「せいちょうかいせき」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

高い経済成長率を背景に、市場規模を4.7倍に増やした中国34の成長、株式市場の対外開放を進めた韓国、インドネシア、タイ等の成長が著しい。例文帳に追加

Backed by the nation's high economic growth rate, China's capital markets expanded 4.7 times;further, the growth of Republic of Korea, Indonesia, and Thailand, which have opened up their stock markets to foreign investors, is also remarkable. - 経済産業省

成長用基板上に選択成長用のマスクを配した後、横方向成長法を用いて半導体層を形成する工程を含む半導体発光装置の製造方法において、従来よりも成長過程の早い段階で平坦な膜を得ることができる半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor element which can obtain a flat film in an earlier stage of a growth process than before, in a method of manufacturing a semiconductor light-emitting apparatus including a process of forming a semiconductor layer using a lateral growth method after arranging a mask for selective growth on a substrate for growth. - 特許庁

ＧａＩｎＰエピタキシャル層の形成に際しては、ＧａＩｎＰエピタキシャル層が鏡面状態で成長しうる速度の下限である臨界成長速度以上で成長させる。例文帳に追加

On the formation of the GaInP epitaxial layer, it is grown at or higher a critical growth rate which is the lower limit of the rate at which the GaInP epitaxial layer can grow in a mirror-finished state. - 特許庁

エピタキシャル成長膜形成工程の後に、エピタキシャル成長面研磨工程を備えるようにすることにより、研磨後のエピタキシャル成長面１０ａの平坦度を従来よりも改善することができる。例文帳に追加

An epitaxially grown film formation step is followed by an epitaxially grown surface polishing step, and this results in an epitaxially grown surface 10a with its flatness after polishing better than that formed by the conventional method. - 特許庁

埋込層の成長の先端が、境界線に沿う選択成長用マスクパターンの縁の先端まで達しない時点で埋込層の成長を停止させる。例文帳に追加

The growth of the imbedding layer is stopped at the point of time when no tip end of the growth of the imbedding layer reaches as far as the tip end of the edge of the mask pattern for selective growth along the boundary line. - 特許庁

栽培植物の、少なくとも、生長を促進せしめおよび／または収穫物の品質を改善せしめる植物生長調整剤および植物生長調整方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plant growth controlling agent and a method for controlling plant growth at least capable of stimulating the growth of a cultivated plant and/or improving the quality of the harvest. - 特許庁

溶液法において三次元成長および凸状成長を抑制して、平坦性の高いＳｉＣ単結晶を成長させる装置および方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for growing an SiC single crystal of high flatness, while restraining three-dimensional growth and convex growth in a solvent method. - 特許庁

基板上に結晶成長を阻害する保護膜を、該保護膜の一部を開口した窓領域内で第１窒化物半導体層が臨むように形成し、その第１窒化物半導体層からの第２窒化物半導体層の選択成長を所要の成長開始温度で開始し、続いて前記成長開始温度よりも高い温度に昇温して結晶成長を継続する。例文帳に追加

The method comprises forming a protective film for obstructing the crystal growth on a substrate, so that a first nitride semiconductor layer is exposed through window regions partly opened through the protective film, starting the selective growth of a second nitride semiconductor layer from the first nitride semiconductor layer at a required growth starting temperature and rising the temperature over the growth starting temperature to continue the crystal growth. - 特許庁

中国等のアジアの成長は、米国の内需主導型の成長がこれら諸国からの輸出を呼び込み、その成長を促している面があり、結局米国の成長が世界経済において主導的な役割を担ってきていると評価できる。例文帳に追加

The economic growth of Asia, including China, is in part being promoted by the domestic demand-led U.S. economic growth as it induces exports from these countries. It can therefore be said that U.S. economic growth is in effect playing a leading role in the global economy. - 経済産業省

論理回路の特性調整回路及びその方法並びにそれを用いた半導体集積回路例文帳に追加

CHARACTERISTIC ADJUSTMENT CIRCUIT FOR LOGIC CIRCUIT, ITS METHOD, AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT USING IT - 特許庁

成長容器の直胴部上の開口部から液体封止剤を飛散させないようにして、化合物半導体単結晶成長後に成長容器を破損することなく取り出すことを可能とする。例文帳に追加

To take a compound semiconductor single crystal out of a growth vessel without damaging the growth vessel after the growth of the compound semiconductor single crystal by preventing a liquid sealant from being scattered from an opening part above the trunk part of the growth vessel. - 特許庁

開口部23のある遮蔽板24を基板21の結晶成長面内で動かすことにより成長させる結晶の膜厚を結晶成長面内で局所的に変えることを特徴とする。例文帳に追加

Thereby, it is possible to locally change the film thickness of the crystal to be grown in the crystal growing surface by moving the shielding plate 24 having the opening part 23 within the crystal growing surface of the substrate 21. - 特許庁

ガラス溶融物が先行技術に係る清澄部より比較的短い清澄部で気泡が無くなるように流速プロフィールが調整されるタイプのガス溶融物を清澄するための装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an apparatus for clarifying a glass melt which is a type of apparatus in which the flow rate profile is controlled so that gas bubbles in the glass melt are removed in a relatively short clarifying section in comparison with a clarifying section relating to a prior art. - 特許庁

我々は，質の高い雇用の創出，包括的な経済成長及び天然資源の持続可能な利用を進めるための手段として，持続可能な成長の文脈でのグリーン成長の可能性を探求すべきである。例文帳に追加

We should explore the potential of green growth, in the context of sustainable development, as a means to foster the creation of quality jobs, inclusive economic growth and the sustainable use of natural resources.  - 財務省

基板上に半導体成長促進層を介して選択成長したＬＥＤ等の半導体素子を基板及び半導体成長促進層から容易に分離できるようにすること。例文帳に追加

To easily separate a semiconductor element such as an LED selectively grown on a substrate via a semiconductor growth promoting layer from the substrate and the semiconductor growth promoting layer. - 特許庁

ペルーは近年高い経済成長率（2009 年まで11 年連続プラス成長を維持）を達成しており、貿易額ベースで約44%（2009 年）が有税となっている関税の削減等を通じて、成長市場との経済連携の強化が期待される。例文帳に追加

Peru has achieved high economic growth in recent years (maintaining growth for 11 consecutive years till 2009). Through measures such as reduction of the 44% tariff (in 2009 on a trade value basis), Japan can hope to strengthen its economic partnership with this growing market. - 経済産業省

ベトナムの実質GDP成長率を見ると、2000 年以降3～8％台の高い成長を続けており、2009 年は経済危機後にもかかわらず5％台の成長を達成した（第1-2-4-52 図）。例文帳に追加

Vietnam has been maintaining high economic expansion marking 3-8% of real GDP growth since 2000 and achieved a 5% level of growth in 2009 despite the influence of the economic crisis (see Figure 1-2-4-52). - 経済産業省

少なくともアルカリ金属とＩＩＩ族金属と窒素が溶解した融液からＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる結晶成長方法において、特定の結晶面（例えば（０００１）面）以外の結晶面を成長面として形成しながら結晶成長する。例文帳に追加

In the crystal growth method for growing a group III nitride crystal from a melt prepared by dissolving at least alkali metal, group III metal and nitrogen, the crystal is grown while a crystal face except for a specified crystal face (for example, (0001) plane) is used as a growth face. - 特許庁

外部端子電極の下地となる第１層１３を構成するめっき膜は、内部電極５および６の露出端によって与えられる導電面を起点として析出しためっき析出物が高めっき成長領域１１と低めっき成長領域１２との境界を低めっき成長領域１２側へと越えて成長することが制限された状態で成長することによって形成される。例文帳に追加

A plating film constituting a first layer 13 that serves as a base of an external terminal electrode is formed such that plating deposition deposited from a conductive surface formed by exposing end surfaces of internal electrodes 5, 6 is restricted to grow to the side of the low-growth plating region 12 beyond the border of the high-growth plating region 11 and the low-growth plating region 12. - 特許庁

その際に、結晶成長速度の遷移領域である種結晶３上の成長領域１０、１２、１３、１５での不純物添加量が、限界不純物添加量を超えないように制御するバルク結晶の成長方法である。例文帳に追加

The bulk crystal growth method comprises controlling the amount of addition of the impurity to the growth regions 10, 12, 13 and 15 where the rate of crystal growth is in a transition region on the seed crystal 3 not to exceed the limit to the amount of addition. - 特許庁

高度経済成長期や安定成長期と比べると、バブル崩壊以降は、1990年代は年率1.5％、2000年代は0.6％と低い経済成長率が続く。例文帳に追加

In a comparison of the high economic growth period and the stable growth period, a low economic growth rate is followed by an annual rate of 1.5 % in the 1990's, and 0.6 % in the 2000’s after the collapse of the bubble economy. - 厚生労働省

柑橘果汁と醤油とを含有する酸性調味料に昆布のだし汁を酸性調味料の１〜８０％相当量、あるいは昆布のエキスを酸性調味料の０．０１〜２０％相当量を添加し、酸性調味料の不快臭と酸味を抑制し、香味をマイルド化する方法に関する。例文帳に追加

A soup stock of a tangle in an amount corresponding to 1-80% based on an acidic seasoning or an essence of the tangle in an amount corresponding to 0.01-20% based thereon is added to the acidic seasoning containing a citrus fruit juice and a soy sauce to suppress an unpleasant smell and sourness of the acidic seasoning and milden the flavor thereof. - 特許庁

トレンチの埋め込み性を改善することができる回転型の気相成長装置を提供する。例文帳に追加

To improve the embeddability in a trench. - 特許庁

金属Ｇａ蒸気と窒素プラズマを利用するＧａＮ結晶成長方法において、結晶成長を継続的に維持し得るように、そのＧａＮ結晶成長方法を改善する。例文帳に追加

To improve a process for growing GaN crystal utilizing metal Ga vapor and nitrogen plasma such that crystal growth can be sustained. - 特許庁

化合物半導体薄膜の成長速度を一回の成長実験のみで短時間で容易に導出することのできる化合物半導体薄膜の成長速度の導出方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method by which the growth rate of a semiconductor thin film can easily be derived in a short time from only the result of a single growth experiment. - 特許庁

結晶品質の向上、歩留り向上および結晶成長速度の改善を図ることができる結晶成長用ルツボおよび結晶成長方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a crucible for growth of a crystal and a method for growing a crystal to improve crystal quality, improve a yield, and improve a crystal growth rate. - 特許庁

長日植物の栽培において、成長がはやく、しかも花芽分化や抽だいなく従来よりも成長促進でき、光エネルギーの利用効率も高い成長促進方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for stimulating the growth of a long-day plant, by which the long-day plant can be cultured in a more much stimulated growth speed than those by conventional methods and in high light energy utilization efficiency without causing flower bud differentiation and bolting. - 特許庁

必ずしも成長段階の子供たちを、あまり細かい神経をつかって扱うべきでない。例文帳に追加

Growing children should not always be handled with kid gloves. - Tatoeba例文

必ずしも成長段階の子供たちを、あまり細かい神経をつかって扱うべきでない。例文帳に追加

Growing children should not always be handled with kid gloves.  - Tanaka Corpus

結晶成長過程における、結晶回転軸に垂直な方向の成長偏りを抑制し、高効率に単結晶を製造するための結晶成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a crystal growth method for producing a single crystal with high efficiency by suppressing growth deviation in a crystal growth process in a direction perpendicular to a crystal rotation axis. - 特許庁

子供の成長段階で2番目の性的社会的時期で、直腸の管理が学ばれる例文帳に追加

the second sexual and social stage of a child's development during which bowel control is learned  - 日本語WordNet

今回の成長戦略では、大きな政策群毎に、達成すべき「成果目標」（KPI）を示している。例文帳に追加

This Growth Strategy presents “targets” (KPIs) that should be achieved for each set of major policies.  - 経済産業省

ＳｉＣ単結晶４の成長初期の段階には小径原料２ａの昇華ガスにより結晶成長が行われるようにし、成長初期以降には大径原料２ｂの昇華ガスにより結晶成長が行われるようする。例文帳に追加

In this method, crystal growth is performed by a sublimation gas of a small-diameter raw material 2a in the stage of the initial period of growth of a SiC single crystal 4, and crystal growth is performed by a sublimation gas of a large-diameter raw material 2b after the initial period of growth. - 特許庁

高い品質の窒化アルミニウム結晶を簡略な工程で成長可能な窒化アルミニウム結晶の成長方法および結晶成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing an aluminum nitride crystal and a crystal growth device capable of growing a high-quality aluminum nitride crystal in a simple process. - 特許庁

少なくともアルカリ金属とＩＩＩ族金属原料と窒素とが溶解した溶液からＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法において、前記溶液に、ＩＩＩ族窒化物結晶のｃ軸に平行な方向の成長速度をｃ軸に垂直な方向の成長速度よりも速くさせる物質を含ませて、ＩＩＩ族窒化物結晶２９を成長させる。例文帳に追加

In the method for growing the group III nitride crystal from a solution in which at least an alkali metal, a group III metal raw material and nitrogen are dissolved, the group III nitride crystal 29 is grown by incorporating a substance for increasing the growth speed in the direction parallel to the c-axis of the group III nitride crystal higher than that in the direction perpendicular to the c-axis into the solution. - 特許庁

我々は、成長を回復するのみならず、公平で持続可能な世界経済の基礎を築く決意である。例文帳に追加

We are determined not only to restore growth but to lay the foundation for a fair and sustainable world economy.  - 財務省

高周波発振回路、高周波機器、および高周波発振回路の特性調整方法例文帳に追加

HIGH FREQUENCY OSCILLATION CIRCUIT, HIGH FREQUENCY DEVICE, AND CHARACTERISTIC ADJUSTING METHOD OF HIGH FREQUENCY OSCILLATION CIRCUIT - 特許庁

1990年代以降の世界経済を見ると、東アジアは高い経済成長を維持してきている。例文帳に追加

Looking at the world economy since the 1990s, East Asia has maintained a high economic growth rate. - 経済産業省

次に、導電性基板７上に、電解めっき法により金属層１３を成長させる。例文帳に追加

Subsequently, a metal layer 13 is grown on the electrically conductive substrate 7 with an electrolytic plating method. - 特許庁

中南米経済は、世界経済危機の余波を受け、2009年にその成長を大きく減速させた。例文帳に追加

Due to the influence from the global financial crisis, the Latin American economy greatly reduced its speed of growth in 2009. - 経済産業省

ＲＲＯ成長量推定方法、慣らし後ＲＲＯの推定方法、回転数上昇に起因する慣らし後のＲＲＯ成長量の推定方法、ＲＦＶ成長量推定方法、慣らし後ＲＦＶの推定方法、ＡＶＶ成長量推定方法、及び、慣らし後ＡＶＶの推定方法例文帳に追加

METHOD FOR ESTIMATING RRO GROWTH AMOUNT, METHOD FOR ESTIMATING RRO AFTER BREAK-IN, METHOD FOR ESTIMATING RRO GROWTH AMOUNT AFTER BREAK-IN ARISING FROM RISE IN NUMBER OF REVOLUTIONS, METHOD FOR ESTIMATING RFV GROWTH AMOUNT, METHOD FOR ESTIMATING RFV AFTER BREAK-IN, METHOD FOR ESTIMATING AVV GROWTH AMOUNT, AND METHOD FOR ESTIMATING AVV AFTER BREAK-IN - 特許庁

開発ギャップを削減するための措置は世界成長の潜在的な推進力となり得る。例文帳に追加

Steps to reduce the development gap can be a potent driver of global growth.  - 財務省

信号伝送回路及びその特性調整方法、メモリモジュール、並びに、回路基板の製造方法例文帳に追加

SIGNAL TRANSMISSION CIRCUIT AND ITS METHOD FOR ADJUSTING CHARACTERISTICS, MEMORY MODULE, AND METHOD FOR PRODUCING CIRCUIT BOARD - 特許庁

中国では、改革・開放政策の採用以降、年平均9.6％の高成長を維持している。例文帳に追加

The Chinese economy has been scoring an impressive 9.6% annual growth on the average since the country adopted a market-opening reform policy. - 経済産業省

社会的責任、経済的な貢献、環境経営、パートナーシップ（結果）持続的な成長、知識の共有例文帳に追加

Social responsibility, economic contribution, environmental management, partnership (Results) Sustainable growth, sharing of knowledge. - 経済産業省