「Junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(154ページ目) - Weblio英語例文検索

Accordingly, since the first optical member 11 and the second optical member 12 are molecularly joined, an adhesive is dispensed with, and a junction part between the first optical member 11 and the second optical member 12 is consequently uniformed in thickness without wavefront aberration.例文帳に追加

そのため、第一光学部材１１と第二光学部材１２とが分子接合されることで接着剤が不要となり、その結果、第一光学部材１１と第二光学部材１２との接合部分に厚さのバラツキがなくなって波面収差がなくなる。 - 特許庁

To obtain a package that improves the problem wherein the junction strength of the package cannot be maintained since thermal stress is applied in welding and sealing due to the difference in the thermal coefficient of expansion between a vessel and a lid and hence distortion remains, and reduces the height of the package.例文帳に追加

容器と蓋の熱膨張係数の違いにより、溶接、封止時に熱ストレスが加わり歪みが残留し、パッケージの接合強度が保てないことを改善し更にパッケージの低背化を実現するパッケージを得ることを目的とする。 - 特許庁

On a n-type ZnO bulk single crystal substrate 10 formed into low resistance by doping a donor impurity, as a p-type layer 11, a semiconductor thin film composed of a ZnO-based compound, in which nitrogen is doped, is formed to make a p-n junction.例文帳に追加

ドナー不純物のドーピングによって低抵抗化したｎ形ＺｎＯバルク単結晶基板１０上に、ｐ形層１１として窒素をドープしたＺｎＯ系化合物からなる半導体薄膜を形成してｐｎ接合させている。 - 特許庁

Then, by the structure, the upper end face α of a depletion layer including a pn junction interface does not reach the interface of the first non p-type layer 104 and a second non p-type layer 105 near respective electrodes S and D for conduction.例文帳に追加

そして、これらの構造によって、ｐｎ接合界面を内包する空乏層の上端面αは、各導通用電極Ｓ，Ｄの近傍においては第１非ｐ型層１０４と第２非ｐ型層１０５との界面に到達していない。 - 特許庁

Further, the plate 1 is partially exposed outside the junction between the block 2 and the plate 1, and when it is installed in the housing 8, the laser chip 3 and the block 2 are inserted inside the housing 8 from the outside thereof, and the plate 1 is exposed outside the housing 8.例文帳に追加

また平板１はブロック２と平板１との接合面から一部露出しており、ハウジング８に設置される際には、レーザチップ３およびブロック２はハウジング８の外側から内側へ挿入され、平板１はハウジング８の外側に露出している。 - 特許庁

The fuse holding construction 10 holds a mini fuse 20 and a low-back fuse 30 inserted into a fuse inserting recess 43 with a first sidewall 44 and a second sidewall 45 arranged upright on both sides of a fuse inserting face 42 of the electric junction box 40.例文帳に追加

ヒューズ保持構造１０は、電気接続箱４０のヒューズ搭載面４２の両側に立設された第１の側壁４４と第２の側壁４５でヒューズ挿入穴４３に挿入されたミニヒューズ２０及び低背ヒューズ３０を保持する。 - 特許庁

To provide a single electronic element which can operate, even at a room temperature, and has high operating temperature and can control a tunnel junction structure and to provide a method by which the element can be mass-produced in such a degree that the element can be integrated.例文帳に追加

動作温度が高く、室温でも動作し均一な特性を持つ単一電子素子を集積化できる程度に大量に、しかも簡便に作製し、更にトンネル接合構造の制御も可能な単一電子素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for controlling manufacturing processes, in which junction damage does not happen even if a needle of a measuring terminal contacts an electrode in the case where the thickness of a silicide layer and the depth of a diffused layer are small, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

シリサイド層の膜厚や拡散層の深さが小さくなる場合に、電極上に測定端子となる針が接触しても接合破壊が発生することがない製造プロセスを管理する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a step of bringing bumps closer to other bumps or to an electrode to bond both bumps or the bumps and electrode together, especially in a step of bonding by thermal solder fusion, the position of the approaching side is monitored to examine a state of junction.例文帳に追加

バンプ同士またはバンプと電極部とを近接させて接合する工程において、特に熱による半田の溶融による接合に関して、近接していく側の位置をモニタリングすることで、接合状態を検査することを特徴とする構成である。 - 特許庁

To provide an organic thin film solar cell that is capable of forming a photoelectric conversion layer that can operate in the same manner as a bulk hetero junction type and has high performance using a high-mobility P-type organic semiconductor material with an excellent carrier transport property.例文帳に追加

キャリア輸送性に優れる高移動度なＰ型有機半導体材料を用いて、バルクヘテロジャンクション型と同様な動作が可能な光電変換層を形成することができ、高い性能を有する有機薄膜太陽電池を提供する - 特許庁

A heating temperature is set as a temperature which is broader than plastic temperatures of the Si semiconductor wafer 1 and the compound semiconductor wafer, and in which the metal is diffusible to stick the Si semiconductor wafer 1 to the compound semiconductor wafer 2 by a solid-phase diffusion junction.例文帳に追加

加熱温度をＳｉ半導体ウエハ１及び化合物半導体ウエハの塑性温度よりも広く且つ金属の拡散可能な温度として固相拡散接合によってＳｉ半導体ウエハ１と化合物半導体ウエハ２とを貼り合せる。 - 特許庁

To provide a membrane-electrode junction of which an anode side does not become short of water even if hydrogen supplied to the anode side is not humidified, capable of efficiently moving the water generated at a cathode side to the anode side, and to provide a fuel cell using the same.例文帳に追加

カソード側で発生する水を効率よくアノード側に移動させることができ、アノード側に供給される水素を加湿しなくともアノード側が水不足にならない膜電極接合体、及びそれを用いた燃料電池の提供。 - 特許庁

To provide an ultrasonic actuator that reduces adverse effects on the oscillation of piezoelectric elements to enhance efficiency as an ultrasonic actuator, while preventing the piezoelectric elements from being broken, due to stresses concentrating on a junction of wires for power feeding to the piezoelectric elements.例文帳に追加

圧電素子の振動への悪影響を低減して超音波アクチュエータとしての効率を向上させると共に、圧電素子における該圧電素子に給電するためのワイヤの接続部分に応力が集中して該圧電素子が割れることを防止する。 - 特許庁

To provide a method of forming a projection electrode, in which an excellent junction is obtained using solder paste without performing a process of removing an oxide film on a surface of a land; and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、ランドの表面の酸化膜を除去する工程を行わなくても、半田ペーストを使用して良好な接合が得られる突起電極の形成方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The break down voltage of a body contact diode region 13, in which a body contact region 12 and n-type semiconductor layer 3 form a pn junction, is smaller than that of a MOSFET region 14 forming a MOSFET structure.例文帳に追加

ボディコンタクト領域１２とｎ形半導体層３とでｐｎ接合が形成されたダイオード構造を構成するボディコンタクトダイオード領域１３の耐圧を、ＭＯＳＦＥＴ構造が構成されたＭＯＳＦＥＴ領域１４の耐圧よりも小さくしてある。 - 特許庁

Before formation of the tunnel junction layer, the active layer 47 is heat-treated at a temperature higher than 600°C and lower than 750°C to form the p-type semiconductor layer 51 and then the p-type semiconductor layer is heat-treated at a temperature higher than 500°C and lower than 600°C.例文帳に追加

この際、トンネル接合層を形成する前に活性層４７を、６００℃より高く７５０℃未満の温度で熱処理し、ｐ型半導体層５１を形成した後にｐ型半導体層を５００℃より高く６００℃未満の温度で熱処理する。 - 特許庁

The integrated circuit further comprises a switching circuit coupled to the at least one highly-doped junction so that the voltage potential is transferred to the switching circuit to draw a full ESD current, or trigger to draw the full ESD current.例文帳に追加

集積回路はさらに、少なくとも１つの高濃度ドープ接合に結合されたスイッチング回路を含み、電位をスイッチング回路に転送して、全ＥＳＤ電流を流すよう、または全ＥＳＤ電流が流れるようにトリガするようになっている。 - 特許庁

The mass flow controller 16 is arranged on the downstream side of any junction of the main pipe section 14a and the branch pipe sections 14b_1-14b_4, and adjusts the flow rate of the gas between it and the leak detector 20 so that it is within a predetermined range.例文帳に追加

マスフローコントローラ１６は、主管部１４ａと分岐管部１４ｂ_１〜１４ｂ_４とのいずれの合流点よりも下流側に配置されており、自身とリークディテクタ２０との間におけるガスの流量が所定の範囲内となるように調整する。 - 特許庁

To provide a joining apparatus and a joining method of the connector of a panel capable of canceling and suppressing positional misalignment caused by the deflection of the connector, when joining the flexible connector whose one edge is bonded to the edge of the panel to the junction section of a substrate.例文帳に追加

一方の端部がパネルの縁部にボンディングされた可撓性のコネクタと基板の接合部との接合において、コネクタの撓みによる位置ずれを解消、抑制できるパネルのコネクタの接合装置および接合方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an external use agent composition for skin usable for improving barrier function of skin, and preventing wrinkles, dry skin, suntanned skin, or aged skin by keeping tention or moisture of the skin, by accelerating tight junction formation of epidermal cells.例文帳に追加

表皮細胞のタイトジャンクション形成を促進させることにより、皮膚のバリア機能改善に使用でき、皮膚のハリや潤いを維持して皺、乾燥肌、日焼け肌、老化肌を予防又は改善することのできる皮膚外用剤組成物を提供する。 - 特許庁

Unit iron cores 2a are constituted by cutting off a wound band-like electromagnetic steel plate, and in the case of forming a junction part 5 by abutting respective cut ends 4, the cut ends 4 are inclined at an angle of 50-75° from a winding direction.例文帳に追加

巻回された帯状の電磁鋼板を切断して単位鉄心２ａを構成し、切断端４を突合せて接合部５を形成する際に、その切断端４を巻回方向に対して５０°〜７５°の角度をもって傾斜させるようにする。 - 特許庁

By this, by dispersing a light source, since junction temperature which is the temperature of a PN joint part of the LEDs 311, 321 that is the light source is decreased, the long service life and the high reliability of the LEDs 311, 321 become possible.例文帳に追加

これにより、光源を分散化させることにより、光源であるＬＥＤ３１１、３２１のＰＮ接合部の温度であるジャンクション温度を下げることができるので、ＬＥＤ３１１、３２１の長寿命化および高信頼性化が可能になる。 - 特許庁

Furthermore, this power unit is provided with an energy shifting course which causes the energy accumulated in the capacitor of the snubber circuit to shift from the junction between the diode D2 and the capacitor C2 of the snubber circuit A to the positive side of the capacitor C1 for smoothing of output via an inductance L3.例文帳に追加

更にスナバ回路ＡのダイオードＤ２とコンデンサＣ２の接続点から出力平滑用コンデンサＣ１のプラス側にスナバ回路のコンデンサに蓄積されたエネルギをインダクタンスＬ３を介して移行させるエネルギ移行経路を設ける。 - 特許庁

To offer a copper-plated laminated board which facilitates piercing with a laser beam to make a hole very easy and is suitable for forming an interlayer junction hole of a small diameter, by improving the surface of a copper foil which is to be the incident plane of a laser beam at the manufacture of a printed circuit board.例文帳に追加

プリント回路基板の製造に際し、レーザー光入射面となる銅箔の表面を改善することにより、レーザーによる穴開けが極めて容易となり、小径層間接続孔の形成に適した銅張り積層板を提供する。 - 特許庁

To provide a traveling support system and traveling support device of a vehicle which can appropriately support inter-vehicle operation judgement at an intersection or the junction of a Y-shaped road or the like and can suitably prevent the occurrence of the contact accident of the vehicles or the like.例文帳に追加

交差点やＹ字路等の交差路での車両間の運行判断を適正に支援してそれら車両間の接触事故等の発生を好適に予防することのできる車両の走行支援システムおよび走行支援装置を提供する。 - 特許庁

To provide a light-emitting diode having an improved electrostatic withstand voltage that is a pn-junction-type compound semiconductor light-emitting diode, has improved extraction efficiency of emission to the outside, and can prevent the short-circuiting circulation of the element drive current between electrodes.例文帳に追加

ｐｎ接合型化合物半導体発光ダイオードにあって、、発光の外部への取り出し効率に優れ、且つ、電極間の素子駆動電流の短絡的な流通を防止できる、静電耐圧の向上した発光ダイオードを提供する。 - 特許庁

A bias voltage adjusting circuit 5 applies a bias voltage V3 to a semiconductor land 12, which forms a pn junction with the semiconductor layer 11, in correspondence to the detection signal output from the operational amplifier 3 so as to compensate the resistance value of the trimming resistance Rt.例文帳に追加

バイアス電圧調整回路５はオペアンプ３が出力する検出信号に応じて、半導体層１１との間でＰＮ接合を形成する半導体の島１２にバイアス電圧Ｖ３を印加して、トリミング抵抗Ｒｔの抵抗値を補正する。 - 特許庁

To provide a ceramic heater, which is hard to produce problems, such as a short circuit and the like, when it is assembled in a glow plug or the like, and can keep good junction state of a lead part and a heater main body, even when the cycle of heating/cooling is applied.例文帳に追加

グロープラグ等に組み込んだ場合に短絡等の問題を生じにくく、加熱／冷却のサイクルが加わった場合でも、リード部とセラミック製のヒータ本体との接合状態を良好に保つことができるセラミックヒータを提供する。 - 特許庁

To solve the problem of conventional vertical resonator type light emitting element with a high-resistance semiconductor for current constriction, which has large additional capacity resulting from a pn junction at the peripheral part of a light emission area and the problem of its difficulty to drive the element at a high speed.例文帳に追加

従来の高抵抗半導体を電流狭窄に用いた垂直共振器型半導体発光素子は、発光領域周辺部におけるｐｎ接合などによる付加的な容量が大きく、素子の高速動作が困難である。 - 特許庁

To guarantee a long-term stability and improve the reliability of operation of a thermo-protector operated by a release of an elastic strain energy of an elastic body supported by junction and fixation by a fusible body such as solder, caused by fusion of a fusible body.例文帳に追加

弾性歪エネルギーをはんだ等の可溶材による接合固定で支持している弾性体の弾性歪エネルギーが可溶体の溶融で解放されて動作するタイプのサーモプロテクタの長期安定性を保証し、動作の信頼性の向上を図る。 - 特許庁

A part between the beam junction parts in the circular steel pipe column 1 is vertically parted by a parting line, and concrete reinforcing core members such as reinforcing bars, steel, or reinforcing bars combined with steel are disposed to cover both the parted steel pipe columns.例文帳に追加

円形鋼管柱１の各梁接合部位間を分割線にて上下に分割し、各分割鋼管柱間内に互いに跨るように鉄筋または鉄骨、あるいは、鉄筋と鉄骨との組合せからなるコンクリート補強芯材を配設する。 - 特許庁

This gap 50 is formed so as to extend toward the tip 56 of the peripheral rim part 42 from a base end 54 formed as a triple junction A where the surface of the emitter part 14 is brought into contact with the lower surface 51 of the peripheral rim part 42.例文帳に追加

この隙間５０は、エミッタ部１４の表面と外周縁部４２の下面５１とが接触してトリプルジャンクションＡとして構成される基端５４から、外周縁部４２の先端５６に向かって拡開するようにして形成されている。 - 特許庁

The top of the angular part 11 on the side of the main foot 1A ceases to be pressure-contact or collide with the V-shaped groove 12 by formation of the cut 14, and this iron core can prevent the deterioration of the insulation property, avoiding damages to the junction 4A.例文帳に追加

前記切欠き部１４の形成により、中央主脚１Ａ側のＶ字形状部１１の頂点がＶ字形状溝１２に圧接、衝突することがなくなり、接合部４Ａの損傷を回避して絶縁特性の悪化を防ぐことができる。 - 特許庁

This causes a depletion layer at a PN junction between p^+-type deep layer 9 and an n^-type drift layer 2 to greatly extend toward the n^-type drift layer 2, which makes it difficult for a high voltage generated as a result of the effect of a drain voltage to enter a gate oxide film 6.例文帳に追加

これにより、ｐ^+型ディープ層９とｎ^-型ドリフト層２とのＰＮ接合部での空乏層がｎ^-型ドリフト層２側に大きく伸びることになり、ドレイン電圧の影響による高電圧がゲート酸化膜６に入り込み難くなる。 - 特許庁

These junctions 52, 72 are inserted into the inside of the wound utmost inner periphery of the protruding parts 46, 66 so that the inner peripheral part of the protruding part is extended in the longitudinal direction by the junction plane and is drawn into the inner diameter side in the lateral direction.例文帳に追加

この接合部５２，７２がはみ出し部４６，６６の捲回最内周の内側に、該はみ出し部の内周部分が上記接合平面により縦方向に押し広げられ且つ横方向では内径側に引き込まれるようにして挿入されている。 - 特許庁

In this mounting method of the electronic component, solder is stuck to a board to provide the bumps each formed into a nearly-conical shape from the solid conductive material and having the same height, and each junction part between the electronic component with bumps and the board is formed into a hand drum-like shape.例文帳に追加

また、電子部品の実装方法は基板に半田を接着し、固形導電性材料から略円錐状に形成されて、同一の高さを有するバンプを備え、バンプ付き電子部品と基板との接合部を鼓型状に形成する。 - 特許庁

The source 205, where the junction has been formed, is protected from the alloy spike owing to the barrier metal 206, while in the p-type diffusion layer 301 contact resistance can be reduced because the barrier metal has been removed, to stabilize the electric potential of the p-type diffusion layer 301.例文帳に追加

接合が形成されているソース２０５はバリアメタル２０６によりアロイスパイクが抑制され、Ｐ型拡散層３０１ではバリアメタルが除去されているためコンタクト抵抗を下げることができ、Ｐ型拡散層３０１の電位が安定化される。 - 特許庁

A first embroidery range A1, with the stitch direction of (a) and the sewing direction of (b), sewn first, and a second embroidery range A2, with the stitch direction of (c) and the sewing direction of (d), sewn next, overlap with each other at a junction part A3.例文帳に追加

縫目方向がａ方向（縫い方向がｂ方向）とされ先に縫われる第１の刺繍領域Ａ１と、縫目方向がｃ方向（縫い方向がｄ方向）とされ後に縫われる第２の刺繍領域Ａ２とが接合部Ａ３でラップする。 - 特許庁

When a reverse bias is applied to the Schottky barrier diode 11, strength of an electric field near an edge of the Schottky junction 23 becomes low by overlap of an electric field from the first conductive portion 19a and an electric field from the second conductive portion 19b.例文帳に追加

ショットキバリアダイオード１１に逆バイアスが印加される場合、第１の導電部１９ａからの電界と第２の導電部１９ｂからの電界との重ね合わせにより、ショットキ接合２３のエッジ付近の電界強度を小さくなる。 - 特許庁

Since a length W3 of a flange 123 of a pin 121 parallel to the major surface of a board is set to satisfy a predetermined condition, stress concentration less takes place at a brazing material between the side of the flange of the pin 121 and a junction part 11.例文帳に追加

ピン１２１の鍔部１２３の基板の主面と平行方向の長さＷ３を所定の条件を満たす長さとしたため、ピン１２１の鍔部側面とピン接合部１１１との間のロウ材の部分に応力集中が発生しにくい。 - 特許庁

A memory cell comprises a phase-change thin film 4 which is provided with two stable phases, 'high temperature phase' and 'low temperature phase', at a room temperature, and an np junction comprising a p+ type region 9 and n+ type region 8.例文帳に追加

室温下において「高温相」および「低温相」の２つの安定した相を有する相変化薄膜４と、この相変化薄膜４に直列に接続された、ｐ^+ 型領域９およびｎ^+ 型領域８からなるｎｐ接合とからメモリセルを構成する。 - 特許庁

According to this method, the tip of the birds peak 2a is formed before formation of the contact hole, and the high density diffusion layer and the salicide layer are formed also to this part, then the improper contact hardly takes place and the occurrence of the junction leak is suppressed.例文帳に追加

この方法によれば、コンタクトホールの形成前にバーズビーク２ａの先端部を除去し、この部分にも高濃度拡散層及びサリサイド層を形成することができるため、コンタクト不良が発生しにくくなり、接合リークが抑制される。 - 特許庁

A channel-doped layer 124 is formed in the well layer 121 under a gate electrode 29B of a MOS transistor T52, and a nitrogen inlet region N12 is formed in the gate electrode 29B and near a junction interface between the gate electrode 29B and the gate oxide film 25A.例文帳に追加

また、ＭＯＳトランジスタＴ５２のゲート電極２９Ｂの下層のウエル層１２１内には、チャネルドープ層１２４が形成され、ゲート電極２９Ｂ内には、ゲート酸化膜２５Ａとの接合界面近傍に窒素導入領域Ｎ１２が形成されている。 - 特許庁

The 1st lens group G1 has negative lens L11, and a positive junction lens constituted by sticking a positive lens L12 whose convex surface having stronger refractive power faces the eye point side rather than the intermediate image side to a negative meniscus lens L13, in order from the intermediate image side.例文帳に追加

第１レンズ群Ｇ１は、中間像側から順に、負レンズＬ１１と、中間像側よりもアイポイント側により強い屈折力の凸面を向けた正レンズＬ１２と負メニスカスレンズＬ１３との貼り合わせからなる接合正レンズとを有する。 - 特許庁

By forming an adhesive layer 14 at the peripheral region 11B of the electrolyte membrane 11, and joining the bent part 23 of the connection member 20 to the adhesive layer 14, the arrangement efficiency of the junction body 10 is improved so as to assure an excellent sealing property.例文帳に追加

電解質膜１１の周辺領域１１Ｂに接着層１４を設け、この接着層１４に接続部材２０の屈曲部２３を接合することにより、接合体１０の配置効率を高め、良好な封止性を確保する。 - 特許庁