「copper process」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

High temperatures produced in a crimping process of a plate material are utilized to melt the highly thermally conductive paste to adhesively fix the metal material and the copper foil layer.例文帳に追加

板材の圧着過程で生じる高温を利用し、高伝熱ペーストを溶融させ金属材及び銅箔層を粘着固定する。 - 特許庁

To prevent voids or seams from being generated in grooves or holes in a copper plating process in a semi-conductor.例文帳に追加

半導体における銅めっきプロセスにおいて、溝やホール内にボイドやシームが生じないようにする。 - 特許庁

To provide a copper alloy plate for electrical/electronic equipment having excellent plating properties, pressability and heat resistance, and to provide a process for producing the same.例文帳に追加

めっき性、プレス性、耐熱性に優れる電気・電子機器用銅合金とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The composition and the process are provided which are useful for the removal of polymeric materials and copper oxide from a substrate, for example from an electronic device.例文帳に追加

ポリマー性物質および酸化銅を、基体、例えば、電子デバイスから除去する上で有用な組成物およびプロセスが提供される。 - 特許庁

A process for making such a foil and a copper-clad laminate, where such a foil is bonded to a polymeric substrate is also provided.例文帳に追加

そのような箔、及びそのような箔をポリマー基材に堆積させた銅被覆積層体の製造方法とする。 - 特許庁

Thus, in a process for roughening a resin surface 104 of the substrate by chrome acid, a copper plated film which is difficult to corrode can be formed.例文帳に追加

これにより、基板の樹脂表面１０４をクロム酸で粗化する工程において、腐食されにくい銅めっき膜を形成することができる。 - 特許庁

In a following second plating process, copper electroplating is carried out to form a head part 224 of the coupling post 222 outside the molding hole 34.例文帳に追加

その後の第２のめっき工程では、電気銅めっきを施すことにより、成型孔３４の外側に結合用ポスト２２２の頭部２２４を形成する。 - 特許庁

In addition, the preferable method for manufacturing a prepreg comprises the steps of applying a heat-curable resin solution to a non-copper foil face and drying/heating to proceed to the B-stage process.例文帳に追加

更に、非銅箔面に熱硬化性樹脂液を塗布した後、乾燥し加熱してＢステージ化するプリプレグの製造方法が良い。 - 特許庁

The copper powder has such an irregular shape as the flake or a tablet, which can be directly obtained by a wet process.例文帳に追加

本件発明は、湿式法で直接得られるフレーク状若しくはドロップ状をした異形銅粉を提供する。 - 特許庁

The second surface treatment is preferably a process to remove the anionic component remaining on the surface of the copper film by the first surface treatment.例文帳に追加

第２の表面処理は、第１の表面処理によって銅膜の表面に残留した陰イオン成分を除去する処理であることが好ましい。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor display plate that can minimize generation of an impurity due to exposure of copper at an etching process.例文帳に追加

エッチング工程時に銅が露出して不純物が発生することを最小化できる薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, the masks 20 are removed in (d), copper is plated on the surface of the intermediate copper plated layer 21 by performing a second plating process, copper is plated in a thin film form on the part, corresponding to a connection edge part 14a on the surface of the conductor pattern 12, and a copper plated electrode 14 is formed in (e).例文帳に追加

次に、マスク２０を除去し（ｄ）、第２のめっき工程を実行することにより、中間銅めっき層２１の表面に更に銅めっきを形成すると共に、導体パターン１２の表面のうち接続端部１４ａに対応した部分に銅めっきを薄膜状に形成し、銅めっき電極１４を形成する（ｅ）。 - 特許庁

To provide a wet refining method for a copper raw material containing a copper sulfide mineral such as chalcopyrite, which leaches copper out of the raw material at a high leach rate while suppressing oxidation of sulfur, recovers monovalent copper through electrolysis process and recovers a concomitant valuable metal while minimizing production of wastes such as leaching residue.例文帳に追加

黄銅鉱を始めとする硫化銅鉱物を含む銅原料の湿式精錬法において、硫黄の酸化を抑制しながら高浸出率で銅を浸出して一価銅電解で回収し、また随伴する有価金属も回収して、浸出残渣などの廃棄物を可能な限り減少することができる精錬方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for preventing copper oxidation in a dual damascene process, in which the oxidation of the surface of a copper metal combined with oxygen is prevented, so that dangling bonds on the surface of the copper metal are coupled to N_2 or H_2, after opening a copper interconnect to the atmosphere.例文帳に追加

本発明は前記のような従来技術の諸般の短所と問題点を解決するために、銅の配線が大気中に開放された後、銅の金属の表面のダングリングボンドとN_２またはH_２が結合するようにして、銅の金属の表面が酸素と結合して酸化されることを防止するデュアルダマシン工程の中で銅の酸化防止方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing composition which, when used in a CMP (chemical mechanical polishing) process of a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound, exhibits a higher rate of polishing copper during polishing the copper surface and exhibits a lowered rate of polishing copper and a higher rate of polishing the tantalum compound during polishing the tantalum compound and to provide a polishing method using the composition.例文帳に追加

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅表面を研磨する際は銅の研磨レートが大きいがタンタル化合物の研磨の際には銅の研磨レートが減少し、タンタル化合物の研磨レートが向上する研磨用組成物ならびに研磨方法を提供する - 特許庁

The thickness of the copper patterns 109 in the TAB junction is made thinner than that in the regions excluding the junction i.e., the thickness to the extent of sufficiently filling up the gaps between adjacent copper patterns 109 with an adhesive so that, when the copper patterns 109 are junctioned by the thermal pressure fixing process etc., the gaps between the adjacent copper patterns 109 may be removed.例文帳に追加

ＴＡＢの接合部の銅パターンの厚みを接合部以外の領域部分の厚みより薄くする事により、接合部の銅パターンの厚みが隣り合う銅パターン間の隙間に接着剤が充分充填する程度の薄さであるため、加熱圧着等の方法で接合した場合、隣り合う銅パターン間の隙間の空隙が無くなる。 - 特許庁

The problem is solved by an electrodeposited copper foil manufacturing process including the following stages: a stage for preparaing a copper deposition bath containing water, copper ion, sulfate ion and < about 20 ppm chlorine ion and a stage for applying a current to the bath at about 200 to 3,000 A/ft2 current density to electrodeposit copper from the bath.例文帳に追加

次の工程を包含する電着銅箔の製造方法により上記課題が達成される：水、銅イオンおよび硫酸イオンを含有し、約２０ｐｐｍ未満の塩素イオンを含有する銅析出浴を調製すること；および上記浴に、１平方フィートあたり約２００から３０００アンペアの割合の電流密度で電流を付与して上記浴から銅を電着させること。 - 特許庁

To provide a composition for polishing and a polishing method for improving the polishing rate of a tantalum composition by increasing the polishing rate of copper at polishing the surface of copper, and reducing the polishing rate of copper at polishing the tantalum composition in a CMP working process of a semiconductor device having a copper film and a tantalum composition.例文帳に追加

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅表面を研磨する際は銅の研磨レートが大きいがタンタル化合物の研磨の際には銅の研磨レートが減少し、タンタル化合物の研磨レートが向上する研磨用組成物ならびに研磨方法を提供することにある。 - 特許庁

The manufacturing process of the copper sulfide comprises reacting a copper sulfate aqueous solution with a sodium sulfide aqueous solution with one equivalent of the copper ions to 1.1-3.0 equivalents of the sulfur ions contained in the reaction mixture of the copper sulfate aqueous solution with the sodium sulfide aqueous solution.例文帳に追加

また、上記硫化銅粉の製造には、硫酸銅水溶液と硫化ナトリウム水溶液とを反応させ硫化銅粉を製造する方法であって、当該硫酸銅水溶液と当該硫化ナトリウム水溶液とを混合した反応液に含まれる銅イオンの１当量に対し、硫黄イオンを１．１当量〜３．０当量として反応させることを特徴とした硫化銅粉の製造方法等を採用する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device and an apparatus for manufacturing the semiconductor device where the surface of a copper film is etched precisely, in a short time with few steps, while the surface roughness of the copper film is not progressed in the etching process of the surface of the copper film that includes oxidation of the copper film and removing the oxide thereof, with an acid or alkali.例文帳に追加

銅膜を酸化させその酸化物を酸もしくはアルカリなどで除去することにより銅膜の表面をエッチングする方法において、エッチング処理を行った後の銅膜表面が荒れてしまうことが少なく、少ない工程で短時間に精度良く行うことができる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the powder comprises a process of ionizing bismuth, lead, strontium, calcium and copper in a solution 11, and a process of manufacturing the powder 13 containing bismuth, lead, strontium, calcium and copper by removing the solvate from the solution 11 by spraying the solution 11 in a high-temperature atmosphere.例文帳に追加

粉末の製造方法はビスマス、鉛、ストロンチウム、カルシウムおよび銅を溶液１１中でイオン化する工程と、溶液１１を高温雰囲気に噴射して溶媒を除去することにより、ビスマス、鉛、ストロンチウム、カルシウムおよび銅を含む粉末１３を製造する工程とを備える。 - 特許庁

A Y-axis wiring part 48 is formed by a nanoparticle dispersion liquid printing process of printing nanoparticle dispersion liquid for which nano metal particles of one of gold, silver, silver-copper, copper, platinum, palladium and ITO for instance are dispersed, and a nanoparticle dispersion liquid baking process of baking the printed nanoparticle dispersion liquid.例文帳に追加

Ｙ軸配線部48を、例えば金、銀、銀−銅、銅、白金、パラジウム、および、ＩＴＯのいずれかのナノ金属粒子を分散させたナノ粒子分散液を印刷するナノ粒子分散液印刷工程、および、この印刷されたナノ粒子分散液を焼成するナノ粒子分散液焼成工程によって形成する。 - 特許庁

The manufacturing method for the wiring board 10 has a process of boring a through hole 14 in a both-surface copper-stuck board 20, and a process of forming a conductor layer 25 on the surface of the both-surface copper-stuck board 20 and also forming a cylindrical through-hole conductor 15 on the internal wall surface of the through hole 14.例文帳に追加

配線基板１０の製造方法は、両面銅張基板２０にスルーホール１４を穿孔する工程と、両面銅張基板２０の表面に導体層２５を形成すると共に、スルーホール１４の内壁面に筒状のスルーホール導体１５を形成する工程を備える。 - 特許庁

This wood coloring processing method includes a first process of injecting, soaking or applying an aqueous solution or an organic solvent solution including a copper compound and a zinc compound into, in or to the wood, and a second process of injecting, soaking or applying an aqueous solution including a copper ion, pyrocatechol and a stabilizing agent into, in or to the wood.例文帳に追加

銅化合物または亜鉛化合物を含む水溶液または有機溶媒溶液を木材に注入、浸漬、または塗布する第一工程と、銅イオンとピロカテコールと安定化剤を含む水溶液を木材に注入、浸漬、または塗布する第二工程とを含む。 - 特許庁

The cleaning agent for the copper wiring semiconductor is used in a process succeeding to chemical mechanical polishing in a semiconductor manufacturing process for forming the wiring of copper or a copper alloy, and contains, as essential components, a cyclic polyamine (A), a polyphenol-based reductant (B) containing 2 to 5 hydroxy groups, a quaternary ammonium hydroxide (C), an ascorbic acid (D), and water.例文帳に追加

銅または銅合金配線を形成する半導体製造工程中の化学的機械的研磨の後に続く工程において使用される洗浄剤であって環状ポリアミン（Ａ）、水酸基を２〜５個含むポリフェノール系還元剤（Ｂ）、第４級アンモニウムヒドロキシド（Ｃ）、アスコルビン酸（Ｄ）、および水を必須成分とすることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤を用いる。 - 特許庁

This manufacturing method of the gas generating agent comprises a first process wherein nitro guanidine, basic copper nitrate and guagum are supplied and stirred in the presence of water to mix them, a second process wherein the mixture is pressed, and formed then cut, a third process wherein the material in the preceding process is dried.例文帳に追加

ニトログアニジン、塩基性硝酸銅及びグアガムを供給し、水分の存在下で攪拌して混合する第１工程、前記混合物を圧伸成形し、裁断する第２工程及び乾燥する第３工程を含むガス発生剤の製造法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which the reliability of a process as well as the product yield can be improved when forming a wiring and/or a plug using a copper thin film or a silver thin film, in a single damascene process, a dual damascene process, or an embedding plug process.例文帳に追加

シングルダマシン・プロセス、デュアルダマシン・プロセス、あるいは埋込みプラグ・プロセスにおいて、銅薄膜又は銀薄膜を用いた配線及び／又はプラグを形成する場合のプロセス信頼性、及び製品歩留まりを改善することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The cleaning agent for semiconductor surfaces, which is used after a chemical mechanical polishing process in the process of manufacturing the semiconductor device having the copper wiring on its surface, contains a compound having a cyclohexyl group.例文帳に追加

表面に銅配線が施された半導体デバイスの製造工程における化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、シクロヘキシル基を有する化合物を含有する半導体表面用洗浄剤。 - 特許庁

To provide a method with which silver in nitrate water solution generated in a non-ferrous smelting process and a recycle process for metallic resource, is efficiently separated from metal ions of coexistent copper, zinc and nickel, and refined.例文帳に追加

非鉄製錬工程や金属資源のリサイクル工程で発生する硝酸塩水溶液中の銀を、共存する銅、亜鉛、ニッケルの金属イオンと効率的に分離して精製する方法を提供する。 - 特許庁

To manufacture high purity tellurium dioxide from an intermediate product of an electrodeposited tellurium manufacturing process recovered as a by-product of a copper electrolysis process.例文帳に追加

本発明の課題は、銅電解工程の副産物として回収する、電着テルル製造工程の中間物から、高純度の二酸化テルルを製造することである。 - 特許庁

The system and the method enable the production of high-quality metal powders (including copper powder) from metal-containing solutions using a conventional electrolytic collection process and/or a direct electrolytic collection process.例文帳に追加

本発明は、従来の電解採取プロセスおよび／または直接電解最終を使用して、金属含有溶液から高品質の金属粉末（銅粉末を含む）の生成を可能とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a porous silica thin film having mechanical strength sufficiently enduring a CMP process in a copper wiring process of a semiconductor element by having a low dielectric constant of the porous silica thin film.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有する多孔性シリカ薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a porous silica thin film which has a low specific dielectric constant and mechanical strength enough for a CMP process in a copper wiring process for a semiconductor element.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有する多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁

As an insoluble film, the main component of which is copper oxide, is formed on the surface of the external layer pattern in this process, and soft etching is performed immediately after the process to remove the film (#6).例文帳に追加

このとき外層パターンの表面に酸化銅を主成分とする難溶性の皮膜が形成されるので，その直後にソフトエッチングを行い，その皮膜を除去する（＃６）。 - 特許庁

A manufacturing cost can be reduced by using sodium sulfate produced as by-product from a flue gas desulfurization process in a smelting process of copper, etc., as the sodium sulfate.例文帳に追加

硫酸ナトリウムとして銅などの製錬工程における排煙脱硫工程から副製する硫酸ナトリウムが用いることで製造コストを低減できる。 - 特許庁

To provide an insulating thin film being porous silica which has low specific dielectric constant and mechanical strength sufficiently resistant to a CMP process in a copper wiring process of a semiconductor device.例文帳に追加

多孔性シリカである絶縁性薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有する絶縁性薄膜を提供する。 - 特許庁

This method for producing cuprous chloride is constituted in such a manner that a process for producing molten bath containing cuprous chloride and cupric chloride by chlorinating copper as a starting material with chlorine gas and a process for producing cuprous chloride by reducing the molten bath containing the cupric chloride are successively performed.例文帳に追加

原料としての銅を塩素ガスにより塩化第一銅及び塩化第二銅を含む溶湯を製造する工程と、前記塩化第二銅を含む溶湯を還元して塩化第一銅を製造する工程とを連続して行う構成とした。 - 特許庁

To solve faults of both of an electrochemical polishing (ECP) process and an electrochemical and mechanical polishing (ECMP) process by efficiently polishing an excess copper film deposited on the surface of a substrate while preventing deterioration of quality of products.例文帳に追加

基板表面に堆積させた過剰の銅膜を、製品の品質低下を防止しつつ、より効率的に研磨するようにして、ＥＣＰとＥＣＭＰの両方の欠点を解決する。 - 特許庁

By means of a plurality of manufacturing methods, manufacturing of these capacitors of various versions can be incorporated in a standard dual or single-damascene manufacturing process, including a copper damascene process.例文帳に追加

複数の製造方法によって、これらのさまざまなバージョンのキャパシタの製造を銅ダマシン・プロセスを含む標準デュアルまたはシングル・ダマシン製造プロセスに組み込むことができる。 - 特許庁

After that, a co-sputtering process that uses the copper target and the silicon oxide target or a sputtering process that uses the composite target is performed to deposit a compound film on a surface of the substrate.例文帳に追加

その後、銅ターゲットおよびシリコン酸化物ターゲットを使用して同時スパッタリングプロセスを行うか、あるいは、複合ターゲットを使用してスパッタリングプロセスを行って、基板の表面に混合膜を沈積させる。 - 特許庁

A deep via hole can be filled with metal particles in a very short time as compared with a copper electroplating system as conventional technique, so the process cost and process time of a silicon through via (TSV) can be reduced and shortened.例文帳に追加

従来技術による銅電気メッキ方式と比較すると、非常に短時間内に大きくて深いビアホールを金属粒子で充填できるため、シリコン貫通ビア（ＴＳＶ）の工程コスト、及び工程時間を短縮することが出来る。 - 特許庁

To provide a coating composite for producing an interlayer insulation film in which a high Young's modulus, a low dielectric constant, and a high breakdown voltage durable sufficiently in the CMP process of the copper interconnection process of a semiconductor element can be achieved simultaneously.例文帳に追加

半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える高いヤングモジュラスと、低い比誘電率と、高いブレークダウン電圧を同時に達成する層間絶縁膜製造用の塗布組成物の提供。 - 特許庁

Therefore, a second sealing treatment process is carried out after the assembling process, and a sealing treatment agent is coated and sealing-treated at the portion where plating is exposed by scratches and the cut-out face where the copper material is exposed.例文帳に追加

そこで、組立工程の後に第２の封孔処理工程を行い、傷によってめっきが露出している部位や銅素材が露出している切断面に封孔処理剤を塗布して封孔処理を施す。 - 特許庁

To provide a porous silica thin film that has a low relative dielectric constant, is stable and has a mechanical strength sufficiently endurable to a CMP (chemical-mechanical polishing) process in a copper wiring process of a semiconductor element.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、安定で、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有する多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁

To simplify a process by eliminating a process, wherein an insulating layer is roughened by potassium permanganate or chromic acid in order to enhance the adhesion of an interlaminar insulating resin and copper plating, usually performed heretofore when a printed wiring board for a package is produced and to avoid the use of a heavy metal.例文帳に追加

パッケージ用配線板を製造するに際し、層間絶縁樹脂と銅メッキの密着性を上げるために通常は絶縁層を過マンガン酸カリやクロム酸等で粗化するプロセスを経る。 - 特許庁