from the light source with energy intensity of 0.2-0.25J/cm^2 to the distance of 5 mm from the light outgoing surface.例文帳に追加

４００〜１２００ｎｍの波長の光を、半値幅が６００μｓのパルスとして付与する光源部と、この光源部から付与された光のパルスを、出射面から５ｍｍの距離に０．２〜０．２５Ｊ／ｃｍ^2のエネルギー強度で分布させる導光部と、を備える。 - 特許庁

A 1st servo read head S1 is disposed so that a width-directional intermediate position may counter with the borderline of the 1st servo track and the 2nd servo track, and a 2nd read head S2 is disposed on the burst A side shifted from the servo read head S1, for example, by a half track pitch.例文帳に追加

幅方向中間位置が、前記第１のサーボトラックおよび第２のサーボトラックの境界線と対向するように第１のサーボリードヘッドＳ１を配設し、前記サーボリードヘッドＳ１からＡバースト側に、例えば１／２トラックピッチ分だけずれて第２のサーボリードヘッドＳ２を配設する。 - 特許庁

In the operational control unit of the OFDR-OCT system, Fourier transformation is performed using a both-end cosine window, having whole half-width equivalent to the rectangular window and gently becoming zero at both ends by a cosine function, in the way similar to that of the Hanning window and leads out reflectivity profile.例文帳に追加

本発明は、ＯＦＤＲ−ＯＣＴ装置の演算制御装置において、矩形窓に匹敵する半値全幅を有し且つハニング窓と同じように余弦関数によって両端がナダラカに零になる両端余弦窓を用いてフーリエ変換を行って、反射率分布を導出する。 - 特許庁

In particular, the gate electrode 29 is formed into a shape overlapped on the LOCOS oxide film 28, where the overlapped length of the gate electrode 29 is set at about 10 μm, which is nearly half the width of the LOCOS oxide film 28.例文帳に追加

特に、ゲート電極２９は、ＬＯＣＯＳ酸化膜２８上にオーバーラップした形態で形成され、ＬＯＣＯＳ酸化膜２８上への張り出し量（ゲートオーバーラップ長Ｏ／Ｌ）は、当該ＬＯＣＯＳ酸化膜２８の幅寸法Ｗのほぼ１／２である約１０μｍに設定される。 - 特許庁

In the corrosion resistant member, at least the region of the corrosion resistant member exposed to the corrosive gas containing the halogen element or its plasma contains ≥99.5 mass% Y expressed in terms of Y_2O_3 and has ≤0.4° half-value width of a peak belonging to the (222) plane of cubic Y_2O_3 in X-ray diffraction.例文帳に追加

少なくともハロゲン元素を含む腐食性ガスまたはそのプラズマに曝される部位が、Ｙの含有量がＹ_２Ｏ_３換算で９９．５質量％以上、Ｘ線回折における立方晶Ｙ_２Ｏ_３の（２２２）面帰属ピークの半値幅が０．４°以下である耐食性部材とする。 - 特許庁

This nitride semiconductor self-supporting substrate has a mirror-finished surface of the substrate, and the half-value width of the nitride semiconductor crystal (0002) plane from the result obtained by X-ray rocking curve measurement for the nitride semiconductor self-supporting substrate is 15 sec or more but less than 30 sec.例文帳に追加

本発明に係る窒化物半導体自立基板は、該基板の表面が鏡面であり、前記窒化物半導体自立基板に対するＸ線ロッキングカーブ測定により得られる結果で窒化物半導体結晶の(０００２)面の半値幅が15 sec以上30 sec未満であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an ink for ink-jet printing use capable of forming images good in hue, exhibiting a sharp absorption with narrow half-width and good in color reproducibility on any image-receiving paper through preventing dye aggregation and bronze phenomenon on image-receiving paper.例文帳に追加

本発明の目的は、受像紙上での染料の凝集やブロンズ現象を防止し、どのような受像紙においても、色相が良好で、かつ半値幅の狭いシャープな吸収を示し、色再現性が良好な画像を形成し得るインクジェット記録用インクを提供することである。 - 特許庁

A rare earth metal nitride phosphor emitting light having sufficient emission intensity in a long wavelength region of yellowish green to orange color, and having the emission peak with an extremely wide half width in an emission spectrum can be obtained by using the rare earth metal nitride as a raw material.例文帳に追加

この希土類金属窒化物を原料として用いることにより、黄緑色〜橙色の長波長領域に充分な発光強度を有し、また、発光スペクトルにおいて極めて半値幅の広い発光ピークを有する光を発する希土類金属窒化物蛍光体を得ることができる。 - 特許庁

The device is provided with a variable wavelength monochromic light irradiation light source which emits a monochromic light from a monochromic LED light source, a monochromic laser diode light source or a laser light source with a variable peak wavelength in the ultranarrow band that has its half band width held within a prescribed wavelength range.例文帳に追加

単色ＬＥＤ光源、単色レーザーダイオード光源又はレーザー光源から出射された単色光であって、半値幅が所定の波長幅以内の超狭帯域の単色光のピーク波長を可変とした波長可変単色光照射光源を備える。 - 特許庁