「縁光」に関連した英語例文の一覧と使い方(127ページ目) - Weblio英語例文検索

走査電極６および維持電極７とデータ電極１０とで形成される複数の主放電セル１５と、走査電極６とプライミング電極１２とで形成される複数のプライミング放電セル１６とを区画するように形成した隔壁１３とを有し、プライミング放電セル１６内に第２誘電体層２０と絶縁用蛍光体層４１とを設ける。例文帳に追加

This panel has a plurality of main discharge cells 15 formed by scanning electrodes 6, maintenance electrode 7, and data electrode 10, and has barrier ribs 13 formed so as to section a plurality of priming discharge cells 16 formed by the scanning electrodes 6 and the priming electrodes 12, and a second dielectric layer 20 and fluorescent material layer 41 for insulation are installed in the priming discharge cell 16. - 特許庁

絶縁不良等の原因となる粒径が５μｍを超える無機フィラーを含まず、ＩＣパッケージ用ソルダーレジストに必要な耐熱性、密着性、耐無電解めっき性、電気特性、ＨＡＳＴ耐性、耐湿性、耐クラック性に優れる光硬化性・熱硬化性樹脂組成物及びその成形物を提供する。例文帳に追加

To provide a photosetting/thermosetting resin composition not containing an inorganic filler of >5 μm particle diameter causing an insulation failure, etc., and excellent in heat resistance, adhesion, electroless plating resistance, electrical properties, HAST resistance, moisture resistance and crack resistance necessary for a solder resist for an IC package and to provide a molding of the composition. - 特許庁

ハーフトーン露光技術を用いて１回の写真食刻工程でチャネルエッチ型の絶縁ゲート型トランジスタの半導体層とソース・ドレイン配線を形成して製造工程数を削減した従来の製造方法では製造裕度（マージン）が小さくソース・ドレイン配線間の距離が短くなると歩留が低下する。例文帳に追加

To solve the problem that a manufacturing margin is small and when the distance between source/drain wiring is made short, yield is lowered, in the conventional manufacturing method wherein the number of manufacturing steps is reduced by forming a semiconductor layer and source/drain wiring of a channel etching type and insulating gate type transistor are formed in one photo etching step using a halftone exposure technique. - 特許庁

互いに独立した陽極３２間では、分断して設けられたグリッド電極２４の相互間の位置でもリブ状壁３０が連続させられることから、隣接して位置する陽極３２およびそれらの表面に固着された蛍光体層１２を電気的に接続する経路は存在し得ず、それらがそのリブ状壁３０によって確実に絶縁させられる。例文帳に追加

Between anodes 32 independent of one another, a rib-shaped wall 30 is continued even in a position between isolatedly arranged grid electrodes 24, which does not allow any existence of a route to connect electrically the adjoining anodes 32 with a phosphor layer 12 attached fast to their surfaces, and they are insulated certainly by the rib-shaped wall 30. - 特許庁

絶縁性の透明部材１００ａと、透明部材１００ａに覆われる発光モジュール１００と、直流電力を蓄える充電器１０２と、電磁誘導により周期電力を生成する受電コイル１０３と、受電コイル１０３により生成された周期電力を直流電力へ変換する電源回路１０４と、を備える。例文帳に追加

The lighting device includes the insulation transparent member 100a, a light-emitting module 100 covered with the transparent member 100a, a charger 102 storing DC power, a power receiving coil 103 producing periodic power by electromagnetic induction, and a power supply circuit 104 converting the periodic power produced by the power receiving coil 103 into DC power. - 特許庁

ガラス板１１，１２の内面に透明電極２４，平面状電極２５がそれぞれ形成され、これら間がスペーサガラス１３によって接続されて密封容器１５が構成され、透明電極２４の内面に蛍光体膜１８が形成され、この透明電極２４のガラススペーサ１３より突出した周縁に周回補助導線３１が形成されている。例文帳に追加

A transparent electrode 24 and a planar electrode 25 are formed on inner face of glass plates 11, 12 respectively, and a sealed container 15 is formed by connecting them with a glass spacer 13. - 特許庁

平面並置配置の絶縁ファイバの作成、単一コーティングダイによる複数グループファイバの同時配列、単一コーティングダイ通過による光ファイバサブユニットの作成、第１アラインメントダイによるサブユニットのコーティングの部分的硬化、第２アラインメントダイによるサブユニットの側面接触と結合サブユニットのコーティング完全硬化。例文帳に追加

Accordingly, the subunit surfaces are crosslinked at the contact position, and the thickness of coating is made thinnest at the location of the crosslink web, thereby creating stress concentration when separating the ribbon unit. - 特許庁

基板上に形成した絶縁膜層の引張り応力および圧縮応力の発生を抑制し、仮に応力が発生してもそれを低減することのできる配線基板、且つ配線間に発生する寄生容量を低減し配線遅延を抑制する基板、それを用いた電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a wiring substrate suppressing occurrence of tensile stress and compressive stress of an insulating film layer formed on a substrate and reducing the stress even if it occurs, and suppressing wiring delay by reducing parasite capacitance generated between wiring lines, and also to provide an electrooptical apparatus and an electronic equipment using the same. - 特許庁

絶縁性の電気光学プローブを用いてプローブアレーを形成するため、受信した信号が周囲と電気的結合することの防止や電磁波の擾乱を防止し、従来のアレーアンテナに比して周囲環境に依存しないアンテナを有するアレーアンテナ及び電磁波受信器を実現することができる。例文帳に追加

The array antenna and the electromagnetic wave receiver are achieved, which have an antenna which prevents a received signal from being electrically connected to environment and disturbance of an electromagnetic wave because of using an insulative electro-optic probe to form a probe array, and does not depend upon ambient environment in comparison with the conventional array antenna. - 特許庁

発光素子アレイは、半絶縁性基板上に、順次、Ｐ型の第１半導体層、Ｎ型の第２半導体層、Ｐ型の第３半導体層、Ｎ型の第４半導体層が形成され、第１半導体層上にアノード電極が形成され、第４半導体層上にカソード電極が形成されて構成される。例文帳に追加

A light-emitting element array is configured by forming a P-type first semiconductor layer, an N-type second semiconductor layer, a P-type third semiconductor layer, and an N-type fourth semiconductor layer sequentially on a semi-insulating substrate, forming an anode electrode on the first semiconductor layer, and forming a cathode electrode on the fourth semiconductor layer. - 特許庁

透過率、低温で硬化した際の環化率のバランス優れたポリアミド樹脂を提供すること、また、前記ポリアミド樹脂を適用することにより、リフロー耐性に優れたポジ型感光性樹脂組成物提供すること、また、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a polyamide resin excellent in balance of cyclization rate upon curing at a low temperature and transmittance, to provide a positive photosensitive resin composition excellent in reflow resistance by applying the polyamide resin, and to provide a cured film, a protective film, an insulating film and a semiconductor device and a display device using the same. - 特許庁

光絶縁回路装置は第１のクロック信号によって駆動される第１のオプトアイソレータ回路を含み、第１のオプトアイソレータ回路の出力は、第１のクロック信号周波数の倍数である周波数を有する第２のクロック信号を同期させるように構成された位相ロックループ（ＰＬＬ）を駆動するために使用される。例文帳に追加

An optically isolated circuit device includes a first opto-isolator circuit that is driven by a first clock signal, and the output of the first opto-isolator circuit is used to drive a phase-locked loop (PLL) that is configured to synthesize a second clock signal having a frequency that is a multiple of the first clock signal frequency. - 特許庁

露光工程を実施して形成されるフォトレジストパターンを用いたエッチング工程によって前記ハードマスク膜を部分エッチングし、ハードマスク膜１０４をエッチングマスクとして用いたエッチング工程を進行して、トレンチ酸化膜１０３、エッチング防止膜１０２および間絶縁膜１０１を順次部分エッチングしてダマシントレンチを形成する。例文帳に追加

The hard mask film is partially etched by an etching process using a photoresist pattern formed by performing the exposure process, a damascene trench is formed by progressing the etching process with the hard mask film 104 as an etching mask to sequentially perform a partial etching on the trench oxide film 103, the etching preventive film 102, and the interlayer insulating film 101. - 特許庁

蛍光体スクリーンに対向してシャドウマスク１２は、プレス成形により形成され、なだらかなドーム状に成形されているととも電子ビーム通過孔を有したほぼ矩形状のマスク主面２０と、このマスク有効部の周縁２１から延出しマスク主面とほぼ直交する方向に折り曲げられたスカート部１８と、を有している。例文帳に追加

A shadow mask 12 arranged so as to be opposed to a phosphor screen has a approximately rectangle mask principal plane 20 formed by press molding to be a smooth domy shape having electron beam passing holes and skirts 18 extending from a peripheral edge 21 of the effective area of this mask to be clinched in the orthogonal orientation to the mask principal plane 20. - 特許庁

次に、絶縁膜１４上の非晶質シリコン膜２０にレーザ光を照射することによって溶融させ、溶融したシリコンを、微細孔１６の開口部に表われた多結晶シリコン２１の結晶粒を種結晶として液相成長させることにより、微細孔１６を基点とする擬似単結晶シリコン膜２３を形成する。例文帳に追加

Subsequently, the amorphous silicon film 20 on an insulating film 14 is irradiated with a laser beam and melted, and liquid phase growth of molten silicon is performed using grains of the polycrystal silicon 21 appearing at the opening of the pore 16 as seed crystal thus forming a pseudo-single crystal silicon film 23 having the pore 16 as an origin. - 特許庁

読出用ＴＦＴ１を覆う第２の絶縁体層１８上には、ＭＩＳ型光電変換素子２の半導体層１９及びｎ^＋半導体層２０が、下部電極としても機能するソース・ドレイン電極１６と整合するようにして形成され、ＴＦＴ型センサ３の半導体層２１が、平面視でゲート電極１７と整合するようにして形成されている。例文帳に追加

A semiconductor layer 19 of an MIS photoelectric transducer 2 and an n+ semiconductor layer 20 are formed on a second insulation layer 18 covering the TFT1 to fit a source/drain electrode 16 capable of functioning as a lower electrode, and a semiconductor layer 21 of a TFT sensor 3 is formed to fit an electrode 17 in plan view. - 特許庁

この検査システムは、特に、スクラッチ、ボイド、腐食およびブリッジング、などの金属化欠陥、ならびに拡散欠陥、被覆保護層欠陥、書きこみ欠陥、ガラス絶縁欠陥、切込みからのチップおよびクラック、半田隆起欠陥、ボンドパッド領域欠陥、などの欠陥のための第二の光学的ウェハ検査のために意図され、そして設計される。例文帳に追加

The inspection system is specifically intended and designed for second optical wafer inspection for such defects as metallization defects, such as scratches, voids, corrosion and bridging, as well as diffusion defects, passivation layer defects, scribing defects, glassivation defects, chips and cracks from sawing, solder bump defects, and bond pad region defects. - 特許庁

不良回路を冗長回路に切り替えるためのヒューズ配線は上層配線２と、上層配線２との間に１枚の層間絶縁膜４を介して形成される異層の配線３とによって形成され、上層配線２上にはヒューズ配線に対して切断用のレーザ光を照射するためのヒューズ開口部１が設けられている。例文帳に追加

This semiconductor device is equipped with a fuse wiring which is used for switching a defective circuit to a redundant circuit and composed of an upper wiring 2, a different layer wiring 3, and an interlayer insulating film 4 interposed between the wirings 2 and 3, and a fuse opening 1 for irradiating the fuse wiring with a cutting laser beam is provided in the upper wiring 2. - 特許庁

陽極導体１３と配線層７との間は絶縁層９に形成されたスルーホール１１に導体層１２を介して接続されており、時分割方式により各グリッド１６に電圧を印加し、所望の表示セグメント１０に正電圧を印加することにより当該表示セグメント１０が発光駆動する。例文帳に追加

The anode conductor 13 and the wiring layer 7 are connected to a through hole 11 formed in the insulating layer 9 through a conductor layer 12, voltage is applied to each grid 16 in a time sharing mode, and positive voltage is applied to the desirable display segment 10, and thereby, the display segment 10 is driven so as to emit light. - 特許庁

基板２０上に設けられている駆動素子１１２、１１３、１２３および画素電極２３を有する電気光学装置１であって、基板２０は駆動素子１１２、１１３、１２３の位置に対応して形成された凹部７７を有し、さらにスイッチング素子及び配線と画素電極２３の間に平坦化絶縁膜７５を有していることを特徴とする。例文帳に追加

An electrooptical device 1 has driving elements 112, 113, 123 and a pixel electrode 23 disposed on a substrate 20, and the substrate 20 comprises recessed portions 77 formed in accordance with positions of the driving elements 112, 113, 123, respectively, and moreover comprises a flattened insulating film 75 between a switching element as well as a wiring and the pixel electrode 23. - 特許庁

スイッチ制御回路１４０は、一つの半サイクル期間のなかに、双方向サイリスタＴ５４を導通させる期間と、双方向サイリスタＴ５４を絶縁させる期間とを設ける調光度指示期間と、一つの半サイクル期間の間継続して双方向サイリスタＴ５４を導通させる電力供給期間とを設ける。例文帳に追加

A switch control circuit 140 has a dimming-degree directing period consisting of a period of conducting the bidirectional thyristor 54 and a period of insulating the bidirectional thyristor 54 in one half-cycle period, and a power-feeding period for conducting the bidirectional thyristor 54 continuously during one half-cycle period. - 特許庁

各フィラメントを保持する複数の環状アンカーの外周に、該環状アンカーと発光管内壁とによって閉鎖空間が形成され、該環状アンカーはその閉鎖空間の円周方向位置がずらされて設置されていて、該閉鎖空間内に前記絶縁管が１本ずつ個別に配置されていることを特徴とする。例文帳に追加

At outer peripheries of a plurality ring-shaped anchors holding respective filaments, closed spaces are formed between the ring-shaped anchors and an internal wall of the arc tube, and the respective ring-shaped anchors are installed in deviated positions in a circumference direction, and further, an individual insulating tube is arranged inside each closed space. - 特許庁

本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、基板２上に、ソース電極３とドレイン電極４とを、基板に吸着させた帯電制御剤を光を使ってパターニングした後、選択的無電解メッキにより形成する工程と、有機半導体、ゲート絶縁体、ゲート電極とを形成する工程を含むものである。例文帳に追加

The thin-film transistor manufacturing method includes a process for so patterning a source electrode 3 and a drain electrode 4 on a substrate 2 by the optical use of a charging controlling agent absorbed in the substrate as to form them thereafter by a selective electroless plating; and includes a process for forming an organic semiconductor, a gate insulator, and a gate electrode. - 特許庁

導体回路上に形成する層間樹脂絶縁層との密着性に優れるとともに、レーザ光を照射した際にも、導体回路表面の粗化層が平坦化されず、導体回路との密着性に優れたバイアホール（導体回路）を形成することができる多層プリント配線板の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a multilayer printed wiring board that assures close contact with an interlayer resin insulated layer formed on a conductive circuit and can form the via holes (conductive circuits) assuring close contact with the conductive circuits where a rough surface at the conductor circuit surface is not flattened even at the time of irradiation of laser beam. - 特許庁

本部材は、最初に第１の極性の静電荷で帯電され、次に部材の電気絶縁表面上に存在する電荷を実質的に中和するために第１の極性とは逆の極性の静電荷で帯電され、活性化電磁放射線の画像状パターンに露光され、それによって静電潜像が形成される。例文帳に追加

The member is first charged with electrostatic charges of a first polarity, charged a second time with electrostatic charges of a polarity opposite to the first polarity in order to substantially neutralize the charges residing on the electrically insulating surface of the member and exposed to an imagewise pattern of activating electromagnetic radiation whereby an electrostatic latent image is formed. - 特許庁

本発明は、絶縁表面上に非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜に結晶化を促進する金属元素を添加した後加熱により結晶化し、前記結晶化した半導体膜に連続発振のレーザ光を照射し、前記レーザを照射した結晶性半導体膜の上部を除去することを特徴とする。例文帳に追加

A noncrystalline semiconductor film is formed on an insulated surface, it is crystallized by heating after the metal element to promote the crystallization is added to the noncrystalline semiconductor film, a laser light of a continuous wave oscillation is irradiated to the crystallized semiconductor film , and an upper portion of the crystalline semiconductor film irradiated by the laser is removed. - 特許庁

前記メタル層は、前記第１及び第２リードフレームと電気的に接続している第１及び第２電極パターンと、前記第１及び第２電極パターンの少なくとも一方と絶縁され、前記ベース層及び前記発光素子パッケージの少なくとも一つから発生した熱を吸収して放熱する放熱パターンとを備える。例文帳に追加

The metal layer comprises a first and a second electrode pattern electrically connected to the first and the second lead frame; and a heat dissipation pattern insulated from at least one of the first and the second electrode pattern, and absorbing and dissipating heat generated from at least one of the base layer and the light emitting element package. - 特許庁

高誘電体ゲート絶縁膜である酸化ハフニウム膜、バリアメタル膜としてタンタル窒化膜を製膜する半導体集積回路製造プロセスにおける半導体基板上のハフニウム、タンタルを１本のイリジウムＸ線管で高感度、高精度に分析することができる蛍光Ｘ線分析装置およびその方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a fluorescent X-ray analyzer which analyzes hafnium and tantalum on a semiconductor substrate in a semiconductor integrated circuit manufacturing process for forming hafnium oxide film being a high dielectric gate insulating film and tantalum nitride film being a barrier metal film with high sensitivity and high precision, with one iridium X-ray tube, and also to provide an fluorescent X-ray analyzing method. - 特許庁

色素増感太陽電池１００は、ガラス基板１と、透明導電性層１、多孔質半導体層２、多孔質絶縁層３、対極層４からなる複数の光電変換素子１０と、カバーガラス基板２２と、封止材としての第１のガラスフリット層２３及び第２のガラスフリット層２４を有する。例文帳に追加

The dye-sensitized solar cell 100 includes a glass substrate 1, a transparent conductive layer 1, a porous semiconductor layer 2, a porous insulating layer 3, a plurality of photoelectric conversion elements 10 comprising counter electrode layers 4, a cover glass substrate 22, and a first glass frit layer 23 and a second glass frit layer 24 as the sealing material. - 特許庁

加工温度が低く、耐熱性に優れた樹脂として、エポキシ変性ポリイミド及びこれを用いた感光性組成物、及びこれを用いた配線材料である電気絶縁性、半田耐熱性、造膜性、可撓性および耐薬品性に優れたカバーレイフィルム、ソルダーレジスト、およびそれを用いたプリント配線板を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an epoxy modified polyimide and a photosensitive composition using this as a rein with low working temperature and excellent heat- resistance and to provide a wiring material using this, cover lay film and solder resist excellent in electrical insulation, resistances to soldering heat, film formability, flexibility and chemical resistance, and a printed wiring board using this. - 特許庁

仮乾燥後の指触乾燥性、現像ライフ及び感光性に優れ、且つソルダーレジストに要求される密着性、電気絶縁性、はんだ耐熱性、耐溶剤性、耐アルカリ性、耐酸性、耐メッキ性等に優れた硬化塗膜が得られるアルカリ現像可能なソルダーレジスト樹脂組成物及びその硬化物を提供する。例文帳に追加

To provide an alkali-developable solder resists resin composition having excellent suitability to set to touch after temporary drying, development life and photosensitivity and giving a cured coating film having excellent adhesion, electric insulation, resistance to the heat of soldering, solvent, alkali and acid and plating required for a solder resist and to provide a cured body of the composition. - 特許庁

ヘッドチップを構成する基板表面に形成された金属膜にレーザー加工によって絶縁部を形成することにより所望パターンの電極形成を行うインクジェットヘッドの製造方法において、前記レーザー加工は、被加工部の同一個所に対して２回以上レーザー光が照射される場所が存在する条件で行うことを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。例文帳に追加

In the manufacturing method for an ink-jet head for forming an electrode in a desired pattern by forming an insulated part by a laser process in a metallic film formed on a substrate surface comprising a head chip, the laser process is executed with a condition that a laser beam is directed at least twice to the same portion of a part to be processed. - 特許庁

つぎに、所定領域が開口された保護酸化シリコン膜２および窒化シリコン膜３をマスクとして半導体基板１をエッチングすることにより半導体基板１に素子分離用の溝を形成し、溝の側壁面および底面に沿うように電磁波を吸収する絶縁性の遮光膜４０２を形成する。例文帳に追加

A trench for element isolation area is formed in the semiconductor substrate 1 by etching the semiconductor substrate 1 with the protective silicon oxide film 2 and the silicon nitride film 3 with the predetermined areas each opened as the masks, and an insulative shielding film 402 absorbing electromagnetic wave is formed so as to be along the side wall surface and bottom of the trench. - 特許庁

帯電極性と同じ極性の電荷が帯電器２自身に流失することを阻止する絶縁膜７を流失防止層として感光体１に接触する部分に備えることで、帯電により生じた電子が帯電器２内部に流失してしまうことがなく、内部分極型帯電方法を用いる場合の高効率化を図れる。例文帳に追加

This charger achieves a high efficiency in the case of applying the method of internal polarization, while preventing the electrons generated by the charge from flowing into the charger by disposing an insulation layer 7 for preventing the electric charge in the same polarity as that of a charging electrode from flowing into the charger 2 itself on a section held in contact with a photoreceptor 1 as the flowing out preventive layer. - 特許庁

ｐｎ接合を有する禁制帯の異なる各半導体層が絶縁膜を介して積層される複数の半導体層（第一の半導体層１、第二の半導体層３、第三の半導体層５）は、出力先の昇圧型電源装置の昇圧回路を起動可能な光起電圧を出力する広禁制帯幅の半導体層である起動可能半導体層（第三の半導体層５）を有する。例文帳に追加

A plurality of semiconductor layers (a first semiconductor layer 1, a second semiconductor layer 3, a third semiconductor layer 5) where each semiconductor layer of different forbidden band with a pn junction have an activatable semiconductor layer (the third semiconductor layer 5) which is a semiconductor layer of wide forbidden band width outputting a photovoltaic voltage that can activate the boost circuit in a boost type power supply device at the output destination. - 特許庁

一方の電極となるアルミニウム層１上に、第１導電型の結晶シリコン粒子３を多数配設し、この結晶シリコン粒子３間に絶縁物質２を介在させ、この結晶シリコン粒子３上に第２導電型の半導体部４を形成した光電変換装置であって、上記結晶シリコン粒子３の表面及びアルミニウム層１の表面にシアン化層６を形成した。例文帳に追加

In the photoelectric converter manufactured by comprising the steps of: arranging a number of first conductive type crystal silicon particles 3 on an aluminum layer 1 to serve as one electrode; arranging an insulation material 2 between the crystal silicon particles 3; and forming a second conductive type semiconductor part 4 on the crystal silicon particles 3; a layer cyanide 6 is formed on the surface of the particle 3 and the layer 1. - 特許庁

電荷転送部３の転送電極４，５を同一層の電極層により構成し、基板上に、基板上の酸化膜とその上の窒化膜とを含む絶縁膜を介して転送電極４，５を形成し、電荷転送部３に平行な方向における受光部２間に、窒化膜が除去された部分７を設けて固体撮像素子１を構成する。例文帳に追加

Transfer electrodes 4 and 5 at a charge transfer section 3 are constituted of the same electrode layer, the transfer electrodes 4 and 5 are formed on a substrate through an insulating film including an oxide film and an overlying nitride film, and a part 7 from where the nitride film is removed is provided between light receiving sections 2 in the direction parallel with the charge transfer section 3 thus constituting a solid state image sensor 1. - 特許庁

有機ＥＬ表示パネル１１の側端縁に露出された複数の陽極１３と、複数の陰極１７に対し短絡画素検査用の直流電源１８Ｂからの直流電圧を、発光用の直流電圧の印加方向とは逆に、即ちプラス側とマイナス側とを逆にして電圧を印加する。例文帳に追加

A direct current voltage for testing the short-circuited pixel, generated at a direct current source 18B, is impressed between a plurality of positive electrodes 13 exposed at the side end part of the organic EL panel 11 and a plurality of negative electrodes 17 with a polarity reversed from that at the light emission, namely, the voltage is impressed by reversing the positive side and negative side. - 特許庁

経時安定性に優れたコーティング性を示し、耐熱性、耐薬品性、電気絶縁性に優れ、はんだフロー時にはんだブリッジ等の発生が無く、さらにはんだとの接触による塗膜へのはんだパウダーの付着のないアルカリ現像可能な光硬化性・熱硬化性の艶消しソルダーレジストインキ組成物と、それを用いたプリント配線板を提供する。例文帳に追加

To provide a photosetting/thermosetting matt solder resist ink composition which shows coating property excellent in aging stability, is excellent in heat resistance, chemical resistance and electrical insulation property and can alkaline develop without adherence of a solder powder to a coating film in contact with the solder without generating a solder bridge, etc., at a solder flow time and to provide a printed circuit board using the same. - 特許庁

絶縁性基板上に少なくともハロゲン化銀乳剤層を有する導電性材料前駆体を露光、現像処理することで、樹脂成分を含有する銀パターンおよび／または樹脂成分を含有する非銀パターン部を設け、その後、該銀パターンおよび／または非銀パターン部に、該樹脂成分を架橋する架橋剤を作用させる。例文帳に追加

A conductive material precursor having at least a silver halide emulsion layer on an insulating substrate is subjected to exposure and development so that a silver pattern part containing a resin component and/or a non-silver pattern part containing a resin component are prepared, and then, a crosslinking agent for crosslinking the resin component is made to act on the silver pattern part and/or the non-silver pattern part. - 特許庁

パチンコ機１では、フィギュアモデル４２を本体部材３９ａ内方に退避させた瞬間、フィギュアモデル４２に関連するキャラクタ像を画面３５ａに表示することで、フィギュアモデル４２があたかも開口部上縁部の本体部材３９ａから落ちて画面３５ａを落下していく光景を演出できる。例文帳に追加

In a pachinko game machine 1, by displaying a character image relating to the figure model 42 on a screen 35a at the moment of retracting the figure model 42 to the inside of a main body member 39a, the scene as if the figure model 42 falls from the main body member 39a at an opening upper edge part and falls down the screen 35a is directed. - 特許庁

透明導電膜５４が形成されたガラス基板５０上に、フォトレジスト塗膜２０を設け、露光・現像によりフォトスペーサーを形成する工程を具備し、前記フォトマスクを用い周辺駆動回路と対向する部位に絶縁膜５７をフォトスペーサーＰｓの高さより低く、フォトスペーサーの形成と同時に形成する。例文帳に追加

The method for manufacturing a color filter includes steps of applying a photoresist coating film 20 on a glass substrate 50 where a transparent conductive film 54 is formed and exposing and developing the resist to form a photospacer, wherein the insulating film 57 is simultaneously formed while forming the photospacer, in a portion opposing to the peripheral driving circuit and to be lower than the height of the photospacer Ps by using the above photomask. - 特許庁

道路Ｒに設置されている電柱等の路上障害物Ｐと、運転中の車両との距離を確認する車両離合支援ミラー１であり、可撓性を有する鏡面シート２と、鏡面シート２の表面に貼りあわせた偏光シート３とから成り、路上障害物Ｐに巻き付けるようにその両端縁を締め付け固定するように構成した。例文帳に追加

The vehicle separation support mirror 1 for allowing a driver to check a distance between a road obstacle P such as a utility pole installed on a road R and a driving vehicle is composed of a mirror sheet 2 with flexibility and a polarization sheet 3 stuck to the surface of the mirror sheet 2 and both the end edges are gripped and fixed so as to be wound around the road obstacle P. - 特許庁

半導体装置の製造方法は、（ａ）配線用凹部を備えた絶縁層を有する半導体基板を準備する工程と、（ｂ）前記半導体基板にランプ光照射を行ない、前記配線用凹部内を含む前記半導体基板表面に実質的に銅から成る導電層を化学気相堆積で成膜する工程とを含む。例文帳に追加

This method of manufacturing a semiconductor device contains (a) a step of preparing a semiconductor substrate having an insulating layer in which a trench for wiring is formed; and (b) a step of irradiating the semiconductor substrate with light from a lamp, and a conductive layer substantially composed of copper is formed by chemical vapor deposition on the surface of the semiconductor substrate including the inside of the trench for the wiring. - 特許庁

ディスク傾倒防止用の爪部として、トレイ本体８０の凹所８０ｂ内に実質的にセットされた光ディスク１０の外周縁近傍の一部に対向可能な状態でトレイ本体の凹所の周壁８０ｃから内側に向けて突設された段差が存在しない滑らかな先端形状を有する庇部８８を含んでいる。例文帳に追加

A dent part 88 as a catch part for preventing disk tilting is included, which has a smooth tip shape projected from the peripheral wall 80c of the recess of a tray main body toward the inside in the state of opposing a part of the outer peripheral edge vicinity of an optical disk 10 substantially set in the recess 80b of the tray main body 80, and having no step. - 特許庁