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surface stepの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 6410件
A first step 24 corresponding to the loft angle θ1, and a second step 26 corresponding to the loft angle θ2, which are abutted on the crown side peripheral edge part of the face member 14, are formed on the surface of the crown side projection 20, which faces the sole side projection 22.例文帳に追加
クラウン側突出部20のソール側突出部22に対向する面には、フェース部材14のクラウン側周縁部と当接し、ロフト角θ1に対応する第1段部24とロフト角θ2に対応する第2段部26とが形成される。 - 特許庁
Both side adhesive layers are provided on the first and second surfaces, and integrity of the step difference correction device and the side parts 23 is secured by these adhesive layers, and it is possible to fix them wholly over the lower step surface F1.例文帳に追加
第1及び第2の面には両面接着層30が設けられており、この接着層30により段差補正装置10とサイドパーツ23との一体性が確保されるとともに、これらを全体的に下段面F1に固定することができる。 - 特許庁
The manufacturing method of the laminated core is characterized by including: a step for forming an adhesive filling space on the surface of the metal plate; a step for applying the adhesive into the adhesive filling space; a step for punching out the core pieces from the metal plate; and a step for laminating the core pieces and integrating them with the adhesive applied to the adhesive filling space.例文帳に追加
本発明に関わる積層鉄心の製造方法は、金属板の表面に接着剤充填空間部を形成する工程と、接着剤充填空間部に接着剤を付ける工程と、金属板から鉄心片を外形抜きする工程と、鉄心片を積層するとともに接着剤充填空間部に付けられた接着剤により鉄心片同士を互いに一体化する工程とを含んで成ることを特徴とする。 - 特許庁
The cleaning method and cleaning apparatus includes: a step for preparing silicon for semiconductor materials; a step for preparing pure water by performing reverse osmosis purification treatment and ion exchange purification treatment; a step for cleaning the silicon for semiconductor materials using the pure water; and a step for obtaining silicon for semiconductor materials wherein amounts of aluminum and iron remaining on the surface of the silicon after pure water cleaning are reduced by the cleaning.例文帳に追加
半導体材料用シリコンを用意する工程と、逆浸透精製処理と、イオン交換精製処理とを行った純水を用意する工程と、前記純水を用いて半導体材料用シリコンを洗浄する工程と、前記洗浄によって、純水洗浄後のシリコン表面に残留するアルミニウムおよび鉄が低減された半導体材料用シリコンを得る工程と、を含む洗浄方法および洗浄装置。 - 特許庁
In a first step of a step of forming a panel, a bus electrode forming material layer 13 is formed on a dielectric film 12 formed on a support film 11 by the ink jet method, and in a second step, the film 12 formed with the layer 13 is transferred to the surface of the substrate 1, and in a third step, the layer 13 and the film 12 are simultaneously baked.例文帳に追加
パネル形成工程の中の第1の工程で、支持フィルム11上に形成された誘電体フィルム12の上に、インクジェット法によりバス電極形成材料層13を形成し、第2の工程で、バス電極形成材料層13が形成された誘電体フィルム12を基板1の表面に転写し、第3の工程で、バス電極形成材料層13及び誘電体フィルム12を同時焼成する。 - 特許庁
The method includes a step of filling a wiring groove or a contact hole, by stacking a wiring metal in the wiring groove or the contact hole formed on the insulation film on a semiconductor substrate, a step for exposing the insulating film by polishing the wiring metal, a step of cleaning the semiconductor substrate, and a step for recess etching the surface of the wiring metal embedded in the wiring groove or the contact hole.例文帳に追加
半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝又はコンタクト孔に配線金属を堆積して前記配線溝又はコンタクト孔に充填する工程と、前記配線金属を研磨して前記絶縁膜を露出する工程と、前記半導体基板を洗浄する工程と、前記配線溝又はコンタクト孔に埋め込まれた前記配線金属表面をリセスエッチングする工程を有している。 - 特許庁
The method for forming the compound insulation layer includes a step to form on a metallic foil 1 an adhesive layer 2 containing a partly imidic polyamide acid, a step to apply a solution 3 containing a polyamide acid to the surface of the adhesive layer 2, a step to separate the phase of the applied solution 3 and form a porous layer 4, and a step to convert the adhesive layer 2 and the porous layer 4 into imide.例文帳に追加
部分イミド化されたポリアミド酸を含有する接着層2を金属箔1上に形成する工程と、その接着層2の表面にポリアミド酸を含有する溶液3を塗布する工程と、前記塗布した溶液3を相分離させて多孔質層4を形成する工程と、前記接着層2および多孔質層4のイミド転化を行う工程とを含む複合絶縁層の形成方法。 - 特許庁
This method for manufacturing a cable by gravure printing comprises a step printing an overcoat material as a lower covering material to a basal surface (S10), a step printing conductive ink as a core wire (S11), a step printing insulating ink around the conductive ink (S12), and a step printing the overcoat material as an upper covering material (S14) to cover the conductive ink and the insulating ink.例文帳に追加
グラビア印刷によって、ケーブルを製造する方法であって、基底面に下部被覆材としてのオーバーコート材を印刷するステップ(S10)と、芯線としての導電性インクを印刷するステップ(S11)と、導電性インクの周辺に絶縁性インクを印刷するステップ(S12)と、導電性インク及び絶縁性インクを覆うように、上部被覆材としてのオーバーコート材を印刷するステップ(S14)等を含む。 - 特許庁
The method includes a step of forming the element separation groove 2 having a crystal orientation different from that of a surface of the semiconductor substrate 1 in the semiconductor substrate 1, a step of depositing a metal 3 accelerating generation of an oxygen radical or a film containing the metal 3 on the semiconductor substrate 1, a step of oxidizing the semiconductor substrate 1, and a step of removing the metal or the metal-containing film.例文帳に追加
半導体基板1に半導体基板1表面とは異なる結晶面方位有する素子分離溝2を形成する工程と、半導体基板1上に酸素ラジカル発生を促進する金属3又は酸素ラジカル発生を促進する金属3を含む膜を堆積する工程と、半導体基板1を酸化する工程と、金属または金属を含む膜を除去する工程とを有する。 - 特許庁
The arrowroot fiber is obtained by the following process, which comprises the step of obtaining bast tissue from arrowroot stems, the step of boiling the bast tissue, the step of separating the boiled bast tissue into bast layer and bast fiber by spontaneous fermentation by sundry germs, and the step of immersing the resultant bast fiber in a solution incorporated with at least cellulase to improve the surface smoothness of the bast fiber.例文帳に追加
本発明の光沢度を向上させた葛繊維の製法は、葛の茎から靭皮組織を得る工程、得られた靭皮組織へ煮沸する工程、煮沸した靭皮組織を雑菌による自然発酵法により靭皮層と靭皮繊維とに分離する工程、及び、得られた靭皮繊維を、少なくともセルラーゼを加えた溶液に浸漬し、繊維の表面の平滑性を高める工程により製造するものである。 - 特許庁
A forming method of a plated layer comprises a step of providing a rough surface with a metal foil coated with a primer resin layer, a step of transferring the primer resin layer with roughness to an insulation layer, a step of reducing the primer resin layer for removing an anti-rust material remaining in the metal foil, and a step of plating the primer resin layer with roughness.例文帳に追加
本発明によるメッキ層の形成方法は、粗さが形成された一面に、プライマー樹脂層がコーティングされた金属箔を提供するステップと、粗さが形成されたプライマー樹脂層を絶縁層に転写するステップと、残存する金属箔の防錆物質を除去するためにプライマー樹脂層を還元処理するステップと、粗さが形成されたプライマー樹脂層にメッキを施すステップとを含むことを特徴とする。 - 特許庁
The production process of FPC comprises a step for forming a desired circuit on the copper foil of a copper clad plate where a copper foil is laminated on one or both sides of the insulation film layer, a step for forming a bending groove by mechanical technique at least at one position of the insulation film layer, and a step for laminating a coverlay on the circuit forming surface after each step.例文帳に追加
絶縁フィルム層の一方の面又は両方の面に銅箔が積層された銅張積層板の該銅箔に所望の回路を形成する工程と、前記絶縁フィルム層の少なくとも1箇所に、機械的手法によって折り曲げ用の溝を形成する工程と、前記各工程の後に、前記回路形成面にカバーレイを積層してFPCを得ることを特徴とするFPCの製造方法。 - 特許庁
To provide a surface smoothing method for a silicon wafer before final polishing capable of previously improving the flatness of a wafer surface after rough polishing before final polishing when the final polishing is applied to the surface of the silicon wafer after the rough polishing is applied and stably securing the surface characteristic of the wafer after the final polishing in a manufacturing step of the silicon wafer, and a surface smoothing device for the method.例文帳に追加
シリコンウェーハの製造工程において、シリコンウェーハ表面に粗研磨を施した後に仕上研磨を施すに際し、粗研磨後のウェーハ表面の平坦度を仕上研磨前に事前に改善し、仕上研磨後のウェーハの表面特性を安定して確保することができる仕上研磨前シリコンウェーハの表面平坦化方法およびその表面平坦化装置を提供する。 - 特許庁
After the process of flattening the uppermost surface ISF, the uppermost surface ISF of the first interlayer insulation film II4 in the pixel region PDR is flat, and a step HP2 is formed on the uppermost surface ISF of the first interlayer insulation film II4 in the peripheral region PCR.例文帳に追加
最上面ISFを平坦化する工程の後において、画素領域PDRにおける第1の層間絶縁膜II4の最上面ISFは平坦であり、周辺領域PCRにおける第1の層間絶縁膜II4の最上面ISFには段差HP2が形成されている。 - 特許庁
The method for manufacturing the glass substrate for the magnetic disk has a mirror surface machining step of applying mirror surface machining to an end surface part of a glass disk.例文帳に追加
携帯電話、デジタルカメラ、携帯型「MP3プレイヤ」、PDA等の携帯情報機器や、「カーナビゲーションシステム」など車載用機器にも搭載できるように、例えば、外径30mm以下の小型磁気ディスクとして構成しても、安定した動作を実現できる磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスクを提供する。 - 特許庁
The first step enables a contact of a pattern (2) of the template (1) surface with a polymer material (3) containing one or more Cyclic Olefin Copolymers (COCs) to produce a flexible polymer replica having a structural surface with an inverse of the pattern (2) of the template (1) surface.例文帳に追加
第一工程では、テンプレート1表面のパターン2を、一種以上の環状オレフィン共重合体(COC)を含んでなる重合体材料3と接触させ、テンプレート1表面のパターン2と逆の構造化された表面を有する可撓性重合体レプリカを製造する。 - 特許庁
The semiconductor device manufacturing method includes the step of polishing a second surface 6 opposite to the first surface 4 of a semiconductor wafer 2 where a plurality of integrated circuits 10 are formed on the first surface 4, and then forming a resin layer 12 on the circumference 8 of the semiconductor wafer 2.例文帳に追加
半導体装置の製造方法は、第1の面4に複数の集積回路10が形成された半導体ウエハ2の、第1の面4とは反対の第2の面6を研削すること、及び、その後、半導体ウエハ2の周縁部8に樹脂層12を形成すること、を含む。 - 特許庁
The manufacturing method of the glass substrate for the magnetic disk has a mirror surface working step for performing mirror surface working of an end surface part of a glass disk.例文帳に追加
携帯電話、デジタルカメラ、携帯型「MP3プレイヤ」、PDA等の携帯情報機器や、「カーナビゲーションシステム」など車載用機器にも搭載できるように、例えば、外径30mm以下の小型磁気ディスクとして構成しても、安定した動作を実現できる磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスクを提供する。 - 特許庁
When the solid-state image sensing device is to be manufactured by forming a photoelectric conversion element or the like at one surface side of a semiconductor substrate, a step is formed between a light incidence surface out of the surfaces of the photoelectric conversion element and the surface of the semiconductor substrate around the photoelectric conversion element.例文帳に追加
半導体基板の一表面側に光電変換素子等を形成して固体撮像装置を作製するにあたって、光電変換素子表面のうちの光入射面と光電変換素子周囲の半導体基板表面との間に段差を形成する。 - 特許庁
A primer resin 2 is applied to the surface 1 of a structure, and a temporal adhesive 3 is applied to the coated surface, and then a reinforcing fiber sheet 4 is impregnated with an adhesive resin 5 while the reinforcing fiber sheet 4 is made to temporally adhere, and, as the last step, a top coating resin 6 is applied to perform surface finishing.例文帳に追加
構造物表面1にプライマー樹脂2を塗布した後、その表面に仮着剤3を塗布し、その後、補強繊維シート4を仮着しながら該補強繊維シート内に接着剤樹脂5を含浸させ、最後にトップコート樹脂6を塗布して表面仕上げを行う。 - 特許庁
The method includes a step of heating the surface to be treated S in a state that a heat resistance member 21 which is impregnated with a metal-containing liquid material of a film formability contacts with the surface to be treated S of a workpiece W to form the film on the surface to be treated S.例文帳に追加
被膜形成性の金属含有液状物質が含浸されている耐熱性部材21をワークWの被処理面Sに接触させた状態で当該被処理面Sを加熱することにより、当該被処理面S上に被膜を形成する工程を含む。 - 特許庁
A method for manufacturing a glass substrate for a magnetic disk includes a polishing step for polishing a main surface of a glass substrate by sandwiching the glass substrate between a pair of surface plates each having a polishing pad on its surface and supplying a polishing liquid containing polishing abrasive grains between the glass substrate and the polishing pads.例文帳に追加
ガラス基板を、表面に研磨パッドが配備された一対の定盤で挟み、ガラス基板と研磨パッドとの間に研磨砥粒を含む研磨液を供給することでガラス基板の主表面を研磨する研磨工程を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法である。 - 特許庁
A facing part (step part 31b) facing the upper end surface 6a of the valve seat member 6 is formed on the inside surface of the body part 31, and the distance α between the facing part and the upper end surface 6a of the valve seat member 6 is set smaller than a stroke amount β of the valve element 5.例文帳に追加
そして、ボディ部31の内面に、弁座部材6の上端面6aと対向する対向部(段差部31b)を設け、対向部と弁座部材6の上端面6aとの間の距離αを、弁体5のストローク量βよりも小さくなるように設定する。 - 特許庁
Under the condition that a thin film forming surface 12 of a substrate 1 is provided facing an insulation film 21 formed on the surface of a quartz plate 2, the insulation film 21 is closely brought into contact with the thin film forming surface 12 by approximating the substrate 1 and quartz plate 2 to each other (step S3: close contact process).例文帳に追加
石英板2の表面に形成された絶縁膜21に対して基板1の薄膜形成面12を対向配置させた状態のまま、基板1および石英板2に相互に近接移動させて絶縁膜21を薄膜形成面12に密着させる(ステップS3:密着処理)。 - 特許庁
The method for manufacturing a surface emitting laser including a surface relief structure provided on laminated semiconductor layers, includes a step of transferring, to a first dielectric film, a first pattern for defining a mesa structure and a second pattern for defining the surface relief structure in the same method.例文帳に追加
積層された半導体層の上に表面レリーフ構造を備えた面発光レーザであって、第一の誘電体膜に、メサ構造を画定するための第1のパターンと前記表面レリーフ構造を画定するための第2のパターンを同一工程により転写する工程を有する。 - 特許庁
A locking tool insertion hole 20 formed by opening in the upper surface of the block, a locking section turning space 21 formed in the lower surface of the block and a locking section locking surface 22 formed by an uneven step between the locking section turning space and locking tool insertion hole are formed in the locking hole.例文帳に追加
係止穴には、ブロック上面に開口して形成された係止具挿入穴20と、ブロック下面に形成された係止部旋回空間21と、この係止部旋回空間と係止具挿入穴との段差によって形成された係止部係合面22が形成されている。 - 特許庁
A pair of step parts 10a, 10a is formed so as to slightly recess from the surface on both side edges on the outer surface of a rear cover 10 in order to mount so as to interpose a pair of projecting guide parts formed on the joining surface of a video camera or the like or at the side edge of an adaptor plate.例文帳に追加
リアカバー10の外面の両側縁に、ビデオカメラ等の結合面またはアダプタプレートの側縁に設けられる一対の突起状のガイド部を挟み込むように装着するため、外面の表面より凹むように一対の段部10a、10aを設ける。 - 特許庁
Then, an impurity diffusion step is performed to dispose a heating device 920 such as a laser annealing device, a heat gas annealing device, or a lamp annealing device on the one surface 10s side and heat the semiconductor layer 1a with the temperature on the one surface 10s side being higher than that on the other surface 10t side.例文帳に追加
その後、不純物拡散工程において、一方面10s側にレーザーアニール装置、ヒートガスアニール装置、ランプアニール装置等の加熱装置920を配置し、一方面10s側を他方面10t側より温度を高くした状態で半導体層1aを加熱する。 - 特許庁
An annular end surface of the second valve seat 5 is partially covered by a second block 62 protruded on the annular end surface of the second valve seat 5, and thereby, an area of a second step surface 92 formed between an exhaust gas flow passage 54 and a second flow passage hole 12 is reduced.例文帳に追加
そして、第2バルブシート5の環状端面上に張り出した第2ブロック62によって、第2バルブシート5の環状端面を部分的に被覆することで、排気ガス流路54と第2流路孔12との間に形成される第2段差面92の面積を小さくしている。 - 特許庁
To provide: a method of growing a gallium nitride-based compound semiconductor, using a substrate made of a diboride single crystal having on its surface an atomic step linear as a whole and a flat terrace without pits and projections on its surface, and to provide a method of processing the surface of a substrate made of a diboride single crystal.例文帳に追加
全体が直線状の原子ステップ及び表面に凹凸のない平坦なテラス部を表面に有する二硼化物単結晶から成る基板を用いた窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法、及び二硼化物単結晶から成る基板の表面処理方法を提供すること。 - 特許庁
Under the condition that a thin film forming surface 12 of substrate is provided opposed to an insulation film 21 formed at the surface of a quartz plate 2, the insulation film 21 is closely stuck to the thin film forming surface 12 through mutual approximate movement to the substrate 1 and quartz plate 2 (step S3: close sticking process).例文帳に追加
石英板2の表面に形成された絶縁膜21に対して基板1の薄膜形成面12を対向配置させた状態のまま、基板1および石英板2に相互に近接移動させて絶縁膜21を薄膜形成面12に密着させる(ステップS3:密着処理)。 - 特許庁
In one aspect, the above method contains a step, in which the concentration of metal ions in the electrolyte solution contained in the feature on the plating surface is enhanced by impressing the voltage between an anode and the plating surface, and then the bulk deposition on the plated surface is performed.例文帳に追加
一態様において、前記方法は、陽極と前記めっき表面間に電圧を印加して前記めっき表面上に態様に含まれる前記電解液中の金属イオンの濃度を高めた後に、前記めっき表面上に前記バルク堆積させるステップを含む。 - 特許庁
In the transferring step, the molten glass lump GA on the reception surface 211 is transferred to the molding surface 311 while keeping a state being in contact with the molding surface 311 by rotating the reception mold 20 or the reception mold 20 and the molding mold 30 while the reception mold 20 and the molding mold 30 are approaching each other.例文帳に追加
移送工程では、受け型20及び成形型30を互いに近接しつつ、受け型20、又は受け型20及び成形型30を回転することで、受け面211上の溶融ガラス塊GAを、成形面311に接触する状態を維持しつつ成形面311へと移す。 - 特許庁
Thus a recessed part caused by solidification and shrinkage is prevented from occurring in the welding time on the surface 1b opposite to the joint surface of the plate-like base material and the joint surface side of the plate-like base material 1 is prevented from deforming in a step, and a post treatment work is not required as a result.例文帳に追加
これにより、板状母材1の接合反対面1bに溶接時の凝固収縮による窪みが生じたり、板状母材1の接合面側に段差状に変形するのが防止され、結果、接合反対面1bの後処理加工などが不要となる。 - 特許庁
In an LED array 110, a metal wiring 150 having a belt-shaped part 154 which intersects a step-difference 116 and spans across the surface of a middle insulating film 140 and an exposed part of the surface of a diffusion mask layer 130 is formed on an electrode forming surface 118 in an LED element 110.例文帳に追加
LED素子110において,電極形成面118上には,段差116を横切りつつ中間絶縁膜140表面と拡散マスク層130表面の露出部分とにまたがる帯状部分154を有する金属配線150が形成される。 - 特許庁
A first outside gas hole 144a is opened to a first corner part 144b, and an angle formed by an outer aperture surface of the first outside gas hole 144a and the bottom of a step part 145 is 45° and an angle formed by an inner peripheral surface of the first outside gas hole 144a and the outer aperture surface is 90°.例文帳に追加
第1外側ガス孔144aが第1角部144bに開けられており、第1外側ガス孔144aの外部開口面と段差部145の底面とのなす角が45°且つ第1外側ガス孔144aの内周面と外部開口面とのなす角が90°となっている。 - 特許庁
The outer diameter of the distal end section of the material 13 is contracted to form the minor diameter-side cylindrical surface portion 33 and a step, and a bottomed recessed hole 35 opened to the center of the distal end surface is also formed at a portion closer to the distal end of the center of the minor diameter-side cylindrical surface portion 33.例文帳に追加
そして、この素材13の先端部の外径を縮めて、前記小径側の円筒面部33及び段部を形成すると同時に、この小径側の円筒面部33の中心部の先端寄り部分に、前記先端面の中央部に開口する有底の凹孔35を形成する。 - 特許庁
In the method of manufacturing the optical film 1 including the step of providing the hard coat layer 12 on one surface of the transparent resin film 11, solvent treatment is performed to the optical film backside which is a surface opposite to the surface having the hard coat layer 12 formed thereon.例文帳に追加
透明樹脂フィルム11の片面にハードコート層12を設ける工程を有する光学フィルム1の製造方法において、前記ハードコート層12が設けられる面とは反対面の光学フィルム裏面に対し、溶剤処理を行うことを特徴とする光学フィルムの製造方法。 - 特許庁
If a particle is the free surface particle in a previous time step, or if the particle is near the free surface particle and the particle number density within the predetermined range based on a particle subjected to the determination is lower than the predetermined threshold, the particle is determined to be positioned on the free surface.例文帳に追加
そして、以前のタイムステップで自由表面粒子であったか、もしくは自由表面粒子付近にあり、かつ、判定対象のある粒子を基準とする所定範囲内の粒子数密度が所定の閾値よりも小さい場合には、その粒子を自由表面に位置するものとして判定する。 - 特許庁
To provide a method for forming a Bi system ferroelectric thin film in which phenomena such as surface roughening and clouding are not caused to the surface of a coating film after a coating step and a ferroelectric thin film having high dielectric strength and uniformity of electrical characteristics in the surface of a substrate can be formed on the substrate.例文帳に追加
塗布工程後の塗布膜表面に、表面荒れや白濁などの現象を起こさず、耐電圧が高く、電気特性が基板面内において均一な強誘電体薄膜を形成するができるBi系強誘電体薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁
In the temporary bonding step, the resin film 220 is arranged having a recess 240 directed to a surface as an active surface 120 of the electronic component, and then the resin film 220 is fused to fill the recess 240 with a fused resin material and to temporarily bond the resin film 2209 to the active surface 120.例文帳に追加
仮接着工程で、樹脂膜220を電子部品の能動面120となる面に凹部240を向けて配置した後に、樹脂膜220を溶融して溶融した樹脂材料を凹部240に充填するとともに樹脂膜220を能動面120に仮接着する。 - 特許庁
To improve the efficiency of a step of cutting the surface of a surface drawn layer and finally adjusting the transmitted flow rate by stabilizing the property of the surface drawn layer of a porous static pressure gas bearing, and to stabilize the quality of the porous static pressure gas bearing.例文帳に追加
多孔質静圧気体軸受の表面絞り層の性状を安定させることによって、表面絞り層の表面を切削して透過流量を最終的に調整する工程の能率を改善するとともに、製造される多孔質静圧気体軸受の品質を安定させる。 - 特許庁
To provide a spherical surface motor capable of increasing the amount of spherical surface operation by solving the problem of a decrease in torque of its own axis during rotation of the other axis, and causing a spherical rotor to perform spherical surface operation at a high angle acceleration by an easy operation without causing step-out, and to provide a highly accurate method for manufacturing the motor.例文帳に追加
本発明は、他軸回転時の自軸のトルク減少問題を解消し、球面動作量を大きくすることができるとともに、容易な制御で脱調させることなく、球状ロータを高角加速度で球面動作させる球面モータと精度良い製造方法を提供する - 特許庁
A recess-projection surface part 41 having a step height ΔD in the axial direction is arranged in the peripheral direction in one of opposed surface parts 8a and 9a opposed so that the electromagnetic body 8 and the drum 9 can slidingly contact, and a moving piece 42 slidingly contacting with the recess-projection surface part 41 is movably arranged in the axial direction in the other.例文帳に追加
電磁ブレーキ体8とドラム9とが摺接可能に対向する対向面部8a,9aの一方に、軸方向に段差ΔDを有する凹凸面部41を周方向に沿って設け、他方に、凹凸面部41に摺接する可動子42を軸方向に移動可能に設ける。 - 特許庁
The step 1 is composed of a first arm 12 and a second arm 14 rotatably supported at a vehicle body lower portion, and a tread surface 15 supported by the arms 13, 14.例文帳に追加
ステップ1を、車体下部に回動自在に支持された第一アーム13及び第二アーム14と、両アーム13,14に支持された踏み面15とで構成する。 - 特許庁
To provide front structure of a vehicle, applicable to various kinds of vehicle and capable of surely preventing a collision of a radiator with a road surface when getting down a step while going backward.例文帳に追加
種々の車両に適用でき、後退しながら段差を下りる際に、確実にラジエータと路面との衝突を防止可能な車両前部構造を提供する。 - 特許庁
To provide a decorate board and manufacturing method thereof which forms a sealing surface and the like with a uniform pattern while no gap or step at a joint part is obvious.例文帳に追加
一様な模様で天井面等を形成できるとともに、継ぎ目における隙間や段差が目立たない化粧板およびその製造方法を提供することにある。 - 特許庁
Then, the hardened conductive paste 8 on both faces of the board 3 and on the projected circuit form 6 is ground in a grinding step to expose the surface of the insulating layer.例文帳に追加
ついで、基板3の表裏両面上及び、凹型回路型6上の硬化した導電性ぺースト8を研磨工程により研磨して絶縁層の表面を露出させる。 - 特許庁
In the semi-hardening step, the frost formation suppressing film 22 formed by coating water repellent or droplet slidable agent on the surface of a plate base material 21 is formed in a semi-hardened state.例文帳に追加
半硬化工程は、板状の基材21の表面に撥水剤又は滑水剤を塗布することにより形成される着霜抑制被膜22を半硬化状態にする。 - 特許庁
The need of a step for sufficiently lowering surface roughness of the bolt, the washer, and the bolt fastening part before the bolt fastening is eliminated, so that processing steps are simplified.例文帳に追加
また、ボルト締結前にボルト、ワッシャー、ボルト締結部の表面粗度を十分に低下させておく工程が不要となり、処理工程を簡素化することが可能である。 - 特許庁
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