「FIRST PROCESS」に関連した英語例文の一覧と使い方(69ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of manufacturing the photoelectric composite substrate includes: a first process of sticking an optical waveguide on the substrate surface of a substrate with metal foil via an adhesive layer; and a second process of making the metal foil of the substrate with the metal foil into a conductor pattern to construct an electric wiring board.例文帳に追加

金属箔付き基板の基板表面に接着剤層を介して光導波路を張り合わせる第１の工程と、金属箔付き基板の金属箔を導体パターン化して電気配線基板を構築する第２の工程を有する光電気複合基板の製造方法である。 - 特許庁

A light signal waveform measuring method comprises a the first process for separating different polarization components of an input light signal to be brought into light signals having a common polarization component, and for time-dividing those to be multiplexed, and a second process for measuring the multiplexed light signal.例文帳に追加

光信号波形測定方法は、入力された光信号の異なる偏光成分を分離して、共通する偏光成分を有する光信号とし時分割にして多重化する第１の工程と、多重化した光信号を測定する第２の工程とを有する。 - 特許庁

This repairing method for shorted parts of a plasma display panel is as follows: a first process is the removing of a shorted part between a maintaining electrode and a scanning electrode, and the part of the maintaining electrode and the scanning electrode around the shorted part; a second process is the repairing of the maintaining electrodes and the scanning electrodes in the removed parts with repairing paste.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルの維持電極と走査電極間のショート部と、前記ショート部周辺の維持電極および走査電極とを除去する工程と、前記除去部中の維持電極および走査電極を補修用ペーストで補修する工程とを含む。 - 特許庁

Voltage variation and voltage variation time of the first voltage variation process 51 are set such that an amount D of meniscus being pulled in at a point in time, when the second voltage variation process 52 is applied satisfies a relation 0.8 l_n≤D≤1.5 l_n (l_n is the length at the straight part of the nozzle).例文帳に追加

第１電圧変化プロセス５１の電圧変化量および電圧変化時間は、第２電圧変化プロセス５２を印加する時点におけるメニスカスの引き込み量Ｄが０．８ ｌ_ｎ≦Ｄ≦１．５ ｌ_ｎの条件を満足するように設定される（ｌ_ｎはノズルのストレート部の長さ）。 - 特許庁

A method of improving throughput in a semiconductor wafer deposition process in a high-density plasma processing chamber, comprises a step of processing a first wafer within the high-density plasma processing chamber using a process including high output sufficient for burning out fluorosilicate glass residue in the processing chamber.例文帳に追加

高密度プラズマ処理室内の半導体ウエハ堆積工程の処理量を改善する方法は、処理室内のフオロ珪酸塩ガラス残留物を焼き尽くすのに十分な高出力を含む工程を用いて、高密度プラズマ処理室内で第１のウエハを処理する工程を含む。 - 特許庁

This manufacturing method includes (i) a process for forming a sheet 23 comprising a support body 21 and paste supported by the support body 21, and (ii) a process for catching and pressing the sheet 23 by first and second rolls 25 and 26 rotating in a direction opposite to the travelling direction of the sheet 23.例文帳に追加

（ｉ）支持体２１と支持体２１に支持されたペーストとからなるシート２３を形成する工程と、（ii）シート２３の進行方向とは反対の方向に回転する第１および第２のロール２５および２６によって、シート２３を挟み込んで押圧する工程とを含む。 - 特許庁

A first stereoscopic image formation process for forming a stereoscopic image when both the right image R and the left image L are updated and a second stereoscopic image formation process for forming a stereoscopic image every time either the right image R or the left image L is updated are possible.例文帳に追加

右画像Ｒおよび左画像Ｌの両方が更新された際にステレオ画像作成を行う第１ステレオ画像作成処理と、右画像Ｒおよび左画像Ｌの何れかが更新される毎にステレオ画像の作成を行う第２ステレオ画像作成処理とが可能である。 - 特許庁

1) A normalization gain setting function before a manual/automatic changeover switch is assigned to perform first normalization related to time such as a natural frequency, and a normalization gain setting function after the manual/automatic changeover switch is assigned to perform second normalization related to a process amount such as a process gain.例文帳に追加

１）手動自動切り替えスイッチの前の正規化ゲイン設定機能によって、固有周波数等の時間に関する第１正規化を行い、手動自動切り替えスイッチの後の正規化ゲイン設定機能によって、プロセスゲイン等のプロセス量に関する第２正規化を行うように振り分ける。 - 特許庁

The entry processing part 144 includes a game starting position determining part 145 for determining the game starting position of the second player according to the game condition of the first player and a game starting process part 146 for performing the process of starting the game of the second player from the game starting position determined.例文帳に追加

前記エントリー処理部１４４は、先行プレーヤのゲーム状況に基づき後発プレーヤのゲーム開始位置を決定するゲーム開始位置決定部１４５と、決定されたゲーム開始位置から後発プレーヤのゲームを開始させる処理を行うゲーム開始処理部１４６とを含む。 - 特許庁

A surface on which an organic film containing silicon formed on a semiconductor wafer substrate is removed is processed by a method at least including a first step of carrying out a cleaning process with ammonia aqueous solution, and a second step of carrying out a cleaning process with diluted hydrofluoric acid aqueous solution.例文帳に追加

半導体ウェハー基板上に形成されたシリコン含有有機膜を除去した表面を、アンモニア水溶液により洗浄処理を行う第１のステップと、希釈フッ酸水溶液により洗浄処理を行う第２のステップを少なくとも有する方法で処理する。 - 特許庁

In this application, a first process for magnetizing at least a partial region of the shaft 2 to the complete saturation state, and a second process for adjusting an operation point defined by the magnetized state for subsequently detecting the magnetic characteristic of the shaft material are periodically repeated.例文帳に追加

本発明では，シャフト２の少なくとも一部の領域を完全飽和状態まで磁化する第１工程と，引き続いてシャフト材料の磁気特性を検出するために前記磁化状態により確定した動作点を調整する第２工程とを周期的に反復する。 - 特許庁

The invention relates to the process for preparation of the cyclodextrin/alpha lipoic acid complex characterized in that, in a first step of a two step process, the alpha lipoic acid and the cyclodextrin are dissolved in an aqueous alkaline solution having a pH above pH 7, and in a second step, an acid is added to lower the pH of the solution to a pH below pH 7.例文帳に追加

第一工程としてアルファリポ酸とシクロデキストリンとを７より高いｐＨを有するアルカリ性水溶液中に溶解させ、そして第二工程として酸を添加して溶液のｐＨをｐＨ７未満のｐＨにまで低下させる二工程法を採用する。 - 特許庁

The manufacturing method of the liquid crystal display device comprizes a process of forming the hydrophobic alignment layers which can be subjected to hydrophilicizing treatment on the surfaces of the first substrate and the second substrate and a process of forming the hydrophilic regions by subjecting part of the alignment layers to the hydrophilicizing treatment.例文帳に追加

この液晶表示装置は、第１の基板表面および第２の基板表面に親水化処理可能な疎水性の配向膜を形成する工程、および、その配向膜の一部を親水化処理して親水性領域を形成する工程を含む製造方法により製造される。 - 特許庁

A photosensor 183 installed in a falling hole 182 detects tokens M falling the supply chute 18, and when the detection time is continued for a first prescribed time, an intake means 17 is opened to stop the incorporation of the tokens M as a first process step.例文帳に追加

補給シュート１８を流下するメダルＭを流下口１８２に装着したフォトセンサ１８３によって検知し、その検知時間が第１の所定時間続いたときは、第１処理段階として、取込手段１７を開放してメダルＭの取り込みを停止する。 - 特許庁

In a mode where a burn-in process is to be carried out, burn-in data are inputted through the first input terminal, the selector 50 selects output signals from the first input terminal and outputs them to a scan chain in a burn-in target circuit 2 corresponding to the second input terminal.例文帳に追加

バーンインを行うモードの時には、第１の入力端子からバーンインデータを入力し、セレクタはこの第１の入力端子からの出力信号を選択して第２の入力端子に対応したバーンイン対象回路２内のスキャンチェーンへ出力する。 - 特許庁

In a press molding process, the air between the first molding surface 42A and the decorative material 70 is sucked from a suction hole 52 of a decorative material set part 64 by driving a suction means (not shown) to bring the decorative material 70 into tight contact with the first molding surface 42A.例文帳に追加

プレス成形工程において、図示しない吸引手段を駆動し、加飾材セット部６４の吸引孔５２から第１成形面４２Ａと加飾材７０との間の空気を吸引することにより、加飾材７０を第１成形面４２Ａに密着させる。 - 特許庁

This coated metal sheet is manufactured by a process wherein the metal sheet is coated with the first coating film containing the fluoroplastic and titanium oxide, the first coating film is coated with the second coating film containing the fluoroplastic and titanium oxide without being dried and both layers are dried at the same time.例文帳に追加

金属板上にフッ素樹脂と酸化チタンを含む第１の塗装皮膜を塗布後、乾燥せずにフッ素樹脂と酸化チタンを含む第２の塗装皮膜を塗布し、両層を同時に乾燥する工程を含む塗装金属板の製造方法で製造できる。 - 特許庁

On a first conductive semiconductor layer formed on a first conductive semiconductor substrate so as to be isolated by an insulating film by a gate pre-production process, a NAND cell unit is formed to have a memory cell formed by laminating a floating gate and a control gate, and a select gate transistor.例文帳に追加

第１導電型半導体基板上に絶縁膜で分離されて形成された第１導電型半導体層に、ゲート先作りプロセスによって、浮遊ゲートと制御ゲートが積層されたメモリセルと選択ゲートトランジスタとを有するＮＡＮＤセルユニットを形成する。 - 特許庁

Concretely, in the conveyance process of the molten resin 90 extrusion-molded by the first casting roll 28 and the touch roll 24, a heat source 92 having directivity is installed at a position slightly separated from the gripping part between the first casting roll 28 and the touch roll 24.例文帳に追加

具体的には、第１キャスティングロール２８とタッチロール２４とによって押出し成形された溶融樹脂９０の搬送過程のうち、第１キャスティングロール２８とタッチロール２４との挟持部分からわずかに離間した位置に、指向性のある熱源９２を設置する。 - 特許庁

The rim cross section of a substrate cell is segmented into a first part where a cut line physically formed along the rim of the substrate cell is smoothened by a subsequent chemical polishing process and a second part that continues from the first part in the thickness direction to form a glass cut face.例文帳に追加

基板セルの周縁断面は、基板セルの周縁に沿って物理的に形成された切断線がその後の化学研磨処理によって滑面化された第１部と、第１部から板厚方向に連続してガラス割断面を形成する第２部とに区分される。 - 特許庁

This objective anisotropic porous membrane is obtained through the wet membrane formation process of a membrane dope that includes the first water-insoluble polymer as the membrane component and the second water- soluble and extractable components in which the concentration of the first component polymer is in the range of 8-11 wt.%.例文帳に追加

膜成分となる非水溶性第１成分ポリマーと被抽出成分である水溶性第２成分を含み、第１成分ポリマーの濃度が８〜１１ｗｔ％の製膜原液を湿式製膜することによって得られる異方性の多孔質膜。 - 特許庁

The recessed structure 310 consists of a first metal film 309 formed on the silicon substrate 310 using a sputtering, deposition method, and CVD method or the like; and of a second metal film 308 having a space at the center thereof and formed on the first metal film 309 using a plating process.例文帳に追加

凹型構造体310は、シリコン基板310上にスパッタリング、蒸着法、ＣＶＤ法等を用いて成膜した第１の金属膜309と、第１の金属膜309の上にめっき法を用いて成形した中央に空間を有する第２の金属膜308とから構成されている。 - 特許庁

When the ND filter, having the gradient function is formed by gas deposition process, the particles in the first chamber 6 are supplied through the transport tube 8 to the second chamber 7, by maintaining the pressure in the second chamber 7 to be lower than the pressure in the first chamber 6.例文帳に追加

ガスデポジション法により傾斜機能を有するＮＤフィルターを形成する際に、第２のチャンバ７内の圧力を第１のチャンバ６内の圧力より低く維持して、第１のチャンバ６内の粒子を、搬送管８を通じて第２のチャンバ７に供給する。 - 特許庁

In the formation process of a nitride semiconductor laminate structure made of a group III nitride semiconductor, first an n-type GaN layer (first layer), and a p-type GaN layer (second layer) containing Mg are formed on a wafer by an MOCVD method with H_2 as a carrier gas.例文帳に追加

III族窒化物半導体からなる窒化物半導体積層構造の形成工程において、キャリヤガスをＨ_２とするＭＯＣＶＤ法によって、まず、ウエハの上にｎ型ＧａＮ層（第１層）およびＭｇを含むｐ型ＧａＮ層（第２層）が形成される。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor which reduces the fatigue due to the exposure to a large quantity of light and reduces the difference in chargeability of the photoreceptor between the first rotation of the photoreceptor conductor and the second and subsequent rotations even after repeated use and can form a good image from its first rotation, image-forming equipment, and a process cartridge.例文帳に追加

大光量露光による疲労が少なく、繰り返し使用後も感光体１回転目と２回転目以降の帯電性の差が少なく、一回転目から良好な画像を形成できる電子写真感光体、画像形成装置、プロセスカートリッジの提供。 - 特許庁

A process for fabricating a heterostructure comprises a step of bonding a first wafer 110 to a second wafer 120, the first wafer 110 having a thermal expansion coefficient that is lower than the thermal expansion coefficient of the second wafer 120, and at least one bond-strengthening annealing step.例文帳に追加

第２のウェーハ１２０の熱膨張率よりも小さい熱膨張率を有する第１のウェーハ１１０を第２のウェーハ１２０に貼り合わせるステップと、少なくとも１つの貼り合わせ強化アニーリングステップとを備えたヘテロ構造を製造するためのプロセス。 - 特許庁

In the process a first state (an open state), in which the coil spring 3 expands changes into a second state (a compressed state) in which the coil spring 3 contracts, a sliding part 21 of the second plunger 2 deforms into a leaf spring shape and runs upon the inclined part 15 of the first plunger 1.例文帳に追加

コイルスプリング３が伸びている第１の状態(開放状態)からコイルスプリング３が縮んでいる第２の状態(圧縮状態)に遷移する過程で、第２プランジャー２の摺動部２１が板バネ状に変形して第１プランジャー１の傾斜部１５に乗り上げる。 - 特許庁

As the result, the difference of grinding speeds of the first insulation film 104 and the second insulation film 107 can be reduced, thereby removing the first insulation film 104 by the same series of processes and improving uniformity in a grinding process.例文帳に追加

その結果、第１絶縁膜１０４と第２絶縁膜１０７の研磨速度の差を減少させることが出来るため、第１絶縁膜１０４の除去を同じ一連の工程で行うことができ、研磨工程における均一性を向上することが出来る。 - 特許庁

For first image data output from the imaging device 20, a signal processing section 40 performs such a recovering process F as creating second image data G2 equivalent to the first image data output from an imaging device 20 when the resolution of the imaging lens 10 is high.例文帳に追加

信号処理部４０が、撮像素子２０から出力される第１の画像データに対し、撮像レンズ１０の解像力が高いときに撮像素子２０から出力される第１の画像データと同等の第２の画像データを生成するような復元処理を施す。 - 特許庁

The conductive wirings 41 and 42 respectively has a first external connection terminal and second external connection terminal by extending to the substrate projection section 11, the first external connection terminal is used at a normal motion, and the second external connection terminal is used at a manufacturing process.例文帳に追加

そして導電配線４１，４２は基板突出部１１に延伸してそれぞれ第１外部接続端子、第２外部接続端子の２つを設け、第１外部接続端子は通常動作で使用し、第２外部接続端子は製造工程で使用する。 - 特許庁

A cutting member 30 penetrates a guide member 20 in a connecting orientation and when the guide member 20 is at a first position (an approach position to a main body member 10), an edge part 31 leading edge projects from the guide member 20 to the sides of mountain fold sections b1, b2, and b3 (a first cutting process).例文帳に追加

切断部材３０は、案内部材２０を連結方向に貫通し、案内部材２０が第一位置（本体部材１０との接近位置）にあるときに、刃部３１先端が案内部材２０から山折り部ｂ１，ｂ２，ｂ３側に突出する（第一切断工程）。 - 特許庁

The first and the second members are made of different materials, and a site of the lyophobic layer formed on the first member is made of a material more easily lyophilicized than that on the second member, in the second lyophilicizing process.例文帳に追加

また前記第１の部材と第２の部材とは、互いに異なる材料からなり、前記撥液層は、第２の部材の表面上に形成された部位よりも、第１の部材に形成された部位の方が、第２の親液化工程においてより親液化される材料からなる。 - 特許庁

The first and the second reduced pressure units 152, 153 are arranged mutually vertically, and the conveying part 140 conveys a substrate W conveyed into the reduced pressure drying device 14 to the first reduced pressure unit 152 and the second reduced pressure unit 153 to perform a reduced pressure dry process.例文帳に追加

第１および第２減圧ユニット１５２，１５３を互いに上下方向に配列し、減圧乾燥装置１４に搬送された基板Ｗを搬送部１４０が第１減圧ユニット１５２および第２減圧ユニット１５３に搬送して減圧乾燥処理を行う。 - 特許庁

A process (50) for the production of the iluminant composition comprises a step (60) of providing the aforementioned first illuminant, a step (70) of providing the aforementioned second illuminant and a step (80) of arranging the aforementioned second illuminant on the aforementioned first illuminant.例文帳に追加

発光体組成物を製造する方法（５０）は、前記第一の発光体を提供するステップ（６０）と、前記第二の発光体を提供するステップ（７０）と、前記第一の発光体の上に前記第二の発光体を配置するステップ（８０）とを含んでいる。 - 特許庁

In the dyeing method 10, a weak basic first oxidizing hair dyeing composition of a pH of 7.5-9.4 formed by adding a low concentration (about 3%) hydrogen peroxide to a slightly basic color agent, is applied to the root part side of the hair and let alone for 10-15 minutes, as the first hair dyeing process.例文帳に追加

染毛方法１０は、第１染毛行程として、微アルカリカラー剤に低濃度（略３％）の過酸化水素を加えてなるＰＨ７．５〜９．４の弱いアルカリ性の第１酸化染毛剤組成物を髪の根元側に塗布して１０〜１５分放置する。 - 特許庁

A material 20 formed in a circle with a prescribed diameter d0 is drawn at a prescribed drawing rate and a first intermediate article 21 in a bottomed cylinder shape whose inner diameter is larger than an inner diameter D of the yoke, which is the last diameter, is formed in a first drawing process.例文帳に追加

所定の直径ｄ０の円形に形成された素材２０を第１絞り工程において所定の絞り率で絞り加工して最終径であるヨークの内径Ｄよりも内径が大きい有底筒状の第１中間品２１を形成する。 - 特許庁

To provide a technique capable of improving reliability of a first MISFET and a second MISFET in a manufacturing technique of a semiconductor device where a gate electrode of the first MISFET and a gate electrode of the second MISFET are formed with a separate process.例文帳に追加

第１ＭＩＳＦＥＴのゲート電極と第２ＭＩＳＦＥＴのゲート電極とを別工程で形成する半導体装置の製造技術において、第１ＭＩＳＦＥＴと第２ＭＩＳＦＥＴの信頼性向上を図ることができる技術を提供する。 - 特許庁

By estimating the first synchronization time from a long-time correlation signal and estimating the next synchronization time from the first synchronization time thereafter, a correlation function used for detecting the transmission signal narrows a search range of the synchronization time and executes a correlation process.例文帳に追加

送信信号を検知するために利用される相関機能は、長時間の相関信号中から最初の同期時刻を推定し、以後はこの最初の同期時刻から次の同期時刻を推定することによって同期時刻の探索範囲を狭めて相関処理をする。 - 特許庁

In the first adsorbent 50, the adsorption quantity per unit weight of a gas having a larger residual rate in the re-generating process in the first and the second gases is larger than the adsorption quantity per a unit weight of the other gas having a smaller residual rate.例文帳に追加

第１の吸着剤５０は、吸着された第１及び第２の気体のうち再生処理での残留割合が大きい気体の単位重量当たり吸着量が、該残留割合が小さいほうの気体の単位重量当たり吸着量よりも大きい。 - 特許庁

The receiving member 3 is held in the first position against the biasing force of the biasing means, while the holding is released after catching the striker 1 in the first position in the process of closing the door Ma, so as to be shifted to the second position by the biasing force.例文帳に追加

受け部材３は、前記付勢に抗して第一位置に保持されるようになっていると共に、ドアＭａを閉じる過程でこの第一位置においてストライカ１を捕捉した後にこの保持が解かれて前記付勢により第二位置に移動されるようになっている。 - 特許庁

In the hold error countermeasures process, back trace from the second flip flop to the first flip flop between the flop flops whose hold error value is the maximum is executed, and the first hit part where it is possible to facilitate countermeasures to the hold error is retrieved, and this is judged as the optimal hold error countermeasures part.例文帳に追加

また、ホールドエラー対策工程では、ホールドエラー値が最も大きいフリップフロップ間の第２フリップフロップから第１フリップフロップにバックトレースして行き、最初に当たるホールドエラー対策可能箇所を検索し、これを最適なホールドエラー対策箇所とする。 - 特許庁

A first etching stopper film 2, a first insulating film 3, a second etching stopper film 4, a second insulating film 5 and inorganic anti-reflection film 6 are formed on a semiconductor substrate 1 sequentially from its lower layer, on which a resist layer 7 is formed and then subjected to a photolithographical process to form a hole pattern.例文帳に追加

半導体基板１上に、下層から順に第１エッチングストッパ膜２、第１絶縁膜３、第２エッチングストッパ膜４、第２絶縁膜５、無機反射防止膜６を成膜し、その上にフォトリソグラフィによりレジスト７を用いてホールパターンを形成する。 - 特許庁

When the charged foreign substance enters the body A on which the process cartridge B is not mounted, the member 146 can move between a first position for effecting the discharge between the member 46 and the foreign substance and a second position retracted from the first position.例文帳に追加

放電防止部材１４６は、プロセスカートリッジＢが装着されていない装置本体Ａ内へ帯電した異物が侵入した際に、該異物との間で放電を行う第１の位置と、第１の位置から退避した第２の位置の間を移動可能である。 - 特許庁

After a first compound nano-crystalline layer in which numerous grains of polycrystalline silicon and numerous silicon microcrystals are intermingled is formed by a nano-crystallization process, the first compound nano-crystalline layer is oxidized electrochemically, and an intense-field drift layer 6 is formed (Figure (d)).例文帳に追加

ナノ結晶化プロセスにより多結晶シリコンの多数のグレインと多数のシリコン微結晶とが混在する第１の複合ナノ結晶層を形成してから、第１の複合ナノ結晶層を電気化学的に酸化するこで強電界ドリフト層６を形成する（図１（ｄ））。 - 特許庁

Additionally, it is possible to provide a certain contact state of a first terminal fitting 13 and a second terminal fitting 23 as a guide pin 22 is inserted into a guide hole 18 at first and the room lamp 3 and the terminal unit 8 are positioned even in such the one process.例文帳に追加

また、このような一工程だけであっても、最初にガイドピン２２がガイド穴１８内に挿入されて、ルームランプ３と端子ユニット８との位置決めがなされるため、第１端子金具１３と第２端子金具２３の確実な接触状態が得られる。 - 特許庁