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plane methodの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2514



例文

To provide a manufacturing method for a periodical nanostructure in a well-controlled state, by which a large number of semiconductor microcrystals of the order of nanometer sizes are periodically formed in a plane of a semiconductor substrate wherein the formed microcrystals are concatenated in a thickness direction of the semiconductor substrate, and to provide a manufacturing method for a field emission electron source capable of improving electron emission characteristics.例文帳に追加

多数のナノメータオーダの半導体微結晶が半導体基板の厚み方向に連なり、且つ半導体基板の面内において周期的に形成された周期的ナノ構造体を制御性よく製造する製造方法および電子放出特性の向上が可能な電界放射型電子源の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a crystal-oriented ceramic composed of a polycrystal body of a perovskite type compound containing at least Ca and Ti, oriented at a high degree of orientation in the pseudo-cubic (100) plane, having high relative density and capable of controlling the composition relatively easily, to provide its manufacturing method, to provide the anisotropic-shaped powder used for the ceramic and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

少なくともCa及びTiを含むペロブスカイト型化合物の多結晶体からなり、擬立方{100}面が高い配向度で配向し、高い相対密度を有し、しかも、その組成制御が比較的容易な結晶配向セラミックス及びその製造方法、並びに、これに用いられる異方形状粉末及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The production method of a silicon single crystal 1 by Czochralski method by doping with carbon is disclosed, wherein the crystal 1 is grown by controlling the difference between an average growing rate of the crystal center portion 15 within a plane perpendicular to the crystal growth direction and an average growing rate of the crystal peripheral portion 16 to be within ±0.1 mm/min during growing the crystal.例文帳に追加

チョクラルスキー法により炭素をドープしてシリコン単結晶1を製造する方法において、結晶成長時に、結晶成長方向に対して垂直面内の結晶中心部15が成長する平均速度と結晶周辺部16が成長する平均速度との差を±0.1mm/min以内となるようにして結晶1を成長する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the optical compensation film of which the slow axis is inclined with respect to an in-plane direction, the method is characterized by stretching a polymer film which has at least two or more layers and of which the thickness values of arbitrary upper and lower layers in the width direction vary as going from one end to the other end.例文帳に追加

遅相軸が面内方向に対し傾いている光学補償フィルムの製造方法において、少なくとも2層以上の層を有し、任意の上下層の幅手方向における厚みが一方の端から他方の端に向かって変化している高分子フィルムを、延伸することを特徴とする光学補償フィルムの製造方法。 - 特許庁

例文

To obtain a method for manufacturing a wide polarizing film which has excellent optical characteristics and in-plane unifomity, to provide the polarizing film obtained by the method, to provide an optical film formed by laminating the polarizing film and another optical layer, and to provide an image display device applying the polarizing film or the optical film.例文帳に追加

光学特性に優れ、面内均一で幅広な偏光フィルムの製造方法を得ることを目的とし、さらには、この製造方法で得られた偏光フィルムや、この偏光フィルムと他の光学層を積層した光学フィルムおよび、前記偏光フィルムあるいは前記光学フィルムを適用した画像表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁


例文

To provide a production method of a silicon single crystal, by which a silicon single crystal having uniform carbon concentration and BMD (bulk micro-defects) uniformly formed therein can be produced, and to provide a silicon single crystal wafer produced from a silicon single crystal produced by the method, the wafer having BMD uniformly formed within the wafer plane and having a uniform gettering ability.例文帳に追加

炭素濃度が均一化され、BMDが均一に形成されたシリコン単結晶を製造することができるシリコン単結晶製造方法、およびその方法で製造したシリコン単結晶から製造されるウェーハ面内でBMDが均一に形成され、均一なゲッタリング能力を有するリコン単結晶ウェーハを提供する。 - 特許庁

To provide crystal-oriented ceramics composed of a polycrystal body of a perovskite type compound at least comprising Na and Nb, oriented at a high degree of orientation in the pseudo-cubic {100} plane, having high relative density and capable of controlling the composition relatively easily, to provide a method for producing the same, to provide anisotropic-shape powder used therefor, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

少なくともNa及びNbを含むペロブスカイト型化合物の多結晶体からなり、擬立方{100}面が高い配向度で配向し、高い相対密度を有し、しかも、その組成制御が比較的容易な結晶配向セラミックス及びその製造方法、並びに、これに用いられる異方形状粉末及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an arsenic dopant for pulling a silicon single crystal which is safe and with which arsenic can be efficiently doped into the silicon single crystal, the resistivity of the silicon single crystal is lowered drastically, and lowering of the in-plane resistance in the radial direction of the silicon single crystal can be realized; and to provide a method for producing the same, and a method for producing the silicon single crystal using the dopant.例文帳に追加

安全であり、かつ、シリコン単結晶に砒素を効率よくドープさせることができ、シリコン単結晶の抵抗率を格段に低下し、かつ、シリコン単結晶の径方向での面内低抵抗化が図られたシリコン単結晶引上げ用砒素ドーパント及びその製造方法並びにそれを用いたシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a position detecting method for a scanning laser radar automated vehicle, as a method stably detecting reflected light from a reflecting plate R1, an incident angle θin at which laser beams are applied to the reflecting plane R1 is found, and if the incident angle θin is larger than a set value, the reflected light from the reflecting plate R1 is used for position calculation.例文帳に追加

走査型レーザレーダ無人車の位置検出方式において、反射板R_1からの反射光を安定して検出する方法として、レーザ光が反射板R_1へ照射される入射角θ_inを求め、入射角θ_inがある設定値より大きい場合、その反射板R_1からの反射光は位置演算に用いないことを特徴とする。 - 特許庁

例文

To provide a pin unit for transferring adhesive and a method for transferring adhesive, in which the adhesive can be transferred surely and stably without troubles, even to a matter having a wide adhesive area or a matter having the adhesion plane of slightly poor flatness/parallelism, without limiting the kind of adhesive being used.例文帳に追加

接着面積が広い物であっても、また、接着面の平面度/平行度等の状態が少々悪い物であっても、使用する接着剤の種類を制限する事無く、確実に弊害無く接着剤を安定して転写できる接着剤の転写ピンユニット及び転写方法の提供。 - 特許庁

例文

A method for manufacturing a gas barrier film includes cutting the long gas barrier film in a width direction thereof, and then cutting both width directional ends where the cutting is performed without holding one of the gas barrier films in a direction perpendicular to a cutting-plane line, or is performed by using a cutting device on a point contact basis.例文帳に追加

長尺なガスバリアフィルムを幅方向に切断して、その後、幅方向両端部の切断を行うと共に、切断を、切断線と直交方向の一方のガスバリアフィルムを保持することなく行い、あるいは、点接触の切断手段を用いることにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device and other fine-structured parts, by using a projection objective lens (5), the image of a pattern arranged in the object plane of the projection objective lens is projected on a photosensitive substrate arranged in the region of an image surface (12) of the projection objective lens.例文帳に追加

半導体素子およびその他の微細構造部品を製造する方法において、投影対物レンズ(5)を用いて、該投影対物レンズの物体平面内に配置されるパターンの像が、前記投影対物レンズの像面(12)の領域内に配置される感光性基板上に投影される。 - 特許庁

The film deposition method includes: a stage of applying compressive stress to the in-plane direction of a substrate 30 by a substrate supporting part 20 supporting the substrate 30; and a stage of supplying film deposition particles to the substrate face of the substrate with the compressive stress applied thereto.例文帳に追加

基板30を支持する基板支持部20により前記基板の面内方向に圧縮応力を加える工程と、前記圧縮応力が加えられた前記基板の基板面に対し成膜粒子を供給する工程と、を有することを特徴とする成膜方法及び装置。 - 特許庁

A semiconductor substrate 1 formed with an opening and a thin diaphragm 2 from a (110) plane accompanied with an etching process, is arranged on a glass seat (a glass substrate) 20 having a pressure-introducing opening 20a, and then the semiconductor substrate 1 and the glass seat 20 are jointed by a positive electrode jointing method.例文帳に追加

(100)面からエッチング処理に伴って開口部及び薄肉のダイアフラム部2が形成されてなる半導体基板1を圧力導入孔20aを有するガラス台座(ガラス基板)20上に配設し、半導体基板1とガラス台座20とを陽極接合法によって接合する。 - 特許庁

To provide an annealed wafer manufacturing method which clarifies the relations of the off angle of a wafer from its plane (100) with the haze appearing on the annealed surface to set an optimum off angle for suppressing the haze, resulting in improved device characteristics.例文帳に追加

アニールするウェーハの(100)からの傾斜角度と、アニール後の表面に発生するヘイズとの関係を明らかにし、ヘイズの発生を抑制するのに最適な傾斜角度を設定し、ヘイズが抑制され、結果としてデバイス特性を向上させることのできるアニールウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image synthesizing method, with which a synthetic image at 360° projected on a cylindrical plane can be suitably provided without deviating the joint of starting and ending terminals in the synthetic image even in the case of images manually photographed without using a tripod.例文帳に追加

三脚を用いることなく手動で撮像された画像であっても、合成画像における始端及び終端の繋ぎ目がずれることなく適切に円筒面に投影した360度分の合成画像を得ることができる画像合成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an etching method applicable in a process for etching an organic material film with an inorganic material film serving as a mask, capable of maintaining a high etching rate according to a pattern to be etched with a superior result in shape and in in-plane uniformity, and which is free of inorganic material film exfoliation.例文帳に追加

無機材料膜をマスクとして有機材料膜をエッチングする場合に、エッチングパターンに対応して、高いエッチングレートを維持しつつ、良好なエッチング形状で、良好な面内均一性でかつ無機材料膜の膜剥がれが生じずにエッチングすることができるエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a crystallization method wherein laser beam having intensity and distribution which are optimized on a plane of incidence of a substrate is designed, and desired crystallization organization can be formed while restraining generation of the other organization region which is not desirable, and to provide crystallization equipment, a TFT and a display device.例文帳に追加

基板の入射面上で最適化された光強度と分布をもつレーザ光を設計し、他の好ましくない組織領域の発生を抑制しつつ所望の結晶化組織を形成することができる結晶化方法、結晶化装置、薄膜トランジスタおよび表示装置を提供する。 - 特許庁

In the crystal growth method for growing a group III nitride crystal from a melt prepared by dissolving at least alkali metal, group III metal and nitrogen, the crystal is grown while a crystal face except for a specified crystal face (for example, (0001) plane) is used as a growth face.例文帳に追加

少なくともアルカリ金属とIII族金属と窒素が溶解した融液からIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長方法において、特定の結晶面(例えば(0001)面)以外の結晶面を成長面として形成しながら結晶成長する。 - 特許庁

To perform accurate imprinting even when a mold and a sample are somewhat bad in flatness, to suppress formation of an isolated noncontact area when the mold and sample come into contact with each other, and to make a pressure distribution on a contact plane between the mold and sample uniform in an easy method.例文帳に追加

モールドと試料の平坦性が少々悪くても正確なインプリントを行うことができ、モールドと試料との接触時に孤立した非接触領域が生じるのを抑制し、またモールドと試料の接触面での圧力分布を簡単な手法により均一化できるようにする。 - 特許庁

The exposure method for illuminating a mask M1 with illumination light and exposing the substrate P using the mask pattern of the mask M1 includes scanning the substrate P relative to the mask M1 in a scanning direction which is an in-plane direction of the substrate P, and exposing the substrate P during relative scanning.例文帳に追加

照明光でマスクM1を照明し、マスクM1のマスクパターンを用いて基板Pを露光する露光方法は、基板Pを、マスクM1に対して基板Pの面内方向である走査方向に相対走査させること、相対走査中に基板Pを露光することを含む。 - 特許庁

Provided are a meteorological observation pole for installing an anemoscope or an anemometer, characterized in having, at the edge section of ground side of a mast to be erected on the ground, a V frame constructing a V-figured plane perpendicular to the mast, and a method for setting up the meteorological observation pole.例文帳に追加

風向計や風速計を設置する気象観測用ポールであって、地面に立て起こすマストの地面側の端部に、前記マストに対して垂直なV字状の面を構成するVフレームを有することを特徴とする気象観測用ポールおよび気象観測用ポールの立設方法。 - 特許庁

To provide a concrete material, a concrete structure and its manufacturing method which inhibit or prevent a crack caused by dry shrinkage which makes an initial defect, particularly, in a slab and a plane member constituting a structure such as a wall or the like whose crack by the dry shrinkage becomes apparent.例文帳に追加

特に乾燥収縮によるひび割れが顕著となるスラブや壁等の構造物を構成する面部材において、初期欠陥となる乾燥収縮に起因するひび割れを抑制または防止することができるコンクリート素材とコンクリート構造物及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing has a process to form a foregoing hole by diagonally radiating a laser beam on a crystalline substrate composed of a silicon substrate whose plane direction is a (100) surface; and process to form a through-hole by performing anisotropic etching by a KOH solution of water or an organic alkali etching liquid to expand the foregoing hole.例文帳に追加

面方位が(100)面のシリコン基板からなる結晶性基板にレーザ光を斜めに照射して先行穴を形成する工程と、KOH水溶液又は有機アルカリエッチング液による異方性エッチングを行って前記先行穴を拡大してスルーホールを形成する工程とを有する。 - 特許庁

In the functional sheet manufacturing method which yields the functional sheet by forming the coating film containing at least the metal or the metal compound on the flexible support and converting the coating film into the functional film by sintering, the coating film is sintered by applying current in the in-plane direction of the film.例文帳に追加

可撓性支持体上に金属又は金属化合物を少なくとも含有する塗膜を設け、該塗幕を焼結させることにより機能膜化して機能性シートを得る、機能性シートの製造方法において、前記塗膜の面内方向に通電することによって焼結させる。 - 特許庁

The method of processing a substrate has: a process for irradiating a laser beam of a predetermined wavelength on a gallium-oxide substrate having a predetermined plane orientation and predetermined light emitting, and absorbing characteristics as to form processing grooves on the surface of the substrate; and has a process for cracking off or cutting off the substrate along the formed processing grooves.例文帳に追加

所定の面方位と光透過吸収特性を有するガリウム酸化物の基板に、所定の波長のレーザ光を照射して前記基板の表面に加工溝を形成する工程と、形成された加工溝に沿って割断又は切断する工程とを有する基板加工方法とする。 - 特許庁

To provide a method for rule speech synthesis whereby speech synthesis is performed by utilizing CVs and speech elements in a VC unit prepared beforehand and whereby a speech dictionary volume and distortion in a connection plane are reduced.例文帳に追加

この発明は、予め用意したCV,VC単位の素片を利用して音声合成を行なう音声合成方法であって、音声辞書のサイズの低減させることができるとともに接続面での歪みを減少させることができる規則音声合成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the printer comprising a means for converting input data into intermediate data, and a means for creating a bit map and an attribute plane from the intermediate data and its attributes, a method for compressing the bit map according to attribute information and a means for switching the compression rate are provided.例文帳に追加

入力データを中間データに変換する手段と、中間データとその属性からビットマップと属性プレーンを生成する手段とを備える印刷装置において、ビットマップを圧縮する際に、属性情報に従って圧縮方法、圧縮率を切り替える手段を備える。 - 特許庁

To provide an automatic layout position decision method for efficiently executing layout processing for designing, on a virtual plane equivalent to a substrate surface, the positions of vias, wiring paths and plating lines on the substrate surface of a semiconductor package of a bilevel ball-grid type by a calculation processing unit.例文帳に追加

二層ボールグリッド型の半導体パッケージの基板面上におけるビア、配線経路およびめっき線の位置を、基板面上に相当する仮想平面上において設計する配置処理を、演算処理装置により効率的に実行する自動配置位置決定方法を実現する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing low-temperature fired ceramics circuit boards which rapidly increases pressurizing force in compliance with the timing when the firing shrinkage of a laminate begins, surely ends binder removal and suppresses the firing shrinkage within a plane, and firing equipment for the same.例文帳に追加

積層体の焼成収縮が開始するタイミングに合わせて加圧力を急激に増加させ、脱バインダーを確実に終了させ、しかも平面内での焼成収縮を抑制する低温焼成セラミック回路基板の製造方法及びその焼成装置を提供する。 - 特許庁

To provide an RTM method which carries out, at high speed, a molding step from resin injection to impregnation and curing, also to a comparatively large three dimensional plane like object, and in which product appearance and product accuracy which are conventionally problems are improved, and reduction in product cost can be attained.例文帳に追加

比較的大きな三次元面状体に対しても、樹脂注入から含浸・硬化までの成形工程を、高速で実施し、かつ、従来問題となっていた製品外観や製品精度を向上させ、製品コストの低減をはかることが可能なRTM成形方法を提供すること。 - 特許庁

To obtain an exciting method and a semiconductor laser-excited solid state amplifier using a semiconductor laser as an excitation light source capable of providing an excitation density distribution which brings the heat evolution distribution into a uniform state in the sectional plane of a solid state laser rod and causing no double-focus phenomenon.例文帳に追加

この発明は、励起光源として半導体レーザを使用し、固体レーザロッド断面内での発熱分布が均一になるような励起密度分布として、複焦点現象が発生することのない励起光源による励起方法および半導体レーザ励起固体レーザ増幅装置を得る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a film which can freely and independently control wavelength dispersion of Re (in-plane retardation) and wavelength dispersion of Rth (retardation in a thickness direction), can freely control value of Re and value of Rth and in which both of wavelength dispersion of Re and Rth are reverse wavelength dispersion or sequential wavelength dispersion.例文帳に追加

Reの波長分散とRthの波長分散を自由かつ独立に制御でき、ReおよびRthの値を自由に制御でき、かつReの波長分散とRthが共に逆波長分散か、共に順波長分散であるようなフィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the high luminance polishing method of high productivity, which reduces a process for removing printing burrs and reduces an operation, such as inversion in a high luminance plane polishing process being one of the processes in the manufacturing of an inspection wafer for evaluating the quality characteristic of semiconductor crystal.例文帳に追加

半導体結晶の品質特性を評価するための検査用ウェーハ等の作製における一プロセスである高輝度平面研削工程において、従来のような印字バリを取る工程を削減し、反転などの操作を低減した生産性の高い高輝度研削法の提供。 - 特許庁

To provide a heat treatment apparatus and a method of heat treatment in which optical fiber reinforcement members of a various dimensions are adjusted to appropriate heating forms in the heat treatment of the optical fiber reinforcement members using a plane heat generation body, and the temperature rise of a non-contacted part is suppressed.例文帳に追加

面状発熱体を用いた光ファイバ補強部材の加熱処理で、種々の大きさの光ファイバ補強部材に対して、適正な加熱形状に調整することができ、また、非接触部分の温度上昇を抑制した加熱処理装置及び加熱処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a water curable urethane resin composition which has a low viscosity in production, transfer and blending, but and does not sag when applied to an unhorizonal plane, and to provide a coating, a coating material, a sealing medium, and an adhesive made of the composition, and a method of producing their cured products.例文帳に追加

製造、移送、混合までは低粘度であり、これを水平でない面に施工するとき垂れ落ちないようになる水反応硬化型ウレタン樹脂組成物、及びこれからなる塗料、コーティング材、シーリング材、接着剤と、その硬化物の製法との提供が望まれている。 - 特許庁

A first insulating diamond layer 2 of high orientation is formed by a vapor phase synthesis method on a low resistance silicon substrate 1 whose surface is (001) plane, and a conductive diamond layer 3 is formed so as to cover the first insulating diamond layer 2 and to be in contact with the substrate 1.例文帳に追加

表面が(001)面である低抵抗シリコン基板1上に、気相合成法により高配向性の第1の絶縁性ダイヤモンド層2を形成し、この第1の絶縁性ダイヤモンド層2を覆い、基板1と接触するように導電性ダイヤモンド層3を形成する。 - 特許庁

To provide a method and device for dressing an abrasive cloth allowing uniform and efficient dressing within a plane of the abrasive cloth stuck to a polishing plate of a wafer polishing device to obtain a wafer of high quality with desired flatness with good yield in the wafer polishing device.例文帳に追加

ウエハ研磨装置において、所望の平坦度の高品質のウエハを歩留よく得るため、ウエハ研磨装置の定盤に貼付された研磨布の面内において、均一かつ効率的にドレッシングすることができる研磨布のドレッシング方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor optical device which is capable of preventing an intermediate semiconductor layer containing aluminum from forming an aluminum compound in an atmosphere containing oxygen, and making the top plane of a stripe and the width of the intermediate layer compatible with each other in a practical range.例文帳に追加

アルミニウムを含む中間半導体層が酸素を含む雰囲気でアルミニウム化合物を形成するのを防止し、しかもストライプ頂面と中間半導体層の幅を実用的な範囲で両立させることのできる半導体光デバイスの製造方法を提案する。 - 特許庁

To provide a wall structure using a small piece-shaped member such as a brick or the like and its construction method capable of constructing a beautiful wall having the surface with high accuracy, also having high earthquake resistance, yet reducing the kinds of members to be used and having high workability for both plane section and corner section within a short period of time at a low cost.例文帳に追加

面精度がすぐれ、耐震性もよく、それでいて使用する部材種類も少なくかつ平面部およびコーナー部ともに施工性がよく、美麗な壁を短期間で安価に築造することができるレンガ等小片状部材を用いた壁構造およびその施工方法を提供する。 - 特許庁

To improve the lateral-directional mechanical strength of an extra-fine wire because a conventional extra-fine wire cut on a plane is inferior a little in lateral- directional mechanical strength, as to a method for terminal work for the extra-fine wire such as a magnet wire using a soldering wire or a soldering ball, and as to a touch sensor comprising the extra-fine wire.例文帳に追加

半田線又は半田ボールを用いたマグネットワイヤ等の極細ワイヤの端末加工方法及びその極細ワイヤからなるタッチセンサーに関し、従来の平面上に切断した極細ワイヤは、横からの機械的強度に若干劣るので、その機械的強度を改善したものである。 - 特許庁

To provide a susceptor wherein the bottoms of counterbores are formed into spherical concaves which are close to a concave curved surface into which a workpiece is bent due to its dead weight, which can prevent the slippage of the workpiece when it is carried in and placed, and which can heat the workpiece with a high in-plane uniformity; and also to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ザグリ部の底面を被処理物が自重で撓んだ状態の凹曲面形状に近い球面凹形になすと共に、かつ被処理物の搬入載置時における滑りを回避し、更に被処理物の面内均一性の高い加熱ができるサセプタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming an oxide film on a semiconductor wafer preventing the reformation of a natural oxide film due to an extraction to the outside of the oven of the wafer from which the natural oxide film is removed, and solving the deterioration of the in-plane film-thickness uniformity of the oxide film resulting from impurities contained in the natural oxide film.例文帳に追加

自然酸化膜を除去したウェーハの炉外への取り出しによる自然酸化膜の再形成を防ぎ、しかも自然酸化膜に含まれた不純物に起因する酸化膜の面内膜厚均一性の低下を解消する半導体ウェーハの酸化膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor substrate and a method of manufacturing the same for preventing a carrier from diffusing into a double hetero-structure to uniformize an in-plane carrier concentration distribution, thereby reducing dispersion of light emission life, and manufacturing a long-life light emitting element.例文帳に追加

ダブルヘテロ構造中にキャリアが拡散することを抑制して面内キャリア濃度分布を均一なものとでき、これによって発光寿命のバラツキが小さく、かつ長寿命な発光素子を製造することのできる化合物半導体基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The substrate device 10 and the substrate assembling method are characterized in that after the substrates 11, 12 to be divided are constituted in one sheet plane and wire jumpers 13 are clinched and electrically connected to the substrates 11, 12 across border parts obtained by dividing the substrates, the substrates 11, 12 are pulled and raised at those border parts to be bent.例文帳に追加

基板装置10及び基板組立方法は、分割対象基板11,12をシート一面で構成し、分割して得る境界をまたいでワイヤジャンパー13を基板11,12にクリンチして電気的に接続した後に、それらの境界部分で基板11,12を寄せ起こして折り曲げた。 - 特許庁

This method of cutting a heat development photosensitive material comprises first slitting the long heat development photosensitive material in the longitudinal direction and then cutting it at preset lengths in the cross direction by using an upper cutter 51 and a lower cutter 52 to obtain a rectangular sheet, wherein a rectangular short side is a slit plane.例文帳に追加

長尺状の熱現像感光材料をまず長さ方向にスリットし、次いで幅方向で上刃51と下刃52を用いて所定長さ毎に切断して矩形シートを得る方法において、矩形の短辺側をスリット面とすることを特徴とする熱現像感光材料の切断方法。 - 特許庁

To provide a method for estimating a plane in a range image, and a range image camera, clearly separating the leg of a person from a floor surface with a small amount of computation even if a contact surface of the leg of the person and the floor surface is included in the imaged range image.例文帳に追加

撮像された距離画像に人体の足と床面との接地面などが含まれている場合であっても、人体の足と床面とを少ない計算量で明確に分離できるような距離画像における平面推定方法および距離画像カメラを提供する。 - 特許庁

To provide a method to produce a tip saw of a sufficient quality, using hollow face type tips, wherein, when a material tip is brazed at each tooth part of a base, a cutting face side is turned down on a plane face so that it is easily stabilized when supported by each blade part, and thereby an accurate blazing is carried out.例文帳に追加

基盤の各歯部に材料チップを蝋付けする際に、平面上ですくい面側を伏せるように各刃部で支えるときに安定しやすいようにし、精密な蝋付けができるようにして、ホローフェイス型チップを使用した十分な品質のチップソーを制作できるようにする。 - 特許庁

To provide a carrier for a double-side polishing apparatus, a double-side polishing apparatus and a double-side polishing method which suppress deterioration in the shape of a chamfered portion of a wafer, and the occurrence of scratches in the plane of the wafer and the chamfered portion while preventing the breakage of a peripheral edge of the wafer.例文帳に追加

ウェーハの周縁部の破損を防ぎつつ、ウェーハの面取り部の形状悪化及びウェーハの面内や面取り部におけるスクラッチの発生を抑制できる両面研磨装置用キャリア及び両面研磨装置並びに両面研磨方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

例文

The first seed 2 whose C-axis is oriented to the direction of an arrow head C is prepared (step 1), and then by using a pulling-down method, a parallel plane with the C-axis at the first seed 2 and a leakage part of the raw material melt are contacted and growth of a crystal is started from the contact part (step 2).例文帳に追加

C軸が矢印Cの方向に配向する第1のシード2を準備し(ステップ1)、続いて引下げ法を用い、第1のシード2におけるC軸と平行な平面と原材料融液の漏出部とを接触させ、接触部分より結晶の成長を開始する(ステップ2)。 - 特許庁




  
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