「surface- roughness」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide surface finishing equipment for a steel plate, capable of stably and efficiently applying surface roughness with high fineness and uniformity onto the surface of a metallic steel plate.例文帳に追加

金属鋼板の表面に緻密で均一性に優れた表面粗さを安定的かつ効率的に付与することが可能な鋼板の表面処理設備を提供する。 - 特許庁

The light-emitting surface 21b of the light-diffusing plate 21 has a surface roughness, in a range where glossiness in the measurement of the light-emitting surface 21b at 60° is 70% or higher, and 110% or lower.例文帳に追加

光拡散板２１の光出射面２１ｂが、該光出射面２１ｂの６０°測定における光沢度が７０%以上１１０%以下の範囲の面粗さを有する。 - 特許庁

To provide a toroidal type continuously variable transmission capable of improving surface roughness of a collar surface and reducing loss torque by easily applying polishing on the collar surface.例文帳に追加

容易につば面に研磨を施すことで、つば面の面粗度を向上させ損失トルクを小さくすることができるトロイダル型無段変速機を提供すること。 - 特許庁

Finishing is previously performed to the sliding surface 11A of the swash plate 11 over the whole (all area) thereof to form a smooth surface 20 restricted in surface roughness.例文帳に追加

斜板１１の摺動面１１Ａをその全体（全域）にわたって予め仕上げ加工を施すことにより、表面粗さが滑らかな平滑面２０を形成する。 - 特許庁

The surface roughness Ra of the connecting surface 15 of the upper surface of an upper electrode 7 to which the optical element 3 and the actuator 6 are connected, is set in the range of about 0.2 μ to 0.02 μ.例文帳に追加

光学素子３とアクチュエータ６とが接続する上電極７の上面の接続面１５の面粗度Ｒａを０．０２μから０．２μ程度の範囲する。 - 特許庁

For the method of preventing variance in characteristics due to the recessed and projecting parts of a surface, a film is formed on a base material having the surface roughness (Ra) of a substrate 1 surface set equal to 0.05 μm or lower.例文帳に追加

基板の凹凸による特性のばらつきを防ぐ方法としては、成膜する基板表面の表面粗さ（Ｒａ）が０．０５μｍ以下の母材に成膜する。 - 特許庁

The curved surface and the end surface of the substrate have surface roughness in the range of 4.0 Å≤Ra≤100 Å, preferably 4.0 Å≤Ra≤50 Å as measured by means of the AFM.例文帳に追加

さらに、この曲面や基板端面の表面粗さもＡＦＭで４．０Å≦Ｒａ≦１００Å、好ましくは４．０Å≦Ｒａ≦５０Åとする。 - 特許庁

The frame section 1b is at least equipped with a 1st flat surface section and a 2nd flat surface section having different surface roughness with each other at least on one face of the optical element.例文帳に追加

光学素子１の少なくとも一方の面において、枠部１ｂは表面粗さが互いに異なる第１平面部及び第２平面部を少なくとも備える。 - 特許庁

To provide a cutting method and a cutting device for a roll material that offer appreciable surface roughness of a machined surface of a roll material and leave no flaws in the surface.例文帳に追加

ロール材の仕上げ面の表面粗度を良好にするとともに、表面に傷の残らないロール材の切削方法及びその切削装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The paper conveying roller for use in feeding or conveying paper sheets has a polishing surface with a surface roughness RZ of 90 μm to 140 μm on its roller surface.例文帳に追加

紙葉類の給紙または搬送に用いられる給紙搬送用ロールであって、ロール表面に、表面粗さＲ_Zが９０μｍ〜１４０μｍの研磨面を有する。 - 特許庁

The contacting surface of the Ti layer 121 and the SiO_2 film 11 is accompanied by the interface of a rough surface T, obtained by positively increasing the surface roughness of the SiO_2 film 11.例文帳に追加

Ｔｉ層１２１とＳｉＯ_2膜１１との接触面に関しＳｉＯ_2膜１１の表面粗さを積極的に大きくした粗面Ｒの界面を伴っている。 - 特許庁

A method of mounting the electronic component comprises the steps of making the surface of an electrode 2 of the printed substrate roughened 1, and thereby preferably forming a rough surface having a surface roughness Ra of 0.06 to 10 μm.例文帳に追加

プリント基板の基板１の電極２の表面に、粗面化処理を施すことにより、好ましくは、表面粗さＲａ０．０６〜１０μｍの粗面を形成する。 - 特許庁

An inner diameter surface 2 of an outer ring 1 and an outer diameter surface of an inner ring, and a seal groove 3 comprising shallow and smooth grooves 5, 5... are set to have surface roughness of 1.6 μmRa or less.例文帳に追加

外輪１の内径面２と内輪外径面の双方およびシール溝３の夫々の表面粗さを、１．６μｍＲａ以下の浅くなだらかな溝５，５…形状とした。 - 特許庁

The surface 3 of the grain bonding layer 2 has a mean surface roughness in a range of 0.02 to 0.22 μm, and the abrasive layer 4 is formed on the surface 3 of the grain bonding layer 2.例文帳に追加

粒子固定層２の表面３の平均表面粗度は０．０２〜０．２２μｍの範囲にあり、この粒子固定層２の表面３に研磨層４が形成される。 - 特許庁

In the electrolytic polishing step, a smooth surface with a surface roughness of 0.5-3 nm can be formed by dissolving the surface part of the grating by 5-15 μm toward the inner direction.例文帳に追加

電解研磨工程は、グレーチングの表面部を内部方向へ５〜１５μｍ溶解して、表面粗度が、０．５〜３ｎｍの平滑面を形成させることができる。 - 特許庁

In the optical fiber array, surface roughness Ra on the incident end surface or the outgoing end surface in an optical incident part where an optical fiber is allowed to converge is made to be ≥10 μm.例文帳に追加

また、光ファイバアレイの光ファイバが配列された光出射部における出射端面の表面粗さＲａを１０μｍ以上とした光ファイバアレイ。 - 特許庁

Surface roughness of the adsorbing surface 29 of the transfer collet 22 and the disposing surface 25 of the intermediate collet 26 are larger than those of the surfaces 24a, 24b of the semiconductor chip 23.例文帳に追加

搬送コレット２２の吸着面２９および中間コレット２６の載置面２５の表面粗さは、半導体チップ２３の表面２４ａ，２４ｂの表面粗さよりも大きい。 - 特許庁

The surface of the steel sheet is irradiated with an electron beam prior to primary recrystallization annealing, and the surface of the steel sheet is made a flat surface having arithmetic average roughness RA of ≤0.15 μm.例文帳に追加

一次再結晶焼鈍に先立ち、鋼板の表面に電子線を照射することにより、鋼板の表面を算術平均粗さRaで0.15μｍ以下の平滑面とする。 - 特許庁

The rough-surface finish 7 is processed in one side 3 of the wafer 1 with different roughness in the front surface from that in the back surface, at a previous process of the cleavage process.例文帳に追加

劈開形成する加工工程の前の工程で、ウェハ１の片面３に、オモテ面とウラ面との表面粗さを異ならせる粗面化処理７を施した構造とする。 - 特許庁

To prevent difference in roughness of a processed surface for each surface due to a change of a machining condition according to a shape of work material when a curved surface work is performed using a ball end mill in a machining center.例文帳に追加

マシニングセンタでボールエンドミルよる曲面加工を行うとき、被削材の形状により、切削条件が変り、加工面の粗さが面により異なってしてしまう。 - 特許庁

Adjusting the surface roughness of the outer peripheral surface 11 of the roller shaft 10 to be within arithmetic average roughness Ra of 0.1 to 0.2 μm suppresses the increase in the contact area of the inner peripheral surface 22 of the rubber roller 20 and the outer peripheral surface 11 of the roller shaft 10 when the inner peripheral surface 22 of the rubber roller 20 wears out.例文帳に追加

ローラシャフト１０の外周面１１の表面粗さを、算術平均粗さＲａで０．１〜０．２μｍの範囲に調節することによって、ゴムローラ２０の内周面２１が摩耗したときのゴムローラ２０の内周面２２とローラシャフト１０の外周面１１との接触面積の増大を抑制する。 - 特許庁

To provide a new glass surface treatment liquid capable of making an even, uniform surface roughness, having no irritant odor, which is easy in concentration control and in handling in winter, and to provide a glass surface treatment method in which the even, uniform surface roughness is effectively formed by using the glass surface treatment liquid.例文帳に追加

ムラのない均一な凹凸を作ることができ、刺激臭がなく、濃度管理が容易で冬季の扱いも簡易な新規なガラス表面処理液及びこのガラス表面処理液を用いることによってムラのない均一な凹凸を効率よく作ることができるようにしたガラス表面処理方法を提供する。 - 特許庁

Because the surface roughness of the outside surface guide plane 12d is poor, it is subjected to a grinding process and a surface treatment so as to enhance the surface roughness of the plane 12d, and the wear can be suppressed low even if the plane 12d is in slide contact with the internal circumferential surface of an epicyclic gear 4c.例文帳に追加

外径案内面１２ｄの面粗度が悪いことから、研削加工を施し且つ上述した表面処理を行い、外径案内面１２ｄの面粗度を向上させることで、外径案内面１２ｄが遊星歯車４ｃの内周面と摺接したような場合でも、摩擦を低く抑えることができる。 - 特許庁

Of two base surfaces adjacent on the upper surface 5c, the lower surface 5d and side surfaces 5e, 5f of the ceramic base 5, the base surface having a smaller distance to the inner electrode layer disposed nearest in the plurality of first and second inner electrode layers 7, 8 has a surface roughness larger than the surface roughness of the base surface having a larger distance to the inner electrode layer.例文帳に追加

セラミック素体５の上面５ｃ、下面５ｄ、及び側面５ｅ，５ｆにおいて隣り合う２つの素体面のうち、複数の第１及び第２の内部電極層７，８の中で最も近くに配置された内部電極層との間の距離が小さい方の素体面の表面粗さは、その距離が大きい方の素体面の表面粗さより大きい。 - 特許庁

On a surface of a substrate 11 for semiconductor crystal growth, which is made of Si and has a plane orientation (111) or a plane orientation equivalent to (111), where a semiconductor layer is formed, a mirror-surface part 12 having a small-unevenness surface state and a roughened part 13 having surface roughness larger than the surface roughness of the mirror-surface part 12 are formed.例文帳に追加

Ｓｉからなり、面方位が（１１１）または（１１１）と等価な面方位である半導体結晶成長用基板１１の半導体層を形成する表面に、凹凸の少ない表面状態を有する鏡面な部分１２と、鏡面な部分１２の表面粗さよりも大きい表面粗さを有する荒れた部分１３とを形成する。 - 特許庁

In this invention, the surface of the silicon carbide component can be processed by the engraving discharge work so as to have 1-3 μm in the surface roughness Ra.例文帳に追加

本発明においては、型彫放電加工により、炭化ケイ素部品表面を、表面粗さＲａで１〜３μｍとすることができる。 - 特許庁

To provide a rinse liquid for lithography which can improve the pattern collapse, surface roughness, and surface defect; and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

パターン倒れ、表面粗さ、および表面欠陥を改良することができる、リソグラフィー用リンス液とそれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To manufacture a reflection plate for an excellent liquid crystal display device, capable of optionally and easily changing the surface shape and the surface roughness of the reflection plate.例文帳に追加

表面形状及び表面粗さを任意且つ簡易に変えられる、良好な液晶表示装置用の反射板を製造すること。 - 特許庁

To manufacture a wafer wherein both surfaces of the wafer have planar of high precision and small surface roughness and the surface and the back of the wafer can be distinguished by visual observation.例文帳に追加

ウェーハ両面が高精度の平坦度及び小さい表面粗さを有しかつウェーハの表裏面を目視により識別可能にする。 - 特許庁

Surface roughness of the sintered body is 15 μm or less, and a rate of area of a processing strain in the surface of the sintered body is 2% or less.例文帳に追加

焼結体の表面粗さは１５μｍ以下であり、焼結体の表面における加工歪部位の面積分率は２％以下である。 - 特許庁

In this way, the reflection film has sufficient corrosion resistance and surface smoothness, and whose surface roughness is maintained small even in a wet heat environment as well.例文帳に追加

これにより、十分な耐食性および表面平滑性を有すると共に、湿熱環境においても表面粗さが小さく維持される。 - 特許庁

This silicon carbide sintered compact is characterized in that the silicon carbide sintered compact has a silicon oxide film having 0.01-0.2 μm surface roughness (Ra) on the surface.例文帳に追加

表面の粗度（Ｒａ）が０．０１〜０．２μｍである酸化ケイ素膜を表面に有することを特徴とする炭化ケイ素焼結体である。 - 特許庁

A polishing pad used in the primary polishing is subjected to pad dressing beforehand, and its surface roughness is corrected to form a flat surface.例文帳に追加

１次研磨処理で使用する研磨パッドには、予めパッドドレス処理が施されており、その表面の荒れが修正され、平坦面とされている。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element having a large surface area and capable of uniformly emitting light by eliminating influence of roughness of the surface of a transparent electrode.例文帳に追加

透明電極の表面の凹凸による影響を解消し、大面積で均一発光が可能な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。 - 特許庁

At least one surface of the sheet has 0.8-5 μm arithmetic mean of surface roughness formed by embossing.例文帳に追加

該シートの少なくとも一方の表面は、エンボス加工によって設けられた算術平均表面粗さが０．８μｍ〜５μｍの凹凸を有する。 - 特許庁

An average roughness Ra2 of a side surface 52b section of the optical wavelength converting member is lower than that of the emitting surface 52a, and is set to 0.3 μm or less.例文帳に追加

光波長変換部材は、側面５２ｂ部の平均粗さＲａ２が、出射面５２ａよりも低く且つ０．３マイクロメートル以下となっている。 - 特許庁

To provide a pressure control device capable of realizing high flatness and favorable surface roughness by uniformly stabilizing surface pressure of a semiconductor wafer W.例文帳に追加

半導体ウェーハＷの面圧を均一に安定化させ、高い平坦度及びよい表面粗さを実現できる圧力制御装置を実現する。 - 特許庁

The spherical hard particles are silica particles of a 3-5 μm mean particle size, and the surface roughness Ra of the surface protection layer 4 is 0.1-0.3 μm.例文帳に追加

球状硬質粒子が平均粒径３〜５μｍのシリカ粒子であり、表面保護層４の表面粗さＲａが０．１〜０．３μｍである。 - 特許庁

To obtain a forging die effectively impeding chipping, improving surface hardness and surface roughness and excellent in durability.例文帳に追加

チッピングの発生を有効に阻止するとともに、表面硬度および面粗度を向上させ、耐久性に優れる鍛造型を得ることを可能にする。 - 特許庁

This prepreg with a carrier sheet preferably has a surface roughness of the surface facing the prepreg not higher than 20 μm.例文帳に追加

また、本発明の担持シート付きプリプレグにおいて、前記担持シートの前記プリプレグ側表面の表面粗さが２０μｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁

The surface 26a and 26b of the glass is softened by the heating to decrease the surface roughness Rmax of the glass material 26 to 0.04 μm.例文帳に追加

この加熱により、ガラス表面２６ａ，２６ｂは軟化されて、ガラス硝材２６の表面粗さはＲｍａｘ０．０４μｍ以下まで小さくなる。 - 特許庁

Consequently, the slip due to the epitaxial growth heating is not caused and the decrease in surface roughness of the epitaxial film due to the void defect on the wafer surface can be eliminated.例文帳に追加

その結果、エピ成長加熱によるスリップが発生せず、ウェーハ表面のボイド欠陥よるエピ膜の表面粗さの低下も解消できる。 - 特許庁

This cell culture substrate has an average surface roughness of 10 to 30 nm, and comprises a substrate and an approximately bar-like structure on the surface of the substrate.例文帳に追加

細胞培養基板表面の平均粗さが１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、基板表面に略棒状の構造体を有する。 - 特許庁

The surface of a passage 7a in a needle 7 is mechanically polished and surface roughness Ra thereof is, for instance, 0.2 μm or less.例文帳に追加

ニードル７内部の流路７ａ表面に機械的研磨が施されており、その表面粗さＲａは例えば０.２μｍ以下になっている。 - 特許庁

The polishing pad is provided with the spiral groove on the polishing surface side, and the surface roughness of inside of the groove is ≤20 μm, particularly ≤15 μm.例文帳に追加

本発明の研磨パッドは、研磨面側に、螺旋状の溝を有し、溝の内面の表面粗さが２０μｍ以下、特に１５μｍ以下である。 - 特許庁