「p- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(178ページ目) - Weblio英語例文検索

In addition, if polysilicon is used in the thin film resistors, fluctuation in the resistance values is suppressed and temperature dependence of the resistance value is eliminated by making a film thickness of the polysilicon thin film resistor thin, and making an impurity introduced into the polysilicon thin film resistor p-type.例文帳に追加

および、薄膜抵抗体にポリシリコンを用いる場合、ポリシリコン薄膜抵抗体の膜厚を薄くし、ポリシリコン薄膜抵抗体に導入した不純物をＰ型にしたことにより抵抗値バラツキを抑え、かつ抵抗値の温度依存性をなくしたことを特徴とする。 - 特許庁

On the occasion of forming floor parts 42A and 42B in a building unit 13 of a unit type building, a pipe space S is provided for inserting a piping P to be concealed inside the floor part 42B, while an ALC panel 41 is laid in a part except the pipe space S, in a plan view.例文帳に追加

ユニット式建物の建物ユニット１３に床部４２Ａ，４２Ｂを形成するにあたり、床部４２Ｂの内部に隠蔽される配管Ｐを挿通するために、パイプスペースＳを設けるとともに、平面視でパイプスペースＳを除いた部分にＡＬＣ版４１を敷設する。 - 特許庁

The device which discriminates the type of an unknown material is provided with a light receiving mechanism section (P) which measures reflected light or transmitted light from the material to be measured and a temperature measuring section (T) which measures the surface temperature of the material.例文帳に追加

種類が未知の材質を判定する装置において、被測定物からの反射光又は透過光を計測する受光機構部（Ｐ）と、測定する材料の表面温度を計測する温度計測部（Ｔ）とを備えることを特徴とする材質の判別装置 - 特許庁

As the high driving force gate 10ph or 20ph is disposed in the discontinuous active region R10p or the two-input active region R20p, a high driving p-channel-type MISFET can be attained by utilizing a right hole caused by a lattice distortion.例文帳に追加

不連続活性領域Ｒ１０ｐ 又は２入力型活性領域Ｒ２０ｐ に、高駆動力型ゲート１０ｐｈ又は２０ｐｈが配置されているので、格子歪みによって生じたライトホールを利用して高駆動型Ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴが得られる。 - 特許庁

When a node N2 changes from a high level to a low level, a p-type MOS transistor Qp8 becomes an opening state, and a connection between the node N2 and a node N2 is disconnected, which leads to a high impedance between the node N4 and a supply line of power source voltage VDDH.例文帳に追加

ノードＮ２がハイレベルからローレベルへ変化する際に、ｐ型ＭＯＳトランジスタＱｐ８が開放状態になってノードＮ２とノードＮ４との接続が切り離され、ノードＮ４と電源電圧ＶＤＤＨの供給線との間のインピーダンスが高くなる。 - 特許庁

To provide a process for synthesizing a diamond-like carbon film which can be synthesized at a low cost and can be applied, in a uniform thickness, onto a member having a surface of a given shape, and a process for synthesizing the diamond-like carbon film having a p- or n-type conductivity.例文帳に追加

低コストで合成でき、任意形状の表面を有する部材にも均一な厚さで被覆することができるダイヤモンド状炭素膜の合成方法並びにｐ型及びｎ型の導電性を有するダイヤモンド状炭素膜の合成方法を提供する。 - 特許庁

The P-type electrode 15 is composed of a first electrode 15a located on the projection end face 13a side of the active layer 13, and a second electrode 15b which is smaller in dimensions than the first electrode 15a in the lengthwise direction and located on the reflection end face 13b side of the active layer 13.例文帳に追加

ｐ側電極１５は、活性層１３における出射端面１３ａ側を第１電極部１５ａと、反射端面１３ｂ側を第１電極部１５ａよりも長手方向の寸法が小さい第２電極部１５ｂとから構成されている。 - 特許庁

When a gate voltage is applied to a gate electrode 9 during the on-time while diluting the impurity concentration of a low concentration region 10b in a p-type deep layer 10, an inversion layer is formed at parts located on the side surface and the bottom of a trench 6 in the low concentration region 10b.例文帳に追加

ｐ型ディープ層１０の低濃度領域１０ｂの不純物濃度を薄くし、オン時にゲート電極９にゲート電圧を印加すると、低濃度領域１０ｂのうちトレンチ６の側面および底部に位置する部分に反転層が形成されるようにする。 - 特許庁

In addition, as for a gate electrode of a P channel type MOS transistor, a thin oxide film 3 used in the step for forming the field oxide film is used as a gate oxide film, and the first poly-silicon layer 4 and the second poly-silicon layer 8 are laminated and used as the gate electrode 9.例文帳に追加

また、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタのゲート電極については、フィールド酸化膜形成工程で用いた薄い酸化膜３をゲート酸化膜として用い、且つ第１のポリシリコン層４と第２のポリシリコン層８を積層してゲート電極９としている。 - 特許庁

A p-type drain layer 5 is formed in a substrate 1 through a gate oxide film 4A in a region for forming the high voltage transistor, and a gate electrode 6A having a function of a gate electrode and a dummy gate electrode 6B are simultaneously formed on the gate oxide film 4A.例文帳に追加

高耐圧トランジスタを形成する領域に、ゲート酸化膜４Ａを介して基板１内にＰ−型ドレイン層５を形成し、当該ゲート酸化膜４Ａ上にゲート電極として機能を有するゲート電極６Ａ、ダミーゲート電極６Ｂを同時に形成する。 - 特許庁

Movement of an element between the LED chip 2 and the cap 52 is controlled and reaction between a metal element within the LED chip 2 (a metal element included in a p-type electrode 25 and a heat conductive bonding agent 33), and sulfur or halogen element within the cap 52 is avoided.例文帳に追加

ＬＥＤチップ２とキャップ５２との間での元素の移動が抑制され、ＬＥＤチップ２内の金属元素（ｐ型電極２５および熱伝導性接着剤３３に含まれる金属元素）とキャップ５２内の硫黄またはハロゲン元素との反応が回避される。 - 特許庁

The wide band gap semiconductor device includes a p+ type region 300 having an annular pattern in which a source Schottky trench 7b deeper than a gate trench 7a surrounds a surface pattern of the gate trench 7a on a surface, and the source Schotkky trench 7b is in contact with a bottom.例文帳に追加

ゲートトレンチ７ａの深さより深いソースショットキートレンチ７ｂが前記ゲートトレンチ７ａの表面パターンを表面で取り巻く環状パターンを有し、前記ソースショットキートレンチ７ｂが底部に接するｐ^+型領域３００を備えるワイドバンドギャップ半導体装置。 - 特許庁

A second gate electrode of a p-type MOSFET is constituted of the second metal film 112A consisting of the second metal formed on the gate insulator film 109A and the low resistance metal film 113A that is formed on the second metal film 112A.例文帳に追加

ｐ型ＭＯＳＦＥＴの第２のゲート電極は、ゲート絶縁膜１０９Ａの上に形成された第２の金属からなる第２の金属膜１１２Ａと、該第２の金属膜１１２Ａの上に形成された低抵抗金属膜１１３Ａとから構成されている。 - 特許庁

Molecular beam epitaxy is used on a substrate as a crystal growth method, Al and N are used as impurities, and optimization is made under the growth conditions, thus forming p- and n-type conductive layers for growing highly-doped Zn_1-xMg_xSe_yTe_1-y.例文帳に追加

基板上に結晶成長法として分子線エピタキシーを用い、不純物としてＡｌやＮを用い、前記成長条件で最適化を行うことによって、高濃度のＺｎ_1-x Ｍｇ_x Ｓｅ_y Ｔｅ_1-y の成長を行うｐ型、ｎ型伝導性層を形成する。 - 特許庁

When the quantity of projection light is decreased by stopping down a reed-screen type movable stop means 20a matching with an integrator light source image, unnecessary leak light from an optical modulating element P or the projection of scattered light from a projection system PL1 is suppressed to obtain a sharp display.例文帳に追加

インテグレータ光源像にマッチした簾状可動絞り手段２０ａを絞って投影光量を小さくすると、光変調素子Ｐからの不要な漏れ光あるいは散乱光の投影光学系ＰＬ１からの投射が抑制され、締まった黒表示となる。 - 特許庁

In the system 10a, a power supply circuit 11a from a connection route P of the direct-type AC power conversion circuit B and the system linkage opening/closing means 51 to a controller 13, performing control for distributed power supply and auxiliary machineries 50, is branched.例文帳に追加

装置１０ａでは、直接形交流電力変換回路Ｂと系統連系用開閉手段５１との接続経路Ｐから、分散電源のための制御を行う制御装置１３及び補機類５０に向かう電力供給回路１１ａが分岐している。 - 特許庁

Current C injected from the p-side electrode 21 enters the n-type cladding layer 12 after lowering to the flat section 32 along the first level difference section 31, and flows toward the n-side electrode 22 laterally; and the path of the current C is separated from the second level difference section 33.例文帳に追加

ｐ側電極２１から注入された電流Ｃは、第１段差部３１に沿って平坦部３２まで下降してｎ型クラッド層１２に入ったのち、横方向にｎ側電極２２に向かって流れ、電流Ｃの経路が第２段差部３３から遠ざかる。 - 特許庁

A photoresist 23 is worked, and a whole P type well formation site can be simply exposed in openings 23a and 23c, and stripes 24 are worked so that the formation site can be covered like stripes, and that the other part can be exposed in an opening 23b.例文帳に追加

フォトレジスト２３を加工し、開口部２３ａ，２３ｃについてはｐ型ウェル形成部位全体を単に露出する形状として、開口部２３ｂについては当該形成部位をストライプ状に覆い他の部分を露出するようにストライプ２４を加工形成する。 - 特許庁

This photovoltaic device comprises a translucent conductive film 5, and a front surface side collector electrode 6 which is formed on the front surface of the translucent conductive film 5 and is formed such that a portion of the electrode comes in contact with a p-type amorphous silicon layer 4.例文帳に追加

この光起電力装置は、透光性導電膜５と、透光性導電膜５の表面上に形成されるとともに、その一部がｐ型非晶質シリコン層４に接触するように形成された表面側集電極６とを備えている。 - 特許庁

The hydrogen purifying apparatus is formed by using alumina particles (or silica particles) as a porous material to form the porous membrane 5 containing a semiconductor having p-type conductivity and to have a structure in which a raw material gas part 4 is separated from a purified gaseous hydrogen part 6 with the porous membrane 5.例文帳に追加

多孔質材料としてアルミナ粒子（またはシリカ粒子）を用い、ｐ型導電性を持つ半導体を含む多孔質膜５を作製し、原料ガス部４と精製水素ガス部６を多孔質膜５で隔離した構造の水素精製装置を構成する。 - 特許庁

To provide a silicon carbide sintered compact capable of using suitably for a p-type semiconductor because of a small content of an impurity element and small content of an element like nitrogen not the impurity element, silicon carbide powder suitable for manufacturing therefore and a method of manufacturing the silicon carbide powder.例文帳に追加

不純物元素の含有量が少なくかつ不純物元素でない窒素等の元素の含有量も少なく、ｐ型半導体等として好適に使用可能な炭化ケイ素焼結体、その製造に好適な炭化ケイ素粉末及びその製造方法の提供。 - 特許庁

By the Ge contained in the SiGe film 72, the activation rate of p-type impurities implanted to the gate electrode of the PMOS transistor is improved, and a depletion layer in an interface with a gate electrode 6 is suppressed, and deterioration in characteristics of the PMOS transistor is prevented.例文帳に追加

ＳｉＧｅ膜７２中に含まれるＧｅによってＰＭＯＳトランジスタのゲート電極に注入されたＰ型不純物の活性化率が改善され、ゲート絶縁膜６との界面での空乏層が抑制され、ＰＭＯＳトランジスタの特性劣化が防止される。 - 特許庁

Then nanowires 9 of a second array are formed around each nanowire 7 of the first array by covering an insulating material layer 10 around each nanowire 7 of the first array and covering the associating droplets 6 with a p-type semiconductor material layer.例文帳に追加

次いで、第２のアレイのナノワイヤ９が、前記第１のアレイの各ナノワイヤ７の周囲に形成された絶縁材料層１０及び付随するドロップレット６を、ｐ型の半導体材料層で覆うことによって、前記第１のアレイの各ナノワイヤ７の周囲に形成される。 - 特許庁

The solid fuel can be dried sufficiently in the course of crushing the mixture of rice hulls and saw dust because the inside of the vertical-type roller mill 30 is provided by a hot blast P taken out of an exhaust gas S of the combustion boiler 25 via a pressurizing fan 27.例文帳に追加

竪型ローラミル３０においては、籾殻および木屑の混合物が粉砕される際に、加圧ファン２７を介して燃焼ボイラ２５の排気ガスＳから取り出された熱風Ｐが内部に供給されるため、固体燃料を十分に乾燥させることができる。 - 特許庁

An ion implantation system (10) for the implantation of cluster ions into semiconductor substrates for semiconductor device manufacturing and a method of manufacturing a semiconductor device in which clusters of N- and P-type dopants are implanted to form the transistor in CMOS devices.例文帳に追加

半導体素子製造に対する半導体基板内へのクラスターイオンの注入のためのイオン注入システム（１０）、及びＣＭＯＳ素子内のトランジスタを形成するためにＮ及びＰ型ドーパントのクラスターが注入される半導体素子を製造する方法。 - 特許庁

To provide a nitride-based semiconductor laser of high reliability and high output by forming a window region without deteriorating contact resistance, in a laser process where a nitrogen material gas containing a hydrazine derivative is used for crystal growth of p-type layer of a nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体のｐ型層の結晶成長にヒドラジン誘導体を含む窒素原料ガスを用いたレーザプロセスに於いてコンタクト抵抗を劣化させること無く窓領域を形成して、信頼性の高い高出力の窒化物半導体系レーザを得る。 - 特許庁

To provide a method for forming a silicon nitride oxide film which can stably form a thin silicon nitride oxide film having excellent characteristics, and can reliably suppress diffusion of boron atoms during formation of a gate electrode of a P type semiconductor element.例文帳に追加

優れた特性を有する薄いシリコン窒化酸化膜を安定して形成することができ、しかも、ｐ形半導体素子のゲート電極形成におけるボロン原子の拡散を確実に抑制することを可能にするシリコン窒化酸化膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

In where a surface crossing the thickness direction of the p-type silicon substrate 1 is considered as a virtual surface, each strong field drift layer 6 has inclined drift parts 6a, 6b, respectively having an interface between the surface electrode 7 and inclined at different angles of inclination in relation to the virtual surface.例文帳に追加

ｐ形シリコン基板１の厚み方向に直交する面を仮想表面とするとき、各強電界ドリフト層６が、仮想表面に対して表面電極７との界面が傾斜し傾斜角が互いに異なる傾斜型ドリフト部６ａ，６ｂを有している。 - 特許庁

An impurity concentration distribution of the n and p type pillar regions 2 and 3 in a corner 33 of the terminating region 30 has a plurality of impurity concentration peaks periodically along a curve BC bent from an x direction to a y-direction in the corner 33.例文帳に追加

終端領域３０のコーナー部３３のｎ型ピラー領域２及びｐ型ピラー領域３の不純物濃度分布は、コーナー部３３においてｘ方向からｙ方向へと曲がる曲線ＢＣに沿って周期的に複数の不純物濃度ピークが与えられる。 - 特許庁

When the input signal Sin changes from the low level to the high level, a current I8 increases in response to the increase in a current I6, while a p-type MOS transistor MP12 changes from ON to OFF, the voltage at the node N2 is decreased by the current I8.例文帳に追加

入力信号Ｓｉｎがローレベルからハイレベルへ変化する場合は、電流Ｉ６の増加に応じて電流Ｉ８が増加し、ｐ型ＭＯＳトランジスタＭＰ１２がオンからオフへ変化するまでの間、この電流Ｉ８によりノードＮ２の電圧が引き下げられる。 - 特許庁

To provide a nitride system light-emitting device which not only indicates superior current/voltage characteristics, in such a way that the ohmic contact properties with a p-type cladding layer is improved, but also improves the emission efficiency of the device by high translucency characterized by a transparent electrode.例文帳に追加

ｐ型クラッド層とのオーミック接触特性が改善されて優秀な電流−電圧特性を表すだけでなく、透明電極が有する高い透光性によって素子の発光効率を高めうる窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Such uniform filling may improve the operating efficiency at high current density by reducing the carrier density in the quantum wells closest to the bulk p-type region, thereby reducing the number of carriers lost to nonradiative recombination.例文帳に追加

このような均一な充填は、バルクｐ型領域に最も近接した量子井戸の中のキャリア密度を減少させ、それにより非放射性再結合へと喪失されるキャリアの数を低減することによって、高電流密度での動作効率を改善することができる。 - 特許庁

An ohmic contact layer 107 and an adhering layer 106 are separately formed on a p-type semiconductor layer 105, and a substrate 110 is formed by plating, and thus, excellent ohmic junction can be formed and the substrate can be prevented from being peeled when it is formed by plating.例文帳に追加

ｐ型半導体層１０５上にオーミック接触層１０７と密着層１０６を分けて形成し、メッキによって基板１１０を形成することにより、オーミック接合に優れるとともに、メッキによって基板を作製した際に剥離することがない。 - 特許庁

A p-base layer 3, an n-source layer 4, a gate electrode 11 and an emitter electrode 14a which serves as an IGBT are formed in a first region R1 on a first principal plane of an n-type semiconductor substrate 1, and a collector electrode 15 is formed on a second principal plane.例文帳に追加

ｎ型の半導体基板１の第１主表面の第１領域Ｒ１には、ＩＧＢＴとなる、ｐベース層３、ｎソース層４、ゲート電極１１、エミッタ電極１４ａが形成され、第２主表面には、コレクタ電極１５が形成されている。 - 特許庁

The incident surfaces of transmission type elements which are changed in the incident angles, including image formation lenses for converging the light beams onto the surface to be scanned, are formed as transmission surfaces approximately equal in the transmissivity to the S polarized light and the transmissivity to the P polarized light at the arbitrary incident angle.例文帳に追加

また、光ビームを被走査面上に収束させる結像レンズをはじめ、入射角が変化する透過型素子の入射面を、Ｓ偏光に対する透過率とＰ偏光に対する透過率が任意の入射角において略等しい透過面とする。 - 特許庁

A self-gyration type initial generator incorporated in an object which gyratingly flies generates electric power by using the difference in number of gyration between a stator 2 fixed to the object side and a rotor 10 rotatably held by a bearing 11 on the center axis P of the gyration of the object.例文帳に追加

旋動しながら飛しょうする物体に内蔵される自己旋動型初期発電機であり、該物体側に固定されたステータ２と、当該物体の旋動中心軸Ｐ上に軸受１１で回転自在に保持されたロータ１０との旋転数差により発電する。 - 特許庁

Of charge-transfer devices formed on a P-type substrate, input voltage VIN-side MOS transistors are comprised of NMOSs 10_1 to 10_18 and output voltage VOUT-side MOS transistors are comprised of PMOSs 20_1, 20_2 formed in an N-well.例文帳に追加

Ｐ型の基板上に形成される電荷転送素子の内で、入力電圧ＶＩＮ側のＭＯＳトランジスタをＮＭＯＳ１０_１〜１０_１８で構成し、出力電圧ＶＯＵＴ側のＭＯＳトランジスタをＮ型のウエル内に形成されたＰＭＯＳ２０_１，２０_２で構成する。 - 特許庁

Thus, the sheet resistance of the layer 17 of the element is decided, according to a thickness of the layer 17 and a concentration of the added P-type impurity, and an arbitrary sheet resistance can be designed independently.例文帳に追加

このため、抵抗素子の抵抗層１７のシート抵抗値は、ＨＥＭＴのチャネル層１３とは無関係に、抵抗層１７の層厚と添加するＰ型不純物の濃度によって決定され、任意のシート抵抗が得られるように独立に設計することが可能になる。 - 特許庁

The first p-type semiconductor layer 1005 is separated from a drain electrode 1008 via a first groove 1101 with the first region adopted as a bottom surface, and separated from a source electrode 1007 via a second groove 1102 with the second region adopted as a bottom surface.例文帳に追加

第１のｐ型半導体層１００５は、第１の領域を底面とする第１の溝１１０１を介してドレイン電極１００８と分離されており、第２の領域を底面とする第２の溝１１０２を介してソース電極１００７と分離されている。 - 特許庁

Since the p-type surface diffusion part 206 has a depth d of 4μm and a width w of 2μm, a relatively wide crosstalk width is provided even against the incident light of short wavelength to allow detection of deviation in incident light across a relatively wide range.例文帳に追加

Ｐ型表面拡散部２０６は、４μｍの深さｄを有すると共に２μｍの幅ｗを有するので、短波長の入射光に対しても比較的広いクロストーク幅が得られて、比較的広い範囲に亘る入射光のずれを検出できる。 - 特許庁

The front part air bag device 28 and the rear part air bag device 29 are constituted so that the front part air bag 32 and the rear part air bag 33 are expanded and inflated between the stepping type parking brake pedal 24 and the leg part of the driver P in the collision of the vehicle.例文帳に追加

そして、車両の衝突時に、前部エアバッグ３２及び後部エアバッグ３３が足踏み式パーキングブレーキペダル２４と運転者Ｐの脚部との間にて展開膨張されるように前部エアバッグ装置２８及び後部エアバッグ装置２９を構成する。 - 特許庁

A channel layer 14 of a vertical SiCMOSFET is made into a p-type semiconductor by doping Al, and includes Si_0.9Ge_0.1C mixed crystal doped with Ge having a large ion radius and a narrow forbidden band, thereby making a lattice constant of a channel region large.例文帳に追加

縦型のＳｉＣＭＯＳＦＥＴにおけるチャネル層１４が、Ａｌのドープによりｐ型半導体に構成されると共に、イオン半径が大きく禁制帯幅が狭いＧｅがドープされたＳｉ_0.9Ｇｅ_0.1Ｃ混晶とすることでチャネル領域の格子定数を大きくする。 - 特許庁

The composition is provided by incorporating (a) at least one fluorescent dyestuff or fluorescent brightening agent, (b) at least one electroconductive polymer preferably having at least one recurring unit of a type of aniline, pyrrole, thiophene or bisthiophene, furan, p-phenylenesulfide, p-phenylenevinylene, indole, an aromatic amide, an aromatic hydrazide, an aromatic azomethine or an aromatic ester in a cosmetically acceptable medium.例文帳に追加

化粧品的に許容可能な媒体に、(ａ)少なくとも一の蛍光染料及び／又は蛍光増白剤、(ｂ)アニリン、ピロール、チオフェン又はビスチオフェン、フラン、パラ-フェニレンスルフィド、パラ-フェニレンビニレン、インドール、芳香族アミド、芳香族ヒドラジド、芳香族アゾメチン、及び芳香族エステル型の少なくとも一の繰り返し単位を好ましくは有する少なくとも一の導電性ポリマーを含有せしめてなる組成物に関する。 - 特許庁

The composition comprises (a) at least one direct dye, (b) at least one conductive polymer preferably having at least one repeating unit selected from an aniline expressed by formula 1, pyrrole, thiophene or bisthiophene, furan, p-phenylene sulfide, p-phenylene vinylene, indole, an aromatic amide, an aromatic hydrazide, an aromatic azomethine and an aromatic ester type, and a cosmetically permissible medium.例文帳に追加

本発明は、化粧品的に許容可能な媒体に、(ａ)少なくとも一の直接染料、(ｂ)式１に示すアニリン類、ピロール、チオフェン又はビスチオフェン、フラン、パラ-フェニレンスルフィド、パラ-フェニレンビニレン、インドール、芳香族アミド、芳香族ヒドラジド、芳香族アゾメチン、及び芳香族エステル型の少なくとも一の繰り返し単位を好ましくは有する少なくとも一の導電性ポリマーを含有せしめてなる組成物に関する。 - 特許庁

A P-P type transmitting device for transmitting a packet comprises an inserting means 20 for inserting a dedicated byte for storing speed/duplex information on a payload, a detecting means 21 for detecting the speed/duplex information in the dedicated byte on the payload transmitted from the opposite device, and a transmission speed adjusting means 22 for performing transmission speed adjustment that is matched to the opposite device.例文帳に追加

パケットを伝送するＰ−Ｐ型伝送装置において、スピード／デュープレックス情報を格納する専用バイトをペイロード上に挿入する挿入手段２０と、対向装置から送信されたペイロード上の専用バイト内のスピード／デュープレックス情報を検出する検出手段２１と、対向装置に合わせた伝送速度調整を行なう伝送速度調整手段２２と、を有して構成される。 - 特許庁