First Stepの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7096件
In the first degreasing step, the compact is heated to a temperature ranging from the flow start temperature of the first binder to below the heat decomposition temperature of the second binder and then cooled to a temperature below the flow start temperature of the first binder.例文帳に追加
第1脱脂工程において、第1バインダの流動開始温度以上、かつ第2バインダの熱分解温度未満の温度範囲とした後に、第1バインダの流動開始温度未満の温度まで冷却する。 - 特許庁
This side part 23 is furnished with a first surface 25 to ground on the lower step surface F1, a second surface connected to this first surface 25 and a third surface 27 positioned between these first and second surfaces 25, 26.例文帳に追加
このサイドパーツ23は、下段面F1に接地する第1の面25と、この第1の面25に連設された第2の面と、これら第1及び第2の面25,26の間に位置する第3の面27とを備える。 - 特許庁
The stabilized flame 123 flows toward the step 120 to reach a base of the main flame 125 of the first flame, but an amount converged with the main flame 125 of the first flame is small not to extend excessively the length of the main flame 125 of the first flame.例文帳に追加
保炎123は段部120に流れ、第一火炎の主炎125の基部に至るが、第一火炎の主炎125と合体する量は少なく、第一火炎の主炎125の長さを過度に延ばすことはない。 - 特許庁
The collector 12 has a first through hole group in which through holes formed in mesh-shape and step-wise are arranged in a first direction and a second through hole group arranged in a second direction different from the first direction.例文帳に追加
コレクタ12は、網目状かつ階段状に形成される貫通孔が第1の方向に配列した第1貫通孔群と、第1の方向と異なる第2の方向に配列した第2貫通孔群とを有する。 - 特許庁
A vertical moving distance of the wafer W and a first lens 34b being a condensing equipment to focus on the first and second points is calculated and the step between the first point and the second point is measured.例文帳に追加
そして、ウェーハWと集光装置である第1レンズ34bとが第1地点および第2地点に焦点を合わせるために移動する垂直移動距離を計算し、第1地点と第2地点の段差を測定する。 - 特許庁
The first polycrystalline silicon film 31 and the second one 33 are alienated each other and the boundary (step section) between the first and second insulating films 30, 32 is exposed to the boundary section between the first and second polycrystalline silicon films 31, 33.例文帳に追加
第1の多結晶シリコン膜31と第2の多結晶シリコン膜33とは、互いに離間し、その境界には、第1の絶縁膜30と第2の絶縁膜32との境界(段差部分)が露出している。 - 特許庁
The manufacturing method of the laminate is equipped with a first step wherein a first metal layer 10 is coated with a solution containing a liquid crystalline polymer to form a liquid crystalline polymer layer 20, a second step wherein a second metal layer larger in thickness than the first metal layer is arranged on the liquid crystalline polymer layer to obtain a laminate, and a third step of pressing the laminate in the lamination direction.例文帳に追加
積層体の製造方法は、第1の金属層10上に、液晶ポリマーを含む溶液を塗布して、液晶ポリマー層20を形成する第1工程と、液晶ポリマー層上に、第1の金属層よりも厚さが大きい第2の金属層を配置して積層体を得る第2工程と、積層体を、積層方向にプレスする第3工程とを備える。 - 特許庁
The method for producing a cellulose nanofiber includes: a first oxidation step in which cellulose is oxidized in a first reaction solution including an oxidizing agent including a hypohalous acid, and an N-oxyl compound; and a second oxidation step in which the oxidized cellulose obtained in the first oxidation step is oxidized in a second reaction solution including an oxidizing agent which oxidizes an aldehyde group.例文帳に追加
本発明のセルロースナノファイバーの製造方法は、セルロースを、次亜ハロゲン酸を含む酸化剤とN−オキシル化合物とを含む第1の反応溶液中で酸化させる第1の酸化工程と、前記第1の酸化工程で得られた酸化セルロースを、アルデヒド基を酸化する酸化剤を含む第2の反応溶液中で酸化させる第2の酸化工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁
The method for manufacturing a semiconductor device includes: a step of forming a first groove 110 and a second groove 120 crossing the first groove 110 on a substrate 100; a step of burying a film 200 in the first groove 110 and the second groove 120 by performing film formation processing on the substrate 100; and a step of removing the film 200 located on the substrate 100.例文帳に追加
この半導体装置の製造方法は、基板100に第1の溝110及び第1の溝110と交差する第2の溝120を形成する工程と、基板100に対して成膜処理を行うことにより、第1の溝110内及び第2の溝120内に膜200を埋め込む工程と、基板100上に位置する膜200を除去する工程とを備える。 - 特許庁
A method of manufacturing the semiconductor device comprises: a first step of growing a layer constituting the second semiconductor layer on the first semiconductor layer; a second step of ion-injecting a first-conductivity-type impurity into the entire surface of the layer; and a third step of selectively ion-injecting a second-conductivity-type impurity into portions to be the second semiconductor regions of the layer.例文帳に追加
そして、その製造方法は、前記第1半導体層の上に前記第2半導体層を構成する層を成長する第1の工程と、前記層の全面に第1導電形の不純物をイオン注入する第2の工程と、前記層の前記第2半導体領域となる部分に第2導電形の不純物を選択的にイオン注入する第3の工程と、を備える。 - 特許庁
The method for manufacturing the thermion emission element includes a first step in which a base plate is provided, a second step in which a first electrode and a second electrode are arranged on the base plate, and a third step in which a carbon nanotube structural body is arranged so that it covers one of surfaces of the first electrode and the second electrode, separated with a predetermined distance from the base plate.例文帳に追加
本発明の熱電子放出素子の製造方法は、基板を提供する第一ステップと、前記基板に第一電極及び第二電極を設置する第二ステップと、前記基板と所定の距離だけで分離させて、前記第一電極及び第二電極の一つの表面を被覆するように、カーボンナノチューブ構造体を設置する第三ステップと、を含む。 - 特許庁
This method for manufacturing of a semiconductor device includes: a first step of carrying a silicon substrate into a processing chamber; a second step of supplying at least a first silane-based gas and a first etching gas into the processing chamber while heating the silicon substrate; and a third step of supplying at least a second silane-based gas and a second etching gas into the processing chamber while heating the silicon substrate.例文帳に追加
シリコン基板を処理室内に搬入する第一のステップと、前記シリコン基板を加熱しつつ、前記処理室内に少なくとも第一のシラン系ガスと第一のエッチングガスを供給する第二のステップと、前記シリコン基板を加熱しつつ、前記処理室内に少なくとも第二のシラン系ガスと第二のエッチングガスを供給する第三のステップと、を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁
The method for manufacturing a vertical cavity optical device comprises a step for forming a first vertical cavity optical device partially on a wafer, a step for fixing the laser oscillation wavelength of the first vertical cavity optical device, and a step for completing the first vertical cavity optical device by fixing the laser oscillation wavelength thereof.例文帳に追加
本発明は、垂直空洞光デバイスとその製造方法を提供するものであり、この方法には、ウエハ上に第1垂直空洞光デバイスを部分的に形成するステップと、この第1垂直空洞光デバイスのレーザー発振波長を固定するステップと、第1垂直空洞光デバイスのレーザー発振波長を固定してその形成を完了させるステップと、が含まれる。 - 特許庁
The system has a first process step of selectively exposing the adhesive layers changed in adhesive strength by photoirradiation, a second process step of bringing the selectively exposed adhesive layers into contact with a thin-film element array existing on a first substrate, and a third process step of selectively transferring portions of the thin-film elements from the first substrate to the selectively exposed adhesive layers according to exposure patterns.例文帳に追加
光照射により接着力が変化する接着層を選択的に露光する第1の工程と、前記選択露光した接着層を第1の基体上にある薄膜素子アレイに接触させる第2の工程と、前記薄膜素子の一部を前記第1の基体から前記選択露光した接着層上に露光パターンに応じて選択的に移す第3の工程を有している。 - 特許庁
The manufacturing method of a plasma display panel and the green sheet include a step exposing a first green sheet containing a cover film using a first mask on which a black matrix pattern is formed, a black matrix dry film and a base film, a step removing the cover film and laminating the first green sheet on a substrate, and a step removing the base film and forming a black matrix on the substrate.例文帳に追加
本発明は、ブラックマトリックスパターンが形成された第1マスクを利用してカバーフィルム、ブラックマトリックスドライフィルム及びベースフィルムを含む第1グリーンシートを露光するステップと、前記カバーフィルムを除去して基板上に前記第1グリーンシートをラミネーティングするステップと、前記ベースフィルムを除去して前記基板上にブラックマトリックスを形成するステップと、を含むことを特徴とする。 - 特許庁
A manufacturing method for a semiconductor device that provides wiring on a semiconductor substrate and forms final protective films on the wiring has a step to form a first protective film on the wiring, a step to form a second protective film having a tensile stress on the first protective film, and a step to eliminate the first protective film and the second protective film at a contact region of the wiring.例文帳に追加
半導体基板上に配線を設け、該配線上に最終保護膜を形成する半導体素子の製造方法において、前記配線上に第1保護膜を形成する工程と、前記第1保護膜上に、引張応力を有する第2保護膜を形成する工程と、前記配線のコンタクト領域の前記第1保護膜、及び前記第2保護膜を除去する工程とを有する。 - 特許庁
A manufacturing method of an electrooptical apparatus has a step for dropping an electrooptical substance in an electrooptical substance packing region partitioned by a sealant formed on a first substrate; a step for cooling the first substrate when the electrooptical substance is dropped; and a step for sticking a second substrate to the first substrate on which the electrooptical substance have been dropped.例文帳に追加
第1の基板上に形成されたシール材によって区画された電気光学物質充填領域に、電気光学物質を滴下する工程と、前記電気光学物質の滴下に際して前記第1の基板を冷却する工程と、前記電気光学物質が滴下された第1の基板に第2の基板を貼り合わせる工程とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁
The method of manufacturing a semiconductor device having multilayer wiring including a fuse formed on a semiconductor substrate comprises a step of forming a first wiring layer as a part of the fuse, a step of forming a second wiring layer having higher electromigration (EM) than that of the first wiring layer, and a step of melting the first wiring layer.例文帳に追加
半導体製造装置の製造方法であって、半導体基板に形成されたヒューズを含む多層配線を有する半導体装置の製造方法であって第1の配線層をヒューズの一部として形成する工程と、前記第1の配線層よりもエレクトロマイグレーション(EM)の高い第2の配線層を形成する工程と、前記第1の配線層を溶断する工程とを含む。 - 特許庁
A first method consists of a step of continuously reading bits constituting a data set from the different parts of the disk, a step of continuously correcting bit errors to confirm at least part of data read from the disk, and a step of finishing the reading when the confirmation of the data set is successfully made in the error correcting step.例文帳に追加
第1の方法は、ディスクの異なる部分から、データセットを形成するビットを連続的に読み出すステップと、ビットを連続的に誤り訂正して、ディスクから読み出されるデータの少なくとも一部を確認するステップと、誤り訂正ステップによってデータ・セットの確認に成功すると読出しを終了するステップとから成る。 - 特許庁
The process includes: a preparation step of slurring a rubber, municipal sludge, and food-processing wastes; a first reaction step of generating a solid and a liquid; a step of separating the resultant reaction product; and a second reaction step of converting the liquid product into the carbon solids and a hydrocarbon mixture containing fuel gas and oil.例文帳に追加
ゴム、都市下水汚泥、食品加工廃棄物などをスラリー化する前処理工程、固体および液体を生成する第1の反応工程、その反応生成物を分離する工程、そして液体生成物を炭素固体、燃料ガスおよび油を含む炭化水素混合物へと変換する第2の反応工程と装置とからなる。 - 特許庁
The manufacturing method of the molding material comprises the first step; a stranding step where the component (A) is molten and subsequently a continuous component (B) is caused to pass therethrough thereby to give a continuous strand, and the second step; a cutting step where the continuous strand is cooled and subsequently cut to give a pillar-shaped molding material.例文帳に追加
また、成形材料の製造方法は、第1工程:成分(A)を溶融させた後、その中に連続した成分(B)を通過せしめ、連続したストランドを得るストランド化工程、第2工程:連続したストランドを冷却した後、切断して柱状の成形材料を得る切断工程かからなる製造方法である。 - 特許庁
The washing system for this washing machine is constitute of a first rinsing process (step S103) in which dehydrating motion (steps S104) and water feeding motion (step S105) are alternately executed and a second rinsing process (step S108) in which water feeding motion (step S111) and other motions are executed when the revolution of a spinning tub 12 reaches a prescribed number of revolution.例文帳に追加
脱水動作(ステップS104)と給水動作(ステップS105)とを交互に行うような第1の濯ぎ行程(ステップS103)、洗濯兼脱水槽12が所定回転数に達した時点で給水動作(ステップS111)実行したり、その他の動作を実行する第2の濯ぎ行程(ステップS108)からシステム構成する。 - 特許庁
The calibration includes a step for adjusting a size of the iris opening between a first opening position and a second opening position, a step for recording a plurality of images during the adjusting, a step for analyzing the images, and a step for determining an iris opening, based on the analysis, that obtains a high quality image.例文帳に追加
第一の開口部の位置と第二の開口部の位置との間の絞り開口部のサイズを調整する段階、前記調整の間に複数の画像を記録する段階、前記画像を分析する段階、および高品質な画像が得られる絞り開口部を前記分析に基づき決定する段階を含むキャリブレーションとする。 - 特許庁
The step for forming the silicon-containing resin layer includes: a step for spin-coating a silicon-containing resin solution; a step for heating the silicon-containing resin layer 13 to a first temperature; and a step for spin-coating a rinsing solution 14 containing a volatile component on an outer edge 13e1 of the silicon-containing resin layer 13.例文帳に追加
シリコン含有樹脂層形成工程は、シリコン含有樹脂溶液を回転塗布する工程と、シリコン含有樹脂層13を第1の温度まで加熱する工程と、シリコン含有樹脂層13の外縁部13e1に揮発性成分を有するリンス液14を回転塗布する工程とを有する。 - 特許庁
This method for producing the para-type whole aromatic polyamide fiber consisting of the multifilament having the large single fiber fineness comprises controlling the width of the fiber bundle on passing through water-washing step, and, setting the heat stretching step of a first step in a specific temperature range and at a stretching magnitude of a specific stretching magnitude or more in a heat-stretching step consisting of multiple steps.例文帳に追加
単糸繊度の大きい多フィラメントからなるパラ型全芳香族ポリアミド繊維を製造するにあたり、水洗工程を通過する際の繊維束の幅を制御し、多段からなる熱延伸工程において、第1段目の熱延伸工程を、特定温度範囲で特定倍率以上の延伸倍率とする。 - 特許庁
A first step-up notice performance includes: a main step-up notice capable of executing notice performances A-D that change gradually; and a button branching step-up notice performance which branches into the notice performances E and F without changing to the notice performance C of the next stage in a stage in the middle of executing the main step-up notice.例文帳に追加
第1ステップアップ予告演出は、段階的に変化する予告演出A〜Dを実行可能なメインステップアップ予告と、メインステップアップ予告が実行されている途中の段階で次段階の予告演出Cに変化させずに予告演出E,Fに分岐するボタン分岐ステップアップ予告演出とを含む。 - 特許庁
The high-performance thermoelectric conversion material is manufactured by a manufacturing method including a first step of weighing a raw material, a second step of fusing the weighed material to obtain an ingot material, a third step of powdering the ingot material to obtain a sintering material, and a fourth step of pressing and heating the sintering material to obtain a sintered body.例文帳に追加
該高性能熱電変換材料は、原料を秤量する第一工程、秤量した原料を溶解し溶製材を得る第二工程、溶製材を粉化し焼結原料を得る第三工程、焼結原料を加圧・加熱し焼結体を得る第四工程を含む製造方法により製造される。 - 特許庁
In change-over from a first target input rotating speed map into a second target input rotating speed map (Step S7), when the reduced amount of the target input shaft rotating speed NED is great (Step S8) and an absolute value for a difference rotating speed SNDR is great (Step S9), [1] is set in FlgA (Step S10).例文帳に追加
第1目標入力回転数マップから第2目標入力回転数マップに切り換わったときに(ステップS7)、目標インプットシャフト回転数NEDの下降量が大きく(ステップS8)、かつ差回転数SNDRの絶対値が大きいとき(ステップS9)にFlgAに「1」を設定する(ステップS10)。 - 特許庁
This control method includes a step of measuring a battery voltage periodically at battery a step of counting stepwise fluctuation of the voltage of the battery that is measured, a step of differentiating the stepwise fluctuation of the voltage that is counted with respect to time, and a step of detecting a first peak point from the differential values.例文帳に追加
バッテリーの充/放電時に、バッテリー電圧を一定の時間間隔で測定する段階と、前記測定されるバッテリーの段階別電圧の変動をカウントする段階と、前記カウントされた段階別電圧の変動を時間に対して微分する段階と、前記微分値から一番目のピークポイントを検出する段階とを含む。 - 特許庁
The magnetic layer coating liquid is prepared by subjecting a ferromagnetic hexagonal ferrite powder with an average plate diameter of 10 to 50 nm to a dry comminution step, subjecting the ferromagnetic hexagonal ferrite powder to a first dispersion step together with a binder to prepare a dispersion liquid, and sequentially subjecting the dispersion liquid obtained to a second dispersion step and a filtering step.例文帳に追加
前記磁性層形成用塗布液を、平均板径10〜50nmの強磁性六方晶フェライトを乾式解砕工程に付し、得られた強磁性六方晶フェライトを前記結合剤とともに第一分散工程に付し、次いで得られた分散液を第二分散工程および濾過工程に順次付すことにより調製する。 - 特許庁
The multilayered BSP removing method for removing multilayered bevel/backside polymer (BSP) with an inorganic or organic layer deposited on a bevel surface of a treatment substrate and a rear surface thereof includes a first step (step 2) of mechanically destroying multilayered BSP and a second step (step 3) of heating a residue of the multilayered BSP which is mechanically destroyed.例文帳に追加
被処理基板のベベル面、及び裏面に付着した無機層、及び有機層を含む多層ベベル/バックサイドポリマー(BSP)を除去するBSP除去方法であって、多層BSPを機械的に破壊する第1工程(ステップ2)と、機械的に破壊された多層BSPの残渣を加熱する第2工程(ステップ3)と、を具備する。 - 特許庁
The method for manufacturing a semiconductor device comprises a step for forming a first resin part 20 in the center on the surface of the semiconductor substrate 10 where the electrode 14 is formed, a step for forming a second resin part 25 to overlap the surrounding member 16, a step for etching the electrode 14, and a step for forming wiring 30.例文帳に追加
半導体装置の製造方法は、半導体基板10の電極14が形成された面の中央部に第1の樹脂部20を形成すること、囲繞部材16とオーバーラップするように第2の樹脂部25を形成すること、その後、電極14をエッチングすること、及び、配線30を形成することを含む。 - 特許庁
Each communication equipment Pi broadcasts public data Z_i generated from an expression (1) as a first step, broadcasts public data X_i generated from an expression (2) as a second step, broadcasts public data Y_i generated from an expression (3) as a third step, and generates a common key K from an expression (4) as a fourth step.例文帳に追加
そして、各通信装置Piは、第1段階として、式(1)から生成した公開データZiをブロードキャストし、第2段階として、式(2)から生成した公開データXiをブロードキャストし、第3段階として、式(3)から生成した公開データYiをブロードキャストし、第4段階として、式(4)から共通鍵Kを生成する。 - 特許庁
A work as an object of processing is exposed to a processing fluid containing an etching reactant so as to undergo an etching treatment (a third step S3, a fourth step S4), and thereafter a processing chamber is reduced in internal pressure so as to make the processing fluid near the work lower in density than that at the fourth step S4 (a first step S1).例文帳に追加
エッチング反応種を含有する処理流体に被処理物を晒すことにより、当該被処理物のエッチング処理を行い(第3ステップS3、第4ステップS4)、その後、処理室内を減圧することにより、被処理物の近傍における処理流体の密度を第4ステップS4よりも低下させる(第1ステップS1)。 - 特許庁
This method for manufacturing high purity colloidal silica comprises the first step to obtain silica aqueous solution by subjecting water glass to cation exchange treatment, the second step to add an acid and hydrogen peroxide to the obtained silica aqueous solution, which is then subjected to cation exchange treatment again and the third step to mix the silica aqueous solution obtained by the second step with ammono alkali, which is then formed into colloidal silica.例文帳に追加
水ガラスを陽イオン交換処理してシリカ水溶液を得る第1工程と、得られたシリカ水溶液に酸および過酸化水素を添加して再度陽イオン交換処理を行う第2工程と、前工程で得られたシリカ水溶液をアンモニア性アルカリと混合し、これをコロイダルシリカ化する第3工程と、を含む。 - 特許庁
The step (a) includes a step (c) for forming base layers 7a and 7b from the same film as a first color filter 7 and the heights of the plurality of columnar spacers 11a and 11b formed in the step (b) are controlled by adjusting areas and/or shapes of the base layers 7a and 7b formed in the step (c).例文帳に追加
工程(a)は、第1のカラーフィルタ7と同一の膜から下地層7a、7bを形成する工程(c)を包含し、工程(c)において形成される下地層7a、7bの面積および/または形状を調整することによって、工程(b)において形成される複数の柱状スペーサ11a、11bの高さを制御する。 - 特許庁
The moisture amount of the laundry is calculated from the detected weight of the second weight detection (step S6) and the detected weight of the first weight detection (step S1), and the calculated moisture amount is subtracted from the detected weight of the third weight detection (step S10) to attain corrected weight (step S11).例文帳に追加
第2回の重量検知(ステップS6)の検知重量と第1回の重量検知(ステップS1)の検知重量とから洗濯物の水分量を算出し、この算出した水分量を第3回の重量検知(ステップS10)の検知重量から減算して補正重量とする(ステップS11)。 - 特許庁
The method for producing the composition having the collagen production-promoting activity from the alcoholic beverage fermented by the beer yeast comprises a first step for removing carbon dioxide gas, a second step for removing alcohol, a third step for removing polysaccharides and proteins, and a fourth step for carrying out the purification by an ion-exchange resin.例文帳に追加
炭酸ガスを除去する第1の工程と、アルコールを除去する第2の工程と、多糖及びタンパク質を除去する第3の工程と、イオン交換樹脂により精製する第4の工程とを備える、ビール酵母で発酵させたアルコール飲料からコラーゲン産生促進作用を有する組成物を製造する方法。 - 特許庁
The support system comprises a first step for monitoring the service state of the vehicle, a second step for detecting a required service based on the service state of the vehicle, a third step for detecting the position data of the vehicle, and a fourth step for detecting the service body for providing the service concerned based on the required service and position data of the vehicle.例文帳に追加
車両の運行状態を監視する第1ステップと、車両の運行状態に基づき必要サービスを検出する第2ステップと、車両の位置データを検出する第3ステップと、車両の必要サービス及び位置データに基づき当該サービスを提供し得るサービス体を検出する第4ステップと、を含む。 - 特許庁
In a first step, a transmission terminal selects a modulation method prior to a data transmission in a multi-terminal network.例文帳に追加
第1のステップで、伝送端末は複数の端末から成るネットワークにおけるデータ伝送の初めに変調方法を選択する。 - 特許庁
A rugged portion 34 is formed at a step 33 between a first bottom 14 and a second bottom 15 of the resin package 11.例文帳に追加
凹凸部34は、樹脂パッケージ11の第一底部14と第二底部15との間の段差部33に形成されている。 - 特許庁
A control part judges which state of a first direction D1 and a second direction D2 a lens unit is put into (a step S101).例文帳に追加
制御部は、レンズユニットが第1及び第2の向きD1、D2のいずれの状態にあるかを判断する(ステップS101)。 - 特許庁
Preferably, the pH of the treated liquid is regulated so as to be 2-6 before the membrane treatment in the first membrane treatment step.例文帳に追加
また、前記第一膜処理工程において、処理液のpHを2〜6に調整して膜処理を行なうことが好ましい。 - 特許庁
In the fourth step, the operation section records the data of the specific image and the data of the addition ratio of the first added image in association with each other.例文帳に追加
第4ステップでは、演算部が、特定画像のデータに、第1被加算画像の加算比率のデータを対応付けて記録する。 - 特許庁
At first, it is judged whether plain paper becoming a slip sheet of the OHP sheet is housed in either one of feeding trays (Step S2).例文帳に追加
まず、いずれかの給紙トレイにOHPシートの合紙となる普通紙が収納されているか否かを判断する(ステップS2)。 - 特許庁
Based on a measurement result of the initial condition, the dimensions of a pattern of the film to be processed are estimated from first correlation (a step S2).例文帳に追加
初期条件の測定結果に基づいて、第1の相関から被処理膜のパターンの寸法を推定する(ステップS2)。 - 特許庁
In a first read step, the second digest table and the electronic signature are read from the storage means to a memory of the authentication apparatus.例文帳に追加
第1読み出しステップにおいては、第2ダイジェストテーブルと電子署名とを記憶手段から認証装置のメモリに読み出す。 - 特許庁
The crushed concrete V is polished by an ore polishing machine 10 at a first ore polishing step and classified by a vibration sieve 8.例文帳に追加
コンクリート破砕物Vは、第1磨鉱工程において磨鉱機10によって磨鉱され振動篩8で分級される。 - 特許庁
Subsequently, in the step S5, a still-standing treatment for forming a second emulsion by allowing the first emulsion to stand still at least 5 min is carried out.例文帳に追加
また、ステップS5において、第1エマルジョンを5分以上静置して、第2エマルジョンを生成する静置処理を実行する。 - 特許庁
When the position registration is required, the mobile communication terminal executes the processing to make the position registration for the first communication system (step S5).例文帳に追加
位置登録が必要な場合、第1の通信方式向けの位置登録を行うための処理が実行される(ステップS5)。 - 特許庁
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