「Isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方(51ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a dry type, small-sized, especially thinned damper of a base isolation device, capable of generating required vibration damping force by small inertia force, and displaying high base isolation performance.例文帳に追加

乾式にして小型化、特に薄肉化を達成するとともに、小さな慣性力で必要とする振動減衰力を発生し、しかも優れた免震性能を発揮することができる免震装置のダンパーを提供する。 - 特許庁

The isolation valve 44 that is equal to or more than a predetermined sorting voltage V2Las or less than V2Has is selected for reuse from the operating voltage V1 of the total number (N) of isolation valves used in the first period W1.例文帳に追加

第１期間Ｗ１使用した全数Ｎの遮断弁の動作電圧Ｖ１のうち、予め定める選別電圧Ｖ２Ｌａｓ以上またはＶ２Ｈａｓ未満である遮断弁を選別して、再使用する。 - 特許庁

The upper surface of the pedestal block 5 has an extent of a degree capable of placing the whole under surface of the base isolation device 4, and since a horizontal plane can be formed of concrete, the base isolation device 4 can be properly supported.例文帳に追加

該台座ブロック５の上面は、免震装置４の下面全面を載置できる程度の広さであり、しかも、コンクリート等により水平面を形成することができるので、免震装置４を適正に支持することができる。 - 特許庁

During the web 5 is stopped, air in an isolation zone 3 and a drying zone 4 is sent to a coating zone 2 to prevent the flow-in of the high temperature high humidity air in the coating zone 2 to the isolation zone 3 and the drying zone 4.例文帳に追加

ウェブ５の停止中には、隔離ゾーン３と乾燥ゾーン４内の空気を塗布ゾーン２内に送風し、塗布ゾーン２内の高温高湿の空気が隔離ゾーン３と乾燥ゾーン４とに流れ込まないようにする。 - 特許庁

This forms a parasitic bipolar transistor having the first-conductive-type drain isolation layer 6 as an emitter, the second-conductive-type isolation layers 5b as bases, and the collector layers 7 as collectors, thereby passing surge current to a ground line.例文帳に追加

これにより第１導電型のドレイン分離層６をエミッタ、前記第２導電型の分離層５ｂをベース、前記コレクタ層７をコレクタとする寄生バイポーラトランジスタを形成しサージ電流を接地ラインに流す。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where electrical characteristics in a gate insulating film in the vicinity of an element isolation region and electrical characteristics in a gate insulating film in a region other than the element isolation region are equal, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

素子分離領域付近でのゲート絶縁膜の電気的特性と素子分離領域付近以外でのゲート絶縁膜の電気的特性とが等しい半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a horizontal displacement measuring device of a base-isolation building, which can be easily set at low cost without needing ensuring of a special setting space for an existing base isolation device, and has accurate measuring function of horizontal displacement.例文帳に追加

安価で、かつ、既に設置されている免震装置に対して格別の設置スペースを確保する必要もなく、簡単に設置でき、水平変位の計測機能の精度もよい免震建物の水平変位計測装置を得る。 - 特許庁

Isolation circuitry is provided for electrically coupling each of the plurality of signal lines of the common bus to a corresponding plurality of signal lines of an electronic device to enable signal communication between the common bus and the electronic device through the isolation circuitry.例文帳に追加

共通バスの各信号線を電子装置の対応する複数の信号線に電気接続するために分離回路を設け、該分離回路を介して共通バスと電子装置との間で信号の伝達を可能にする。 - 特許庁

The light incident in the dielectric isolation silicon island 30 having a depth from a surface to a dielectric isolation oxide film 14 of 30 μm is collided to the bottom of the island 30 in which a fine ruggedness is developed and random reflected.例文帳に追加

表面から誘電体分離酸化膜１４までの深さが３０μｍの誘電体分離シリコン島３０内に入射した光は、微小凹凸が現出された島３０の底面に衝突して乱反射する。 - 特許庁

To provide a base isolation outrigger and a traveling crane using the same, which have not only a load support function but also a base isolation function, and efficiently reduces the transmission of acceleration from the ground when an earthquake occurs.例文帳に追加

荷重支持機能だけでなく免震機能を有し、地震発生時における地上からの加速度の伝達を効率良く低減し得る免震化アウトリガ及び該免震化アウトリガを用いた走行クレーンを提供する。 - 特許庁

To provide an under-foundation base isolation structure, which applies base isolation to a building by causing a slip under the foundation during earthquakes and which can effectively restrain the building from making a rotational motion during the earthquakes.例文帳に追加

地震時に基礎下に滑りを生じさせて建物を免震する基礎下免震構造において、免震時に建物が回転運動するのを効果的に抑制することができる基礎下免震構造を提供する。 - 特許庁

GRAVITY OPERATED MECHANISM FOR RECOVERING BASE ISOLATION FUNCTION COMPRISING UPS (UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY) CIRCUIT FORMED OF MAGNETIC POWER CIRCUIT FOR OPERATING CONDUCTIVE SPHERICAL SWITCH AND SOLENOID VALVE, AND LIGHT WEIGHT BASE ISOLATION STRUCTURE例文帳に追加

導電性球体スイッチ及び電磁弁を作動させる着磁電源回路から構成されるＵＰＳ（無停電電源）回路とから成る免震機能回復重力作動機構およびそれらを用いた軽量免震構造体 - 特許庁

In this vibration isolation device 10 wherein a cylindrical fitting 12 and the upper fitting 14 are connected by a vibration isolation base 16, the mounting member 18 mounted on the vibrating body 2 is fixed to the upper face of the upper fitting 14.例文帳に追加

筒状金具１２と上側金具１４を防振基体１６で結合してなる防振装置１０であり、上側金具１４の上面に振動体２に取り付けられる取付部材１８が固定されている。 - 特許庁

In other words, this semiconductor device is provided with a complete-isolation-type element isolation insulating film that is formed from the upper surface of the silicon layer 4 to the upper surface of the insulating layer 3 at the lower portion of the power supply wiring 21.例文帳に追加

換言すれば、半導体装置は、電源配線２１の下方において、シリコン層４の上面から絶縁層３の上面に達して形成された完全分離型の素子分離絶縁膜を備えている。 - 特許庁

To restrain removal of an isolation insulating film of a memory cell array region in an MOS-type semiconductor memory device, set an overlap between an isolation insulating film and a contact pad minimum, and restrain increase of a chip area.例文帳に追加

ＭＯＳ型半導体記憶装置においてメモリセルアレイ領域の素子分離絶縁膜が掘れるのを抑制し、素子分離絶縁膜とコンタクトパッドとのオーバーラップを最少に設定し、チップ面積の増大を抑制する。 - 特許庁

To prevent the deterioration of yield/reliability due to scratch generated upon forming an element isolation region, in a semiconductor device consisting of the element isolation region of STI structure formed thereon.例文帳に追加

ＳＴＩ構造の素子分離領域を形成してなる半導体装置において、素子分離領域形成時に発生するスクラッチによる歩留まり・信頼性の低下を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A DDL calling part 107 of the DLL using program execution part 251 instructs the DLL isolation load program execution part 253 to call a function mounted on a code in the encrypted library 105 loaded to the isolation area.例文帳に追加

ＤＬＬ利用プログラム実行部２５１のＤＬＬ呼出部１０７は、隔離領域へロードされた暗号ライブラリ１０５内のコードが実装する機能の呼び出しをＤＬＬ隔離ロードプログラム実行部２５３に指示する。 - 特許庁

A resistor is provided between the upper surface of a wall for sectioning the transmission terminal and the reception terminal inside the case and the cap to be sealed and the isolation between transmission and reception and the isolation between the plurality of reception terminals are improved.例文帳に追加

ケース内における、送信端子及び受信端子を区切る壁の上面と、封止するキャップの間に抵抗体を設け、送受信間のアイソレーション、複数の受信端子間のアイソレーションを向上させる。 - 特許庁

To prevent generating of irregularity in finish of an active region when a large isolation region exists in a semiconductor device with an isolation region which is made flat by a CMP.例文帳に追加

本発明はＣＭＰで平坦化される分離領域を有する半導体装置に関し、大きな分離領域が存在する場合に活性領域の仕上がり状態にばらつきが生ずるのを防止することを目的とする。 - 特許庁

The solid-state image pickup device is formed with a first insulating film 40 on a semiconductor substrate 33 surface, a diffusion layer 43 and a second insulating film 44 on the diffusion layer and includes an element isolation means 86 for isolation neighboring pixels.例文帳に追加

半導体基板３３表面の第１の絶縁膜４０と、拡散層４３とその上の第２の絶縁膜４４によって形成され、隣接する画素間を分離する素子分離手段８６を有する。 - 特許庁

To provide a base isolation device capable of effectively preventing rocking vibration with a simple structure while attaining a long period of a base isolation object by using air springs capable of minimizing the height.例文帳に追加

高さを低く抑制することができる空気ばねを用いて免振対象物の長周期化を達成しつつ、ロッキング振動を簡単な構造をもって効果的に防止することができる免振装置を提供する。 - 特許庁

The base isolation device 1 supports the base isolation object A1 movably in a horizontal direction relative to a support structure A2 by a rail 11 having a concave curved surface 11a and a wheel 13 rolling on the concave curved surface 11a.例文帳に追加

免震装置１は、凹曲面１１ａを有するレール１１と、凹曲面１１ａを転がる車輪１３とにより、支持構造物Ａ２に対して免震対象物Ａ１を水平方向に移動可能に支持する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, wherein an etching height is not varied by a change in an etching speed due to ion implantation to an element isolation insulating film when forming a CMOS having an STI type element isolation structure.例文帳に追加

ＳＴＩ型の素子分離構造を有するＣＭＯＳを形成する際、素子分離絶縁膜がイオン注入を受けて、エッチング速度の変化により、高さが異ならない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The electric field intensity of the insulating film 44a is thus decreased to prevent the drop in breakdown voltage of the high-breakdown-voltage NMOSFET 20, the breakage of the inter-layer insulating film 5, and the isolation breakdown voltage deterioration of the element isolation groove (trench 4a).例文帳に追加

絶縁膜４４ａの電界強度を低下させることで、高耐圧ＮＭＯＳＦＥＴ２０の耐圧低下や層間絶縁膜５の破壊および素子分離溝（トレンチ４ａ）の分離耐圧劣化を防止できる。 - 特許庁

To provide a ventilation device for a sound isolation house capable of accurately ventilating the inside of the sound isolation house for each work area by removing dust, exhaust air, exhaust gas, and the like therefrom so as to improve working surroundings.例文帳に追加

本発明は、防音ハウス内の作業領域別に粉塵、排気、排ガス等に関する換気を的確に実行でき、作業環境を良好なものとできる防音ハウスの換気装置を実現し提供するものである。 - 特許庁

Element isolation between a cell region R1 and a diode forming region R2 is performed by a PN isolation portion composed of a p-type region 9b and an n-type region 8b disposed on an electric field relaxation region R3.例文帳に追加

電界緩和領域Ｒ３に備えたｐ型領域９ｂとｎ型領域８ｂとにより構成されるＰＮ分離部により、セル領域Ｒ１とダイオード形成領域Ｒ２の間の素子分離を行う。 - 特許庁

This base-isolation device is formed by a combination of the laminated rubber support for base isolation set in the central area of a cross section of a post and a vertical visco-elastic vibration damping device set in the outer peripheral region within the same section of the post.例文帳に追加

柱の横断面の中央部に設置された免震用積層ゴム支承体と、同じ柱断面内の外周部位に設置された縦型の粘弾性振動減衰装置との組み合わせから成る。 - 特許庁

To realize a structure visually making inconspicuous a base isolation device 3 while sufficiently securing the performance of the base isolation device 3 and capable of acting a force to return glass panels 1, 1 to the original positions after an earthquake.例文帳に追加

免震装置３の性能を十分に確保しつつ、この免震装置３を外観上目立たなくでき、しかも、地震が収まった後に、各ガラスパネル１、１を元の位置に戻す力を作用させられる構造を実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having trench isolation improved such that the stress can be relaxed, a channel cut layer can be formed under good control, and good isolation characteristics can be attained.例文帳に追加

応力が緩和できるとともに、チャネルカット層を制御よく形成でき、良好な分離特性を得ることができるように改良された、トレンチ分離を有する半導体装置を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁

To provide an improved method of forming a filled isolation region of a semiconductor substrate, and to provide a method of forming a semiconductor device, having the filled isolation region and cooling the device and giving body potential control.例文帳に追加

半導体基板の埋設分離領域を形成する改善された方法と、埋設分離領域を有する半導体デバイスを形成し、なおかつデバイスの冷却及び本体電位制御を与える方法を提供する。 - 特許庁

Then a contact hole corresponding to the cobalt silicide film is formed in an inter-layer isolation film located to the upper layer, and a p well contact plug is arranged therein and connected to a power wire in the inter-layer isolation film.例文帳に追加

そして、この上層に配置される層間絶縁膜中に、コバルトシリサイド膜に対応するコンタクトホールが形成され、ここにＰウェルコンタクトプラグが配置され、層間絶縁膜中の電源配線に接続されている。 - 特許庁

To provide a positioning device of an arrayed waveguide diffraction grating, in which a first isolation slab waveguide and a second isolation slab waveguide are accurately positioned so that transmission central wavelength becomes a target wavelength.例文帳に追加

透過中心波長がターゲット波長になるように第１分離スラブ導波路と第２分離スラブ導波路を精度良く位置合わせすることができるアレイ導波路回折格子の位置合わせ装置を提供する。 - 特許庁

A landing hall 15 to be connected to a floor 7 is provided in the extended base isolation body 14 to correspond to an extended elevator shaft 5 communicated with an elevator shaft 6 in the base isolation building body and the floor 7 in the base building body 1.例文帳に追加

そして、延長免震体１４に免震建築体３の昇降路６に連通した延長昇降路５及び基部建築体１の階床７に対応してこの階床７に通じる乗場ホール１５を設ける。 - 特許庁

Active vibration isolation members are provided for four corners of the respective first and second stages and passive vibration isolation members for supporting (bearing) a load larger than a half of the total weight of the first and the second stage means are provided.例文帳に追加

第１及び第２のステージのそれぞれの４隅にアクティブ除振手段を設けると共に、第１及び第２のステージ手段の総重量の半分以上の荷重を支持（負担）するためのパッシブ除振手段を設ける。 - 特許庁

To provide an elevator device for a base isolation building having less level difference in a movable type getting on/off passage floor provided between a building side landing arranged at a base isolation device responding position of a shaft and a shaft side landing device.例文帳に追加

昇降路の免震装置対応箇所に配置した建築体側乗場と昇降路側乗場装置の間に設けた可動式乗降通路床における段差が少ない免震建物用エレベーター装置を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where electric characteristics of a gate insulating film near an element isolation region are equal to those of a gate insulating film other than the element isolation region vicinity, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

素子分離領域付近でのゲート絶縁膜の電気的特性と素子分離領域付近以外でのゲート絶縁膜の電気的特性とが等しい半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for preventing element characteristics from deteriorating, due to the short-circuiting of an element by preventing a surface from retreating due to the etching of an element isolation oxide film and hence improving the isolation breakdown voltage between elements.例文帳に追加

素子分離酸化膜のエッチングによる表面の後退が生じることを防止して素子間分離耐圧を改善し、素子の短絡による素子特性の低下を防止する半導体装置とその製造方法の提供。 - 特許庁

The existing floor is reinforced by the reinforcing method to ensure horizontal rigidity at the lowest story and, at the same time, a base isolation device is installed by work in the working space, and the working space is made to remain as a base isolation pit.例文帳に追加

上記の補強工法によって既存床を補強して最下階での平剛性を確保したうえで、作業空間での作業によって免震装置を設置し、作業空間を免震ピットとして残置する。 - 特許庁

In an N well 2 of the semiconductor circuit device, active regions Rtp for PMIS are formed as surrounded by the trench isolation Ris, while in a P well 3, active regions Rtn for NMIS are formed, also being surrounded by the trench isolation Ris.例文帳に追加

半導体回路装置のＮウェル２には、ＰＭＩＳ用活性領域Ｒｔｐが、Ｐウェル３には、ＮＭＩＳ用活性領域Ｒｔｎがそれぞれトレンチ分離Ｒｉｓで囲まれて設けられている。 - 特許庁

To provide a vibration isolation rubber capable of being designed so that transmissibility of vibration in a low frequency region of 50 Hz or below, which is hardly removed in a conventional vibration isolation rubber, can be sufficiently designed to 1 or less.例文帳に追加

従来の防振ゴムでは取り除くことが困難とされていた５０Ｈｚ以下の低振動数領域における振動伝達率を充分１以下に設計可能にした新規な防振ゴムに関するものである。 - 特許庁

To detect the state of the mixing of a chief material and a curing material by a mixer, and to confirm the state of the mixing of a base isolation material before injection when a base-isolation layer is formed onto the outer circumference of a shield tunnel and a cut-and-cover tunnel.例文帳に追加

シールドトンネルや開削トンネルの外周に免震層を形成する場合、ミキサによる主材と硬化材との混合状態を検出し、注入前に免震材の混合状態を確認する。 - 特許庁

To obtain a base isolation effect of a wide frequency band zone by making an absolute liquid face which does not vibrate by the flexible variation of the air pressure of the air chamber, in a floating up and down base isolation method using an air chamber in common.例文帳に追加

空気室を併用した浮体式上下免振方法において、空気室の気圧を柔軟に変化することにより振動しない絶対液面を作り、広い周波数帯域の免振効果を得る。 - 特許庁

To provide a fire-resistant coating method of a base isolation device which is simple in the constitution and excellent in workability, can execute periodical inspection for the base isolation device with ease, excellent in design, requires no finishing materials, and can contribute to cost reduction.例文帳に追加

構成が簡単で施工性が良く、免震装置の定期点検を容易に行え、意匠性に優れて仕上材を必要とせず、コストの削減に寄与する免震装置の耐火被覆工法を提供する。 - 特許庁

Image data of the first line of each color is stored in the page memory 81 while an isolation distance of adjacent photoreceptor drums, in other words, isolation distance of LED heads for forming latent images onto photoreceptor drums is taken into account.例文帳に追加

各色の第１ラインの画データが、隣り合う感光体ドラムの離間距離、換言すれば、感光体ドラムに静電潜像を形成するＬＥＤヘッドの離間距離を考慮して、画データをページメモリ８１に記憶させている。 - 特許庁

An isolation means to be controlled when the input force of the booster (12 ) exceeds a given rate threshold includes a hydraulic isolation valve shutter (58) associated with a flow restricting means, which is independent from an internal piston (50) of the ram (52).例文帳に追加

ブースター（１２）の入力が所与の速度閾値を越えたときに制御される遮断手段は、流れ制限手段と関連した液圧遮断バルブシャッター（５８）を含み、これはラム（５２）の内部ピストン（５０）とは別個である。 - 特許庁