半導体ウエーハ、フォトマスク基板、液晶基板等のダメージを受けやすい基板でも、基板自体にダメージを与えずに超音波洗浄することができる洗浄装置及び洗浄方法を提供する。例文帳に追加

To provide a cleaner and a cleaning method which enable the ultrasonic cleaning of a substrate without damage even if it is a damage-susceptable substrate such as a semiconductor wafer, a photomask substrate and a liquid crystal substrate. - 特許庁

これにより、液浸露光時に生じるウォーターマークやシミをレジストにダメージを与えることなく除去することができる。例文帳に追加

By so doing, watermarks and spots produced at the time of oil immersion exposure can be removed without doing damage to resist. - 特許庁

本発明は、走査型プローブ顕微鏡を用いたフォトマスクの欠陥修正方法であって、フォトマスクへのダメージが少ないフォトマスクの欠陥修正方法、およびそれを用いたフォトマスクの製造方法を提供することを主目的とする。例文帳に追加

To provide a defect correction method for a photomask using a scanning probe microscope, the method giving less damage on the photomask, and to provide a method for manufacturing a photomask using the method. - 特許庁

各種の後続する工程によるフォトダイオードの表面のダメージを減らして、フォトダイオードの表面特性を向上させるＣＭＯＳイメージセンサの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a CMOS image sensor capable of improving surface properties of a photodiode by reducing surface damage of the photodiode caused by subsequent various manufacturing processes. - 特許庁

ワンポイントドリフト補正を用いた従来のフォトマスク修正方法の抱えるフォトマスク上の欠陥以外の箇所にスキャンダメージが生じる、微細パターンの場合にピンホールを開けることができないといった問題を解決し、ダメージの少ない、精度のよいドリフト補正方法を提供する。例文帳に追加

To provide a highly accurate drift correction method with which a photomask is scarcely damaged, by solving problems associated with the conventional photomask correction method using a one-point-drift correction such as occurrence of a scan damage on a place other than a place with a defect on the photomask, inability to open any pin hole in the case of a fine pattern, and so on. - 特許庁

その場合，基板を加熱することで，基板に吹き付けられるドライアイス粒子は蒸発して基板へのダメージが回避され，フォトレジスト膜はドライアイス粒子の吹き付け圧力による物理的作用により有効に除去される。例文帳に追加

By heating the substrate, the dry ice particles blasted to the substrate vaporize to avoid damages to the substrate, and the photoresist film is effectively removed by the physical effect by the blasting pressure of the dry ice particles. - 特許庁

フォトマスクがダメージを受けることなく、精度よく、白欠陥の修正を可能とする、近接場光を用いたマスクパターンの白欠陥修正方法およびマスクパターンを提供する。例文帳に追加

To provide a method for correction of a white defect in a mask pattern, capable of precisely correcting the white defect without damaging a photomask by using near field light, and to provide a mask pattern. - 特許庁

貴社のソブリン債のデフォルトリスクの計測に際しては、財政指標以外の経済のファンダメンタルズ等の要素はどのように考慮されているのか。例文帳に追加

In your calculation of a sovereign’s default risk, to what extent factors such as “economic fundamentals” are taken into account, in addition to fiscal indicators? - 財務省

はんだ耐熱性、長期信頼性、電気絶縁性の改善などのため無機フィラーを添加しても残渣を抑制でき、かつ基板およびフォトレジストにダメージがなく、コスト削減が可能となるフォトレジストの現像方法および装置を提供する。例文帳に追加

To provide a developing method and device for photoresist that suppresses residues even when an inorganic filler for improving solder thermal resistance, long-period reliability, and electric insulation and so on is added, damages neither a substrate nor the photoresist, and reduces costs. - 特許庁

金属配線層を形成する際に、半導体装置に対するプラズマダメージを抑制することが可能な半導体装置の製造方法、及びフォトマスクを提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can suppress plasma damage to the semiconductor device when a metal wiring layer is formed, and to provide a photomask. - 特許庁

この発明は、有機半導体層にダメージを与えることなく、フォトリソグラフィ・エッチング工程により有機半導体層を分割することができる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor apparatus in which an organic semiconductor layer can be divided by photolithographic etching process without damaging an organic semiconductor layer. - 特許庁

全面Ｅ／Ｂの時にフォトダイオードを形成する半導体基板の表面に生じるエッチングダメージを無くして固定パターンノイズ（ＦＰＮ）を抑制することのできるＣＭＯＳイメージセンサ及びその製造方法を得る。例文帳に追加

To obtain a CMOS image sensor which can suppress fixed pattern noise(FPN) by eliminating etching damage generated in a surface of a semiconductor substrate forming a photodiode during a full-scale E/B, and its manufacturing method. - 特許庁

めっき処理やウェットエッチング処理の不良をなくすために表面の濡れ性を向上させる際に、フォトレジストおよび下地へのダメージを減らした表面処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a surface treatment process which reduces damage to a photoresist and a substrate, in improving wettability of the surface for the purpose of eliminating defects in plating or wet etching. - 特許庁

コンタクト電極がＰ＋型拡散層に列状に接続されていることにより、Ｐ＋拡散層の周囲にあるフォトダイオードの電荷が蓄積される部分に対する製造過程のダメージが防止される。例文帳に追加

Since the contact electrodes are connected to the p^+-type diffusion layer in the form of a row, a damage to a part of the photodiode around the p^+-type diffusion layer and having an electric charge stored therein is prevented during manufacture. - 特許庁

遮光膜にダメージを与えることなく、オーバーエッチングによりエッチングマスク膜の断面形状を立たせることができ、解像性、ＣＤリニアリティ、スルーピッチを改善することができるフォトマスクブランクを提供する。例文帳に追加

To provide a photomask blank capable of improving resolution, CD linearity and a through pitch by allowing a cross-section shape of an etching mask film to rise by over-etching without damaging a light shielding film. - 特許庁

トレッド部の更生と同時にサイドウォール部を補強でき、縁石や障害物等との接触による損傷のダメージを抑えて更生タイヤの耐久性を向上させる。例文帳に追加

To reinforce a side wall part simultaneously with the retreading of a tread part, to suppress damages caused by the contact with a curb, an obstacle or the like, and to enhance the durability of a retreaded tire. - 特許庁

フォトダイオード部（光電変換部）、及び、フォトダイオード部に隣接する各不純物注入領域を形成する時に用いる、不純物注入阻止膜として使用するフォトレジスト膜からのフォトダイオード部（光電変換部）へヨウ素の侵入によるダメージを低減することによって、白傷や暗電流の発生を有効に阻止し、固体撮像装置の歩留まり向上を図る。例文帳に追加

To effectively prevent a white hurt and generation of dark current by reducing damage by intrusion of iodine into a photodiode part (photoelectric conversion part) from a photoresist film used as an impurity injection prevention film used in forming the photodiode part (photoelectric conversion part) and each impurity injection region adjacent to the photodiode part, thereby improving the yield of a solid-state imaging device. - 特許庁

貴社のソブリン債のデフォルト・リスクの計測に際しては、財政指標以外の経済のファンダメンタルズ等の要素はどの程度考慮されているのか。例文帳に追加

In your calculation of a sovereign's default risk, to what extent factors such as "economic fundamentals" are taken into account, in addition to fiscal indicators? - 財務省

液浸露光時に生じるウォーターマークやシミをレジストにダメージを与えることなく除去して、解像度及び面内の線幅精度の高い露光・現像方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an exposure/development method featuring high resolution and high line width precision on the surface, which is capable of removing watermarks and spots produced at the time of liquid immersion exposure without doing damage to resist. - 特許庁

下地となるサイドウォールにダメージを与えることなく外側のサイドウォールを除去可能で、これにより狭スペース化したゲート電極間に自己整合的にソース／ドレインに達する接続孔を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device allowing removal of an outside sidewall without damaging a sidewall serving as a base, to thereby form a connection hole reaching source/drain in a self-aligned manner between gate electrodes with reduced space. - 特許庁

両面フォトマスクの作製方法において、表面に遮光パターンを形成した後、裏面に遮光膜を成膜するときに、異常放電による表面側の遮光パターンへのダメージ発生の恐れがない両面フォトマスクの作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a double-sided photomask, wherein there is not risk that a light shielding pattern on a front surface is damaged by abnormal discharge when a light shielding film is formed on a rear surface after formation of the light shielding pattern on the front surface. - 特許庁

ギャップ層の挿入により、その分照射光を記録層からデフォーカスさせることができ、上記コヒーレント光による光スポットのピーク強度の抑制が図られ、記録データ破壊や記録材料へのダメージが与えられてしまうことの防止を図ることができる。例文帳に追加

By insertion of the gap layer, irradiated light can be defocused from the recording layer, the peak intensity of an optical spot by the coherent light is suppressed by just that much to prevent the recorded data from being corrupted and the recording material from being damaged. - 特許庁

このように、素子形成領域１２上の窒化膜５および第１酸化膜を除去する工程で、フォトレジストをマスクとして用いないために、素子形成領域が重金属不純物で汚染されることもなく、またアッシングダメージを受けることもない。例文帳に追加

Thus no photoresist is used as a mask in the steps of removing the nitride film 5 and the first oxide film on the element-forming regions 12, and hence the element forming regions will not be contaminated with impurities of heavy metals nor be subjected to ashing damage. - 特許庁

使用性、仕上がり感、及び毛髪に残留したアルカリ剤を除去する効果に優れ、また毛髪へのダメージが少なく、且つ良質な泡が得られる、ノンガスフォーマー容器に充填してなるアルカリ除去用毛髪化粧料を提供する。例文帳に追加

To provide a hair cosmetic for removing an alkali having excellent usability, a feeling of finish and effects on removal of an alkaline agent remaining in the hair with slight damage to the hair, affording foam of good quality and filled in a gas-free foamer container. - 特許庁

その後、第２の絶縁膜を堆積して全面エッチングにより上部電極の側壁にサイドウォールを形成後、自己整合的に容量領域となる誘電体膜を加工するので、上部電極のエッジ直下の誘電体膜にサイドエッチやエッチングダメージが入ることを防止できる。例文帳に追加

After that, a second insulating film is deposited, a sidewall is formed on a sidewall of the upper electrode by etching the whole surface of the second insulating film, and since the dielectrics film which becomes a capacitance region in the self-aligned manner is worked, side etch and etching damages can be prevented from entering the dielectrics film, directly below an edge of the upper electrode. - 特許庁

半導体基板の第２素子が形成される領域にエッチングによるダメージが発生するのを抑制しながら第１素子のゲート電極の側面を覆うサイドウォール絶縁膜を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide the method of manufacturing a semiconductor device, in which a sidewall insulating film covering the side surface of a gate electrode of a first element is formed while the occurrence of a damage caused by etching on a region on which a second element of a semiconductor substrate is formed is suppressed. - 特許庁

次に、フォトルミネッセンス測定によって得られた発光スペクトルにおいて、化合物半導体基板１０のバンドギャップに対応する波長λ_１におけるピークＰ_１の半値幅Ｗ_１を用いて、化合物半導体基板１０の表面１０ａのダメージを評価する。例文帳に追加

Next, in the light emission spectrum obtained by the photoluminescence measuring, the damage of the surface 10a of the compound semiconductor board 10 is evaluated using the half width W_1 of a peak P_1 in a wavelength λ_1 corresponding the band gap of the compound semiconductor board 10. - 特許庁

従って、前面衝突時にフロントバンパリインフォース１２が車両後方側へ変位すると、ダメージャブラケット２８の中間部２８Ｃが開き、フードロックを中心として冷却系１０及びラジエータサポート２４が車両後方側かつ車両上方側へ回転変位される。例文帳に追加

Therefore, when a front bumper reinforcement 12 displaces to the back side of the vehicle in the front collision, the intermediate part 28C of the damager bracket 28 opens, and the cooling system 10 and the radiator support 24 are rotated about a hood lock and displaced on the rear side of the vehicle and on the front side of the vehicle. - 特許庁

１０〜６０μm／分の範囲のエッチングレートで、エッチング量に対し±５％レベルのユニフォーミティ、荒らさない程度の表面状態となる混酸によるウェットエッチングを実現することでＳｉウェーハの加工ダメージ除去方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of removing processing damage of an Si wafer by achieving wet etching by a mixed acid that brings the Si wafer into a surface condition at a level without roughening it at an etching rate of 10-60 μm/min and at uniformity of ±5% with respect to an etching amount. - 特許庁

次に、フォトルミネッセンス測定によって得られた発光スペクトルにおいて、化合物半導体基板１０のバンドギャップに対応する波長λ_１におけるピークＰ_１の半値幅Ｗ_１を用いて、化合物半導体基板１０の表面１０ａのダメージを評価する。例文帳に追加

Then, in the emission spectrum obtained by photoluminescence measuring, the damage of the surface 10a of the compound semiconductor substrate 10 is evaluated by using the half value width W_1 of the peak P_1 in the wavelength λ_1 corresponding to the band gap of the compound semiconductor device 10. - 特許庁

従って、前面衝突時にフロントバンパリインフォース１２が車両後方側へ変位すると、ダメージャブラケット２６の中間部２８Ｃが開き、フードロックを中心として冷却系１０及びラジエータサポート１４が車両後方側かつ車両上方側へ回転変位される。例文帳に追加

Therefore, when a front bumper reinforce 12 is displaced to a vehicular rear side at the time of frontal collision, the middle portion 28C of the damager bracket 26 is opened, and the cooling system 10 and the radiator support 14 are rotated and displaced about a hood lock to a vehicular upper side. - 特許庁

繰り返し行う成膜ステップの間に、ホットウォール型ＣＶＤ装置のチャンバ内壁をクリーニングする方法であって、チャンバへのダメージを抑制しつつ、且つドライクリーニング後の成膜速度の変動を抑制できる半導体製造装置のクリーニング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a cleaning method of a semiconductor manufacturing device which can restrain the variation of a film formation velocity after dry cleaning while restraining damage to a chamber, in the method for cleaning a chamber inner wall of a hot wall type CVD device in repeatedly performed film formation steps. - 特許庁

反射防止膜とフォトレジスト膜の界面付近のインターミキシングの発生を抑制でき、また、反射防止膜の上のレジストパターンをほぼ垂直形状にすることができ、さらに、反射防止膜の下層のダメージを低減することができる反射防止膜材料を提供する。例文帳に追加

To provide an antireflection film material that prevents intermixing in the vicinity of an interface of an antireflection film and a photoresist film and provides a resist pattern with an almost vertical wall profile on the antireflection film and reduces damages in an underlying layer of the antireflection film. - 特許庁

定着ローラ部材が金属疲労により破損（ダメージ）されることがなく定着ローラ部材の薄肉化を図り、小径でニップ幅が広く、省エネルギーでウォーミングアップ時間を短縮すると共に、定着ローラ部材の変形量を押さえて、回転むらによる定着むらを防止する定着装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a fixing device capable of preventing a fixing roller member from being damaged by metal fatigue, making the fixing roller member thin in thickness, small in diameter, large in nip width, reduced in energy consumption, and capable of shortening the warming-up time, suppressing the deforming amount of the fixing roller member and preventing an irregular fixing caused by irregular rotation. - 特許庁

これに続いて、絶縁膜９をエッチングストッパとして、半導体基板１の主面上に堆積した酸化シリコンを主成分とする絶縁膜を異方性のドライエッチングによりエッチバックすることにより、ゲート電極５ａの側壁にサイドウォール１０を形成し、半導体基板１へのダメージ層の形成を防ぐ。例文帳に追加

In succession, using the insulating film 9 as an etching stopper, an insulating film whose main component is silicon oxide deposited on the main surface of the semiconductor substrate 1 is etched back through an anisotropic dry etching method, whereby a side wall 10 is formed on the side wall of the gate electrode 5a so as to prevent a damage layer from being formed on the semiconductor substrate 1. - 特許庁

マスクに形成された残留欠陥修正後の石英基板や欠陥以外の部分へのダメージが無く、５００ｎｍ以下の残留欠陥を精度良く除去することが可能で、修正のエンドポイントも容易に検出できるフォトマスクの欠陥修正方法及びそれに用いる走査プローブ顕微鏡を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method of correcting the defects of a photomask which is capable of precisely removing the residual defects below 500 nm without the damage on a quartz substrate and segments exclusive of the defects after the correction of the remaining defects formed on a mask and is capable of easily detecting even the end point of the correction and a scanning probe microscope used for the same. - 特許庁

Ｌｏｗ−ｋ膜にＣｕなどの金属配線を埋め込み形成する際に、ビアホールや配線溝を形成するためのドライエッチング用プラズマあるいはフォトレジストを剥離するためのアッシングによって受けるＬｏｗ−ｋ膜に対するダメージの影響をなくした半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing semiconductor device by which the influence of damages given to a low-k film by a dry etching plasma used for forming via holes or wiring grooves or ashing performed for peeling a photoresist can be eliminated at the time of forming metallic wiring of Cu, etc., by burying the wiring in the low-k film. - 特許庁

ｐ型不純物をドープしたＩＩＩ族窒化物半導体を実質的に水素を含まない雰囲気中で熱処理するｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法では、熱処理に７００℃〜９００℃の高温を必要とするため、結晶表面にダメージを与え、結晶の最表面のモルフォロジーの劣化を引き起こす。例文帳に追加

To solve the problems that the surface of a crystal is damaged, and the morphology of the outermost surface of the crystal is deteriorated since a high temperature of 700 to 900°C is required for heat treatment in the manufacturing method of a p-type group III nitride semiconductor that heat-treats the group III nitride semiconductor where p-type impurities are doped in atmosphere without hydrogen substantially. - 特許庁

フォトセンサ７５、７６の検出出力に基づいてホール形成位置に銅薄膜層Ｃｕが露出するタイミングを検出するので、銅薄膜層ＣｕがＶＩＡホール底部に露出した段階で銅薄膜層Ｃｕにダメージを与えることなく加工用の紫外レーザ光ＵＬの供給を停止させることができる。例文帳に追加

Since a timing when a copper thin film layer Cu is exposed at a hole formation position is detected on the basis of the detected output from photo sensors 75 and 76, the supply of a UV laser beam UL for processing is stopped without damaging the layer Cu at the step of exposing the layer Cu on the bottom of the VIA hole. - 特許庁

これまで紹介したように、資産価格は、ユーフォリア（期待の過度の強気化）期には金融機関の信用膨張を伴いながらかさ上げされ、期待が過度に弱気化する時期には、金融機関のバランスシートの毀損や信用供与機能を低下させて下落し、マクロ経済にも大きな影響を及ぼすことがあり得る5。白塚（2000）6では、資産価格変動のマクロ経済へ与える影響は、実体経済に直接的に、あるいは金融システムへのダメージを経由して間接的に及び、特に崩壊期における影響は生成期に比べ非対称的に大きいとも指摘している7。例文帳に追加

As previously noted in periods of euphoria (excessive bullish expectations), asset prices are inflated along with credit inflation by financial institutions, and in periods of excessively low expectations, losses on financial institution balance sheets and reduction of credit-granting functions lower asset prices, and there is the potential for the impact to spread to the macroeconomy.5Shiratsuka (2000)6points out that the impact exerted on the macroeconomy by asset price fluctuation spreads both directly to the real economy and indirectly through damage to the financial system, and that in particular, impact during periods of collapse is asymmetrically larger than in periods of formation.7 - 経済産業省