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element currentの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7999件
The semiconductor light-emitting element has an active multi-mode interference waveguide 110b and a current control structure 104b which is formed in accordance with light intensity inside the waveguide 110b and controls a current amount inside the waveguide 110b.例文帳に追加
本発明に係る半導体発光素子は、能動多モード干渉導波路110bと、能動多モード干渉導波路110b内の光強度に応じて形成され、能動多モード干渉導波路110b内の電流量を制御する電流制御構造104bと、を有することを特徴とするものである。 - 特許庁
The charging circuit for charging a battery pack 2 with the power generated by a solar cell 1 includes: a switching element 5 for switching between a loop 2 through which a charging current flows from an inductance 4 to the battery pack 2 and a loop 1 through which the current returns from the inductance 4 to the solar cell 1 without intervention of the battery pack 2.例文帳に追加
太陽電池1によって発電された電力を組電池2に充電する充電回路は、インダクタンス4から組電池2へ充電電流が流れるループ2と、組電池2を介さずにインダクタンス4から太陽電池1へ電流が戻るループ1とを切り替えるスイッチング素子5を備える。 - 特許庁
A light emission driving current value flowing at the time of making each light emitting element bearing each pixel emit light sequentially and individually is measured in advance correspondingly to each pixel, and based on the above light emission driving current value made to correspond to the pixel corresponding to an input pixel data, the input pixel data are subjected to the correction of brightness.例文帳に追加
各画素を担う発光素子各々を順次、単独で発光させた際に流れる発光駆動電流値を各画素に対応づけして測定しておき、入力画素データに対応した画素に対応づけされている上記発光駆動電流値に基づいて、この入力画素データに対する輝度補正を行う。 - 特許庁
To solve the problem that high speed operation can not be expected when an EL element has a large junction capacitance and, when a current course is changed, a transistor which controls a driving current becomes a source follower for a switching transistor connected with a power source line and the source voltage of a driving transistor is varied in accordance with characteristics of a switching transistor.例文帳に追加
EL素子がおおきな接合容量を持つ場合に、高速動作が期待できないこと、及び、電流経路が変換した場合に電源ラインに接続されるスイッチングトランジスタに対し駆動電流を制御するトランジスタがソースフォロワとなり、駆動用トランジスタのソース電圧がスイッチング用トランジスタの特性により変動する。 - 特許庁
The problem can be solved by providing a second leading back layers (41, 42) at positions of equal distance to the left and right from a leading back layer (40) which is served as an electronic current carrying way and forming these electronic current carrying ways by simultaneous ion implantation using the same mask, so that all the intervals between each channel area within the element is made even.例文帳に追加
電子通電路となる打ち返し層(40)に対して左右等距離の位置に第2の打ち返し層(41,42)を設け、これらの打ち返し層を同じマスクを用いた同時のイオン注入により形成することにより、素子内のチャネル領域の間隔をすべて均一にすることで解決する。 - 特許庁
When the MOS transistor M2 is in an operational state, the electric potential of a node B is decreased by a current mirror circuits 16 and 13 to make the other MOS transistor M1 off state, by detecting the voltage between the gate and the source of the MOS transistor M2 with a transistor M4 and generating a detection current Idct2 flowing through a resistor element R2.例文帳に追加
またMOSトランジスタM2が動作状態にあるときは、そのゲート〜ソース間電圧をトランジスタM4で検出し、抵抗素子R2に流れる検出電流Idct2を生成することで、カレントミラー回路16,13によりノードBの電位を下げて他方MOSトランジスタM1をオフ状態とする。 - 特許庁
According to a field current and a field voltage which is detected by a field current detector 91 and an initial excitation voltage detector 92, respectively, field resistance is obtained by field resistance function equipment 93, and the lower limit value of an ignition angle of the silicon control rectifying element of a power converter 31 is obtained by a limiter 94 based on the field resistance.例文帳に追加
界磁電流検出器91及び初期励磁電圧検出器92によって夫々検出された界磁電流及び界磁電圧から、界磁抵抗関数器93によって界磁抵抗を求め、これに基づいてリミッタ94によって電力変換器31のシリコン制御整流素子の点弧角の下限値を求める。 - 特許庁
When a control part 13 receives a control signal for instructing the start of the reproducing operation from an operation input part 14, a drum motor 34 is driven to rotate a rotary drum 31, then, the supply of a sense current to the magnetic head 33 for reproduction furnished with the MR element is started by a sense current supply part 11.例文帳に追加
制御部13は、操作入力部14からの再生動作開始を命令する制御信号を受信すると、ドラムモータ34を駆動させて回転ドラム31を回転させ、MR素子を具備する再生用磁気ヘッド33に対するセンス電流の供給を、センス電流供給部11に開始させる。 - 特許庁
The electronic element has: a memory core 101 in which at least its shape or composition changes with electromigration when current is applied; two electrodes 102,103 for applying current; and an electrode 104 which senses change of surface potential, an electric resistance, or a junction resistance.例文帳に追加
電流を印加した時にエレクトトマイグレーションによって少なくとも形状あるいは組成が変化する記憶コア101を有する電子素子であって、電流印加のための2つの電極102,103と表面電位あるいは電気抵抗あるいは接合抵抗の変化を感知する電極104を有する。 - 特許庁
In a photoelectric conversion element which has PN junctions in a semiconductor substrate 1 and a P side current collecting electrode 9 and an N side current collecting electrode 10 on the rear of the substrate 1, the peripheral part of the substrate 1 has the PN junction deeper than that in the center part of the substrate 1.例文帳に追加
半導体基板1にPN接合が形成され、基板1の裏面にP側電流収集電極9およびN側電流収集電極10が形成された光電変換素子において、半導体基板1の中心部より周囲部の方が深いPN接合を有することを特徴とする。 - 特許庁
The capacitance value of the smoothing capacitor 18 is set so that the intensity of the peak value of a ripple overlapped onto the alternating-current output generated in an inverter circuit 4 by switching the switch element 15 at a predetermined period is greater than the intensity of the peak value of noises at a ripple frequency band in the alternating-current output.例文帳に追加
スイッチ素子15を所定の周期で切り替えることによりインバータ回路4で生成される交流出力に重畳させたリップルのピーク値強度が、該交流出力に存在するリップル周波数帯におけるノイズのピーク値強度よりも大きくなるように、平滑用コンデンサ18の容量値が設定される。 - 特許庁
To realize a non-linear current mirror circuit whose temperature characteristics are small wherein any resistance element is not installed, a CMOS reference current circuit for outputting reference currents whose temperature characteristics are small and a CMOS reference voltage circuit for outputting a reference voltage whose temperature characteristics are small by operating the MOS transistor in a linear area.例文帳に追加
MOSトランジスタを線形領域で動作するようにして、抵抗素子を持たない、かつ温度特性の小さな非線形カレントミラー回路や温度特性の小さな基準電流を出力するCMOS基準電流回路、および温度特性の小さな基準電圧を出力するCMOS基準電圧回路の実現を図る。 - 特許庁
When the driver 1 switches from the 5-phase excitation to the 4-phase excitation, a regenerative current flowing to the winding of a phase C connected to the element T5 newly becoming on can be rapidly attenuated by raising the current attenuation ratio, by turning the point S5 into a higher state of the potential.例文帳に追加
駆動装置1が、5相励磁から4相励磁へ切り替える際に、新たにオン状態になるトランジスタ素子T5と繋がるC相の相巻線に流れる回生電流を、接続点S5を高電位状態にして電流減衰率を上昇させることにより、速く減衰させることができる。 - 特許庁
A di/dt feedback part 23 of the semiconductor element driving circuit 13 generates a feedback voltage VFB based on temporal change, or a time differential value dIc/dt, of a collector current Ic of the IGBT 11 that is a main current of the electronic circuit 1, and adds the feedback voltage VFB to the gate-emitter voltage Vge of the IGBT 11 as a part of it.例文帳に追加
半導体素子駆動回路13のdi/dt帰還部23は、電子回路1の主電流であるIGBT11のコレクタ電流Icの時間的変化、即ち時間微分値dIc/dtに基づき帰還電圧VFBを生成し、IGBT11のゲート−エミッタ間の電圧Vgeの一部として加算する。 - 特許庁
In this controller calculating a command value of electromagnetic force, on the basis of a difference between an actual velocity and a target velocity of a moving element of an electromagnet estimated by an observer, an initial value s0 is assigned to an integration term of the difference, at the beginning of current carrying through the electromagnet, such that the carrying current proportional to a cylinder inner pressure is obtained.例文帳に追加
オブザーバで推定した電磁石の可動子の実速度と目標速度との偏差に基づいて電磁力の指令値を算出するものにおいて、電磁石の通電開始時に、偏差の積分項に、筒内圧に比例的な通電電流が得られるように初期値s0を与える構成とした。 - 特許庁
To provide a display device and its driving method that realize light emission of a light emitting element with constant luminance without receiving any influence of secular changes, accurate gradation representation, fast writing of a signal current to respective pixels, and suppression of influence of noise such as a leak current.例文帳に追加
本発明は、経時劣化の影響を受けずに一定の輝度で発光素子を発光させることができ、正確な階調表現が可能で、なおかつ各画素に対する信号電流の書き込みを高速化でき、漏れ電流等のノイズの影響を抑制した表示装置及びその駆動方法の提供を提供する。 - 特許庁
In an ECU 1 in which an output transistor Tr1 connected in series to the coil L (coil of solenoid operating valve element) of a solenoid valve is driven by a duty signal to control a current I3 of the coil L, a transistor Tr2 is provided in parallel with a diode D1 for returning a flyback current to the coil L.例文帳に追加
電磁弁のコイル(弁体を動かすソレノイドのコイル)Lに直列に接続された出力トランジスタTr1をデューティ信号で駆動して、コイルLの電流I3を制御するECU1では、コイルLにフライバック電流を環流させるダイオードD1と並列にトランジスタTr2に設けられている。 - 特許庁
To explain in details, a light emitting layer is formed using the phosphorescent material having excellent light emission efficiency even when driving by a small current in at least one or more sub-pixel regions requiring large current drive when compared with other pixels in the organic electroluminescent element composed of sub-pixel regions of red, green, and blue colors.例文帳に追加
詳細に説明すると、赤色と緑色と青色のサブ画素領域で構成される有機電界発光素子において、他の画素に比べて高電流駆動を必要とする少なくとも一つ以上のサブ画素領域に低電流駆動時でも発光効率が優れた燐光性物質を用いて発光層を形成する。 - 特許庁
The device has an ignition coil 1 for supplying a high voltage to an ignition plug 5 to achieve a discharging operation, a switching element 2 for inducing a high voltage to the ignition coil 1 by a switching operation, an ion current detection circuit 3 for detecting a current in a direction opposite to the discharging operation of the ignition plug, and an electronic control circuit 4.例文帳に追加
点火プラグ5に高電圧を供給して放電動作を実現する点火コイル1と、スイッチング動作によって点火コイル1に高電圧を誘起させるスイッチング素子2と、点火プラグの放電動作と逆方向の電流を検出するイオン電流検出回路3と、電子制御回路4と、を有する。 - 特許庁
In the high-frequency power amplifier circuit 210 having a multistage configuration in which a plurality of amplification elements 111-213 are connected in cascade, a bias control circuit 230 for generating a bias current flowing to each amplification element is composed so that the bias current is ganerated which changes in square characteristics to an output power control signal Vapc.例文帳に追加
複数の増幅素子(111〜213)を従属接続した多段構成の高周波電力増幅回路(210)において、各増幅素子に流すバイアス電流を生成するバイアス制御回路(230)を、出力電力制御信号(Vapc)に対して2乗特性で変化するバイアス電流を生成できるように構成した。 - 特許庁
The DC voltage control part 10 generates a control signal for making the TEC current driving part 5 supply a current whose amount is based upon the error between the target temperature and the detection result of a thermistor 4 to the Peltier element 3 to perform heating or cooling operation for controlling the LD chip 2 to the target temperature.例文帳に追加
DC電圧調整部10は、目標温度とサーミスタ4による検出結果の誤差に基づいた量の電流をTEC電流駆動部5によりペルチェ素子3に流して加熱または冷却動作を行なってLDチップ2を目標温度に制御するための制御信号を生成する。 - 特許庁
The thin film electrode is composed of the current collector 11 made of a metal not alloyed with lithium, and the thin film 12 formed on the current collector containing an element alloyed with lithium, wherein the thin film 12 has convex parts 14 with heights H1 of 2 μm or higher and 20 μm or lower, and a recess part 15.例文帳に追加
リチウムと合金化しない金属から形成された集電体11と、集電体11の表面に形成され、リチウムと合金化する元素を含む薄膜12とを備え、薄膜12が凸部14および凹部15を備え、凸部14の高さH1が2μm以上20μm以下である薄膜電極とする。 - 特許庁
To provide a power converter for detecting a reverse current flowing in a main circuit switching element without using an A/D conversion means, preventing a process in a microcomputer from being delayed, accurately and surely detecting the reverse current, and quickly finding an abnormality in a reverse voltage applying circuit.例文帳に追加
主回路スイッチング素子等に流れる逆方向電流をA/D変換手段を用いずに検出することで、マイクロコンピュータの処理遅延を防止するとともに、逆方向電流を精度良く確実に検出して逆電圧印加回路の異常を早期に発見することができる電力変換装置を提供する。 - 特許庁
In the power converter according to an embodiment, a PiN diode is connected in reverse parallel with the power conversion circuit between a P pole and an N pole closer to AC side than a capacitor so that reverse current is diverted to the PiN diode to reduce flowing current of reflux diodes, an SBD and a JBS, for suppressing element destruction.例文帳に追加
実施の形態の電力変換装置は、コンデンサより交流側のP極−N極間に、電力変換回路とは逆並列にPiNダイオードを接続し、反転電流をPiNダイオードにも分流させて、還流ダイオードであるSBD、JBSの通電電流を低減し素子破壊を抑制するようにしたものである。 - 特許庁
The cell element 35 has a positive pole active material layer 32 and a negative pole active material layer 37, which are formed on the positive pole current-collecting foil 31 and the negative pole current-collecting foil 36, respectively, and face each other; and an electrolytic layer 41, interposed between the positive pole active material layer 32 and the negative pole active material layer 37.例文帳に追加
電池要素35は、正極集電箔31および負極集電箔36にそれぞれ設けられ、互いに対向する正極活物質層32および負極活物質層37と、正極活物質層32と負極活物質層37との間に介在する電解質層41とを有する。 - 特許庁
To provide a solid-state electrolytic capacitor and a method of manufacturing the same in order to stabilize electric characteristics by solving the problems of physical stress during assembling into capacitor element, increase in a leak current due to the thermal stress in the reflow of solder and generation of a short-circuit, and by preventing generation of the short-circuit through reduction of a leak current.例文帳に追加
コンデンサ素子への組み立て時の物理的ストレス、半田リフロー時の熱ストレスによる漏れ電流の増大とショート発生という問題を解決し、漏れ電流を小さくしてショートの発生を防止し、電気特性の安定化を図った固体電解コンデンサ及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
An impedance chart plotting system 10 has a plotting information generating part 24 for generating current/voltage plotting information for indicating a current characteristic or a voltage characteristic at the predetermined location in the circuit corresponding to the impedance of an impedance element on an impedance chart based on circuit constants of components in the circuit.例文帳に追加
インピーダンスチャート表示システム10は、回路の構成要素の回路定数に基づいて、インピーダンス素子のインピーダンスに応じた回路中の所定地点での電流特性または電圧特性をインピーダンスチャート上で示す電流/電圧表示情報を生成する表示情報生成部24を有する。 - 特許庁
To provide a method for minimizing the current capacitance of each diode to a required minimum, by equalizing the current share of each of a plurality of the snubber diodes which are connected in parallel to another, when the snubber diodes are connected in parallel with each other without deteriorating performance even in the snubber circuit which requires large current capacitance, in the snubber circuit which absorbs a surge voltage generated by the operation of a switching element.例文帳に追加
スイッチング素子の動作によって発生するサージ電圧を吸収するスナバ回路において、大電流容量が必要なスナバ回路においても性能を落とさず、スナバダイオードを並列に接続した場合に、並列に接続された複数の各スナバダイオードの電流分担を均等にすることにより、個々のダイオードの電流容量を必要最小限に小さくする方法を提供するものである。 - 特許庁
A solid-state oxide fuel battery cell in which a fuel electrode current collector material includes at least one kind of ammonia decomposition catalyst selected from a group consisting of group VI to X elements in the periodic table and metal of the same element as that of conductive metal configuring the fuel electrode, and a fuel electrode current collector formed by the fuel electrode current collector is installed.例文帳に追加
本発明は、燃料極集電材料が、周期律表第6族〜10族の元素の金属からなる群より選択される少なくとも1種であるアンモニア分解触媒、および燃料極を構成している導電性金属と同元素の金属とを含み、当該燃料極集電材料で形成された燃料極集電体が設置された固体酸化物形燃料電池用セルとするものである。 - 特許庁
This portable device for heating and generating warm waves suppresses electromagnetic waves by supplying direct current converted from alternate current by a direct-current converter 1, and adjusts variably to the optimal frequency by a frequency adjuster 2, and makes the temperature range selectable through a temperature adjuster 3, and it can effectively generate the far-infrared ray to warm by heating a liner face-shaped heating element 4.例文帳に追加
本発明の携帯可能な加温温波発生装置は、交流電源を直流変換器1にて直流電流にて供給する事により電磁波を抑止し、周波数調節器2にて最適な周波数に可変調整し、また温度調節器3を介して温度帯を選択可能なようにし、線状面状発熱体4を発熱させる事により、遠赤外線を有効に発生し加温する事ができる。 - 特許庁
The Hall element which has a couple of current input electrodes and a couple of voltage output electrodes formed on a semiconductor substrate is equipped with at least one or more gate electrodes formed between the couple of current input electrodes; and one of the couple of current input electrodes is formed closely to the gate electrode in a recessed shape surrounding the gate electrode.例文帳に追加
半導体基板上に形成された一対の電流入力電極と、一対の電圧出力電極を有するホール素子において、前記一対の電流入力電極間に形成された少なくとも1個以上のゲート電極を備え、前記一対の電流入力電極の一方の電流入力電極は、前記ゲート電極に接近し、かつ、ゲート電極を囲むように凹形形状に形成される。 - 特許庁
A control circuit 18 comprises an error amplifier 22 for generating an error voltage signal VEAO consisting of an error between a power supply voltage Vc and the reference voltage, a current detecting circuit 23 for outputting a detection signal VCL by detecting a drain current ID flowing into a switching element 12 and a drain current detection comparator 24 for outputting a comparison signal by comparing the error voltage signal VEAO and detection signal VCL.例文帳に追加
制御回路18は、電源電圧Vcと基準電圧との差からなる誤差電圧信号VEAOを生成する誤差増幅器22と、スイッチング素子12を流れるドレイン電流IDを検出して検出信号VCLを出力する電流検出回路23と、誤差電圧信号VEAOと検出信号VCLとを比較し比較信号を出力するドレイン電流検出用比較器24とを有している。 - 特許庁
To provide a magnetic detection element which uses a simple structure particularly to suppress an increase in direct current resistance (DCR), narrow a magnetic track width (Mg-Tw), and suppress noise generation.例文帳に追加
特に、簡単な構造で、直流抵抗値(DCR)の上昇の抑制と、磁気的なトラック幅(Mg−Tw)の狭小化と、ノイズ発生の抑制とを可能とした磁気検出素子を提供することを目的としている。 - 特許庁
To provide a nitride based semiconductor light-emitting element, wherein light extraction efficiency is improved by extending an area near a p-type electrode pad, an emission is preferentially generated, and the drive voltage is reduced by deconcentrating local current.例文帳に追加
p型電極パッド付近の面積を拡張して光抽出効率を向上させ、局部的な電流の集中を防止して駆動電圧を減少させる窒化物系半導体発光素子を提供する。 - 特許庁
To provide a power converter exhibiting excellent overload capacity in which power can be regenerated, voltage utilization rate of the converter is high, maximum interruption current of a switching element is low, and economical power conversion can be performed with high efficiency and high power factor.例文帳に追加
過負荷耐量に優れ、電力回生可能で、変換器の電圧利用率が高く、スイッチング素子の最大遮断電流が小さく、高効率、高力率で経済的な電力変換装置を提供する。 - 特許庁
When information is read, a voltage of a middle level between the threshold voltage of the reset state and the threshold value of the set state is applied to the phase-change element, and a current change caused by presence/nonpresence of threshold switching is observed.例文帳に追加
情報の読み出し時には、リセット状態でのスレッショルド電圧とセット状態でのスレッショルド電圧との中間レベルの電圧を相変化素子に印加し、スレッショルドスイッチングの有無による電流変化を観測する。 - 特許庁
By making an input to the voltage superposing part 13 as the full-wave rectifying voltage V2, the voltage superposing part 13 is constituted of one switching element, and one closed circuit may be sufficed for making a regenerative current Ir flow.例文帳に追加
電圧重畳部13への入力を全波整流電圧V2としたことにより、電圧重畳部13が1つのスイッチング素子で構成できると共に、回生電流Irを流す閉回路も1つでよい。 - 特許庁
To clarify the influence of the shape of parallel PN layers in a lateral hyper-junction semiconductor element having the parallel PN layers which make a current flow in the ON-state and are depleted in the OFF-state.例文帳に追加
オン状態では電流を流すとともに、オフ状態では空乏化する並列pn層を備えた横型超接合半導体素子において、並列pn層の形状の影響を明らかにし、高耐圧化を図る。 - 特許庁
Consequently, the rectifying element 6 prevents to flow the reverse current in the main contact 3, and to do harm to a DC load L and the like connected to other branching circuits before something happens.例文帳に追加
而して、主接点3に逆向きの電流が流れることを整流素子6で防止することができ、他の分岐回路に接続された直流負荷Lなどに悪影響が及ぶのを未然に防ぐことができる。 - 特許庁
Whether or not it is a temperature abnormality state where the temperature of a transistor that is the current driving element is excessively high is determined (S101) and when it is not the temperature abnormality state (S101:No), PWM control is performed on the transistor.例文帳に追加
電流駆動素子であるトランジスタの温度が過剰に高い温度異常状態かどうかかが判定され(S101)、温度異常状態でない場合には(S101:No)、トランジスタがPWM制御される。 - 特許庁
Although this current I is too small to cause the LED to turn on, it causes voltage drop in the LEDs 11 connected in series, and due to this voltage drop, an impressing voltage Vsw on the switching element 13 is reduced.例文帳に追加
この電流IはLEDが点灯しない程度の微少電流であるが、直列接続したLED11に電位降下を生じさせ、この電位降下によりスイッチング素子13への印加電圧Vswが低減する。 - 特許庁
Thus, an extremely large dispersion is not caused in a potential of each pixel capacitance with respect to the potential of the data signal lines S, so that the dispersion of a leak current flowing via an active element of each pixel can be suppressed.例文帳に追加
したがって、データ信号線Sの電位に対する各画素容量の電位に極端に大きなばらつきを生じることはなく、各画素のアクティブ素子を介するリーク電流のばらつきを抑えることができる。 - 特許庁
The absolute value of resistance variation amount as the first magnetoresistive effect element 21 is increased, thereby the current Im to be detected flowing in the thin film coil 31 can be measured highly precisely even though it is a compact constitution.例文帳に追加
第1の磁気抵抗効果素子21としての抵抗変化量の絶対値が増大し、コンパクトな構成でありながら、薄膜コイル31を流れる検出対象電流Imを高精度に測定することができる。 - 特許庁
The procedure/display element integration screen creation section 150 creates an operation screen layout enabling the procedure information 520 and the display item of the current operation step to be simultaneously displayed on a single screen of an input/output apparatus 170.例文帳に追加
手順・表示要素統合画面作成部150は、現在の操作ステップの手順情報520及び表示項目を入出力機器170の一画面に同時に表示可能な操作画面レイアウトを作成する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device for improving the heat dissipating characteristics during the period until a protection circuit provided in the external circuit operates until it functions from the flow of a short-current into a switching element, and to provide a manufacturing method of the same semiconductor device.例文帳に追加
スイッチング素子に短絡電流が流れてから外部に設けられた保護回路が機能するまでの間の放熱性を向上させることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor light emitting element in which a lowering in recombination probability of electron and hole due to piezoelectric effect can be suppressed without causing such a problem as a lowering in response or an increase in threshold current density.例文帳に追加
応答速度の低下や閾値電流密度の増加などの問題点を発生させることなく、ピエゾ効果による電子−正孔の再結合確率の低下を抑制することが可能な半導体発光素子を提供する。 - 特許庁
To stabilize a laser output even when a high frequency component is superposed on the laser driving current of a semiconductor laser element at the time of recording information with respect to recording media such as phase transition media and optical modulation MO media.例文帳に追加
相変化メディアや光変調MOメディア等の記録媒体に対する情報の記録時、半導体レーザ素子のレーザ駆動電流に高周波成分を重畳してもレーザ出力を安定化させる。 - 特許庁
The heating element 12 is formed by containing a material composed of a magnetic material which generates heat by electromagnetic induction and is induction heated when the heating control device 30 supplies a prescribed current to a coil 20.例文帳に追加
発熱体12は、電磁誘導により発熱する磁性体材料からなる材料を含んで形成されており、加熱制御装置30がコイル20に所定の電流を供給することにより誘導加熱される。 - 特許庁
To prevent the occurrence of failures caused by an increase in a leak current and the deterioration of resistance to pressure, in a ferrodielectric capacity element equipped with a ferrodielectric film having a bismuth laminar structure as a capacity insulation film.例文帳に追加
容量絶縁膜として、ビスマス層状構造を有する強誘電体膜を備えた強誘電体容量素子において、リーク電流の増加及び耐圧の低下による不良の発生を防止する。 - 特許庁
When the switch SW1 is switched on, a current flows to the load side through the resistor element R1 and the potential on the load side goes up, and the switch SW2 is switched on by the action of a voltage monitoring circuit 102.例文帳に追加
スイッチ素子SW1がONされると、抵抗素子R1を通じて負荷側に電流が流れて負荷側の電位が上昇し、電圧監視回路102の動作によってスイッチ素子SW2がONされる。 - 特許庁
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