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該当件数 : 3605



例文

COMPOSITION FOR PROMOTING LIPOLYSIS, COMPOSITION FOR INHIBITING cAMP-PDE ACTIVITY, COMPOSITION FOR INHIBITING ISOLATION OF HEXOSAMINIDASE, COMPOSITION FOR INHIBITING MMP-1 ACTIVITY, COMPOSITION FOR PROMOTING PRODUCTION OF COLLAGEN, COMPOSITION FOR PROLIFERATING DERMAL FIBROBLAST, COMPOSITION EXHIBITING ESTROGEN-LIKE ACTIVITY, COMPOSITION FOR INHIBITING ACTIVITY OF TESTOSTERONE 5α-REDUCTASE, ANTIAGING COMPOSITION, HAIR-GROWING COMPOSITION, BLEACHING COMPOSITION AND ANTIINFLAMMATORY COMPOSITION例文帳に追加

脂肪分解促進作用組成物、cAMP−PDE活性阻害作用組成物、ヘキソサミニダーゼ遊離抑制作用組成物、MMP−1活性阻害作用組成物、コラーゲン産生促進組成物、皮膚線維芽細胞増殖作用組成物、エストロゲン様作用組成物、テストステロン5α−リダクターゼ活性阻害作用組成物、抗老化作用組成物、育毛作用組成物、美白作用組成物および抗炎症作用組成物 - 特許庁

A method for manufacturing the image sensor comprises a step for forming the first conductive semiconductor substrate, a step for forming the trench, a step for growing the second conductive type first epitaxial layer in the trench to be embedded, and a step for forming the second epitaxial layer on the first epitaxial layer.例文帳に追加

また、第1導電型の半導体基板を形成するステップと、トレンチを形成するステップと、前記トレンチに第2導電型の第1のエピタキシャル層を成長させて埋め込むステップと、前記第1のエピタキシャル層上に第2のエピタキシャル層を形成するステップとを含むことを特徴とするイメージセンサの製造方法が提供される。 - 特許庁

AQUEOUS SOLUTION HAVING PROPERTY FOR PRODUCING CLATHRATE HYDRATE, CLATHRATE HYDRATE CONTAINING QUATERNARY AMMONIUM SALT AS GUEST AND SLURRY OF THE CLATHRATE HYDRATE AND, METHOD FOR PRODUCING CLATHRATE HYDRATE, METHOD FOR INCREASING RATE FOR PRODUCING OR GROWING CLATHRATE HYDRATE, METHOD FOR PREVENTING OR CONTROLLING SUPERCOOLING PHENOMENON ON PRODUCTION OR GROWTH OF CLATHRATE HYDRATE例文帳に追加

包接水和物を生成する性質を有する水溶液、第四級アンモニウム塩をゲストとする包接水和物及び当該包接水和物のスラリ並びに、包接水和物の生成方法、包接水和物が生成又は成長する速度を増加させる方法、包接水和物が生成又は成長する際の過冷却現象を防止又は抑制する方法 - 特許庁

The depositing method of the polycrystalline thin film Si includes a process for depositing an amorphous Si thin film serving as a base on a substrate, a process for forming a metal oxide film on the surface of the amorphous Si thin film, a process for partially reducing the metal oxide film, a process for forming silicide by reduced metal and amorphous Si, and a process for growing crystal Si with silicide as a core.例文帳に追加

多結晶Si薄膜の堆積法において、少なくとも 下地となる非晶質Si薄膜を基板上に堆積する工程と 該非晶質Si薄膜表面に金属酸化膜を形成する工程と 該金属酸化膜を部分的に還元する工程と 還元された金属と非晶質Siとによりシリサイドを形成する工程と 該シリサイドを核として結晶Siを成長させる工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

例文

To provide a large size neodymium-gallium garnet single crystal substrate having high quality sufficient for producing a Bi-substituted rare earth-iron garnet material for a Faraday rotator by a liquid phase epitaxial method and to provide a method for growing a neodymium-gallium garnet single crystal for the substrate.例文帳に追加

本発明は、ファラデー回転子等に用いられるBi置換希土類鉄ガーネット材料を液相エピタキシャル法により製造するための優れた品質を備えた大型のネオジウムガリウムガーネット単結晶基板及びそれを得るためのネオジウムガリウムガーネット単結晶育成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁


例文

This producing method of the substrate comprises: a process for preparing a base material wherein a nickel layer is formed on a copper layer by a plating method; a process for heat-treating the nickel layer at 800 to 1,000°C; and a process for epitaxially growing a coating layer on the nickel layer after the process for heat-treating the nickel layer.例文帳に追加

本発明は、めっき法を用いて銅層上にニッケル層が形成された基材を準備する工程と、前記ニッケル層を800〜1000℃で熱処理する工程と、前記ニッケル層を熱処理する工程の後に前記ニッケル層上に被覆層をエピタキシャル成長させる工程とを備えた、基板の製造方法に関する。 - 特許庁

To provide a housing tray for mushroom culturing bottles with which arrangement of culturing bottles in the housing tray for mushroom culturing bottles is made appropriate according to respective culture processes in artificial culture of mushroom in a bottle so as to efficiently perform temperature management and for growing mushroom fruit bodies not provided with guide bodies respectively into preferable shapes; and to provide a method for culturing mushroom using the tray.例文帳に追加

茸の人工瓶栽培において、茸の栽培瓶用収容トレイ内における栽培瓶の配列を各栽培工程で適正化することで、温度管理を効率的に行うとともに、ガイド体を装着しない茸の子実体を好適な形状に育成させることが可能な栽培瓶用収容トレイと、これを用いた茸の栽培方法を提供する。 - 特許庁

In this block for forming the greening road surface, two or more concrete blocks 10, and one or more connecting rods 20 for connecting the connecting blocks 10 together while forming a gap for embedding soil for growing plants are provided; the four concrete blocks 10 are juxtaposed in a short-side direction; and the connecting rods 20 are connected to all the four concrete blocks 10, respectively.例文帳に追加

2個以上のコンクリートブロック10と、植物育成用土壌を埋設する間隙を形成しつつ前記コンクリートブロック10間を連結する1又は2以上の連結棒20とを備え、前記コンクリートブロック10は、短手方向に4つ並列されており、前記連結棒20は、4つ全ての前記コンクリートブロック10に連結されている緑化路面形成用ブロック。 - 特許庁

The method for forming the isolation film of a semiconductor element comprises a step for forming the isolation film 2 and the masking insulation film 3 sequentially on the silicon substrate 1, a step for forming a trench by etching the specified parts of the masking insulation film 3 and the isolation film 2 sequentially, and a step for completing an epitaxial silicon active region 5 by growing an epitaxial silicon film on the resulting object.例文帳に追加

このための本発明の半導体素子の素子分離膜の形成方法は、シリコン基板1上に分離酸化膜2とマスキング絶縁膜3とを順に形成する段階と、マスキング絶縁膜3と分離酸化膜2との所定部分を順に蝕刻してトレンチを形成する段階と、前記結果物上にエピタキシャルシリコン膜を成長させてエピタキシャルシリコンアクティブ領域5を完成する段階を含む。 - 特許庁

例文

The polycrystalline thin film Si depositing method includes a process for depositing a polycrystalline Si thin film serving as a base on a substrate, a process for depositing an amorphous Si layer on the surface of the polycrystalline Si thin film, a process for partially removing the amorphous Si layer and partially exposing polycrystalline Si, and a process for growing crystal Si by setting a part where polycrystalline Si is exposed as a core.例文帳に追加

多結晶薄膜Si堆積法において、少なくとも 下地となる多結晶Si薄膜を基板上に堆積する工程と 該多結晶Si薄膜表面に非晶質Si層を堆積する工程と 該非晶質Si層を部分的に除去し、多結晶Siを部分的に露出させる工程と 該多結晶Siが露出した部分を核として結晶Siを成長させる工程とを含むことを特徴とする - 特許庁

例文

Plants are simultaneously irradiated with ultraviolet lights and visible lights by using the lighting device 10 for plant growth consisting of visible light lamps 11 for growing various plants, for example, white lamps such as fluorescent lights of three wavelength type, HIDs, etc., and an ultraviolet lamp 12 for controlling the growth of the algae and the molds as artificial light sources.例文帳に追加

人工光源として、3波長タイプの蛍光灯やHID等の白色系ランプ、白熱系ランプなど各種植物育成用の可視光線ランプ11と藻やカビの発生抑制用の紫外線ランプ12などから構成された植物育成用の照明装置10を用い、紫外線と可視光線とを同時に照射する。 - 特許庁

The semiconductor crystal manufacturing apparatus 13 has a seed crystal 36 for growing the semiconductor crystal 33, a seed crystal fixing adapter 37 for fixing the seed crystal 36, and a pulling shaft 35 for pulling the seed crystal 36, which is connected to the seed crystal fixing adapter 37, and is characterized in that a tool 38 for heat exchange is attached to the seed crystal fixing adapter 37.例文帳に追加

半導体結晶33を成長させるための種結晶36と、この種結晶36を固定する種結晶固定アダプタ37と、この種結晶固定アダプタ37と連結され種結晶36を引き上げるための引上軸35と、を有する半導体結晶製造装置13であって、種結晶固定アダプタ37に熱交換用治具38を取り付けたことを特徴とする。 - 特許庁

A raw material 2 for sublimation is arranged adjacent to a silicon carbide substrate 4 to form a region for growing a silicon carbide single crystal between the raw material 2 for sublimation and the silicon carbide substrate 4, and then a silicon carbide single crystal is grown on the silicon carbide substrate 4 by forming a sublimation atmosphere by electron-bombardment heating a crucible 10 from the side where the raw material 2 for sublimation is stored.例文帳に追加

昇華用原料2と炭化ケイ素基板4の間に炭化ケイ素単結晶の成長領域を形成することができる程度に昇華用原料2と炭化ケイ素基板4を近接して配置した後、坩堝10の昇華用原料2収容側から電子衝撃加熱して昇華雰囲気を形成し、炭化ケイ素基板4上に炭化ケイ素単結晶を成長させる。 - 特許庁

This method for manufacturing a semiconductor wafer is provided with a process for growing epitaxially an SiGe layer on a surface of a first silicon single crystal wafer, a process for coupling a surface of the SiGe layer with a surface of a second wafer via an oxide film, and a process for thinning the first silicon single crystal wafer coupled with the second wafer and exposing the Si layer including lattice strain.例文帳に追加

第1のシリコン単結晶ウェーハの表面にSiGe層をエピタキシャル成長する工程と、該SiGe層の表面と第2のウェーハの表面とを酸化膜を介して結合する工程と、該第2のウェーハと結合された該第1のシリコン単結晶ウェーハを薄膜化して格子歪みを内在するSi層を露出させる工程と、を有するようにした。 - 特許庁

The method for producing a silicon carbide single crystal includes steps of: supplying a source fine powder 5 for sublimation and a carrier gas 3 to an atmosphere for growing a silicon carbide single crystal, the atmosphere including a silicon carbide seed crystal; heating to sublimate the source fine powder 5 for sublimation; and supplying the sublimated gas onto the silicon carbide seed crystal 2 to grow a silicon carbide single crystal on the silicon carbide seed crystal.例文帳に追加

昇華用原料微粉末5とキャリアガス3を炭化ケイ素種結晶を備える炭化ケイ素単結晶成長雰囲気内に供給する工程と、昇華用原料微粉末5を加熱し昇華させる工程と、昇華したガスを炭化ケイ素種結晶2上に供給し炭化ケイ素種結晶上に炭化ケイ素単結晶を成長させる工程と、を含む炭化ケイ素単結晶の製造方法。 - 特許庁

Since the artificial culturing soil is fixed with the three components of nitrogen, phosphorus and potassium, it is possible to improve the culturing and growing power for a general tree, flowering plant and crop very widely, and also enable solution for problems of reducing the large expense for the treatment and disposal of the organic- based sludge waste material and securing the place for the treatment.例文帳に追加

本発明の人工培土は、窒素、リン及びカリの三成分が固定されていることから、これを用いることにより、一般の樹木、草花、作物を栽培力、育成力を非常に大きく改善することができると共に、有機系汚泥廃棄物の処理処分にかかる大きな経費の軽減と処分地の確保問題の解決を可能とした。 - 特許庁

The molecular beam source cell for thin film deposition generates molecules for growing a thin film on a solid surface by subliming or vaporizing a film-forming material (a) under heating, and has a plurality of molecule ejection ports 4, 4 for ejecting molecules of the film-forming material toward a film-forming plane 1 for forming the film.例文帳に追加

薄膜堆積用分子線源セルは、成膜材料aを加熱することにより、その成膜材料aを昇華または蒸発して、固体表面に薄膜を成長させるための分子を発生するものであって、薄膜の成膜面1に向けて薄膜を形成する材料の分子を放出する分子放出口4、4…を複数設けると共に、これら分子放出口4、4…を互いに斜め外向きに開口させたものである。 - 特許庁

The system 1 for producing a semiconductor substrate comprises a CVD furnace 2 for growing an epitaxial layer on a semiconductor substrate (wafer) W, an exhaust gas bubbler 3 branched from the way of piping 23 for discharging exhaust gas, and an analyzer 4 for analyzing metals in the exhaust gas captured by pure water 33 in the bubbler 3.例文帳に追加

半導体基板の製造装置1は半導体基板(ウェーハ)Wにエピタキシャル層を成長させるCVD炉2、その排気ガスの排出用配管23の途中から分岐して設けられた排気ガスのバブリング装置3、バブリング装置3の純水33に捕捉された排気ガス中の金属を分析する分析装置4とから構成される。 - 特許庁

Efforts for attracting demand of rapidly growing markets in emerging countries should be made strategically for each country by classifying them into three categories based on levels of economic development, status of Japanese companies' business expansion, and the environment for competition with foreign rival companies in respective countries, while taking into consideration local needs for infrastructure and the perspective of ensuring the supply of resources. 例文帳に追加

成長著しい新興国市場の需要を獲得するに当たり、経済発展度合い、我が国企業の進出状況、他国企業との競争環境を踏まえ、新興国を3つに分類し、現地のインフラニーズや資源供給確保の観点も考慮した上で、各国毎に戦略的に取り組むことが重要。 - 経済産業省

We may understand that the approaches of the United States and European countries have converged on using public funds. Europe has adopted full protection of deposits and the United States has offered full protection of funds deposited for settlement purposes, while Japan provides full protection of funds for settlement purposes but protects other deposits only up to 10 million yen (per depositor). Calls are growing, mainly from Nagatacho (Japan's political center), for providing full protection of all deposits. What do you think of the necessity of full deposit protection? 例文帳に追加

欧米の各国は、公的資金の活用というところで平仄を合わせたのかなという解釈もあると思いますが、預金の全額保護ということをヨーロッパ、アメリカは決済性の預金を、日本は決済性預金は全額保護でその他は1,000万円ということですが、全額保護すべきだという議論も永田町を中心に出つつあるように思っておりますが、必要性を含めご見解をお願いします。 - 金融庁

*In the Basic Policy for Financial Inspection, the FSA placed emphasis onestablishing an appropriate risk management system corresponding to the features of various types of loans and financial products” and “ensuring smooth financing to SMEs and support for regional industries” (as already mentioned above) in light of the increase in loans and other financial instruments with complex structures, such as those using the securitization scheme, and the growing need for financial institutions to actively exercise their financial intermediary function in an appropriate manner suited to the actual state of SMEs. 例文帳に追加

・ 証券化スキームなどを利用した複雑な形態の貸出等の増加や、中小企業の実態を踏まえた適切かつ積極的な金融仲介機能の発揮が求められている状況を踏まえて、「各種貸出・金融商品の実態に応じた適切なリスク管理態勢の構築」や「円滑な中小企業・地域金融に向けた対応」などを検査基本方針において重点事項化。(再掲) - 金融庁

A method of manufacturing a fluorite crystal comprises a step for melting calcium fluoride in a crucible and then solidifying the resulting melt, and includes a step for growing the fluorite single crystal from the lower end of the melt in the crucible, and a step for subsequently depositing fluorite polycrystal from the melt.例文帳に追加

本発明の蛍石結晶の製造方法は、ルツボ中でフッ化カルシウムを融解させてから凝固させる蛍石結晶の製造方法において、ルツボ中融液の下端から蛍石単結晶を成長させる工程と、それに引き続いて融液から蛍石多結晶体を析出させる工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a bryophyte-controlling composition for a lawn, controlling the bryophytes without developing phytotoxicity to a western grass such as bent grass as a means for controlling the bryophytes growing on the lawn, and a method for applying the same to exhibit an effect synergistically.例文帳に追加

芝生に発生する蘚苔類の防除のため手段として、本発明は、ベントグラス等の洋芝類に対して薬害の発生を起こすことなく蘚苔類を防除することができる芝生用蘚苔類防除組成物並びに相乗的に効果を発揮する芝生用蘚苔類防除組成物の使用方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method of manufacturing a capacitor composed of a positive and negative polarizable electrodes for growing an electric double layer, separators for electrically insulating the polarizable electrodes and metal collecting electrodes 2 for drawing charges out of the polarizable electrodes, comprises ultrasonically bonding a bundle of leads 4 of the collecting electrodes 2 to an electrode terminal 40.例文帳に追加

電気二重層を生じる正負の分極性電極と、分極性電極間を電気的に絶縁するセパレータと、分極性電極から電荷を引き出す金属からなる集電極2とからなり、集電極2のリード部4の束を電極端子40に超音波溶接で接続するキャパシタの製造方法である。 - 特許庁

The method for producing an SiC single crystal comprises growing an SiC single crystal on an SiC seed crystal substrate 9 from a raw material solution 3 containing SiC, C and a solution component other than the two components by the solution method, and includes a process for dissolving C before the start of SiC growth and a process for replenishing SiC after the start of SiC growth.例文帳に追加

溶液法により、SiCとCと前記2成分以外の溶液成分を含む原料溶液3からSiC種結晶基板9上にSiC単結晶を成長させる方法であって、SIC成長開始前にはCを溶解させる工程を有し、SIC成長開始後にはSiCを補給する工程を有する。 - 特許庁

To provide a plant cultivation lighting device simultaneously attaining the followings: improvement in energy efficiency; reduction in load on the environment; improvement in cultivation efficiency for growing plant stocks; securement of flexibility of layout in lighting means for radiating cultivation light to plants; reduction in time and labor for forming fiber optics every time when the layout is changed; and avoidance of quality deterioration of the plants.例文帳に追加

エネルギー効率の向上、環境への負荷の低減、植物株を成長させる栽培効率の向上、植物に栽培光を照射する照射手段におけるレイアウトの自由度の確保、レイアウト変更毎に光ファイバーを成形しておく手間の低減、および植物の品質低下の回避を同時に実現する植物栽培用照明装置を提供すること。 - 特許庁

In the method for fabricating the epitaxial substrate for a gallium nitride-based semiconductor optical element, a semiconductor layer 21 including a plurality of gallium nitride-based semiconductor films for the gallium nitride-based semiconductor optical element is grown by an organic metal vapor-deposition growing method on a substrate 19 disposed on a susceptor 13 in the flow channel 17 while heated using a heater 15, thereby fabricating the epitaxial substrate E1.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体光素子のためのエピタキシャル基板を作製する方法では、ヒータ15を用いて加熱しながら、フローチャネル17内のサセプタ13上に配置された基板19上に窒化ガリウム系半導体光素子のための複数の窒化ガリウム系半導体膜を含む半導体積層21を有機金属気相成長法で成長してエピタキシャル基板E1を作製する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a 2-17 Sm-Co type rare earth permanent magnet having a high density structure with fine crystal particle sizes, which is optimal for powder metallurgy, by preventing the particles from growing coarse and by aggregating densely, in a sintering step of the manufacturing process for a sintered compact of the 2-17 Sm-Co type rare earth permanent magnet.例文帳に追加

2−17系Sm−Co型希土類永久磁石焼結体の製造工程の中の焼結工程において、結晶粒成長の粗大化を防ぎ、且つ高密度化を図り、より粉末冶金的に最適な高密度微細結晶粒径組織を備えた2−17系Sm−Co型希土類永久磁石の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The lighting system 1 for insect pest attraction includes a setting part 2 for setting a time zone in which a field for growing crops 7 is not irradiated with natural light as an action time zone, a light source part 3 of pseudo-sunlight in which a field is irradiated with pseudo-sunlight having a controlled green light in the set action time zone and an attraction part 4.例文帳に追加

害虫誘引照明システム1は、作物7を育成する圃場に自然光が照射されていない時間帯を動作時間帯として設定する設定部2と、設定された動作時間帯に圃場に対して緑色光が制限された擬似太陽光を照射する擬似太陽光源部3と、誘引部4とを備える。 - 特許庁

To provide a method for obtaining a salt-tolerant gene for inositol production by preparing salt tolerant L-myoinositol-1-phosphate synthase gene, and to provide a method for resulting ability of growing model crop plants in the presence of salt by gene transfer of a salt-tolerant L-myoinositol-1-phosphate synthase without deteriorating photosynthetic function by its functional expression.例文帳に追加

塩耐性L−ミオ−イノシトール−1−ホスフェートシンターゼ遺伝子を作製し、イノシトール生産のための塩耐性遺伝子を得る方法、モデル作物植物において塩耐性L−ミオイノシトール−1−ホスフェートシンターゼを遺伝子移入して、その機能的発現によって光合成の機能が減退することなく塩の存在下で生育する能力をもたらす方法を提供する。 - 特許庁

An oblong polyhedron such as an oblong rectangular parallelepiped or an oblong cylinder is used as a firming soil container for a vine, by renewing concept of a pot for plant cultivating soil body for common plants having properties of extending and growing their root downward, and directing a character that the roots of the vine principally extend horizontally at a constant depth.例文帳に追加

一般的な植物の根が下方向に伸びて成長するという性質の植物培養用土形体の鉢という概念を一新して、つる植物の根が主に一定の深さで横方向に長く伸びるという特性に着目し、培養土容器を横方向へ伸ばした横長直方体、横長円柱体という横長多面体を栽培用用土容器形体の特徴とした。 - 特許庁

This semiconductor substrate manufacturing method comprises a growth process for growing a second monocrystalline semiconductor 12 on a first monocrystalline semiconductor 10, a block layer formation process for forming a block layer 12a on the second monocrystalline semiconductor 12, and a stress relaxation process for producing a defective crystal 15 in a location deeper than the block layer 12, thus relaxing stress to the second monocrystalline semiconductor 12.例文帳に追加

半導体基板の製造方法は、第1単結晶半導体10の上に第2単結晶半導体12を成長させる成長工程と、第2単結晶半導体12に阻止層12aを形成する阻止層形成工程と、阻止層12aよりも深い部分に結晶欠陥15を発生させて第2単結晶半導体12に作用する応力を緩和する緩和工程とを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the cellulose electrode supporting the platinum nano-catalyst includes a first step for producing a plate-like cellulose sheet after the cellulose fiber is separated, a second step for growing the carbon nanotube on the produced cellulose sheet and a third step for supporting the platinum nano-catalyst on the cellulose sheet on which the carbon nanotube is grown.例文帳に追加

本発明の白金ナノ触媒が担持されたセルロース電極の製造方法 は、セルロース繊維を分離した後に板状のセルロース板を製造する第1段階と、製造されたセルロース板にカーボンナノチューブを成長させる第2段階と、カーボンナノチューブが成長したセルロース板に白金ナノ触媒を担持する第3段階とを含んでなる。 - 特許庁

The method for producing a nitride semiconductor comprises a step for preparing a silicon substrate 1 containing a group III element in the vicinity of the surface 1f, and a step for growing a first clad layer 2 as an oxide semiconductor containing gallium on the surface 1f of the silicon substrate 1 by supplying gallium and nitride to the surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

窒化物半導体の製造方法は、表面1f近傍に周期律表第IIIB族元素を含むシリコン基板1を準備する工程と、シリコン基板1の表面にガリウムと窒素とを供給してガリウムを含有する酸化物半導体としての第1のクラッド層2をシリコン基板1の表面1f上に成長させる工程とを備える。 - 特許庁

To provide a weaning food having well-balanced nutrients necessary in growing stage and suitable for the babies and infants suffered with food allergy by using a material having low allergenicity without using eggs, milk and soybean having high allergenicity and provide a method for the mass- production of a weaning food having excellent taste, flavor and palatability and effective for preventing the crisis of food allergy at a low cost.例文帳に追加

アレルゲンの高い卵、牛乳、大豆を使用せずアレルゲン性の低い素材を使用することにより、成長期に必要な栄養のバランスに優れ、食物アレルギーの乳幼児に適した離乳食の提供、及び風味、食味や食感に優れるとともに、食物アレルギーの発症を防ぎ経済性、量産性に優れる離乳食の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for producing a silver halide emulsion, in a process for forming silver halide grains in which at least part of nuclei forming and growing steps is carried out by forming silver halide grains in an external mixer and supplying the silver halide grains, the temperature of the grain formation for supply in the external mixer is10°C.例文帳に追加

外部混合器においてハロゲン化銀粒子を形成し、該ハロゲン化銀粒子を供給することにより、核形成および成長の工程のうち少なくとも一部を行うハロゲン化銀粒子の形成方法であって、該外部混合器での供給用粒子形成温度が10℃以下であるハロゲン化銀乳剤の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for detecting Lactobacillus heterohiochii in Sake, relating to a conventional method using the ATP bioluminescence method, by the use of neither a special filter for catching the bacteria, special medium for growing the bacteria nor a special bioluminescence image analytic system, and by the use of a general-purpose luminometer with no need of any high-level skill, intuition and experience.例文帳に追加

ATP生物発光法により火落菌を検出する方法の改良に係り、火落菌を捕捉するための特殊なフィルタ−、火落菌を増殖するための特殊な培地及び特殊な生物発光画像解析システム装置を利用することなく、しかも高度な熟練、勘及び経験を必要としない汎用型ルミノメ−タを用いて、非常に簡便に、酒類の火落菌を検出できる方法を提供する。 - 特許庁

This method comprises: an impurity fixation process for fixing an impurity 24a on the surface of a ground layer 10 exposed at least on the bottom of the concavity part 22; a VLS growth process for VLS-growing the conductive material using the ground layer 10 with the impurity 24a fixed and for implanting the conductive material in the whole concavity part.例文帳に追加

この方法は、凹部22の少なくとも底面に露出する下地層10の表面に不純物24aを定着させる不純物定着工程と、不純物24aが定着した下地層10を利用して導電材をVLS成長させて、凹部の全体に導電材を埋め込むVLS成長工程とを有する。 - 特許庁

Nitrogen is used for a carrier gas for growing the crystal of a well layer with a GaN/AlGaN or AlGaN/AlGaN quantum well structure and/or a substance including In is simultaneously supplied for the crystal growth so as to provide a compression strains to the well layer thereby controlling the magnitude and/or the sign of the quantum well structure.例文帳に追加

GaN/AlGaNまたはAlGaN/AlGaN量子井戸構造の井戸層の結晶成長において、キャリアガスとして窒素を使用すること、および/またはInを含む物質を同時供給することにより井戸層に圧縮性歪みを付与することにより、量子井戸構造の歪みの大きさおよび/または符号を制御する。 - 特許庁

To provide a mulching method for preventing water in the planting soil for tree from evaporating, supplying the water to the planted tree by forming dewfall on the surface of a mulching material, supplying nutrient elements required for growing the tree while preventing the damage caused by fertilizer at the time of transplantation by gradually leaching an organic material and the fertilizer components from the surface of the soil, and heightening the fertility of the planting soil.例文帳に追加

樹木の植栽土壌中の水分の蒸発を抑制し且つマルチング材表面で結露を発生させて植栽樹木に水分を供給し、且つ土壌表面から緩やかに有機物や肥料成分を溶脱させて定植時の肥料焼けを防ぎながら樹木の成育に必要な養分を供給すると共に植栽土壌の肥沃度を高めるマルチング方法の提供。 - 特許庁

A method for manufacturing the coil for a charged particle beam apparatus is characterized by forming a metal layer on a substrate for an electrode, then applying resist of 0.1 mm or thicker, removing the resist of the region on which the coil should be formed, by lithography, and growing metal on the region in which the resist has been removed, by electrocasting.例文帳に追加

荷電粒子線装置用のコイルの製造方法であり、基板上に電極用の金属層を形成し、その後、厚さが0.1mm以上のレジストを塗布し、コイルを形成すべき領域のレジストをリソグラフィーにより除去し、レジストが除去された領域に電鋳によって金属を成長させることを特徴とするコイルの製造方法である。 - 特許庁

A method for manufacturing a catalyst layer for a fuel cell includes: a step of growing carbon nanowalls from vapor on a substrate; a step of removing a carbon thin film formed on the carbon nanowalls; and a step of bearing and dispersing a catalyst component on the carbon nanowalls as a carrier for a catalyst layer.例文帳に追加

基板上にカーボンナノウォールを気相成長させる工程と、該カーボンナノウォールに形成されたカーボン薄膜を除去する工程と、該カーボンナノウォールを触媒層用担体として触媒成分を該触媒層用担体上に担持・分散させる工程とを含む燃料電池用触媒層の製造方法。 - 特許庁

Then, the individual electrodes 4 and the common electrodes 5 are extended through on the insulating film 7, and the ends constitute electrodes 6 for external connection being the electrodes for connection with external circuits, and these electrodes 6 for external connection are provided on the non-film growing sections of insulating film 7 on the semiconductor-uncovered face of the monocrystal substrate 1.例文帳に追加

そして、個別電極4と共通電極5を絶縁膜7上を通して延在して、その端部を外部回路との接続電極である外部接続用電極6と成し、この外部接続用電極6を単結晶基板1の非半導体被膜面上における絶縁膜7の非成膜部分に設けている。 - 特許庁

To provide a novel method for producing a diamond single crystal which is a method for growing a diamond single crystal by a vapor-phase synthesis process and by which a very-low-impurity-content high-quality diamond single crystal having a regular growth face can be produced relatively simply and which is effectively used as a synthesis method for a large-size diamond single crystal.例文帳に追加

気相合成法によってダイヤモンド単結晶を成長させる方法において、規則正しい成長面を有し、かつ不純物含有が非常に少ない高品質のダイヤモンド単結晶を比較的簡単な方法によって製造することが可能であり、大型ダイヤモンド単結晶の合成方法として有効に利用できる新規なダイヤモンド単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the metal fluoride body by growing a metal fluoride single crystal by a Czochralski method or a floating zone melting method, when the metal fluoride single crystal is grown, the method for manufacturing the metal fluoride body is characterized in that millimeter-wave heating is utilized in at least a part of heating means for melting the metal fluoride.例文帳に追加

チョクラルスキー法または浮遊帯域融解法で金属フッ化物単結晶を育成して金属フッ化物体を製造する方法において、前記金属フッ化物単結晶を育成する際、金属フッ化物を融解する加熱手段の少なくとも一部にミリ波加熱を用いることを特徴とする金属フッ化物体の製造方法。 - 特許庁

The method for detecting the purification ability of the plants for chlorinated organic compounds is characterized in that the plants which are not subjected to genetic manipulation for purifying the chlorinated organic compounds, and especially, which are polygonaceous or gramineous wild plants, are brought to grow in a growing environment where remazol brilliant blue R, bromophenol blue or guaiacol exists therein.例文帳に追加

有機塩素化合物を浄化する遺伝子操作を受けていない植物、特に野生のタデ科およびイネ科植物をレマゾールブリリアントブルーR、ブロモフェノールブルーまたはグアヤコールが存在する生育環境で生育させることを特徴とする植物の有機塩素化合物の浄化能を検知する方法。 - 特許庁

For the purpose of attaining a high integration of the flash memory to increase a coupling ratio of an interpolysilicon insulating film formed between polysilicons with use for floating and control gates, a second polysilicon film 18 for the floating gate is formed not by etching using a mask but by depositing a first polysilicon film 16 thereunder and selectively growing it.例文帳に追加

フラッシュメモリで高集積化を達成して、フローティングゲートとコントロールゲートに用いられるポリシリコンの間に構成されたインタポリ絶縁膜のカップリング比を高めるために、フローティングゲート用第2ポリシリコン膜18をマスクを用いた蝕刻で形成せずに、下部に第1ポリシリコン膜16を蒸着してこれを選択的に成長させ第2ポリシリコン膜を形成する。 - 特許庁

A step for forming a P type buried layer preceding a step for forming an N type epitaxial layer by growing an N type epitaxial layer is carried out for a portion where a scribe line is formed while masking that portion by a resist film 81A formed on an oxide film or by utilizing an oxide film 90A itself.例文帳に追加

N型エピタキシャル層を成長させて形成するN型エピタキシャル層形成工程より先に行うP型埋め込み層形成工程を、スクライブラインが形成される部分については、酸化膜上に形成したレジスト膜81Aによってマスキングをした状態で、或いは酸化膜自体90Aを利用してマスキングをした状態で行うようする。 - 特許庁

Continuing its descent since October 2009, the unemployment rate fell to 4.2% in September 2011. The rate began to rise again in October, however, and stood at 4.6% in January 2012. According to the Survey on SME Business Conditions, on the other hand, the employee overcapacity and insufficiency DI for SMEs was negative for all industries, driven by non-manufacturing, for the third quarter in a row since the third quarter of 2011, indicating that SMEs are feeling a growing sense of shortage (Fig. 1-1-23). 例文帳に追加

完全失業率は、2009 年10 月以降低下傾向が続き、2011 年9 月には4.2%まで低下したが、同年10 月には再び上昇に転じ、2012 年1 月には4.6%となっている。他方、中小企業景況調査によると、中小企業の従業員過不足DI は、非製造業が牽引し、全産業でも2011 年7-9 月期から3 四半期連続でマイナスとなり、不足感が強まっている(第1-1-23 図)。 - 経済産業省

例文

Marketing support will be strengthened in specific fields (e.g., services, foods, and the environment) in which Japanese knowledge, skills, and sense can be leveraged in association with the Cool Japan Campaign in order to cater to SMEsgrowing need for assistance with overseas business development in line with the “Framework for Supporting SMEs in Overseas Businessrevised in March 2012. At the same time, action will be taken to diversify sources of financing and enhance capital needed for overseas business development. 例文帳に追加

中小企業の更なる海外展開支援ニーズの高まりを受け、平成24 年3 月に改定した「中小企業海外展開支援大綱」を踏まえ、クール・ジャパンを活かしたサービス、食品、環境等、日本の知恵、技・感性を通じた業種別・分野別のマーケティング支援を強化するとともに、海外展開に要する資金調達の多様化・資本の充実化を進める。 - 経済産業省

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