「for Growing」に関連した英語例文の一覧と使い方(68ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for manufacturing a GaN single crystal substrate includes an ingot forming step of forming an ingot 64 of a GaN single crystal by growing an epitaxial layer 62 made of hexagonal GaN on the GaN single crystal using the GaN single crystal as a seed crystal, and a cutting step of cutting the ingot 64 into a plurality of sheets.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶基板の製造方法は、ＧａＮ単結晶を種結晶として当該ＧａＮ単結晶の上に六方晶のＧａＮからなるエピタキシャル層６２を成長させて、ＧａＮ単結晶のインゴット６４を形成するインゴット形成工程と、インゴット６４を複数枚に切断する切断工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

A method for growing an Al_2O_3 thin film on a substrate by a sequential chemical vapor deposition including a plurality of cycles includes: bringing a part into contact with gaseous trimethyl aluminum (TMA); stopping the gaseous TMA supply; removing the gaseous TMA from a chamber; and bringing the part into contact with atomic oxygen in each cycle.例文帳に追加

複数のサイクルを含むシーケンシャル気相成長法による、基板上へのＡｌ_２Ｏ_３薄膜の成長方法において、それぞれのサイクルは、ガス状のトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）にパーツを接触させること、ガス状のＴＭＡの供給を停止すること、チャンバからガス状のＴＭＡを除去すること、及び原子状酸素にパーツを接触させることを含む。 - 特許庁

The base material 10 for growing the single crystal diamond is composed of a single crystal silicon substrate 13, an MgO film 11 which is heteroepitaxially grown on a side of the single crystal silicon substrate 13, where the single crystal diamond is to be grown, and an iridium film or rhodium film 12 heteroepitaxially grown on the MgO film 11.例文帳に追加

単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材１０であって、単結晶シリコン基板１３と、単結晶シリコン基板１３の単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたＭｇＯ膜１１と、ＭｇＯ膜１１上にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜１２とからなる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for improving ohmic contact of a growing substrate and an electrode formed on the substrate in a zinc oxide-based semiconductor light emitting element and improving emission efficiency and reliability of the zinc oxide-based semiconductor light emitting element and to provide the zinc oxide-based semiconductor light emitting element manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加

酸化亜鉛系半導体発光素子において成長用基板とその上に形成される電極とのオーミック接触を向上させるとともに、酸化亜鉛系半導体発光素子の発光効率及び信頼性を向上させることができる製造方法及び当該製法によって製造される酸化亜鉛系半導体発光素子を提供すること。 - 特許庁

The method for producing a silicon single crystal S by Czochralski method includes growing the single crystal S in a single crystal production apparatus 1 by applying a magnetic field of 1,000 Gauss or more and 5,000 Gauss or less to a silicon raw material F molten in a crucible 6 and controlling the rotation speed of a seed to not more than 8 rpm.例文帳に追加

チョクラルスキー法によりシリコン単結晶Ｓを製造する製造方法は、単結晶製造装置１において、坩堝６中の溶融されたシリコン原料Ｆに１０００ガウス以上５０００ガウス以下の磁界を印加し、かつシードの回転速度を８ｒｐｍ以下に制御して単結晶Ｓの成長を実行する。 - 特許庁

The method for producing the epitaxial wafer at least includes a step of epitaxially growing a p-type layer by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) on a substrate of a compound semiconductor, wherein nitrogen gas is passed in an HVPE furnace when the temperature of the substrate is raised before starting the epitaxial growth of the p-type layer.例文帳に追加

少なくとも、化合物半導体からなる基板上に、ハイドライド気相成長法によってｐ型層をエピタキシャル成長させる工程を有するエピタキシャルウエーハの製造方法であって、前記ｐ型層のエピタキシャル成長を開始する前の前記基板の昇温時に、ＨＶＰＥ炉内に窒素ガスを流すことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 - 特許庁

To provide an external preparation for skin having alopecia preventing action; hair growing action; hair nourishing action; ameliorating action on pruritus or dandruff; fungicidal or inhibitory action on athlete's foot causative fungi; inhibitory action on (per)oxidation of scalp sebum; and bactericidal or inhibitory action on skin indigenous bacteria.例文帳に追加

安全性に優れた天然由来の生薬を用いた皮膚外用剤を鋭意研究した結果、ボルドチレー、または、ボルドチレーに一種または二種以上の生薬を含有させることにより、脱毛防止作用、育毛作用、養毛作用、痒み若しくはフケ改善作用、水虫原因菌の殺菌若しくは抑制作用、頭皮脂の（過）酸化抑制作用、皮膚常在細菌の殺菌若しくは抑制作用を有する皮膚外用剤を提供すること。 - 特許庁

In a process S104, photoluminescence of a substrate product prepared by growing a quantum well structure and p- and n-type gallium nitride semiconductor layers for the light-emitting layer at at least one or two or more selected tilt angle is measured while applying a bias to the substrate product to obtain bias dependence of the photoluminescence.例文帳に追加

工程Ｓ１０４では、選択された一又は複数の傾斜角で発光層のための量子井戸構造並びにｐ型及びｎ型窒化ガリウム系半導体層を成長して形成された基板生産物のフォトルミネッセンスの測定を基板生産物にバイアスを印加しながら行って、基板生産物のフォトルミネッセンスのバイアス依存性を得る。 - 特許庁

The method for constructing a planting garden comprises: forming cultivation bed units 1 using cotton 2 made of biodegradable plastic so as to pave a flat surface with many of the units; appropriately growing plants whose seeds are sowed on many of the cultivation bed units; and thereafter paving the flat surface while selecting the cultivation bed units to construct a desired garden.例文帳に追加

本発明では、生分解性プラスチック製の綿２により、多数により平面を敷き詰め可能な栽培床ユニット１を形成し、多数の前記栽培床ユニットに播種した植物を適宜生長させた後、栽培床ユニットを選択しながら平面に敷き詰めて所望の庭園を構成する植栽庭園の構築方法を提案している。 - 特許庁

A method for producing the carbon material coated with tantalum carbide is a method of forming the tantalum carbide coating film on a carbon substrate, and includes: a crystal nucleus forming step of forming a crystal nucleus of tantalum carbide on a surface of the carbon substrate; and a crystal growth step of growing the crystal nucleus of the tantalum carbide after the crystal nucleus forming step.例文帳に追加

炭素基材上に炭化タンタル被覆膜を形成する炭化タンタル被覆炭素材料の製造方法であり、炭素基材の表面に炭化タンタル結晶核を形成する結晶核生成工程と、結晶核生成工程後に炭化タンタル結晶核を結晶成長させる結晶成長工程とを含む。 - 特許庁

To provide an apparatus for growing an artificial seaweed bed to form the artificial seaweed bed on a floor of sea with a simple apparatus by using an artificial seaweed swayingly drifting by its own buoyancy, and to form an environment close to natural seaweed bed, secure a living place of fish and promote recovery of natural seaweed bed by using the apparatus.例文帳に追加

本発明は、自分の浮力でゆらゆらと漂う人工海藻を用いて、簡単な装置で、海底地盤上に人工藻場を造成することのできる人工藻場育成装置を提供し、それらを用いて天然藻場に近い環境を形成し、魚類の生息場所を確保するとともに、天然藻場への回復を促そうとするものである。 - 特許庁

A method of forming a nanostructure aggregate includes steps for transferring a nano-pattern from a porous anodized aluminum template to a mask material layer, and growing a nanostructure on an unreformed growth surface of a substrate in regions exposed through the nano-pattern formed in the mask material layer by a bottom-up growth method where the nanostructure is composed of nano-rings or nano-doughnuts.例文帳に追加

多孔質陽極酸化アルミニウムテンプレートからマスク材層にナノパターンを転写し、マスク材層のナノパターンを介して露出された領域において基板上にボトムアップ成長法によって基板の未改質成長面上に形成されたナノ構造体を成長させ、前記ナノ構造体が、ナノリング又はナノドーナツからなることを特徴とするナノ構造体集合体を製造する方法。 - 特許庁

The method for joining a metal to a carbon nanotube includes the steps of: growing a carbon nanotube; introducing a sulfur atom into a defect of the carbon nanotube having been grown; and joining at least one metal selected from among Au, Ag, Pt, Pd, Ru, Rh, Os, Ir, Hg, Si, Ga and As, or an alloy of the metals to the carbon nanotube via the sulfur atom.例文帳に追加

本発明のカーボンナノチューブへの金属接合方法は、カーボンナノチューブを成長させる工程と、成長させたカーボンナノチューブの欠陥に硫黄原子を導入する工程と、前記硫黄原子を介して、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｈｇ、Ｓｉ、Ｇａ及びＡｓの中から選択された少なくとも１つの金属またはこれらの合金を接合する工程とを、含む。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal pulling device and a method for producing a silicon single crystal using the pulling device, which prevents variation in addition amount of a dopant due to sublimation of the dopant during addition or flipping on a liquid surface of a silicon melt, prevents blow-off of the silicon melt upon blowing a gas to the silicon melt, and allows addition of a dopant even during growing a silicon single crystal.例文帳に追加

ドーパントの添加途中での昇華やシリコン融液の液面上での飛び跳ねによるドーパントの添加具合のばらつき及びガスをシリコン融液に吹き付けた際のシリコン融液の吹き飛びを防止し、かつ、シリコン単結晶の育成中であってもドーパントを添加することが可能なシリコン単結晶引上装置及びそれを用いたシリコン単結晶の製造方法の提供。 - 特許庁

The method for blooming the nursery stock raised from seed includes sowing Prunus persica seeds subjected to germination promoting treatment, growing a seedling raised from seed until the seedling raised from seed reaches a transient phase or a reproductive phase without allowing natural dormancy, and performing adhesion treatment of a uniconazole solution or pouring or adhesion treatment of a paclobutrazol solution before a floral differentiation period after reaching the transient phase or the reproductive phase.例文帳に追加

発芽促進処理されたハナモモの種子を播き、実生苗を自然休眠させることなく当該実生苗が移行相又は生殖相に達するまで生育させ、前記移行相又は生殖相に至った後で花芽分化期前にウニコナゾール液の付着処理又はパクロブトラゾール液の潅注若しくは付着処理を行う。 - 特許庁

The method for growing the fluoride crystal is carried out by using a Bridgman furnace 10 and by housing a crystal raw material 3, in which a fluoride raw material is compounded, in a crucible 2, fusing the material and cooling to solidify the melt, wherein a fluoride having the total mass concentration of iron and zinc of less than 1.5 ppm is compounded as the fluoride raw material.例文帳に追加

ブリッジマン炉１０を用い、フッ化物原料が配合された結晶原料３をルツボ２に収容し、溶融後、融液を冷却固化してフッ化物結晶を育成する方法であって、フッ化物原料として、鉄及び鉛の合計質量濃度が１．５ｐｐｍ未満であるフッ化物を配合する。 - 特許庁

The method for producing a nitride crystal includes: bringing a reactive gas which reacts with ammonia to produce a mineralizer into contact with ammonia in a reaction chamber 1 or in a closed circuit connected to the reaction chamber 1 to produce a mineralizer; and in the presence of the ammonia and the mineralizer, growing a nitride crystal from a crystal growth raw material 5 comprising a nitride placed in the reaction chamber 1 by an ammonothermal method.例文帳に追加

反応容器１内または反応容器１に繋がる閉回路内で、アンモニアと反応して鉱化剤を生成する反応性ガスとアンモニアとを接触させて鉱化剤を生成し、反応容器１内にてアンモニアと鉱化剤の存在下でアモノサーマル法によって反応容器１内に入れられた窒化物の結晶成長原料５から窒化物結晶を成長させる窒化物結晶の製造方法。 - 特許庁

The method for growing the bulkiness of a nonwoven fabric 1 during conveying the nonwoven fabric 1 includes the following process: the nonwoven fabric 1 under conveyance is wound two or more times around the circumferential surface of a revolving drum 31; subsequently, hot air is blown, from the inside or outside of the revolving drum 31, against the nonwoven fabric 1 under conveyance to grow the bulkiness of the nonwoven fabric 1.例文帳に追加

本発明の不織布の嵩増加方法は、不織布１を搬送する過程においてその嵩を増加させる不織布１の嵩増加方法であり、搬送中の不織布１を、回転ドラム３１の周面に複数回巻き掛け、該回転ドラム３１に巻き掛けて搬送中の該不織布１に対して、該回転ドラム３１の内側又は外側から熱風を吹き付けて該不織布１の嵩を増加させる。 - 特許庁

The method for producing a granular fertilizer includes adding a mineral acid to a mixture containing the combustion ash of chicken droppings and a neutral potassium compound, wherein the mass ratio of the neutral potassium compound to the combustion ash of chicken droppings (neutral potassium compound/combustion ash of chicken droppings) is within the range of 0.05-1.0, and then granulating the resulting mixture by a method of growing nuclear particles.例文帳に追加

鶏糞燃焼灰と中性カリウム化合物との質量比(中性カリウム化合物／鶏糞燃焼灰)が0.05〜1.0の範囲である鶏糞燃焼灰と中性カリウム化合物との混合物に、鉱酸を添加して、核粒子を成長させる方法により造粒することを特徴とする粒状肥料の製造方法である。 - 特許庁

The composition for hair-restoring and growing agent contains (A) a lactoferrin decomposition product, (B) an L-carnitine compound, (C) 6-benzyl aminopurine, and (D) a 2-4C lower alcohol in an amount of 55-80 mass%, wherein the mass ratio [(A)/(B)] of (A) the lactoferrin decomposition product to (B) the L-carnitine compound is 0.1 to 5.例文帳に追加

（Ａ）ラクトフェリン分解物、（Ｂ）Ｌ−カルニチン化合物、（Ｃ）６−ベンジルアミノプリン、及び（Ｄ）炭素数２〜４の低級アルコール５５質量％〜８０質量％を含有し、前記（Ａ）ラクトフェリン分解物と前記（Ｂ）Ｌ−カルニチン化合物との質量比〔（Ａ）／（Ｂ）〕が０．１〜５である育毛剤組成物とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a compound semiconductor single crystal which employs a technique applied for a crystal growth method using an LEC method and by which the evaporation of the structural component of growing crystal is easily prevented to thereby grow a large-sized ZnTe based compound semiconductor single crystal with excellent crystal quality.例文帳に追加

ＬＥＣ法を利用した結晶成長法に適用できる技術であって、成長結晶の構成成分が蒸発するのを容易に防止して、大型のＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶を優れた結晶品質で成長できる化合物半導体単結晶の製造方法及び結晶成長装置を提供する。 - 特許庁

The method for producing the silicon carbide single crystal comprises arranging a seed crystal 6 of the silicon carbide single crystal in a reaction vessel 10, and growing a crystal 7 of the silicon carbide single crystal on the initial surface 60 of the seed crystal 6 by introducing a gaseous mixture 8 comprising a silicon-containing gas containing Si and a carbon-containing gas containing C into the reaction vessel 10.例文帳に追加

反応容器１０内に炭化珪素単結晶よりなる種結晶６を配置し，反応容器１０内にＳｉを含有する珪素含有ガスとＣを含有する炭素含有ガスとを含む混合ガス８を導入することにより，種結晶６の初期表面６０上に炭化珪素単結晶よりなる成長結晶７を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法である。 - 特許庁

In the cell culture control system for culturing a cell collected from a person to be collected, separating and growing the cell to form a stem cell and obtaining the cultured cell, a cell ID code is applied to the collected cell and the collected cell to which the cell ID code is applied is specified and a culture stage of the collected cell is specified thereby.例文帳に追加

被採取者から採取した細胞を培養し、分離、成長させ幹細胞を形成し、培養細胞を得る細胞培養システムにおいて，採取した細胞に細胞ＩＤコードを付与し，細胞ＩＤコードを付した採取細胞を特定すると、採取細胞の培養段階がどの段階にあるかを特定するように構成する。 - 特許庁

A method for producing the objective nitride semiconductor substrate comprises forming the seed crystal 2 of the nitride semiconductor on a substrate 1 different therefrom, forming a protective film 4, on the upper part of which the nitride semiconductor does not grow, and then growing a second nitride semiconductor layer 6 in a transverse direction from the edge face of a first nitride semiconductor layer 5 formed only by a transversely directional growth.例文帳に追加

窒化物半導体とは異なる異種基板１上に窒化物半導体のシード結晶２を形成し、その上部に窒化物半導体が成長しない保護膜４を形成し、横方向成長のみで形成された第１の窒化物半導体層５の端面から第２の窒化物半導体層６を横方向成長させる。 - 特許庁

To provide an industrially valuable method for producing a metal fluoride single crystal where the crystal in which the falling of transmissivity by laser beam irradiation is suppressed, which has high laser resistance and which has high quality optical properties over the entire region from the upper region to the lower region of a growing crystal body having a large diameter and a long size is produced with high yield and in a large size.例文帳に追加

大口径且つ長尺の育成結晶体の上部域から下部域の全域に亘って、レーザー光照射による透過率の低下が抑制された、即ちレーザー耐性の高い高品質の光学特性を有する結晶を、歩止まりが高く、しかも大型の結晶を製造できる工業的価値が高い方法を提供する。 - 特許庁

The method includes: a melting step of heating a source material used for producing an oxide single crystal to obtain a melt 18; an impurity removing step of retaining the melt state to decrease impurities included in the melt; and a single crystal growing step of producing an oxide single crystal 1 from the melt 18 of the source material after the impurity removing step.例文帳に追加

酸化物単結晶の製造に使用する原料を加熱して融液１８を得る溶融工程と、融液状態を保持することにより融液に含まれる不純物を低減させる不純物除去工程と、この不純物除去工程を経た原料の融液１８から酸化物単結晶１を製造する単結晶育成工程とを備える。 - 特許庁

To obtain a semiconductor crystal excellent in characteristics by preventing a substrate holder holding a substrate to be processed for growing a semiconductor crystal from being exposed to the air and removing deposits adhered to the substrate holder, by which the substrate holder and the deposits are prevented from becoming a source of oxygen contamination when the semiconductor crystal is grown.例文帳に追加

半導体結晶成長処理されるべき基板を保持する基板ホルダが、大気に曝されることを防止し、基板ホルダに付着する堆積物を除去することによって、基板ホルダおよび堆積物が半導体結晶を成長させる際の酸素汚染源となることを防止し、特性に優れた半導体結晶を得る。 - 特許庁

In a liquid phase epitaxial growth method for growing the crystal thin film on a semiconductor wafer 3 inside a growth container 2 filled with a raw material solution 1, the semiconductor wafers 3 are arranged in parallel with one another at intervals so as to eliminate the incorporation of polycrystals which have dimensions to adhere to the surface of the semiconductor wafer 3 and inhibit epitaxial growth.例文帳に追加

原料溶液１に満たされた成長容器２内で半導体ウェハー３上に結晶薄膜を成長させる液相エピタキシャル成長方法において、半導体ウェハー３表面に付着してエピタキシャル成長を阻害する大きさの多結晶体が入り込まないように、半導体ウェハー３を平行に間隔をおいて配置する。 - 特許庁

To surely bring an electrode into contact with a semiconductor molten liquid in a desired contact state in a semiconductor crystal growth apparatus for growing a semiconductor crystal from the semiconductor molten liquid turned by impressing magnetic field in the semiconductor molten liquid and bringing the electrode into contact with the semiconductor molten liquid to impress current in the semiconductor molten liquid.例文帳に追加

半導体融液中に磁界を印加し、電極を半導体融液に接触させて半導体融液中に電流を印加し、それによって半導体融液を回転させ、回転している半導体融液から半導体結晶を育成する半導体育成装置において、電極を半導体融液に所望の接触状態で確実に接触させる。 - 特許庁

This crucible 10 is disposed in the apparatus 1 for growing a single crystal, whose side wall 12 generates heat by passing an electric current through an induction coil 19 arranged around the crucible.例文帳に追加

単結晶育成装置１に配置され、周囲に配される誘導コイル１９に電流が流れることで側壁１２が発熱する坩堝１０であって、側壁１２の外周面１３に、外側に向けて屈曲した段部１８を有し、段部１８よりも上面の側の部分外周面１３ａに対し、段部１８よりも下面の側の部分外周面１３ｂが、外側方向に突出している。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal pulling apparatus growing a silicon single crystal having desired resistivity to which a sublimable dopant is reliably added at high concentration without depending on a time period until a first half of a cylindrical portion of the silicon single crystal is formed, and to provide a method for producing a silicon single crystal.例文帳に追加

シリコン単結晶の直胴部の前半部までが形成される時間の長短によることなく、昇華性ドーパントが確実に高濃度に添加された、所望の抵抗率を有するシリコン単結晶を成長することができるシリコン単結晶引上装置及びシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the carbon nanotube assembly is characterized in that catalyst particles are heated to the temperature where the degree of the aggregation of the catalyst particles and the growth rate of the carbon nanotube are balanced in a CVD process of growing carbon nanotubes by the thermal decomposition of an organic compound vapor with the catalyst particles formed on a substrate as a base point.例文帳に追加

本発明のカーボンナノチューブ集合体の製造方法は、基板上に形成された触媒粒子を基点として有機化合物蒸気の熱分解によってカーボンナノチューブを成長させるＣＶＤ工程において、前記触媒粒子を、前記触媒粒子の凝集の程度と前記カーボンナノチューブの成長速度とを平衡させる温度に加熱することを特徴とする。 - 特許庁

In the method for pulling a silicon single crystal, in order to control the V/G value with high accuracy, the distance Δt between the melt surface 13a of the silicon melt 13 and the heat shielding member 17 that is disposed so as to oppose to and to partially cover this melt surface 13a is continuously measured while pulling (growing) the silicon single crystal 15.例文帳に追加

本発明のシリコン単結晶引上方法では、Ｖ／Ｇを高精度に制御するために、シリコン単結晶１５の引上（育成）中に継続してシリコン融液１３の融液面１３ａと、この融液面１３ａに対面してその一部を覆うように配された遮熱部材１７との間隔Δｔの測定を行う。 - 特許庁

The fluorescent substance layer, for example, a fluorescent plate 4 obtained by growing a columnar crystal of CsI has a face having a recessed part and/or a protruded part formed by splash (caused by flying out of the CsI in a solid state before being completely vaporized into a vacuum vessel, and attaching of the solid on the vacuum evaporation surface to form the uneven part).例文帳に追加

蛍光体層、例えばＣｓＩの柱状結晶を成長させた蛍光板４は、スプラッシュ(ＣｓＩが完全に蒸気化する前に、固形化の状態で真空槽内に飛び出し、その固形物が蒸着面に付着し、その結果凹凸部が形成去されること)によって凹部および／または凸部が形成された面を有する。 - 特許庁

In a process for cylindrically growing the single crystal while bringing a rotated crystal into contact with a raw material melt, the volatilization of which is prevented by a liquid sealing material, the revolution (rpm) of the cylindrical crystal is previously defined so as to be double or more of the outer diameter (inch) thereof, and the crystal is rotated in the defined revolution.例文帳に追加

液体封止剤によって揮発が防止された原料の融液に、回転させた結晶を接触させながら結晶を円筒状に成長させてゆくに当たり、あらかじめ円筒状の結晶の回転数［ｒｐｍ］を、当該結晶の外径［インチ］の２倍以上となるように規定しておき、規定した回転数で当該結晶を回転させるようにする。 - 特許庁

The method for maturing the plant is suitably carried out by using one or more "culturing group of sphagnum moss in which one or more units of the stem of live sphagnum moss in collected state to collection of fixed dried sphagnum are brought into contact with the collection of the dried sphagnum moss and the growing point of the live sphagnum moss is substantially exposed from the collection of the dried sphagnum moss".例文帳に追加

特に、１個以上の「定形化されている乾燥ミズゴケの集合物に対して、まとまった状態の生長ミズゴケの茎部の１単位以上が、その乾燥ミズゴケの集合物に接触しており、かつ、前記の生長ミズゴケの生長点が、前記の乾燥ミズゴケの集合物から実質的に露出してなる、ミズゴケの栽培基」を用いて、この植物の養生方法を行うことが好適である。 - 特許庁

The structure results in elongating a day-cycle rhythm of the plants than a circadian rhythm, and thereby a growing state of the plants is hard to advance so as to suppress the growth of the plants and store the plants for a long period of time while keeping them young compared to the case when the plants are stored in a light-dark cycle of 24 hours similarly in nature.例文帳に追加

これにより、植物の日周期リズムを２４時間周期より長くすることができるので、自然界と同様の２４時間の明暗周期で植物を貯蔵した場合と比べて、植物の生育ステージを進みにくくし、植物の生長を抑制して、植物を長期にわたって若いままに貯蔵することができる。 - 特許庁

A crystal manufacturing apparatus for growing a single crystal from a raw material of a crystalline substance has a crucible 110 having a first chamber 114 wherein a seed crystal SC is placed and a second chamber 113 wherein the raw material is placed and a first member 117 which is placed inside the second chamber and has a through-hole that opens into the first and second chambers.例文帳に追加

結晶性物質の原料から単結晶を成長させる結晶製造装置は、種結晶ＳＣが配置される第１室１１４および該原料が配置される第２室１１３を有する坩堝１１０と、該第２室内に配置され、第１室側と第２室側とに開口する貫通孔が形成された第１の部材１１７とを有する。 - 特許庁

In the vapor phase growth method for epitaxially growing a group III-V compound semiconductor layer on a substrate in a vapor phase growth device by the hydride vapor phase growth method, gas etching is performed in the vapor phase growth device by interrupting the epitaxial growth at least once in the way of epitaxial growth of the group III-V compound semiconductor layer.例文帳に追加

気相成長装置内で基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をハイドライド気相成長法によってエピタキシャル成長させる気相成長方法であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層のエピタキシャル成長途中に、少なくとも１回該エピタキシャル成長を中断して前記気相成長装置内のガスエッチングを行うことを特徴とする気相成長方法。 - 特許庁

In the method for growing a group III nitride crystal from a solution 25 in which at least an alkali metal, a group III metal raw material and nitrogen are dissolved, the group III nitride crystal 29 is grown by incorporating a substance capable of accelerating the growth in the -c axis direction of the group III nitride crystal, in the solution 25.例文帳に追加

少なくともアルカリ金属とＩＩＩ族金属原料と窒素とが溶解した溶液２５からＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる結晶成長方法において、前記溶液２５に、ＩＩＩ族窒化物結晶の−ｃ軸方向の成長を促進する物質を含ませて、ＩＩＩ族窒化物結晶２９を成長させる。 - 特許庁

To provide a group III nitride crystal having a practical size for manufacturing a high performance light-emitting diode, an LD or the like without complicating a process, using an expensive reactor, and making the crystal size small; and to provide a method and an apparatus capable of growing such a group III nitride crystal.例文帳に追加

工程を複雑化させることなく、高価な反応容器を用いることなく、かつ、結晶の大きさが小さくなることなく、高性能の発光ダイオードやＬＤ等のデバイスを作製するための実用的な大きさのIII族窒化物結晶を提供し、また、このようなIII族窒化物結晶を成長させることの可能な結晶成長方法および結晶成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a treatment instrument for an endoscope, extremely usable in treating foreign matter present in a human body, such as an excellently durable snare capable of securely capturing and extirpating a polyp growing in the human body or an excellently durable basket etc. capable of securely capturing or grinding a calculus produced in the human body.例文帳に追加

体内に発生したポリープを確実に捕獲して切除することができ、しかも耐久性に優れたスネアー、または体内に生成した結石を確実に捕獲もしくは粉砕することができ、しかも耐久性に優れたバスケット等、体内に存在する異物を処置するにきわめて有用な内視鏡用処置具を提供すること。 - 特許庁

To provide a protective fence having a simple structure, excellent in handleability, when installed or removed, and capable of protecting a submarine organism growing in a protecting region from a submarine inhabitant preying on the submarine organism at a low cost more effectively than ever, and to provide a method for protecting the submarine organism using the protective fence.例文帳に追加

構造が簡単で設置時や撤去時等における取扱い性にも優れていて、保護領域内で成育する海底生物を、該海底生物を捕食する海底棲息動物から、低コストにてより効果的に防護することが可能な防護フェンス、および、その防護フェンスを用いた海底生物の防護方法を提供する。 - 特許庁

The flatness of a spacer 10 is enhanced by doping the spacer layer 10 with oxygen, when growing sequentially the crystals of a buffer layer 2, a channel layer 4, the spacer layer 10, an electron supply layer 5, and a contact layer 6 by supplying dopant material, group III material, group V material, and gas for dilution onto a heated substrate 1.例文帳に追加

加熱された基板１上にドーパント原料、III族原料、Ｖ族原料及び希釈用ガスを供給し、バッファ層２、チャネル層４、スペーサ層１０、電子供給層５及びコンタクト層６を順次結晶成長させる際に、スペーサ層１０に酸素をドーピングすることにより、スペーサ層１０の平坦度が向上する。 - 特許庁

The method for manufacturing the fluoride crystal has a pretreatment process step of melting a fluoride raw material mixed with a scavenger under evacuation, then cooling the raw material to solidify the fluoride raw material and a crystal growth process step of growing the fluoride raw material to the fluoride crystal after the pretreatment process step described above.例文帳に追加

本発明のフッ化物結晶の製造方法は、排気しながらスカベンジャーが混合されたフッ化物原料を融解した後、冷却して該フッ化物原料を固体化する前処理工程と、該前処理工程の後、該前処理工程を終えたフッ化物原料をフッ化物結晶に成長させる結晶成長工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁