「copper process」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for recovering valuable materials from a spent copper chloride etching solution that treats the surplus spent solution within the site and allows an effective utilization of the byproducts from the treatment process within the site.例文帳に追加

余剰となる廃液を同一工場内で処理し、処理に伴い発生する副生物が当該工場内で有効利用できる塩化銅エッチング廃液からの有価物回収方法。 - 特許庁

To provide a copper nano paste that can be used to form an electrode on a silicon substrate, a polymer substrate, a glass plate, a printed circuit board, or the like, to which it is difficult to apply a high temperature process, and also provide a method for forming the same.例文帳に追加

高温工程の適用が困難なシリコン基板、高分子基板、ガラス基板、印刷回路基板などに対して電極の形成が可能な銅ナノペースト及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for forming a copper thin film by a chemical vapor deposition process in which the consistent film thickness distribution can be obtained between substrates after the film deposition.例文帳に追加

化学蒸着方法による銅薄膜の形成方法及び装置において、成膜処理後の基板間における安定した膜厚分布を得ることのできる銅薄膜形成方法及び装置を提案する。 - 特許庁

To provide rolled copper foil for a printed wiring board suitable for use in the printed wiring board, small in etching residue in a wiring formation process by etching, and excelling in shape stability of circuit wiring.例文帳に追加

プリント配線板用途に適しており、エッチングによる配線形成工程におけるエッチング残りが少なく、回路配線の形状安定性に優れたプリント配線板用圧延銅箔を提供する。 - 特許庁

To process copper, GaN, etc. whose importance as electronic device materials is increasing these days, with high processing efficiency and high precision even for a space wavelength range of not less than several tens of μm.例文帳に追加

近年電子デバイスの材料として重要性が高まっている銅やＧａＮ等を、加工効率が高く且つ数十μｍ以上の空間波長領域にわたって精度高く加工する。 - 特許庁

To provide a method for separating and recovering bismuth and copper or the like as valuables from a cuprous oxide and bismuth-containing object to be treated produced in a nonferrous refining process.例文帳に追加

非鉄製錬工程より産出される酸化第一銅及びビスマスを含む処理対象物から、有価物であるビスマスと銅等とを分離回収する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Since a resist pattern under the light-shielding film is not developed but remains at a wafer periphery, a copper wiring layer in the damascene process is prevented from being exposed without reducing the number of chips to be obtained by dummy shot.例文帳に追加

遮光膜下のレジストパターンは現像されずに、ウェハ周辺部に残ることから、ダミーショットによる取れ数を減少することなくダマシンプロセスにおける銅配線層の露出を防止することができる。 - 特許庁

To provide an aluminum-containing copper-based alloy powder to be sintered which can provide a sintered compact having sufficient hardness and radial crushing strength, when having been compacted in an atmosphere containing nitrogen by a powder metallurgy process.例文帳に追加

窒素を含有する雰囲気中において粉末冶金法で加工した際に十分な硬度や圧環強度を有する焼結体を得ることができる焼結用アルミニウム含有銅系合金粉末を得る。 - 特許庁

According to this process, a semiconductor device in which solder wettability does not deteriorate can be attained by performing a step for removing adhered copper following to the alkaline electrolytic degreasing.例文帳に追加

この半導体装置の製造方法によれば、付着した銅を除去するための工程をアルカリ電解脱脂の後に行うことにより、半田濡れ性が劣化しない半導体装置を得ることができる。 - 特許庁

To provide a method for casting an anode by which the specifications of the electrolytic copper obtained in an electrolytic process can be stabilized by reducing the deformation speed of a mold and uniformizing the thickness in the shape of the anode for electrolysis.例文帳に追加

鋳型の歪み速度を低減し、電解用アノードの形状における厚みを均一として、電解工程で得られる電気銅の仕様を安定させることが可能なアノード鋳込み方法を提供する。 - 特許庁

To provide a production process of a semiconductor device equipped with interconnect, which can ensure high reliability, by preventing impairment of EM resistance caused by electrical conductivity deterioration of copper interconnect at a contact hole bottom.例文帳に追加

コンタクトホール底部における銅配線の電気伝導度低下に起因するＥＭ耐性の劣化を防止し、高信頼性を確保できる配線を備えた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a copper phthalocyanin modified pigment that has high electric resistivity and can be used as a coloring material, for example, for a color filter in liquid crystal display, as a toner for the wet process electronic photographic printing and the like.例文帳に追加

高い抵抗率を有し、例えば、液晶ディスプレイのカラーフィルター、湿式電子写真印刷用トナーなどにおける着色材料として用いられる銅フタロシアニン系改質顔料を提供する。 - 特許庁

To provide a copper foil with insulating resin in which fluidity can be regulated later conveniently even for a coating process of predetermined conditions, and to provide a production method of multilayer printed wiring board using it.例文帳に追加

一定条件の塗布工程であっても、その後の簡便な調整により流動性を調節し得る絶縁樹脂付き銅箔と、それを用いた多層プリント配線板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes a wiring process of forming wiring grooves on an insulating film, forming a copper conductive layer by electrolytic plating, and reducing the thickness of the conductive layer.例文帳に追加

絶縁膜に配線溝を形成し、電解めっきにより銅の導電層を成膜し、前記導電層の膜厚を減らす配線工程を有する半導体装置の製造方法が使用される。 - 特許庁

The present invention relates generally to a process for recovering copper and other metal values from a metal-bearing ore, concentrate, or other metal-bearing material using pressure leaching and direct electrowinning.例文帳に追加

本発明は、一般的には、銅および他の金属分を金属含有鉱石、濃縮物、またはその他金属物質から、加圧浸出および直接電解採取を用いて回収する工程に関する。 - 特許庁

To provide a copper foil for printed wiring board in which a film capable of trivalent chromium conversion treatment can be formed even when zinc alloy plating is employed for enhancement of corrosion resistance, and to provide its production process.例文帳に追加

耐食性向上のために亜鉛合金めっきを用いた場合でも３価クロム化成処理が可能な皮膜を形成することのできるプリント配線板用銅箔及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This anisotropic conductive adhesive composition contains an adhesive binder and conductive particles obtained by covering the metal particles with a metal selected from a group composed of gold, platinum, silver and copper through a sputtering process.例文帳に追加

接着性バインダーと、スパッタリング法により金属粒子に、金、白金、銀及び銅からなる群から選択される金属を被覆した導電性粒子と、を含む異方導電性接着剤組成物。 - 特許庁

To provide tungsten-copper composite powder in which the dispersibility of tungsten is satisfactory, and with which a sintered alloy with a structure having excellent denseness can be obtained in a simple process.例文帳に追加

簡単な工程で焼結合金を製造することができ、タングステンの分散性が良好で組織の緻密性に優れた焼結合金を得ることができるタングステン−銅複合粉末を提供する。 - 特許庁

In this process, the catalyst is added with a sintering accelerator in advance, and (2) the accelerator is an oxide containing at least one element selected from vanadium, cobalt, nickel, and copper or the salt of a compound containing the element.例文帳に追加

(2) 前記焼結促進剤が、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケルおよび銅から選ばれた少なくとも一種の元素を含む酸化物または該元素を含む化合物の塩類である前記使用済触媒のモリブデン - 特許庁

The drop-shaped copper powder is directly obtained by a wet process without using a physical means, and has a drop-shape whose surface is provided with fine ruggedness.例文帳に追加

物理的手法を用いることなく湿式法で直接得られる銅粉であって、当該銅粉は、粉粒表面に微細な凹凸を備えるドロップ形状であることを特徴としたドロップ状銅粉を採用した。 - 特許庁

The treatment method of cyan-containing water has a separation process for adding a divalent copper salt and a reducing agent to water to be treated containing the cyanide compound to form a hardly soluble salt to separate it and an oxidation process for adding an oxidizing agent to the treated water of the separation process under an alkaline condition to oxidize the cyanide compound in the water to be treated.例文帳に追加

シアン化合物を含有する被処理水に、２価の銅塩および還元剤を添加して難溶性塩を生成させて分離する分離工程と、該分離工程の処理水にアルカリ性条件下にて酸化剤を添加して該処理水中のシアン化合物を酸化する酸化工程とを有するシアン含有水の処理方法及び装置。 - 特許庁

The method for desulfurizing the hydrocarbon includes an oxidation process for oxidizing benzothiophene compounds and/or dibenzothiophene compounds in the hydrocarbon and a contact process for contacting the hydrocarbon treated in the oxidation process with a desulfurizing agent prepared by supporting a rare earth element compound and/or a copper compound on a porous inorganic compound.例文帳に追加

上記課題は、炭化水素中のベンゾチオフェン類及び／又はジベンゾチオフェン類を酸化する酸化工程と、当該酸化工程で処理された炭化水素を、多孔性無機化合物に希土類元素の化合物及び／又は銅の化合物を担持した脱硫剤に接触させる接触工程とを備える、本発明の炭化水素の脱硫方法により解決される。 - 特許庁

The production process of FPC comprises a step for forming a desired circuit on the copper foil of a copper clad plate where a copper foil is laminated on one or both sides of the insulation film layer, a step for forming a bending groove by mechanical technique at least at one position of the insulation film layer, and a step for laminating a coverlay on the circuit forming surface after each step.例文帳に追加

絶縁フィルム層の一方の面又は両方の面に銅箔が積層された銅張積層板の該銅箔に所望の回路を形成する工程と、前記絶縁フィルム層の少なくとも１箇所に、機械的手法によって折り曲げ用の溝を形成する工程と、前記各工程の後に、前記回路形成面にカバーレイを積層してＦＰＣを得ることを特徴とするＦＰＣの製造方法。 - 特許庁

Disclosed is the cleaning agent used after a chemical-mechanical polishing process in the manufacturing process of the semiconductor device having the copper interconnection formed on the surface, wherein the cleaning agent contains (A) polycarboxylic acid and (B) a compound having an aldehyde structure and has the pH of 0.5 to 5.例文帳に追加

表面に銅配線が施された半導体デバイスの製造工程における化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、（Ａ）ポリカルボン酸と、（Ｂ）アルデヒド構造を有する化合物と、を含有し、ｐＨが０．５〜５であることを特徴とする洗浄剤である。 - 特許庁

To provide a very thin copper foil which is improved in handling properties, protected against contamination caused by contaminants such as the resin powder of prepreg sheets, effectively prevented from being marked or dented by foreign objects, and protected against marks made in a usual cutting process, a packaging process, or in transit, the mixture of foreign objects, wrinkles, folds and the like.例文帳に追加

極薄銅箔のハンドリング性を向上させ、銅箔表面にプリプレグシートの樹脂粉等の汚染物が付着しないようにし、また異物による傷、打痕防止に有効であり、さらには通常の切断、梱包、運搬中の傷、異物の混入、しわ、折れ等の発生を防止する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a stator of a motor, the method reducing quantity of coil, preventing coil resistance and copper loss to improve motor efficiency, reducing a weight of the motor, downsizing a physical size of the motor, and eliminating or simplifying a coil fixing process such as a lacing process or a varnish treatment.例文帳に追加

コイル量を低減させ、コイル抵抗や銅損を抑制してモータ効率を向上させると共に、モータ重量の低減及びモータ体格の小型化を図り、更に、レーシング処理やワニス処理などのコイル固定化処理を廃止または簡素化するモータの固定子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device which can prevent a problem in the dual damascene process that, when an SiN film is formed on the wiring including copper hillock, it is formed in unequal thickness, giving a physical and chemical damage resulting from break of SiN film during the process to the wiring.例文帳に追加

デュアルダマシンプロセスにおいて銅ヒロックを有する配線上にＳｉＮ膜を形成すると不均一な膜厚となり、工程中のＳｉＮ膜破れに起因する物理的化学的ダメージを配線に与えてしまうのを防止できる半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

At the time of the soft etching of a smear removing process performed prior to a catalyst bestowal process for chemical copper plating, after the via hole 13 is formed in the insulating layer 12 of a multilayer substrate by laser irradiation, aqueous solution including sulfuric acid and hydrogen peroxide is used as the soft etching liquid.例文帳に追加

多層基板の絶縁層12にレーザー照射によりビアホール13を形成した後、化学銅メッキのための触媒付与工程に先だって行われるスミア除去工程のソフトエッチの際に、ソフトエッチ液として硫酸及び過酸化水素を含む水溶液が使用される。 - 特許庁

The manufacturing method of this lithium secondary battery electrode comprises a process of forming an oxidation film 11 by carrying out oxidation treatment on the surface of a current collector 10 made of copper and then a process of forming an active material layer 12 made of Si on the current collector 10 by using a sputter method.例文帳に追加

このリチウム二次電池用電極の製造方法は、銅からなる集電体１０の表面を酸化処理することによって、酸化膜１１を形成する工程と、その後、スパッタ法を用いて、集電体１０上に、Ｓｉからなる活物質層１２を形成する工程とを含んでいる。 - 特許庁

In the flexible printed circuit board (FPC), a reinforcing plate 5 provided to the terminal 4 coupled with the connector is formed of complete aromatic polyester and the surface process of the terminal 41 is the plating process using tin or an alloy obtained by adding a kind of element or two or more kinds of elements selected from copper, bismuth, silver, and zinc to tin.例文帳に追加

コネクタと嵌合される端子部４に設ける補強板５の材質を全芳香族ポリエステルとし、端子４１の表面処理は、錫又は錫に銅、ビスマス、銀、亜鉛から選択される１種又は２種以上を添加した合金を用いてめっき処理したＦＰＣ。 - 特許庁

The method of producing metal nanowire includes a first process of causing a precursor including at least a copper complex and water to react to each other in supercritical or subcritical carbon dioxide to obtain a nanowire-like hydroxide and a second process of reducing the hydroxide.例文帳に追加

少なくとも銅錯体を含む前駆体と水とを、超臨界または亜臨界の二酸化炭素中で反応させてナノワイヤー状の水酸化物とする第１の工程と、前記水酸化物を還元する第２の工程と、を有することを特徴とする金属ナノワイヤーの製造方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electrolytic copper foil having few curls and pin boles, by stabilizing an electrolytic solution level in an electrolytic solution pool used for forming an initial nucleus, in a process of manufacturing the electrolytic copper foil by using an auxiliary anode and passing a current with a high current density when starting electrodeposition, and to provide an apparatus used therefor.例文帳に追加

電着開始時に補助陽極を用いて高電流密度の電流を通電して電解銅箔を製造する際、初期核形成に用いる電解液溜り中の電解液面を安定化させることにより、カールとピンホールの少ない電解銅箔の製造方法とそれに用いる装置を提供する。 - 特許庁

The CuO secondary particles are derived from CuO powders synthesized by atmospheric calcined basic copper carbonate formed in a process of mixing an ammonium acid carbonate water solution and a copper nitrate aqueous solution at temperatures of 200 to 300°C, and the CuO secondary particles have, for example, the average particle diameter of 0.3 to 10 μm.例文帳に追加

前記ＣｕＯ二次粒子は、炭酸水素アンモニウム水溶液と硝酸銅水溶液を混合する工程で生成する塩基性炭酸銅を、２００〜３００℃で大気焼成することにより合成されるＣｕＯ粉末に由来するものが使用でき、そのＣｕＯ二次粒子は例えば平均粒子径が０.３〜１０μｍである。 - 特許庁

The copper arsenide-containing substance to be added can be obtained by subjecting copper arsenide-containing residue produced in an arsenic removal stage of a hematite process to acid cleaning in an acidic solution containing sulfuric acid in such a manner that the stirring rate and stirring time are controlled, so as to regulate the leaching ratio of Fe to ≥70% and the leaching ratio of As to ≤40%.例文帳に追加

添加する砒化銅含有物質は、ヘマタイト・プロセスの脱砒工程で生じる砒化銅含有残渣を、硫酸酸性溶液中で、Ｆeの浸出率が７０％以上、Ａsの浸出率が４０％以下となるように攪拌速度および攪拌時間をコントロールして酸洗浄することによって得ることができる。 - 特許庁

To provide a polishing composition in which polishing rates of a copper film, a tantalum compound barrier layer, and an SiO_2 insulating layer are substantially the same degree, and in which dishing, flatness are improved by an excess polishing method in the CMP working process of a semiconductor device having a copper film, a tantalum compound barrier layer and an SiO_2 insulating layer.例文帳に追加

銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層の研磨速度がほぼ同程度であり、ディッシング、平坦性がオーバーポリシング法より改善される研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

When a wiring trench 113 or a wiring trench and a connection hole are formed in an insulating film, in a forming process of a multilayer wiring having a metal wiring of copper or copper alloy, an edge cut region formed in a photoresist 105 for etching an upper layer insulating film 104 is shifted to the outer side of the insulating film 104.例文帳に追加

銅又は銅合金の金属配線を有する多層配線の形成工程において、絶縁膜に配線溝１１３もしくは配線溝及び接続孔をエッチング形成する際に、上層の絶縁膜１０４のエッチング用のフォトレジスト１０５に形成されたエッジカット領域を絶縁膜１０４の外側にずらす。 - 特許庁

The method of manufacturing the flexible printed board is characterized by maintaining an oxygen concentration in an etching processing atmosphere at 2 vol.% or below in a process of forming a copper wiring pattern by performing etching processing on a copper coating layer formed at least on one surface of an insulator film without interposing an adhesive.例文帳に追加

フレキシブルプリント基板の製造方法であって、絶縁体フィルムの少なくとも片面に接着剤を介さずに形成された銅被覆層をエッチング処理して銅配線パターンを形成する工程における前記エッチング処理雰囲気の酸素濃度が、２体積％以下に維持されることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a formation method of a wiring pattern of a printed wiring board and a manufacturing method of the printed wiring board capable of reducing a material cost for resist pattern formation in a resist pattern formation process of forming a resist pattern on the copper foil of a copper clad laminate and manufacturing an inexpensive and high-quality printed wiring board.例文帳に追加

銅張積層板の銅箔上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程でレジストパターン形成用の材料費を削減し、廉価で高品質のプリント配線板が作製可能なプリント配線板の配線パターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

For instance, by using a copper-covered steel trolley line after use as a raw material and putting the trolley line under wiring or rolling process or the like, a copper-covered steel rod can be obtained by finishing its cross-section into a given shape and then, by cutting it in a given length while straightening it cut.例文帳に追加

例えば、使用後の銅覆鋼トロリ線を原料として使用し、このトロリ線に伸線加工又は圧延加工等を行うことによって、その断面形状を所定の形状に仕上げた後、真っ直ぐに矯正しながら所定の長さに切断することにより、接地電極用銅覆鋼棒を得ることができる。 - 特許庁

It is a manufacturing method of the copper infiltrated iron powder metal product, and a process consists of compressing and sintering material majority of which are iron powder, and forming an iron base matrix which contains about 1-7 wt% nickel and about 0.1-1.2 wt% phosphorus, and infiltrating copper into a pore of the iron base matrix.例文帳に追加

銅浸透鉄粉金属製品の製造方法であり、大部分が鉄粉からなる材料を圧縮、焼結して、約１−７重量％のニッケルと約０．１−１．２重量％の燐を含む鉄ベースのマトリックスを形成し、この鉄ベースのマトリックスの細孔に銅金属を浸透させる工程から成る。 - 特許庁

To provide an abrasive composition that can polish a copper film, barrier layer composed of a tantalum compound, and SiO_2 insulating layer at almost equal polishing speeds in a CMP process performed on a semiconductor device having the copper film, barrier layer composed of the tantalum compound, and SiO_2 insulating layer and can improve dishing and flatness than the overpolishing method does.例文帳に追加

銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層の研磨速度がほぼ同程度であり、ディッシング、平坦性がオーバーポリシング法より改善される研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To uniformly and efficiently remove a surface oxide film formed on a copper interconnection or the like, regarding a method and an apparatus the manufacturing a semiconductor device, where a process or a means used to remove an inessential substance adhering to the surface of an electrode or an interconnection using copper as the main material is provided.例文帳に追加

本発明は銅を主材料とする電極或いは配線の表面に付着する不要物を除去する工程／手段を有する半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置に関し、銅配線等に形成される表面酸化膜を均一にかつ効率的に除去することを課題とする。 - 特許庁

As a result, the roughness of the contact surface of the electrolytic copper foil which is stuck on an insulation substrate for a printed circuit board is lowered, remaining copper is not produced even in the formation of a fine printed circuit and the deformation of a fine circuit in the welding process for mounting an electronic components in the fine printed circuit is prevented by improving the tensile strength.例文帳に追加

これにより、印刷回路基板用絶縁基板に接着される電解銅箔の接着面の粗度を低めて微細印刷回路形成時にも残銅が生じず、引張り強度を高めて微細印刷回路に電子部品を実装する溶接工程時、微細回路の変形を防止できる。 - 特許庁

To provide a method and a device for plating a substrate where, in a process of closely and uniformly plating fine cavities such as fine grooves for wiring formed on a substrate with copper, a copper alloy or the like, the abnormal rising phenomenon (over plate) of a plating film as the harmful effect of bottom up film deposition (preferential growth from trench or via bottoms) can be suppressed.例文帳に追加

基板に形成された微細な配線用の溝等の微細窪みに銅または銅合金等を隙間なく均一にめっきするプロセスにおける、ボトムアップ成膜（トレンチやビア底からの優先成長）の弊害である、めっき膜の異常盛り上がり現象（オーバープレート）を抑える基板のめっき方法および装置を提供する。 - 特許庁

Regarding the production of the surface-treated copper foil, e.g., a process where one side of copper foil is subjected to roughening treatment, the roughening-treated surface is subjected to electrolysis at a current density of ≥2 A/dm^2 using a brown cobalt plating liquid comprising cobalt sulfate (heptahydrate) to form rust prevention-treated layers, and water washing and drying are performed is adopted.例文帳に追加

また、当該表面処理銅箔の製造は、銅箔の片面に粗化処理を施し、当該粗化処理上に、硫酸コバルト（７水和物）を含む茶褐色コバルトメッキ液を用いて、２Ａ／ｄｍ^２以上の電流密度で電解し、防錆処理層を形成し、水洗し、乾燥する手法等を採用する。 - 特許庁