「for Growing」に関連した英語例文の一覧と使い方(69ページ目) - Weblio英語例文検索

The sauna apparatus is provided with a water discharge means for discharging the water remaining inside the sauna apparatus to a drain port 8 inside the bathroom 101 or outside the bathroom, so that the sauna apparatus capable of discharging the humidified warm water remaining inside the sauna apparatus without pouring the water to the user in the bathroom 101, without growing the bacteria inside the sauna apparatus and without making the user feel unpleasant is obtained.例文帳に追加

サウナ装置内に残留した水を浴室１０１内の排水口８または浴室外に排出する排水手段を設けた事により、浴室１０１内にいる使用者に水をかけることなく、また、サウナ装置内部に菌が繁殖することなく、また使用者に不快感を与えることなくサウナ装置内部に残留した加湿温水を排出することができるサウナ装置を提供できる。 - 特許庁

The manufacturing method for the solar cell has a process in which the power generation layer 102 is formed on the first surface of the polycrystalline semiconductor substrate 101, a pattern by a growth preventive film 103 is formed on the surface of the layer 102, and a texture structure is formed by selectively growing a semiconductor layer 105 on the surface of the layer 102 in an epitaxial manner by a liquid-phase growth method.例文帳に追加

多結晶半導体基板１０１の第一の表面に発電層１０２を形成し、該発電層１０２表面上に成長阻止膜１０３によるパターンを形成し、該発電層１０２表面上に液相成長法にて半導体層１０５を選択的にエピタキシャル成長することによりテクスチャ構造を形成する工程を有する太陽電池の製造方法。 - 特許庁

To carry out efficient growth of plants and reduction of growing cost and control of plant delivery period while recognizing new problems in which it becomes extremely important for future growth of plants to clarify growth of plants and influence on differentiation by light quality which have not deeply been studied hitherto and further particularly to clarify influence of light quality on every parts of plants.例文帳に追加

従来深く検討されてこなかった、光質による植物の成長、分化への影響を明確化するとともに、さらに詳細には植物の部位毎の光質影響を明確化することが、今後の植物育成において極めて重要なものになるという新たな課題認識を踏まえた上で、効率的な植物育成や育成コスト削減、植物出荷時期制御などをできるようにする。 - 特許庁

The cultivation robot 102 equipped with a temperature and humidity sensor, a wind power sensor, an illuminance sensor, or the like, is a small fluttering robot having a flying function or hovering function, and can obtain data such as temperature, humidity, air flow, illuminance, in the green house 100 three-dimensionally for grasping the growing environment of the crops 101 accurately.例文帳に追加

上述の栽培ロボット１０２は、飛行機能、あるいはホバリング機能を備える小型の羽ばたきロボットであり、さらに温湿度センサ、風力センサ、および照度センサ等を備えることで、温室１００内の温度、湿度、気流、照度等のデータを３次元的に取得でき、個々の作物１００の生育環境を正確に把握できる。 - 特許庁

The ingot is grown by keeping the lifting rate for growing the ingot to enable an OSF(Oxidation Induced Stacking Fault) ring to exist in the vicinity of the ingot and controlling the cooling condition of a hot zone where the single crystal grows to increase the uniformity of the heat history in the radius direction and after that, the ingot is sliced to form a wafer.例文帳に追加

ＯＳＦリングがインゴット周辺部に存在できるようにインゴットを成長させる引上げ速度を維持し、単結晶が成長するホットゾーンの冷却条件を調節して半径方法への熱履歴の均一度を増加させことでインゴットを成長させた後、そのインゴットをスライスしてウェーハを作製する。 - 特許庁

To provide a method for producing brown algae by land culture which can achieve stable year-round production of the brown algae by growing from a planospore, and male and female gametophyte to an individual to be shipped, with a new method, is excellent in adjusting a standard, can use aquaculture effluent of other sea resources, and can effectively use a limited space.例文帳に追加

遊走子や雌雄配偶体から出荷対象個体までの育成を新しい手法で行うことにより、褐藻類を安定して周年生産することができ、かつ規格の調整にも優れるうえ、他の海洋資源の養殖廃水も活用することができ、限られたスペースを有効活用することができる陸上養殖褐藻類の生産方法を提供する。 - 特許庁

A base material B for growing amorphous carbon C is accommodated in a chamber 11, then a raw material gas G is supplied into the chamber 11, a plasma P of the supplied raw material gas G is formed, and the amorphous carbon C is produced while controlling the speed of the formed plasma P being allowed to reach the base material B.例文帳に追加

アモルファスカーボンＣを成長させるための基材Ｂをチャンバ１１内に収容し、そのチャンバ１１内に原料ガスＧを供給し、供給した原料ガスＧのプラズマＰを生成し、生成されたプラズマＰの基材Ｂに到達する際の速度を制御してアモルファスカーボンＣの製造を行う。 - 特許庁

The single crystal substrate has surfaces 10, 11 opposing to each other, at least one of which is used as a surface for growing an iron garnet single crystal film, and a side face 12 situated between respective outer peripheral parts of the surfaces 10, 11 and formed to have an arithmetical average roughness Ra of ≤1.0 μm.例文帳に追加

単結晶基板において、互いに対向し、少なくとも一方が鉄ガーネット単結晶膜の育成される膜育成面として用いられる表面１０、１１と、表面１０、１１のそれぞれの外周部の間に位置し、１．０μｍ以下の算術平均粗さＲａに形成された側面１２とを有するように構成する。 - 特許庁

This Pachinko game machine 10 produces the sense of unity as the whole part visible to the game player since design for imaging an egg of a design structure 20 composed of a movable part 21 and a fixed part 22 and an animation up to a phoenix growing from the egg displayed as an idol image harmonize with a common motif such as the egg and birds.例文帳に追加

パチンコ遊技機１０においては、可動部２１と固定部２２とからなるデザイン構造体２０の卵をイメージさせるデザインと、アイドル画像として表示される卵から成長したフェニックスまでの動画とが、卵及び鳥類という共通のモチーフを持って調和しているので、遊技者に見える部分全体として一体感が出る。 - 特許庁

This extract of cultured material is obtained by inoculating the mycelium of a Basidiomycete on a solid medium containing a plant fibrous raw material, holding it under an environment for growing the mycelium after agitating or while agitating the solid medium inoculated with the mycelium by imparting the repeated movement of falling down and elevation and obtaining the extract of the cultured material from the resultant cultured material.例文帳に追加

植物繊維質原料を含む固体培地に担子菌の菌糸体を接種し、前記菌糸体を接種した固体培地を、落下及び上昇の繰り返し運動を該固体培地に付与することにより攪拌した後、又は攪拌しつつ、前記菌糸体が生育する培養環境下に保持し、得られた培養物から培養抽出物を得る。 - 特許庁

The method for transferring an exogenous DNA into a plant tissue by using agrobacterium containing a transforming vector having the exogenous DNA comprises an immersion treatment step of immersing the leaf (leaf stem and leaf blade) of a plant leaf in a suspension of the agrobacterium, and a growth step of growing the plant under a condition to enable water-absorption through the leaf stem of the leaf.例文帳に追加

外来性ＤＮＡを有する形質転換用ベクターを含むアグロバクテリウムを用いて、前記外来性ＤＮＡを植物組織に導入する方法において、前記アグロバクテリウムの懸濁液に、植物の葉（葉柄及び葉身）を浸漬させる浸漬処理工程と、前記葉の葉柄から吸水できる条件で生育させる生育工程を含む。 - 特許庁

To provide an SOI wafer manufacturing method which is capable of easily growing a silicon epitaxial layer on a SOI layer of a SOI wafer having an oxide film at a terrace portion, suppressing warpage of the SOI wafer manufactured, reducing the occurrence of particles even in subsequent steps of manufacturing a device or the like, and reducing the cost for manufacturing the SOI wafer.例文帳に追加

テラス部に酸化膜を有するＳＯＩウェーハのＳＯＩ層上にシリコンエピタキシャル層を簡単に成長させることができ、製造されるＳＯＩウェーハの反りを抑制することができ、また、デバイス製造等といった後の工程においてもパーティクルの発生を低減することができ、さらにそのようなＳＯＩウェーハ製造のコスト削減を図ることができるＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the bismuth-substituted rare-earth iron garnet single crystal is characterized by generating the melt from a flux consisting of Li_2O, B_2O_3 and Bi_2O_3 and growing the bismuth-substituted rare-earth iron garnet single crystal by the liquid phase epitaxial method on a nonmagnetic garnet single crystal using the melt.例文帳に追加

Ｌｉ_２Ｏ、Ｂ_２Ｏ_３およびＢｉ_２Ｏ_３により構成されたフラックスから融液を生成し、該融液を用いて非磁性ガーネット単結晶上に液相エピタキシャル法によりビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を育成することを特徴とする、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の製造方法。 - 特許庁

This porous plate-shape carrier for growing seaweed seedlings is formed by a hydraulic material consisting of cement and aggregates as main constituting materials and further 1-20 mass % fibrous filler (especially, a fibrous filler obtained by combining a neutral fibrous filler and an acidic fibrous filler) based on the total mass of the main constituting material.例文帳に追加

セメントおよび骨材を主構成材料として、さらに主構成材料の合計質量に対して１〜２０質量％の繊維状充填材（特に中性繊維状充填材と酸性繊維状充填材とが組み合わされた繊維状充填材）を含む水硬性材料から形成された海藻幼苗育成用の多孔性板状担体。 - 特許庁

In the process for fabricating a thin film transistor on a substrate 1, a source S_1 and a drain D_1 are formed by growing an SiGe thin film containing P or B in the source S_1 and drain D_1 forming parts on the surface of a channel C_1 which is formed of an Si polycrystalline film on the substrate 1.例文帳に追加

基板１上に薄膜トランジスタを形成する方法であって、ソースＳ_1 およびドレインＤ_1 の形成が、上記基板１上に形成されたＳｉ多結晶膜からなるチャネルＣ_1 の表面のソースＳ_1 およびドレインＤ_1 形成予定部分に、ＰまたはＢを含有するＳｉＧｅ薄膜を成長させることにより行われる。 - 特許庁

In the method for producing the fluoride single crystal, comprising growing the fluoride single crystal by cooling a melt, obtained by melting a particulate mixture of a particulate fluoride and a particulate scavenger, the average particle diameter df of the fluoride and the average particle diameter ds of the scavenger satisfy following expression: 0.05≤ds/df≤20.例文帳に追加

粒子状のフッ化物に粒子状のスカベンジャーを混合した粒子混合物を溶融した溶融物を冷却することによりフッ化物単結晶を育成するフッ化物単結晶の製造方法において、フッ化物の平均粒径ｄｆ及びスカベンジャーの平均粒径ｄｓが下記式：０．０５≦ｄｓ／ｄｆ≦２０を満たす、フッ化物単結晶の製造方法。 - 特許庁

A fine channel such as micro and nano channels is formed by growing vertically a nano wire using plasma CVD or thermal CVD and metal nano fine particles arranged in a pattern on a substrate as growth nuclei after vapor-depositing the metal nano fine particles in a pattern for the growth nuclei of the nano wire on the substrate.例文帳に追加

基板上にナノワイヤの成長核となる金属ナノ微粒子をパターン蒸着した後、プラズマＣＶＤ若しくは熱ＣＶＤを用いて、基板上にパターン配置された金属ナノ微粒子を成長核として、ナノワイヤを垂直成長させて、マイクロ流路やナノ流路の微細流路を製造する。 - 特許庁

An intermediate layer 103 is formed on an epitaxially growing substrate 101, and a III nitride epitaxial layer 104 is formed on the intermediate layer 103 for the formation of a semiconductor substrate, where the substrate 101 is thermally treated at a temperature higher than the thermal decomposition temperature of the intermediate layer 3 after the III nitride epitaxial layer 104 is formed.例文帳に追加

エピタキシャル成長用基板１０１上に中間層１０３を形成した後、中間層１０３上にIII族窒化物エピタキシャル層１０４を形成して、半導体基板を作製する半導体基板の作製方法であって、III族窒化物エピタキシャル層１０４を形成後、中間層１０３の熱分解温度以上の温度で熱処理を施す。 - 特許庁

The substrate for growing plants is obtained by mixing plant-originating material with soil, (a) an organic substance having 10 mass.% of arabinoxylan content, (b) sodium calcium, (c) incinerated ash, and (d) at least one kind of alkali metallic compounds selected from alkali metal oxide, alkali metal hydroxide, alkali metal carbonate, alkaline earth metal oxide and alkaline earth metal carbonate.例文帳に追加

植物発生材に、土壌と共に、アラビノキシラン含量が１０質量％以上である有機物（ａ）、珪酸カルシウム（ｂ）、焼却灰（ｃ）、並びにアルカリ金属酸化物、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ土類金属水酸化物およびアルカリ土類金属炭酸塩から選ばれる少なくとも１種のアルカリ性金属化合物（ｄ）を混合してなる植物生育用基材。 - 特許庁

This marine alga growth-promoting method comprises dissolving for growing marine algae living in natural seawater, an additive which contains at least chitin oligomer or chitosan oligomer in the natural seawater followed by mixing, and adopting a technical means which brings the concentration of the additive in the mixed liquid to 0.05-50 μg/ml.例文帳に追加

天然海水中に生息する海藻類を生長せしめるにあたり、キチンオリゴマーまたはキトサンオリゴマーを少なくとも含有してなる添加剤を前記天然海水中に溶解して混合せしめ、この混合液中における添加剤の濃度を０．０５〜５０μｇ／ｍｌにするという技術的手段を採用したことによって、海藻類の生長促進方法を完成させた。 - 特許庁

The method for growing a silicon single crystal is characterized in that, when a silicon single crystal is grown by Czochralski method by doping the crystal with carbon and a resistance controlling dopant, the shift amount in the resistivity caused by carbon doping is preliminarily calculated and a doping amount of the resistivity controlling dopant is controlled in accordance with the shift amount.例文帳に追加

シリコン単結晶の育成方法であって、チョクラルスキー法によって炭素及び抵抗調整用ドーパントをドーピングしてシリコン単結晶を育成する際に、炭素ドープに伴って発生する抵抗率のシフト量を予め計算し、前記抵抗調整用ドーパントのドープ量を前記シフト分に応じて調整することを特徴とするシリコン単結晶の育成方法。 - 特許庁

These through-holes are formed concurrently when an epitaxial layer is grown with an area not growing normally at the top, by either applying a non-GaN material (for example, carbon particle) to any location on a seed crystal surface or making uneveness on that surface, through nitride semiconductor vapor phase epitaxy.例文帳に追加

上記貫通孔の形成は、窒化物半導体の気相成長において、元となる種結晶表面の任意の位置に、ＧａＮ以外の材料（例えばカーボン片）を付け、または凹凸をつけることで、その上部に正常に成長しない領域を形成した状態でエピタキシャル層を成長させることにより、成長と同時に貫通孔が形成される。 - 特許庁

In manufacturing the focus ring used for the plasma device, this focus ring is manufactured by growing the single crystalline silicon, where the concentration of oxygen between lattices is 5×1017 atom/cm3 and not more than 1.5×1018 atoms/cm3, by Czochralski method, and processes that single crystalline silicon into annular form.例文帳に追加

および、プラズマ装置に用いられるシリコンフォーカスリングの製造方法において、チョクラルスキー法により格子間酸素濃度が５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１．５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である単結晶シリコンを成長させ、該単結晶シリコンを円環状に加工し、シリコンフォーカスリングを製造するシリコンフォーカスリングの製造方法。 - 特許庁

The carbon fiber structure in a three-dimensional network shape, constituted of a carbon fiber having 15-100 nm outer diameter has a granular part for mutually binding each carbon fibers in an extended state of a plurality of the carbon fibers, and formed at a growing process of the carbon fibers.例文帳に追加

外径１５〜１００ｎｍの炭素繊維から構成される３次元ネットワーク状の炭素繊維構造体であって、前記炭素繊維構造体は、前記炭素繊維が複数延出する態様で、当該炭素繊維を互いに結合する粒状部を有しており、かつ当該粒状部は前記炭素繊維の成長過程において形成されてなるものであることを特徴とする炭素繊維構造体。 - 特許庁

A method for manufacturing a light emitting semiconductor device containing a group III nitride quantum well layer contains selecting the facet orientation of the quantum well layer, controlling intensity of a piezoelectric field and/or intensity of a naturally generated electric field in the quantum well layer, and growing the quantum well layer having the selected facet orientation.例文帳に追加

III族窒化物量子井戸層を含む発光半導体デバイスを製造する方法は、量子井戸層のファセット配向を選択し、圧電界の電界強さ及び／又は量子井戸層における自然発生的電界の電界強さを制御すること、及び選択されたファセット配向をもつ前記量子井戸層を成長させることを含む。 - 特許庁

In the method for preparing a flat platy silver halide photographic emulsion by forming flat platy grained nuclei by the formation of nuclear fine grains and subsequent aging and then growing the flat platy grained nuclei, a globular protein is allowed to exist in the formation of the nuclear fine grains.例文帳に追加

核微粒子形成とそれに引き続く熟成によって平板粒子核を形成し、該平板粒子核を成長させる事により、平板状ハロゲン化銀乳剤を製造する過程において、核微粒子形成時に球状蛋白質を存在させる事を特徴とする平板状ハロゲン化銀写真乳剤の製造方法。 - 特許庁

In this method for growing a silicon single crystal by CZ method, the characteristic comprises doping the single crystal with nitrogen so that oxidation- induced stacking faults are generated on the whole surface of the wafer or so that the wafer surface comprises the oxidation-induced stacking faults, oxygen-depositing areas and, if necessary, further oxygen deposit-controlling areas, when a high temperature oxidation treatment is applied.例文帳に追加

(1) ＣＺ法によってシリコン単結晶を育成する方法において、高温酸化処理を施した場合に、ウェーハ全面に酸化誘起積層欠陥が発生するように、またはウェーハ表面が酸化誘起積層欠陥および酸素析出領域、若しくはこれらの領域に加え酸素析出抑制領域からなるように単結晶中に窒素をドープすることを特徴とするシリコン単結晶の育成方法である。 - 特許庁

To obtain a nonmagnetic garnet single crystal having a large lattice constant and excellent crystallinity, transparent in the wavelength region used by an optical communication, and suitable as the substrate for growing a magnetooptic crystal by an LPE method, and further to obtain a magnetic garnet LPE single crystal film by using the nonmagnetic garnet single crystal, capable of enlarging a Faraday rotational capacity by substituting a large amount of Bi.例文帳に追加

格子定数が大きく、結晶性が良好で、光通信で使用される波長域で透明であり、ＬＰＥ法による磁気光学結晶の育成用の基板として好適な非磁性ガーネット単結晶、及びそれを用いて、Ｂｉを多量置換してファラデー回転能を大きくできる磁性ガーネットＬＰＥ単結晶膜を得る。 - 特許庁

The method for growing the plant absorbing the CO_2 and the NO_X is characterized by regeneration of a plant body by incorporating a cDNA of an NO_2^- transporter of a cucumber to a vector pBI121 to obtain a recombinant vector, introducing the recombinant vector to an Agrobacterium, infecting a cell of Arabidopsis thaliana with the Agrobacterium to obtain a transformant, and culturing the transformant.例文帳に追加

本発明のＣＯ_２及びＮＯ_Ｘ吸収植物の育成方法は、キュウリのＮＯ_２^−トランスポーターのｃＤＮＡをベクターｐＢＩ１２１に組み込んで組換えベクターを得て、この組換えベクターをアグロバクテリウムに導入し、次いで、このアグロバクテリウムをシロイナズナの細胞に感染させて形質転換体を得て、その後、この形質転換体を培養することにより、植物体を再生させることを特徴とする。 - 特許庁

The method for forming an SiC single crystal includes forming an epitaxial film 6 of the SiC single crystal by epitaxially growing the SiC single crystal on an SiC substrate 1 having an inclination angle of 0.01-8° with respect to the SiC(0001) plane by metastable solvent epitaxy method and then forming an SiC single crystal 2 on the epitaxial film 6 of the SiC single crystal by a sublimation method.例文帳に追加

ＳｉＣ（０００１）面に対して０．０１〜８°の傾角を有するＳｉＣ基板１上に、準安定溶媒エピタクシー法によりＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させてＳｉＣ単結晶のエピタキシャル膜６を形成した後、前記ＳｉＣ単結晶のエピタキシャル膜６の上に、昇華法によりＳｉＣ単結晶２を形成するＳｉＣ単結晶の形成方法。 - 特許庁

The present invention provides an NT-4 activity-inhibiting peptide having a receptor bonding inhibition effect and NT-4 homo/hetero dimer formation inhibition effect necessary for expressing a neurotrophin-4 (NT-4) signal inhibition effect, or a modified product thereof, and provides a use of the peptide or the modified product thereof as a hair-restoring and growing agent.例文帳に追加

神経栄養因子−４（ＮＴ−４）のシグナルの抑制効果の発現のために必要な、受容体への結合阻害、ＮＴ−４のホモ／ヘテロ二量体の形成阻害効果を有するＮＴ−４活性阻害ペプチドまたはその修飾物を提供すると共に、前記ペプチドまたはその修飾物の育毛養毛剤としての用途を提供する。 - 特許庁

The method for culturing the biological tissue 62 comprises taking cells 61 onto a three-dimensional wire frame 50 in a culture medium and growing the thus taken cells 61 on the three-dimensional wire frame 50 so that the cells 61 are arranged in such an orientation as to correspond to the shape of the three-dimensional wire frame 50.例文帳に追加

本発明においては、３次元ワイヤーフレーム５０に培養媒質内で細胞６１を生着させ、この３次元ワイヤーフレーム５０に生着した細胞６１が３次元ワイヤーフレーム５０の形状に応じた配向で配列するように、生着した細胞６１を３次元ワイヤーフレーム５０上で成長させて生体組織６２を培養する。 - 特許庁

In a process for growing a compound semiconductor crystal on the compound semiconductor wafer by using metal organic vapor phase epitaxy, in-plane temperature distribution is controlled so that the surface temperature of the periphery of the compound semiconductor wafer may be within a range of +15°C to +30°C with respect to the surface temperature of the center of the compound semiconductor wafer.例文帳に追加

化合物半導体ウェハの表面に、有機金属気相成長法を用いて化合物半導体結晶を成長させる方法において、上記化合物半導体ウェハの外周部の表面温度が、上記化合物半導体ウェハの中心部の表面温度の＋１５℃〜＋３０℃の範囲内となるように面内温度分布を制御する。 - 特許庁

The method for eliminating the catalyst residue (2) existing on a surface of a solid structure (3) made from a first material and obtained by catalytic growth comprises the following steps of: catalytically growing a solid structure (4) made from a second material from the catalyst residue (2); and selectively eliminating the solid structure (4) made from the second material.例文帳に追加

触媒成長によって得られた、第１材料で作られたソリッド構造体（３）の表面上に存在する触媒残渣（２）を取り除くこの方法は、以下の段階：第２材料で作られたソリッド構造体（４）を前記触媒残渣（２）から触媒成長させる段階と、前記第２材料で作られたソリッド構造体（４）を選択的に取り除く段階と、を含む。 - 特許庁

In the method for producing the fluoride single crystal, comprising growing the fluoride single crystal by cooling a melt, obtained by melting a mixture of a fluoride and a scavenger, the scavenger contains two or more kinds of compounds each having at least one maximum point in a range of ≤1,400°C in a pressure-temperature curve.例文帳に追加

フッ化物にスカベンジャーを混合した混合物を溶融した溶融物を冷却することによりフッ化物単結晶を育成するフッ化物単結晶の製造方法において、スカベンジャーが、圧力−温度曲線において１４００℃以下に１以上の極大点を有する化合物を２種以上含む、フッ化物単結晶の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon single crystal, by which a silicon single crystal wafer having desired resistivity can be obtained even when a donor is generated by the carbon as a dopant during heat treatment such as in a process of manufacturing a device, and to provide a production method of a silicon epitaxial wafer produced from the silicon single crystal.例文帳に追加

ドープされた炭素によってデバイス製造工程等における熱処理時にドナーが発生しても、所望の抵抗率を有するシリコン単結晶ウェーハとすることのできるシリコン単結晶の育成方法及び該シリコン単結晶から作製されたシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

This coating material for protecting and growing the living aquatic resources is a solution containing at least iron sulfate and sodium hydroxide, and further at least one kind selected from the group consisting of zinc hydroxide, ammonium hydroxide, potassium hydroxide, cobalt hydroxide, strontium hydroxide, copper hydroxide, lead hydroxide, barium hydroxide, magnesium hydroxide and manganese hydroxide, and having pH 6.5-8.4.例文帳に追加

少なくとも硫酸鉄と、水酸化ナトリウムを含有し、更に、水酸化亜鉛、水酸化アンモニウム、水酸化カリウム、水酸化コバルト、水酸化ストロンチウム、水酸化銅、水酸化鉛、水酸化バリウム、水酸化マグネシウム、水酸化マンガンよりなる群から選ばれる少なくとも１種を含有する、ｐＨ６．５〜ｐＨ８．４の溶液である水産資源保護育成用塗料。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a compound single crystal capable of specifying the surface direction of the crystal at a cross section of the compound single crystal, and capable of dividing a cross section into a plurarity of wafer units by creavage of a single crystal even when cutting out a plurarity of wafers from a cross section, and a single crystal growing vessel therefor.例文帳に追加

化合物単結晶の断面における結晶の面方位を特定することができ、かつ１つの断面から複数個のウェハを切り出す場合でも単結晶のへき開により１つの断面を複数個のウェハ単位に分割することが可能な化合物単結晶の製造方法およびそれに用いられる単結晶成長用容器を提供する。 - 特許庁

This planter corresponding to wheel chairs has a height of about 70 cm from the surface of a floor or the ground, a width of about 110 cm and a semi-spherical shape having a radius of about 53 cm so that a wheel chair user can easily carry out works for growing plants such as flowers or vegetables in a state sitting down on the wheel chair.例文帳に追加

当該プランターの高さは、車椅子利用者が車椅子に座ったまま花や野菜などの植物の育成作業をしやすいように床若しくは地面から７０ｃｍ程度とし、広さは、幅１１０ｃｍ程度とし、形は、半径５５ｃｍ程度の半円形とした車椅子対応型のプランターとする。 - 特許庁

An alignment mark for positioning a substrate is embedded previously in a wide gap semiconductor substrate by growing a wide gap semiconductor layer (e.g. a GaN layer 19) epitaxially on the principal surface of a narrow gap semiconductor substrate where an alignment mark 4 is engraved at a prescribed position on the principal surface of the narrow gap semiconductor substrate (e.g. an Si substrate 2).例文帳に追加

一実施形態によれば、ナローギャップ半導体基板（例えばＳｉ基板２）の主面の所定の位置に彫り込み型のアライメントマーク４が形成されたナローギャップ半導体基板のその主面上にワイドギャップ半導体層（例えばＧａＮ層１９）をエピタキシャル成長したことにより、基板位置決め用のアライメントマークが予め埋め込まれているワイドギャップ半導体基板を提供する。 - 特許庁

The method allows for the production of the LPS which can be used to produce a 3-O-deacylated monophosphoryl lipid A (3D-MLA) having at least about 20 mol% of the hexaacyl congener group, and comprises: growing a culture of deep rough mutant bacterial strain in a medium; harvesting cells from the culture; and extracting LPS from the cells.例文帳に追加

ディープラフ型突然変異細菌株の培養、培養物から細胞を収集、細胞からLPSを抽出する工程を含む方法であり、ヘキサアシル同族体グループを少なくとも約20モル％有する、3-O-脱アシル化されたモノホスホリルリピドA(3D-MLA)の生成に使用することができるLPSの生成が可能である。 - 特許庁

The method for producing it comprises the steps of forming a silicon source layer having a thickness corresponding to its size so as to form the nanoparticls of a required size, forming the nanoparticles comprising a predetermined metal and silicon, vapor-depositing the nanoprticles on the silicon source layer, and forming the silicide by growing the nanoparticles.例文帳に追加

また、要求される大きさのナノ粒子が形成されるように、その大きさに対応する厚さにシリコンソース層を形成するステップと、所定金属とシリコンからなるナノ粒子を形成するステップと、ナノ粒子をシリコンソース層に蒸着させるステップと、ナノ粒子を成長させてシリサイドを形成するステップと、を含むナノ粒子の製造方法である。 - 特許庁

In the process for producing a semiconductor substrate by epitaxially growing an SiGe epitaxial layer containing Ge at a set concentration and a silicon thin film sequentially on an SOI substrate and then performing heat treatment a plurality of times at a specified temperature in an oxidizing atmosphere, a silicon thin film is formed after the oxide film is removed.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上に設定した濃度のＧｅを含むＳｉＧｅエピタキシャル層とシリコン薄膜とを順次エピタキシャル成長を形成し、次に酸化雰囲気下で所定の温度と時間で熱処理を複数回行なった基板において、酸化膜を除去した後にシリコン薄膜を形成したことを特徴とする半導体基板の製造方法である。 - 特許庁

The production method of a substrate for electric optical devices includes an amorphous layer formation process of forming an amorphous layer 9a on the base material 101, a crystalline nucleus production process of producing a crystalline nucleus in an amorphous layer 9a by heating treatment and a crystalline growth process of obtaining an electric conductive layer 9 by growing the produced crystalline nucleus by heating treatment.例文帳に追加

基材１０１上に非晶質層９ａを形成する非晶質層形成工程と、非晶質層９ａ中に加熱処理によって結晶核を生成させる結晶核生成工程と、生成した結晶核を加熱処理によって成長させて導電層９を得る結晶成長工程とを含む。 - 特許庁

This structure for artificial fishing bank by thick growing if the alga on the surface of carbon fiber bundles 7 is constructed by making plural wire ropes 2 reach the sea bottom with sinkers 1 and having floats 3 attached thereto, connecting the wire ropes 2 with shape holding stays 4 so as to respectively form polygonal corners and handing the carbon fiber bundles 7 from each net 5 provided in the stays 4.例文帳に追加

シンカー１によって海底に着床させるとともにフロート３を取り付けた複数のワイヤロープ２を、それぞれが多角形の角部となるように保形性のステー４で連結するとともに、このステー４に設けたネット５に炭素繊維束７を吊り下げ、炭素繊維束７表面への藻の繁茂による魚礁を構築する。 - 特許庁