「FIRST PROCESS」に関連した英語例文の一覧と使い方(70ページ目) - Weblio英語例文検索

In a process of forming a sealing material from a first point to a second point on an upper substrate or a lower substrate, the upper substrate and the lower substrate are adhered together after the sealing material of the first point and the sealing material of the second point are separated.例文帳に追加

本発明は、上部基板または下部基板に第１地点から第２地点までシーリング材を形成する過程で前記第１地点のシーリング材と前記第２地点のシーリング材が離隔されるようにした後、上部基板及び下部基板を合着する。 - 特許庁

In the cooling process (S6), since the thermal expansion rate of the first layer 81 is larger than that of the piezoelectric body 70, the amount of shrinkage of the first layer 81 caused by the cooling is larger compared to that of the piezoelectric body 70, and a thermal stress caused by the difference in thermal expansion is applied to the piezoelectric body 70.例文帳に追加

冷却工程（Ｓ６）では、第１層８１の熱膨張率が圧電体７０より大きいので、第１層８１の冷却による収縮量が圧電体７０と比較して大きく、熱膨張差による熱応力が、圧電体７０に加わる。 - 特許庁

The exposure method includes an exposure process for exposing a substrate through a halftone mask 30 with quadrupole illumination to form plural columnar portions that are disposed into a matrix shape in a first direction and a second direction orthogonal to the first direction.例文帳に追加

露光方法は、ハーフトーンマスク３０を介して基板を４重極照明で露光することにより、基板に平行な第１方向及び第１方向に直交する第２方向にマトリクス状に配置された複数の柱状部を形成する露光工程を備える。 - 特許庁

The exposure apparatus includes a cleaning device which has a first supply port capable of supplying a plasma produced from a process gas, and cleans a member to be cleaned by bringing the plasma supplied from the first supply port into contact with the member to be cleaned.例文帳に追加

露光装置は、プロセスガスより生成されたプラズマを供給可能な第１供給口を有し、第１供給口から供給されたプラズマと洗浄対象部材とを接触させて、洗浄対象部材をクリーニングするクリーニング装置を備えている。 - 特許庁

Meanwhile in an injection process the injection cylinder 1 is driven in high speed by joining an operating oil from the second hydraulic pump 21 to a first main line 5 of the first hydraulic pump 2, wherein the joining is carried out by a second switch valve 25 through a joining line 24 and a check valve 28.例文帳に追加

一方、射出工程時には、第２切換弁２５によって、第２油圧ポンプ２１からの作動油を合流ライン２４およびチェック弁２８を介して、第１油圧ポンプ２の第１メインライン５に合流させて、射出シリンダ１を高速で駆動する。 - 特許庁

The manufacturing method has an adjustment process of performing the adjustment of relating treatment relating to at least one of the first treatment and the second treatment during idle time generated due to a difference between the throughput of the first treatment apparatus 50 and the throughput of the second treatment apparatus 10.例文帳に追加

第１の処理装置５０の処理能力と第２の処理装置１０の処理能力の差により生じる空き時間に、第１の処理と第２の処理の少なくともいずれか一方に関連する関連処理の調整を行う調整工程を有する。 - 特許庁

The method for testing the function of suppressing increase in quantity of fat comprises (1) a first process of testing activity of a monoacylglycerol acyltransferase in a contact system of the monoacylglycerol acyltransferase with a material to be tested and (2) a process of evaluating the function of suppressing increase in quantity of the fat depending on difference obtained by comparing the activity tested by the first process with the activity in a control.例文帳に追加

脂肪量増加抑制能力の検定方法であって、（１）モノアシルグリセロールアシルトランスフェラーゼと被験物質との接触系内における前記モノアシルグリセロールアシルトランスフェラーゼの活性を測定する第一工程、及び（２）第一工程により測定された活性と対照における活性とを比較することにより得られる差異に基づき前記物質の脂肪量増加抑制能力を評価する第二工程、を有することを特徴とする脂肪量増加抑制能力の検定方法。 - 特許庁

The manufacturing method for the semiconductor device has a process for forming a first amorphous carbon film 24 on a silicon board 1, a process for forming BPSG film 13 on the first amorphous carbon film 24 and a process for forming a second amorphous carbon film 16 on the BPSG film 13.例文帳に追加

シリコン基板１上に第１アモルファスカーボン膜２４を形成する工程と、第１アモルファスカーボン膜２４上にＢＰＳＧ膜１３を形成する工程と、ＢＰＳＧ膜１３上に第２アモルファスカーボン膜１６を形成する工程と、第２アモルファスカーボン膜１６をパターニングし、第２アモルファスカーボン膜１６をハードマスクとしてＢＰＳＧ膜１３を第１アモルファスカーボン膜２４が露出するまでエッチングする工程と、露出した第１アモルファスカーボン膜２４および第２アモルファスカーボン膜１６をアッシングする工程とを備える。 - 特許庁

This curl correcting method comprises a first curl correcting process for temporarily deforming and holding curl corrected object paper in cylindrical curved shape to forcibly apply a curl(CR) in a fixed direction, and a second curl correcting process for temporarily deforming and holding the paper in cylindrical curved shape in an opposite direction to the fixed direction after the first curl correcting process to eliminate the forcibly applied curl(CR).例文帳に追加

カール補正対象の用紙を一時的に円筒面状の湾曲形状に変形保持してその用紙に一定の方向のカール（ＣＲ）を強制的に付与する第１のカール補正工程と、この第１のカール補正工程の後で当該用紙を前記一定の方向とは反対の方向に一時的に円筒面状の湾曲形状に変形保持して前記強制的に付与したカール（ＣＲ）を取り除く第２のカール補正工程とを含むカール補正方法とした。 - 特許庁

The manufacturing method of the three-dimensional metal fine structure having an arbitrary stereoscopic shape comprises a first process for forming a polymer structure having a three-dimensional fine structure by a two-photon absorbing fine shaping method for irradiating a photosetting resin with a short pulse laser beam and a second process for forming a metal film on the polymer structure formed by the first process by electroless plating.例文帳に追加

任意の立体形状を備えた３次元金属微細構造体の製造方法において、光硬化性樹脂に対して短パルスレーザー光を照射して２光子吸収微細造形法により３次元微細構造を備えたポリマー構造体を形成する第１の工程と、上記第１の工程により形成されたポリマー構造体に無電解めっきにより金属膜を形成する第２の工程とを有する３次元金属微細構造体の製造方法である。 - 特許庁

A second ion implanting process (c1) implants the additional function layer 4 with ions at its surface as much as the total dose in the first and second planting processes exceeding the critical dose at the same deposition depth position as that in the first ion implanting process, thus making the peel-expected ion implanted layer 3 into a peeling ion implanted layer 3'.例文帳に追加

第２のイオン注入工程（ｃ１）で、付加機能層４の表面側から第１のイオン注入工程でイオン注入されたのと同じ深さ位置となるように、第１のイオン注入工程でイオン注入されたドーズ量と合わせて臨界ドーズ量以上となるドーズ量のイオンを打ち込むことにより剥離予定イオン注入層３を剥離用イオン注入層３’とする。 - 特許庁

In a second growth process, subsequent to the heat treatment process, since the first single-crystal semiconductor layer 12 as a base is relieved in stress, a second single-crystal semiconductor layer 18, having different lattice constant and/or thermal expansion coefficient from those of the first single-crystal semiconductor layer 12, is applied with stress; and a high-quality strain semiconductor substrate is obtained.例文帳に追加

この熱処理工程の後に実施される第２成長工程において、下地となる第１単結晶半導体層１２はその応力が緩和されているので、第１単結晶半導体層１２とは格子定数及び／又は熱膨張率が異なる第２単結晶半導体層１８に応力が加わり、良質な歪み半導体基板を得ることができる。 - 特許庁

The method for producing the two-layer film includes a process for forming the first metal film containing nickel of 60-100 wt.% by a vacuum evaporation method, an ion plating method or a sputtering method under an atmosphere containing nitrogen gas on the polymer film; and a process for forming the second metal film having copper as the main component on the first metal film.例文帳に追加

高分子フィルム上に、窒素ガスを含む雰囲気下での、真空蒸着法またはイオンプレーティング法またはスパッタリング法によりニッケルを６０重量％以上１００重量％以下含む第１の金属膜を形成する工程と、第１の金属膜上に、銅を主成分とする第２の金属膜を形成する工程とを備える２層フィルムの製造方法。 - 特許庁

The data processing section of an information processing device that performs the copying process in which the recorded data of first media is recorded to second media performs the process such that the section refers to selection information contained in information received from a management server, selects from the first media a copy unit that has a data attribute, such as sound and subtitle, defined as copy permission data in the selection information.例文帳に追加

第１メディアの記録データを第２メディアに記録するコピー処理を実行する情報処理装置のデータ処理部は管理サーバからの受信情報に含まれるセレクション情報を参照し、該セレクション情報においてコピー許容データとして定義されたデータ態様、例えば音声、字幕を持つコピーユニットを前記第１メディアから選択して、前記第２メディアにコピーする処理を行う。 - 特許庁

A production schedule planning device 1 is provided with: a master reading device 2 for reading preliminarily applied operation conditions; a batch processing group creation device 3 for creating a batch processing group based on the read operation conditions; and a first process schedule creation device 4 for creating the schedule of the first process based on the created batch processing group and the read operation conditions.例文帳に追加

生産スケジュール立案装置１は、予め与えられている操業条件を読み取るマスタ読取装置２と、読み取った操業条件に基づいてバッチ処理グループを作成するバッチ処理グループ作成装置３と、作成したバッチ処理グループと読み取った操業条件とに基づいて第１工程のスケジュールを作成する第１工程スケジュール作成装置４とを備える。 - 特許庁

Although a first piezoelectric layer 71 on a vibration plate 52 is removed at a step of a photolithography etching process with remaining a region where a lower electrode 60 is formed, a second piezoelectric layer 72 containing lead zirconate titanate having a thickness equal to or more than 4 nm and equal to or less than 20 nm is formed over the first piezoelectric layer 71, the lower electrode 60, and the vibration plate 52 after the photolithography etching process.例文帳に追加

フォトリソエッチ工程の段階で、下電極６０が形成される領域を残して、振動板５２上の第１圧電体層７１が除去されるが、フォトリソエッチ工程後に、第１圧電体層７１、下電極６０および振動板５２にわたって、４ｎｍ以上、２０ｎｍ以下の厚みのチタン酸ジルコン酸鉛を含む第２圧電体層７２を形成する。 - 特許庁

A first paste consisting of emulsion or dispersion of paraffin and/or polysiloxane and/or fluorine compound is coated continuously on one side of the textile surface, then the coat formed by the first paste is stabilized by means of a drying process, then a second paste consisting of a hydrophilic polymer is coated on the other side and the coat surface is stabilized by an additional drying process.例文帳に追加

パラフィンおよび／またはポリシロキサンおよび／またはフッ素化合物の各乳剤か分散剤を有する第一ペーストが、布地表面の一方の面に連続して塗布され、その後、第一ペーストによって形成されたコートが乾燥過程で安定化させられ、その後、吸水性ポリマーを有する第二ペーストが布地表面の他方の面に塗布され、別の乾燥過程で安定化させられる。 - 特許庁

The planar light source device 20 comprises a light guide plate 30 provided with a light-diffusing element 40, a light-emitting body 25 arranged beside the light guide plate, a first lens sheet 50 formed by putting under extrusion process thermoplastic resin arranged facing the light guide plate, and a second lens sheet 60 formed by putting under extrusion process thermoplastic resin arranged facing the first lens sheet.例文帳に追加

面光源装置２０は、光拡散要素４０を設けられた導光板３０と、導光板の側方に配置された発光体２５と、導光板に対面して配置された熱可塑性樹脂を押し出し加工してなる第１レンズシート５０と、第１レンズシートに対面して配置された熱可塑性樹脂を押し出し加工してなる第２レンズシート６０と、を有する。 - 特許庁

A method and system for vapor deposition on a substrate that disposes a substrate in a process space of a processing system that is isolated from a transfer space of the processing system, processes the substrate at either of a first position or a second position in the process space while maintaining isolation from the transfer space, and deposits a material on the substrate at either the first position or the second position.例文帳に追加

基板上の蒸着のための方法およびシステムであって、処理システムの移送空間から分離（アイソレーション）された処理システムの処理空間に基板を配置し、移送空間から分離が維持されている間、処理空間の第１の位置または第２の位置のいずれかで基板を処理し、前記第１の位置または第２の位置のいずれかで前記基板に材料を堆積させる。 - 特許庁

Exhaust gas air fuel ratio is controlled to discharge oxygen stored in a three-way catalyst (S30, S32) in a first period from start of purge process to discharge of oxygen stored in the three-way catalyst, and to reduce and eliminate nitrogen oxide stored in a nitrogen oxide storage catalyst (S38) in a second period after the first period during purge process.例文帳に追加

パージ処理時において、パージ処理開始から三元触媒に吸蔵された酸素が放出されるまでの第１の期間では三元触媒に吸蔵された酸素が放出されるように排気空燃比を制御し（S30、S32）、第１の期間以降の第２の期間では窒素酸化物吸蔵触媒に吸蔵された窒素酸化物が還元除去されるように排気空燃比を制御する（S38）。 - 特許庁

A film processing method comprises a first process of selectively processing the processed films 105 and 106 located in a processing region by relatively irradiating the substrate with first processing light rays 110 whose irradiation shape on the substrate is smaller than the processing region and a second process of selectively processing the processed films 105 and 106 by irradiating the processing region with second processing light rays 112.例文帳に追加

基板上での照射形状が前記加工領域より小さい第１の加工光１１０を、前記基板に対して相対的に走査させて前記加工領域の加工膜１０５，１０６の加工を選択的に行う工程と、前記加工領域内に第２の加工光１１２を照射して加工膜１０５，１０６の加工を選択的に行う工程とを含む。 - 特許庁

The substrate processing apparatus has a control means for performing a first recipe to process the substrate; and performs a second recipe, to maintain a processing chamber for processing the substrate, when a predetermined period of time elapses, in a state in which the substrate is not fed for the sequential substrate process, after the first recipe is performed, to finalize the predetermined substrate processing.例文帳に追加

本発明に係る基板処理装置は，基板を処理するための第１のレシピを実行する制御手段を備え、前記第１のレシピを実行して所定の基板処理を終了させてから、次の基板処理で使用する基板が投入されない状態で所定時間達したら、前記基板が処理される処理室を保守するための第２のレシピを実行する。 - 特許庁

To provide an electron emitting element whereby deterioration of landing characteristics of emitted electrons classified by each coloring matter due to dislocation of the alignment of a first substrate and a second substrate which is caused in an assembling process, or contraction/expansion errors of the first substrate and the second substrate which is produced during a heating process can be alleviated, and uniformity of luminance and color reproducibility can be enhanced.例文帳に追加

本発明の目的は組立工程で発生する第１基板と第２基板の整列位置外れ、又は熱工程の途中で発生する第１基板と第２基板の収縮/膨脹誤差などによる各画素別放出電子のランディング特性低下を軽減でき、輝度と色再現力の均一度を向上させられる電子放出素子を提供することにある。 - 特許庁

The image processor includes: an image acquisition part for acquiring first to n-th frame images; a laminated image creation part for creating a laminated image by executing a lamination process of the acquired first to n-th frame images; and a composition candidate determination part for executing a determination process of a composition candidate region including an object of the laminated image based on the created laminated image.例文帳に追加

画像処理装置は、第１〜第ｎのフレーム画像を取得する画像取得部と、取得された第１〜ｎのフレーム画像の貼り合わせ処理を行って、貼り合わせ画像を作成する貼り合わせ画像作成部と、作成された貼り合わせ画像に基づいて、貼り合わせ画像の被写体が含まれる構図候補領域の決定処理を行う構図候補決定部を含む。 - 特許庁

A pouring method and a device thereof are provided with a process for sensing the start of pouring and opening a first electromagnetic valve V1 for a beverage container 7 and a process for closing the first electromagnetic valve V1, opening a second electromagnetic valve V2 connected with the beverage container 7 and adjusting the gas pressure in the beverage container 7 to the gas pressure corresponding to the temperature of the gas containing beverage.例文帳に追加

注出開始を検知して飲料の容器７への第一の電磁弁Ｖ１を開放する工程と、注出完了を検知した後、第一の電磁弁Ｖ１を閉じ飲料の容器７に繋がれた第二の電磁弁Ｖ２を開放し、気体含有飲料の温度に応じたガス圧力に飲料の容器７内のガス圧力を調整する工程と、を有する注出方法と装置とする。 - 特許庁

The client, when a user operation process part 403 receives a notification about input start reporting that inputting of a massage to be transmitted to a first client has been started, from a second client, performs a process with the massage to be transmitted/received to/from the first client or the second client, according to the inputting speed of the massage by the second client.例文帳に追加

本発明のクライアントは、ユーザ操作処理部４０３が、第１のクライアントへ送信するメッセージの入力を開始したことを通知するための入力開始通知を第２のクライアントから受信すると、前記第１のクライアントまたは前記第２のクライアントとの間で送受信するメッセージに対して、前記第２のクライアントによるメッセージの入力速度に応じた処理を実行する。 - 特許庁

A method of producing SRO comprises: a process of allowing a first silicon source gas containing no oxygen to adsorb to a substrate and then of forming a SiO_2 film by oxidation reaction between a reaction gas containing oxygen and the first silicon source gas; and a process of forming a Si film by reduction reaction between a second silicon source gas containing no oxygen and a reaction gas corresponding to it.例文帳に追加

Ｏが含まれていない第１シリコンソースガスを基板に吸着させた後、Ｏが含まれた反応ガスと第１シリコンソースガスとの酸化反応によりＳｉＯ_２膜を形成する工程と、Ｏ成分を含んでいない第２シリコンソースガスとこれに対応する反応ガスとの還元反応によりＳｉ膜を形成する工程と、を含むことを特徴とするＳＲＯの製造方法である。 - 特許庁

A manufacturing method of a stamper for an optical recording medium used in roughening a substrate composing an optical recording medium has; an electrocasting treatment process which produces a first metal layer 66 having a thickness of t ≥300 μm by electrocasting; and a blast treatment process which produces an original stamper 76 by roughening a part of a main surface of the first metal layer 66 by blast processing.例文帳に追加

光記録媒体を構成する基板を粗面化する際に使用される光記録媒体用スタンパの製造方法であって、電鋳によって厚みｔが３００μｍ以上の第１金属層６６を作製する電鋳処理工程と、第１金属層６６の一主面の一部をブラスト処理によって粗面化して原版スタンパ７６を作製するブラスト処理工程とを有する。 - 特許庁

This semiconductor device manufacturing method is composed of a process wherein the collector region is formed from the first conductivity type semiconductor substrate 1, and a process wherein the first conductivity type emitter region 6 is formed in the vicinity of the surface of the impurity diffusion layer 5 using a side wall 4 as a mask.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１からコレクタ領域を形成する工程と、前記コレクタ領域の表面近傍に、配線３をマスクとして第２導電型の不純物拡散層５を形成する工程と、前記不純物拡散層５の表面近傍に、サイドウオール４をマスクとして第１導電型のエミッタ領域６を形成する工程とを備える半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method for the screen printing plate 1 comprises a process of forming a first resist pattern 11 having linear shapes to be a plurality of mesh openings 3 along one direction, and a process of forming a second resist pattern 13 having linear shapes intersecting the first resist pattern 11 and outer edge shapes surrounding these linear shapes.例文帳に追加

また、本発明に係るスクリーン印刷版１の製造方法は、一方向に沿った複数のメッシュ開口部３となる直線形状を有する第１のレジストパターン１１を形成する工程と、第１のレジストパターン１１と交差する直線形状、及び、これらの直線形状を囲んだ外縁形状を有する第２のレジストパターン１３を形成する工程とを含んでいる。 - 特許庁

It is formed by a process which includes a process for performing anodic formation with a first current density, a process for performing anodic formation with a second current density different from the first current density and a process for performing anodic formation with a third current density different from the first and second current densities.例文帳に追加

シリコン基板表面を陽極化成し非多孔質シリコン基体１１上に多孔質シリコン層１２を有する第１の基板を用意する工程、第１の基板上に非多孔質薄膜１３を形成する工程、第１の基板と第２の基板とを非多孔質薄膜が内側に位置するように貼り合わせて多層構造体を形成する工程、及び多層構造体を多孔質シリコン層１２において分離する工程、を有し、多孔質シリコン層１２は、第１の電流密度で陽極化成する工程、第１の電流密度とは異なる第２の電流密度で陽極化成する工程、及び第２の電流密度とは異なる第３の電流密度で陽極化成する工程、を含む工程により作製される。 - 特許庁

This method for manufacturing the non-contact type reception/transmission body includes a process B of making a pair of suppression members 34, 35 disposed at an interval b smaller than a width (a) of a first adhesive 13A abut on the first adhesive applied to a first release base material 21 from both sides of a width direction thereof immediately before lapping an inlet sheet 22 on the first release base material 21.例文帳に追加

本発明の非接触型データ受送信体の製造方法は、第一の剥離基材２１に、インレットシート２２を重ね合わせる直前に、第一の剥離基材２１に塗布した第一の接着剤１３Ａに対して、その幅方向の両側から、その幅ａよりも小さい間隔ｂを隔てて配置された一対の抑制部材３４，３５を当接させる工程Ｂを有することを特徴とする。 - 特許庁

The susceptor is formed by a process in which corpuscles 202 composed of a first material are arrayed regularly in two dimensions on the substrate 201, the process in which air gaps formed of the substrate 201 and the corpuscles 202 are filled with a substance 203 consisting of a second material and the substance 203 is cured as required, and the process in which the corpuscles 202 are removed.例文帳に追加

そしてこのサセプターは、基板２０１上に第一の材料からなる微粒子２０２を規則的に２次元配列させる工程と、基板２０１と微粒子２０２によって形成された空隙に第二の材料からなる物質２０３を充填し必要に応じ硬化させる工程と、前記微粒子２０２を除去する工程により形成したことを特徴とする。 - 特許庁

Before a resist eliminating process which eliminates resist 104 by using mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide water at 130°C or higher, and a second insulating film forming process for forming a first gate oxide film, a semiconductor wafer is cleaned by a cleaning process using mixed solution composed of sulfuric acid and hydrogen peroxide water or mixed solution composed of hydrochloric acid, hydrogen peroxide water and water.例文帳に追加

レジスト１０４を１３０℃以上の硫酸および過酸化水素水の混合液を用いて除去を行うレジスト除去工程と、第１のゲート酸化膜を形成する第２絶縁膜形成工程の前に、洗浄工程により、硫酸および過酸化水素水からなる混合液、若しくは、塩酸、過酸化水素水および水からなる混合液を用いて半導体ウェハーの洗浄を行う。 - 特許庁

The manufacturing method for the polypropylene resin composition includes a process to manufacture a melt-kneaded substance of a component (I) by melting and kneading the component (I) with weight of W_I and a process to manufacture a composition by melting and kneading a component (II) with weight of W_II and the melt-kneaded substance obtained by the first process, and the polypropylene resin composition is obtained by the manufacturing method.例文帳に追加

重量がＷ_Ｉの成分（Ｉ）を溶融混練して、成分（Ｉ）の溶融混練物を製造する工程と、重量がＷ_ＩＩの成分（ＩＩ）と、第一工程で得られた溶融混練物とを溶融混練して、組成物を製造する工程とを含むポリプロピレン系樹脂組成物の製造方法、および、その製造方法によって得られるポリプロピレン系樹脂組成物。 - 特許庁

The method comprises a first process of applying a solution containing the overhydrogenated silazane polymer on a substrate 110, a second process of forming a film 108 containing the overhydrogenated silazane polymer by heating the solution, and a third process of turning the film 108 into an insulating film containing silicon and oxygen by subjecting the film 108 to an oxidation treatment in a reduced-pressure atmosphere 110 of water vapor.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、基板１１０上に過水素化シラザン重合体を含む溶液を塗布する工程と、前記溶液を加熱して、過水素化シラザン重合体を含む膜１０８を形成する工程と、減圧下の水蒸気雰囲気１１０中で膜１０８を酸化処理して、膜１０８をシリコンおよび酸素を含む絶縁膜に変える工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

This manufacturing method of optical recording medium comprises a process in which a first dielectric layer, a light absorption layer and a second dielectric layer are laminated successively on a supporting substrate, a process in which a laser beam is emitted and information is recorded, and a process in which an unrecorded part of the second dielectric layer is eliminated by solution etching and it is processed in a convex type.例文帳に追加

光記録媒体の製造方法において、支持基板上に第１の誘電体層、光吸収層、第２の誘電体層を順次積層する工程、レーザー光を照射し情報を記録する工程、溶液エッチングにより第２の誘電体層の未記録部分を除去し凸状に加工する工程を少なくとも含むことを特徴とする光記録媒体の製造方法。 - 特許庁

Meanwhile, a first process where the band-like aluminum electric wire 20 is allowed to pass the insulating heat-resistant paint 16 housed in the coating device 12, a second process where the aluminum electric wire 20 coated with the insulating heat-resistant paint 16 is dried, and a third process where the aluminum electric wire 20 is wound in roll, are provided.例文帳に追加

一方、本発明の吊り上げ電磁石用コイルの製造方法は、帯状のアルミニウム電線２０を、塗布装置１２内に収容された絶縁性耐熱塗料１６中を通過させる第１工程と、この絶縁性耐熱塗料１６を塗布したアルミニウム電線２０を乾燥させる第２工程と、このアルミニウム電線２０をロール状に巻回しする第３工程とからなるようにした。 - 特許庁

In the manufacturing method, the semiconductor device is manufactured in a first process for forming a semiconductor element on the semiconductor substrate 1, a second process for forming a silicon nitride film on a semiconductor element by a CVD device by using ammonia gas or silane gas comprising the deuterium D5 as a composition as a part of material gas, and a third process for heating a semiconductor board to 300°C or higher.例文帳に追加

半導体基板(1)上に半導体素子を形成する第１の工程と、重水素Ｄ(5)を組成に含むアンモニアガスまたはシラン系ガスを材料ガスの一部としてＣＶＤ装置により半導体素子上に窒化シリコン膜を形成する第２の工程と、半導体基板を３００℃以上に加熱する第３の工程により半導体装置(6)を製造する。 - 特許庁

When depositing the colossal magneto-resistive material thin film which has epitaxially grown after crystal orientation on a base electrode by sputtering using facing targets, a sputtering process having at least two steps are used, a deposition rate is relatively slowed down in the sputtering process in a first step, and the deposition rate is relatively accelerated in the sputtering process in later steps to form the thin film.例文帳に追加

対向ターゲットを用いたスパタッリングによって下地電極上の結晶方位に倣ってエピタキシャル成長した巨大磁気抵抗材料薄膜を成膜する際に、少なくとも２段階のスパッタリング工程を用い、第１段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に遅くし、その後の段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に速くして薄膜を形成する。 - 特許庁

This method for manufacturing the powder has a process step of reacting first raw materials and second raw materials under agitation to obtain a slurry containing and aggregate resulted from their synthesis and a process step of drying the slurry to obtain the powder of the synthesis and comprises regulating the grain size of the aggregate by controlling the agitating force of the agitation in the process step of obtaining the slurry.例文帳に追加

本発明の粉体の製造方法は、第１の原料と第２の原料とを攪拌しつつ反応させ、これらの合成物の凝集体を含むスラリーを得る工程と、スラリーを乾燥して、合成物の粉体を得る工程とを有し、スラリーを得る工程における攪拌の攪拌力を制御することにより、凝集体の粒径を調整することを特徴とする。 - 特許庁

The ornamental glassware producing method includes: a first process for arranging an ornamental part 2 consisting of a heat-resistant material on a glass base body 1; a second process for softening the glass base body 1 by heating it in a furnace at 500 to 1,000°C to reduce viscosity; and a third process for embedding the ornamental part 2 into the glass base body 1.例文帳に追加

本発明の装飾ガラス製品の製造方法は、ガラス基体１上に耐熱材料からなる装飾パーツ２を配置する第１工程と、加熱炉内にて５００〜１０００℃に加熱することにより、ガラス基体１を軟化すると共に粘性を低下させる第２工程と、装飾パーツ２をガラス基体１に埋設する第３工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method is at least provided with the first step which extracts patterns of which process likelihood to the fluctuation of an exposure quantity and a focal distance does not reach a prescribed reference value from patterns of mask used in an optical exposure process of a semiconductive device designed according to prescribed design rules, and the second step which corrects the patterns to satisfy the process likelihood with the reference value.例文帳に追加

所定のデザインルールに従って設計された、半導体装置の光露光工程において使用するマスクの設計パターンから、露光量と焦点距離の変動に対するプロセス裕度が所定の基準値に達していないパターンを抽出する第１ステップと、プロセス裕度が基準値を満たすようにパターンを補正する第２ステップとを少なくとも具備する。 - 特許庁

The manufacturing method of an electrode for the electrochemical element includes a first process of continuously installing active material layers for storing and releasing lithium on a conductive current collector, and forming a precursor of the electrode in a hoop state; a second process of forming a plurality of grooves in the active material layer; and a third process of membrane forming lithium on the active material layer.例文帳に追加

本発明の電気化学素子用電極の製造方法は、導電性を有する集電体の上にリチウムを吸蔵放出する活物質層を連続して設け、電極の前駆体をフープ状に形成する第１の工程と、活物質層に複数の溝を形成する第２の工程と、活物質層の上にリチウムを成膜する第３の工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

When performing dicing process for a lamination 15 after the completion of wafer process, as a pretreatment, a first grinding process is performed in advance for removing not only an electrode pad 16b, but also a silicon oxide film 14b and passivation film 18b, which are formed on a silicon substrate 12 of the dicing area 20, being a component part of TEG, and cannot make a laser beam penetrate.例文帳に追加

ウェハプロセス終了後の積層体１５に対してダイシング工程を行うに当たり、その前処理として、ダイシング領域２０のシリコン基板１２上に形成されている、ＴＥＧの構成部分である、レーザ光を透過させ難い電極パッド１６ｂをはじめシリコン酸化膜１４ｂやパッシベーション膜１８ｂを除去するための第１の研削工程を行っておく。 - 特許庁