「active-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(147ページ目) - Weblio英語例文検索

The electrode for the lithium battery is considered to make it possible to obtain a superior short time output characteristic in low temperatures, because it has the porous body consisting of the electron conductive material functioning as an electric double layer capacitor material which is considered to have a superior rapid response to the active material at charging discharging and a small reaction resistance.例文帳に追加

本発明のリチウム電池用電極は、活物質と充放電時の高速応答性に優れ反応抵抗が小さいと考えられる電気二重層キャパシタ材料として機能する電子導電性材料よりなる多孔質体を有しているため、低温での短時間出力特性に優れた電池を得ることが可能となっている。 - 特許庁

The layer (1) is coated with a coating solution comprising an active energy ray curable resin composition with a melting point before curing of 40°C or below, a thermoplastic organic compound with a glass transition temperature of 60-300°C, and an organic solvent which can dissolve a mixture of the resin composition and the organic compound into a transparent solution.例文帳に追加

（イ）硬化前の融点が４０℃以下の活性エネルギー線硬化性樹脂組成物、ガラス転移温度が６０〜３００℃の範囲にある熱可塑性有機化合物、及び前記活性エネルギー線硬化性樹脂組成物と熱可塑性有機化合物との混合物を透明の状態に溶解することができる有機溶剤から成る塗工液を塗布した層。 - 特許庁

In the liquid crystal display panel 39 which comprises a liquid crystal 14 interposed between an AM (active matrix) substrate 11 equipped with a pixel electrode 22 and a counter substrate 12 equipped with a counter electrode 32, the slit layer 2 placed opposite to the AM substrate 11 is disposed on a glass substrate 31 for the counter side in the counter substrate 12 placed on the display side.例文帳に追加

画素電極２２を備えたＡＭ基板１１と、対向電極３２を備えた対向基板１２との間に、液晶１４が挟持された本発明の液晶表示パネル３９で、表示側に位置する対向基板１２における対向用ガラス基板３１上には、スリット層２が、ＡＭ基板１１側に向かって、設けられる。 - 特許庁

A nitride semiconductor 1 containing In that is an active layer is stored in a reaction vessel 10, the nitride semiconductor is held at temperature for preventing the crystal quality from deteriorating, the precursor and p-type dopant of the grown p-type nitride semiconductor 2 are supplied into the reaction vessel, and pulse laser beams 3 are applied to the surface of the nitride semiconductor 1.例文帳に追加

活性層であるＩｎを含む窒化物半導体１を反応容器１０内に収容し、窒化物半導体をその結晶品質が低下しない温度に保持しながら、成長させるｐ型窒化物半導体２の前駆体とｐ型ドーパントを反応容器内に供給し、同時に窒化物半導体１の表面にパルスレーザ３を照射する。 - 特許庁

The semiconductor laser bar 12 can be positioned heightwise by being arranged with its active layer side directed to the peak part of the 1st positioning part 24, thereafter only by setting the distance between the semiconductor laser bar 12 and rod lens 14, the positioning of the semiconductor laser bar 12 and rod lens 14 in the laser light collector 10 is easily completed.例文帳に追加

半導体レーザバー１２は、第１の位置決め部２４の頂部に活性層側を向けて配置すれば、高さ方向の位置決めは終了し、後は、半導体レーザバー１２とロッドレンズ１４との距離を設定するだけでレーザ集光機１０における半導体レーザバー１２とロッドレンズ１４との位置決めを簡単に終了することができる。 - 特許庁

To provide a lithium secondary battery that restrains an inhibition of cell reaction and that improves self-discharge property and cycle property by suppressing the corrosion of copper foil which is a negative electrode current collector and the invasion of eluted Cu into SEI on the negative electrode surface, so that copper SEI layer will be restrained to be generated on the surface of negative electrode active material.例文帳に追加

負極集電体である銅箔の腐食、及び溶出したＣｕを負極表面上のＳＥＩに進入することを抑制することで、負極活物質表面上に銅ＳＥＩ層が生成することを抑制することにより、電池反応の阻害を抑制し、自己放電特性とサイクル特性を改善したリチウム二次電池を提供する。 - 特許庁

The sensor part of the infrared detection device of thermal-type forms the micro air bridge structure 11 on the SOI substrate 27 by the ICP dry etching process, the semiconductor diode part 18 comprising a plurality of p-n junction diodes in its active region 12 is formed, and the metal reflecting film 15 and the infrared-absorbing layer 14 are provided there, in this order.例文帳に追加

熱型赤外線検出装置のセンサ部は、ＳＯＩ基板２７上にＩＣＰドライエッチングプロセスによってマイクロエアブリッジ構造体１１を形成し、その活性領域１２に複数のｐｎ接合ダイオードからなる半導体ダイオード部１８を形成し、その上面に金属反射膜１５および赤外線吸収層１４を順に設ける。 - 特許庁

The reflective liquid crystal display element is provided with the upper side transparent substrate 13 and the lower side substrate 19 on which transparent electrode patterns 14 with no thin film active element are formed and a liquid crystal layer 15 arranged in a gap formed by placing the transparent electrode pattern sides of the upper transparent substrate and the lower substrate opposite to each other.例文帳に追加

薄膜能動素子を有さない透明電極パターン１４が形成された上側透明基板１３と、薄膜能動素子を有さない透明電極パターン１４が形成された下側基板１９と、上側透明基板及び下側基板の透明電極パターン側を対向させて形成した間隙に設けた液晶層１５とを備える。 - 特許庁

In the thin battery that is equipped with the first and the second electrode, which respectively has active substances and one of which becomes a positive electrode and the other becomes a negative electrode, and with a separator which is between those electrodes and which retains an electrolyte, at least one of the first and the second electrode and the separator are adhered with the adhesive resin layer containing a filler composed of polypropylene.例文帳に追加

一方が正極、他方が負極となり、各々活物質を有する第一、第二の電極と、それら電極間に介在して電解質を保持するセパレータとを備える薄型電池において、第一、第二の電極の少なくとも一方とセパレータとが、ポリプロピレンからなるフィラーを含む接着性樹脂層にて接着されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of obtaining nitride semiconductor chips having excellent light emitting characteristics without deterioration of crystallinity while preventing occurrence of cracking or chipping in a cut surface or an interface when a nitride semiconductor wafer including a nitride semiconductor as a substrate and a light emitting active layer is cut into chips, the cut chips having a predetermined shape and size with good yield.例文帳に追加

窒化物半導体を基板とする光を発する活性層を含む窒化物半導体ウエハーをチップ状に分割する際に、切断面、界面のクラック、チッピングの発生を防止し、結晶性を損なうことなく優れた発光性能を有する窒化物半導体チップを得ると共に、歩留良く所望の形とサイズに切断する方法を提供する。 - 特許庁

Within a super luminescent diode(SLD), a current implanted end (18) slowly reducing the current implanted amount is provided between a current implanted region (11) sectioned by a current implanting part (14) to an active layer (3) and not implanted region (13) for inserting a transfer region (12).例文帳に追加

この発明にかかるスーパールミネッセントダイオード（ＳＬＤ）は、活性層（３）に電流を注入する電流注入部（１４）で画成される電流注入領域（１１）と、注入されない非注入領域（１３）との間に、電流の注入量が徐々に減少する電流注入端部（１８）を設けて遷移領域（１２）を挿入した。 - 特許庁

An active matrix substrate 2 is formed, so that a semiconductor layer 205b is formed at a part which goes over the edge of an gate electrode, including at least an edge 202a2 on a source electrode side of the gate electrode and a tip edge 101a3 of the gate electrode, while a source wiring 220 is provided inside the edge 202a2 on the source electrode side of the gate electrode.例文帳に追加

少なくともゲート電極のソース電極側の縁２０２ａ２とゲート電極の先端縁２０２ａ３を含むゲート電極の縁を乗り越える個所に半導体層２０５ｂが形成され、かつ、ソース配線２２０は、ゲート電極のソース電極側の縁２０２ａ２よりも内側に配置されるようにアクティブマトリクス基板２を形成する。 - 特許庁

In this manufacturing method of an electrode plate including the process for rolling up the semifinished product of the long electrode plate with an active material layer formed at least on one surface of a current collector, the semifinished product of the electrode plate is rolled up with a winding tension of 235-304N by using the rolling core having a core diameter of 10.16-20.32 cm.例文帳に追加

活物質層が集電体の少なくとも一面に設けられている長尺の電極板中間品を、巻芯を用いて巻き取る工程を含む電極板の製造方法において、前記電極板中間品を、１０．１６〜２０．３２ｃｍの芯径を有する前記巻芯を用いて、２３５〜３０４Ｎの巻取り張力で巻き取る。 - 特許庁

To provide an ideal Multiple Gate Field Effect transistor structure with a fin-like structure for forming therein a transistor channel of the Multiple Gate Field Effect transistor structure, the fin-like structure being formed from at least one active semiconductor layer of a SOI type structure on a buried insulator of the SOI type structure, and to provide a method for fablicating same.例文帳に追加

複数ゲート電界効果トランジスタ構造のトランジスタチャネルをその中に形成するためのフィン状構造を持ち、フィン状構造がＳＯＩ型構造の少なくとも１つの活性半導体層から、ＳＯＩ型構造の埋込み絶縁体上に形成されてなる理想的な複数ゲート電界効果トランジスタ構造と、その製造方法を提供すること。 - 特許庁

A semiconductor DBR mirror formed on an active layer is formed divided as a 1st DBR mirror and a 2nd DBR mirror, and a current stricture is provided only at the part of the 1st DBR mirror to reduce the thickness of a narrow area of a current path, thereby obtaining an element which can operate with both high and low voltages.例文帳に追加

活性層の上部に形成する半導体ＤＢＲミラーを、第１のＤＢＲミラーと第２のＤＢＲミラーに分けて形成し、電流狭窄は第１のＤＢＲミラーの部分にのみ設けることにより、電流経路の狭い領域の厚さを薄くすることが可能で、低電圧動作と高温動作が可能な素子を得ることができる。 - 特許庁

To provide a laminating substrate which can be laminated by reducing voids generated on an outer periphery and bringing a centerlines of large and small wafers into coincidence with an orientation flat part or a notched part, which can reduce the voids of the outer periphery, and which can enlarge an effective area of an active layer which can form a device, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

外周部に発生するボイドが低減し、大小２枚のウェーハを互いの中心線とオリフラ部またはノッチ部とを合致させて貼り合わせが可能で、外周部のボイドも低減でき、しかもデバイスを形成可能な活性層の有効面積を拡大することができる貼り合わせ基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

An electrolytic solution holding amount per unit volume of a wound core part 31, wound by superimposing an active material layer of positive, and negative electrode sheets out of the electrode body 30 and a separator is constituted to become more in the center part 312 of a winding axial direction than on one-end side (positive electrode terminal side) 313 and on the other-end side (negative electrode terminal side) 311.例文帳に追加

電極体３０のうち正負の電極シートの活物質層とセパレータとが重なって捲回された捲回コア部３１の単位体積当たりの電解液保持量が、捲回軸方向の中央部３１２では上記一端側（正極端子側）３１３および上記他端側（負極端子側）３１１よりも多くなるように構成されている。 - 特許庁

When the photo mask is manufactured by forming a light shielding film pattern on one side of a light transmitting substrate and demarcating a light transmitting part by the light shielding film pattern, a fluorine-containing photocatalyst active layer containing a photocatalyst and a fluorine-based compound is formed in a manner that it can be overlapped on the light transmitting part on the plane view.例文帳に追加

光透過性基板の片面に遮光膜パターンが形成され、この遮光膜パターンによって光透過部が画定されているフォトマスクを作製するにあたり、光透過部と平面視上重なるようにして、光触媒とフッ素系化合物とを含有するフッ素含有光触媒活性層を形成することによって、上記課題を解決した。 - 特許庁

In the deodorizing method, treated gas subjected to deodorization in pretreatment is obtained by bringing the organic gas into contact with water and active gas through a contacting layer 52 in a pretreating device 5 and also the malodorous component in the treated gas is decomposed and deodorized at the base bed 6a by supplying the treated gas into the base bed 6a consisting of earth, or the like.例文帳に追加

有機ガスを前処理装置５内で接触層５２を介し水と活性ガスに接触させることにより前処理脱臭をした処理ガスにすると共に、この処理ガスを土等からなるベース床６ａ内に送給することにより、該ベース床６ａで処理ガス中の臭気成分を分解させて脱臭させる有機ガスの脱臭方法にしている。 - 特許庁

This device is a liquid crystal display device having matrix-form pixel electrode 2 groups formed in such a manner that the electric fields impressed to a liquid crystal layer are nearly parallel with substrate surfaces, active elements and prescribed driving means and is so constituted that an initial alignment direction 6 of liquid crystals is determined as one direction and that one pixel has plural driving directions for the liquid crystals therein.例文帳に追加

液晶層に印加される電界がほぼ基板表面に平行となるように形成された、マトリクス状の画素電極２群とアクティブ素子及び所定の駆動手段を有する液晶表示装置で、液晶の初期配向方向６を一方向としかつ一画素内に複数の液晶の駆動方向を有するようにする。 - 特許庁

The constitution consists of the circuit connecting in parallel with at least one secondary battery 2 (e.g. a lithium secondary battery) using material containing at least one kind selected from non-graphite carbon material (e.g. hard carbon) and amorphous oxide (e.g. silicon dioxide) for negative pole active material, and at least one capacitor 3 (e.g. an electric double layer capacitor).例文帳に追加

非黒鉛質炭素材料（例えば、ハードカーボン）および非結晶質酸化物（例えば、酸化ケイ素）から選ばれる少なくとも１種を含む材料を負極活物質に用いた少なくとも１個の二次電池２（例えばリチウム二次電池）と、少なくとも１個のキャパシタ３（例えば電気二重層キャパシタ）とを並列に接続した回路構成とする。 - 特許庁

The bamboo material in the surface layer 1 is then coated with a ceramic liquid obtained by suitably preparing a far infrared radiating silicon dioxide and an antistatic aluminum silicate and/or aluminum oxide having 0.02-0.15 μm particle diameter and silver oxide and/or copper oxide having 0.1-0.5 μm particle diameter and exhibiting oxygen active catalyst actions and an acrylic resin for binding.例文帳に追加

そして、該表面層の竹材に、粒径０．０２〜０．１５μｍの遠赤外線放射の二酸化ケイ素及び帯電防止用のケイ酸アルミニウム及び／又は酸化アルミニウムと、粒径０．１〜０．５μｍの酸素活性触媒作用を発揮する酸化銀及び／又は酸化銅と、結合用のアクリル樹脂を適宜調製して成るセラミック液を塗布する。 - 特許庁

In the battery equipped with a spirally wound electrode group, at least one of a positive electrode 10 and a negative electrode has an exposure part to which the metal foil is exposed, and an insulating tape 20 having a prescribed width is pasted from the vicinity of a coating end part to the exposure part in at least one portion of the vicinity of the end of an active material coating layer 12.例文帳に追加

本発明の渦巻状電極群を備えた電池は、正極１０および負極の少なくとも一方は、金属箔１１が露出する露出部を備えているとともに活物質塗布層１２の端部近傍の少なくとも１箇所にはこの塗布端部の近傍から露出部に亘って所定幅の絶縁テープ２０が貼着されている。 - 特許庁

To provide an electrode for a battery, suitable for a lithium-ion battery or the like with improvement in cycling characteristics, such as an initial discharge capacity and a capacity maintenance ratio, taking into consideration the problems incurred in case an anode active material layer is formed as a collector is made to travel, and to provide its manufacturing method with high productivity, as well as, a secondary battery that uses the electrode.例文帳に追加

集電体を走行させながら負極活物質層を形成する場合に生じる問題点に留意して、初回放電容量、及び容量維持率などのサイクル特性を改善した、リチウムイオン二次電池などに好適な電池用電極、及び生産性の高いその製造方法、並びにその電極を用いる二次電池を提供すること。 - 特許庁

In a thin film transistor having a polycrystal silicon thin film formed on a substrate through an insulating film and using the polycrystal silicon thin film as an active layer, the thickness d[cm] is made to satisfy d≥5.0×10-4×k1/2 when the thermal conductivity of a material constituting the insulating film is set to be k[W/(cm.K)].例文帳に追加

基板上に絶縁膜を介して成膜された多結晶シリコン薄膜を有すると共に、この多結晶シリコン薄膜を活性層として用いた薄膜トランジスタにおいて、絶縁膜を構成する素材の熱伝導率をｋ〔Ｗ／（ｃｍ・Ｋ）〕とした場合、当該絶縁膜の厚さｄ〔ｃｍ〕を、ｄ≧５．０×１０^−４×ｋ^１／２を満たす厚さとする。 - 特許庁

An optical amplifier comprises: a first semiconductor optical amplifier of a waveguide type having an active layer to amplify light of a wavelength in an optical communication wavelength band; and a bending semiconductor optical waveguide that is connected to the light output side of the first semiconductor optical amplifier and guides light output from the first semiconductor optical amplifier in a single-mode.例文帳に追加

光通信波長帯域内の波長の光を増幅する活性層を有する導波路型の第１半導体光増幅器と、前記第１半導体光増幅器の光出力側に接続した、前記第１半導体光増幅器から出力された光を単一モード導波する曲げ半導体光導波路と、を備える。 - 特許庁

To provide a negative electrode plate for non-aqueous electrolyte secondary battery where no negative electrode active material falls off, by including the negative electrode plate to which a paste made by using CMC ammonium salt as a thickening agent is applied, and preventing the CMC ammonium salt as the thickening agent from expanding even when a coating layer of an inorganic oxide is formed on the surface of the negative electrode plate.例文帳に追加

増粘剤としてＣＭＣアンモニウム塩を用いて作製されたペーストを塗布した負極板を備え、この負極板の表面に無機酸化物の被覆層を形成しても、増粘剤としてＣＭＣアンモニウム塩が膨張しないようにして、負極活物質が脱落が生じない非水電解質二次電池用負極板を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for an organic semiconductor capable of forming an organic semiconductor layer of high storage stability and excellent properties, a method of manufacturing a transistor capable of manufacturing a high-reliability transistor using the same, a method of manufacturing an active matrix device, a method of manufacturing an electro-optic device, and a method of manufacturing electronic equipment.例文帳に追加

保存安定性が高く、特性に優れた有機半導体層を形成することができる有機半導体用組成物、これを用いて製造された信頼性の高いトランジスタを製造可能なトランジスタの製造方法、アクティブマトリクス装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、および、電子機器の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Then, the elements 1 are arranged so as to form semiconductor laminating structure obtained by superposing plural semiconductor layers on the surface of the board on a condition that a light emitting (active) layer is included and provided with a P electrode formed at the uppermost surface of this multilayer structure and an N electrode formed at the upper surface of a semiconductor laminated structure part whose one part is shaved by etching.例文帳に追加

ＧａＮ系ＬＥＤ素子１は、基板の表面上に発光（活性）層を含む形で半導体の層を複数重ね合わせた半導体積層構造を形成しており、この多層構造の最上面に形成されたＰ電極と、半導体積層構造部の一部をエッチングにより削ったその上面に形成されたＮ電極とを備える。 - 特許庁

The cathode active material for the nonaqueous electrolyte secondary battery, having a lamination structure contains lithium-containing transition metal oxide, containing at least cobalt as a transition metal, and at least one part of the surface of the lithium-containing transition metal oxide is covered by a surface treatment layer comprising lithium cobaltate of a low-temperature phase.例文帳に追加

層状構造を有し、かつ遷移金属として少なくともコバルトを含有するリチウム含有遷移金属酸化物からなる非水電解液二次電池用正極活物質であって、リチウム含有遷移金属酸化物の少なくとも一部の表面が、低温相のコバルト酸リチウムからなる表面処理層で被覆されていることを特徴としている。 - 特許庁

To solve a problem that in a semiconductor light emitting device wherein a sub-mount is adhered onto a stem of a package and a semiconductor laser chip is mounted thereupon with a junction down, rotation of polarization is caused by residual stress applied to an active layer of the semiconductor laser chip after assembly owing to a difference in coefficient of linear expansion between a mount portion and the semiconductor laser chip.例文帳に追加

パッケージのステム上にサブマウントを接着し、その上に半導体レーザチップをジャンクションダウンで実装する半導体発光装置において、マウント部と半導体レーザチップとの線膨張係数の違いにより、組み立て後の半導体レーザチップの活性層に残留応力がかかり、それによって偏光の回転が起こってしまう。 - 特許庁

To provide an active energy line hardening type resin composition for Fresnel lens and a Fresnel lens sheet using the composition which has a high elastic modulus and a high refractive index, whose adhesion for a plastic base material and transparency are excellent, whose lens layer shows excellent shape holding power in a broad temperature range, and which does not easily have chip or crack of the shape by external force.例文帳に追加

高い弾性率と高い屈折率を示し、プラスチック基材への密着性や透明性に優れ、レンズ層が幅広い温度範囲で優れた形状保持力を示し、外力による形状の欠けや割れを生じにくいフレネルレンズ用活性エネルギー線硬化型樹脂組成物及び該組成物を用いたフレネルレンズシートを提供する。 - 特許庁

The conductivity of the organic semiconductor material is at least 10^-2 S/cm, and the active semiconductor layer contains fine particles of insulating materials.例文帳に追加

支持体上にゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、及び少なくとも一種の有機半導体材料を含む活性半導体層を有する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体材料の導電率が１０^-2Ｓ／ｃｍ以上であり、又、前記活性半導体層は絶縁体材料の微粒子を含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 - 特許庁

In the positive electrode material using lithium nickel manganese oxide as a positive active material, a part of a lithium layer is replaced with at least one kind of element selected from alkali metals and alkali earth metals, and the symmetry of the space group of crystals is R-3m.例文帳に追加

リチウムニッケルマンガン酸化物を正極活物質に用いてなる正極材料であって、前記リチウムニッケルマンガン酸化物において、Ｌｉ層の一部がアルカリ金属及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも１種の元素によって置換されており、結晶の空間群の対称性がＲ−３ｍであることを特徴とする正極材料。 - 特許庁

In a thin film transistor where a thin film containing the precursor of a metal oxide semiconductor is formed on a substrate and a metal oxide semiconductor thin film formed by a process for oxidizing the thin film serves as an active layer, a gate insulating film is provided on the side of the metal oxide semiconductor thin film opposite to a support.例文帳に追加

基板上に金属酸化物半導体の前駆体を含有する薄膜を形成した後、該薄膜を酸化する工程により形成した金属酸化物半導体薄膜を活性層とする薄膜トランジスタにおいて、前記金属酸化物半導体薄膜の支持体とは反対側にゲート絶縁膜が設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 特許庁

To provide a nitride compound semiconductor light emitting element which can greatly shift its light emitting wavelength to a long wavelength, even if having e.g. an InxGa1-xN light emitting active layer or a lower mixed crystal ratio of In, has a sufficient life and can select the light emitting wavelength in a wide wavelength range from blue to red, etc.例文帳に追加

例えば、Ｉｎ_xＧａ_1-xＮを発光活性層に持つ発光素子においても、低いＩｎの混晶比でも、長波長側に大きく発光波長をシフトさせる事が可能になり、十分な寿命を有し、且つ青色から赤色など幅広い波長領域において発光波長を選択することができる窒化物半導体発光素子を提供すること。 - 特許庁

Semiconductor device includes a field effect transistor having a gate electrode comprised of side wall insulating films on a plurality of active regions, and a wiring formed on an element isolation region by using the same material as the gate electrode where the side wall insulating films are selectively removed and then a silicide layer thicker than that of the gate electrode is formed.例文帳に追加

半導体装置は、複数の活性領域にサイドウォール絶縁膜を備えたゲート電極を持つ電界効果トランジスタを有し、素子分離領域上にゲート電極と同一材料を用いて形成された配線を有し、素子分離領域上ではサイドウォール絶縁膜が選択的に除去され、ゲート電極のシリサイド層より厚いシリサイド層が形成される。 - 特許庁

This nonvolatile semiconductor memory for discretely storing the charges in the laminated insulating film 2 is formed on an island-shaped active region surrounded by an embedded insulating film 1a embedded as a middle layer in the substrate and a device isolating and insulating film 3 formed in a predetermined region within the substrate.例文帳に追加

基板１上に形成された積層絶縁膜２に離散的に電荷を蓄積する不揮発性半導体記憶装置であって、基板の中層に埋め込まれた埋め込み絶縁膜１ａと基板中の所定領域に形成された素子分離絶縁膜３とによって囲まれて島状に形成された活性領域上に形成されている。 - 特許庁

The liquid crystal display device having matrix-form pixel electrode 2 groups formed in such a manner that the electric fields impressed to a liquid crystal layer are nearly paralleled with substrate surfaces, active elements, and prescribed driving means is so constituted that an initial alignment direction 6 of liquid crystals is determined as one direction and that one pixel has plural driving directions for the liquid crystals therein.例文帳に追加

液晶層に印加される電界がほぼ基板表面に平行となるように形成された、マトリクス状の画素電極２群とアクティブ素子及び所定の駆動手段を有する液晶表示装置で、液晶の初期配向方向６を一方向としかつ一画素内に複数の液晶の駆動方向を有するようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device having two wave lengths in which effective cavity lengths, i.e. the length in a cavity direction of an active layer that contributes to laser oscillation, can be independently controlled respectively, and respective cavity lengths optimum to red and infrared lasers can be set to enhance laser properties, and its manufacturing method.例文帳に追加

実効的な共振器長、すなわちレーザ発振に寄与する活性層の共振器方向の長さをそれぞれ独立に制御することが可能で、赤色、赤外それぞれのレーザに最適な共振器長の設定が実現されレーザ特性を高めることが可能な二波長レーザの半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An active layer 502 having wavelength selectivity, a waveguide core 503 having no gains and no wavelength selectivity, and a reflection region (waveguide end face) 509 having no gains, are connected in series to the advance direction of light; and an electrode 506 for phase control for changing the optical effective length of the waveguide core 503 is provided.例文帳に追加

波長選択性を有する活性層５０２と、利得および波長選択性を有しない導波路コア５０３と、利得を有しない反射領域（導波路端面）５０９とが、光の進行方向に対して直列に接続されているとともに、導波路コア５０３の光学的実効長を変化させるための位相制御用電極５０６を備えている。 - 特許庁

The electrode is a composite electrode having an active material layer containing a composite of at least one kind of thiophene oligomer and at least one kind of carbon nanotube, the degree of polymerization of the thiophene oligomer is in a range of 4 to 20, and the specific surface area of the carbon nanotube is in a range of 600 to 2,600 m^2/g.例文帳に追加

本発明の電極は、少なくとも１種のチオフェンオリゴマーと少なくとも１種のカーボンナノチューブとの複合体を含有する活物質層を有する複合体電極あって、上記チオフェンオリゴマーの重合度が４〜２０の範囲であり、上記カーボンナノチューブの比表面積が６００〜２６００ｍ^２／ｇの範囲であることを特徴とする。 - 特許庁

This active ray-curing composition consists of a polyester resin (A) constituted of a polyol component (a) comprising a polydiene polyol (a1) and a polycarboxylic acid component (b) and a photopolymerization initiator (B) and is used in the photosensitive layer of a photosensitive resist film, photoresist, photosensitive resin latterpress, photosensitive flexographic plate, screen plate, photo-adhesive or hard coating agent.例文帳に追加

ポリジエンポリオール（ａ１）からなるポリオール成分（ａ）とポリカルボン酸成分（ｂ）から構成されるポリエステル樹脂（Ａ）および光重合開始剤（Ｂ）からなることを特徴とする活性光線硬化性組成物を、感光性レジストフィルム、フォトレジスト、感光性樹脂凸版、感光性フレキソ板、スクリーン板、光接着剤またはハードコート剤の感光層に用いる。 - 特許庁

The silicon wafer has a high-oxygen-concentration region where a solid solution oxygen concentration is ≥0.7×10^18 atoms/cm^3 in a no-defect region (DZ layer) 12 including at least the device active region of the silicon wafer 10, and contains interstitial silicon 14 in the no-defect region 12 in a supersaturation state.例文帳に追加

本発明に係わるシリコンウェーハは、シリコンウェーハ１０の少なくともデバイス活性領域が含まれる無欠陥領域（ＤＺ層）１２内に固溶酸素濃度が０．７×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上の高酸素濃度領域を有し、かつ、無欠陥領域１２内には、格子間シリコン１４が過飽和状態で含有されている。 - 特許庁

To suppress rapid dispersion of water vapor from active materials exposed on the sides of a laminate layer and to obtain good aging reactions when aging an electrode plate in a laminate manner, wherein the electrode plate is thicker than peripheral thickness of a lattice such as an electrode plate using a thin cast lattice of a storage battery for example a lead battery, an expand lattice, or a punched lattice.例文帳に追加

蓄電池、例えば鉛蓄電池の薄型鋳造格子、エキスパンド格子、あるいは打抜き格子を用いた極板のように、極板厚さが格子周囲厚さより大きい極板を積層式で熟成する場合、その積層側面に露出した活物質からの急速な水蒸気拡散を抑制し、良好な熟成反応を得る。 - 特許庁