「for Growing」に関連した英語例文の一覧と使い方(70ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a p-type nitride compound semiconductor, having characteristics of a low resistance according to a high hole concentration in a growing crystal, having no dry spots on the surface of the crystal and furthermore, not lowering mass productivity, a semiconductor wafer having a p-type nitride layer obtained by the method, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

成長結晶に高正孔濃度による低抵抗の特質が備わるとともに、結晶表面の荒れがなく、さらに、量産性を低めることのないｐ型窒化物系化合物半導体の製造方法と、これより得られるｐ型窒化物層を備えた半導体ウエハおよび半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

Water is preferentially distributed to paddy fields in a growing period of paddy-rice plant liable to be influenced by water shortage or to undamaged paddy fields and the amount of water per day to be distributed to the paddy fields from the day to fixed several days hereafter is planned so that the total amount of water does not exceed the total amount of water for total irrigation which can be taken from a fountainhead 101.例文帳に追加

水不足の影響を受けやすい水稲生育時期の水田に対して、または未被害の水田に対して優先的に水配分を行うようにし、その総和が水源池１０１から取水可能な総灌漑用水量を超えないように、各水田への当日から所定日数先までの日水配分量を計画する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a good quality silicon carbide (SiC) single crystal at a high growth rate by using a relatively easily available raw material so as to realize mass production, in the manufacturing of the SiC single crystal by a solution growth method, comprising growing the SiC single crystal on a seed crystal substrate from a solution obtained by dissolving SiC into a solvent comprising a molten Si alloy.例文帳に追加

融解したＳｉ合金の溶媒中にＳｉＣ（炭化珪素）が溶解した溶液から種結晶基板上にＳｉＣ単結晶を成長させる溶液成長法によるＳｉＣ単結晶の製造において、量産化を実現するため、比較的容易に入手できる原料を用いて、良質の炭化珪素単結晶を高い成長速度で安定して製造できる方法を提供する。 - 特許庁

The apparatus of growing the biopolymer crystal is provided with a chip for crystal growth that consists of a reservoir cell 16 which reserves a liquid drop containing the biopolymer, the chip body 12 to which the opening 18 is attached, and the crystallization promoter 14 which is freely attached to or detached from the reservoir cell 16 and immersed partly in the liquid drop in the reservoir cell 16.例文帳に追加

生体高分子を含む溶液の液滴を保持する溶液保持セル１６と開口部１８とが形設されたチップ本体１２と、溶液保持セルに着脱自在に取り付けられ溶液保持セル上に保持される溶液の液滴中に一部が浸漬される晶析推進部材１４とから構成される結晶成長用チップ１０を備えた。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single crystal by which the efficiency of additionally filling work of a polycrystalline raw material can be improved in a multi-pooling method, and the weight measurement of a single crystal rod, which have been required due to that the growing single crystal rod is made large in diameter and heavy in weight recently, can easily and inexpensively be automated and mechanized.例文帳に追加

マルチプーリング法における多結晶原料の追加充填作業の効率化を可能とし、また、近年の育成単結晶棒の大口径化、大重量化にともない必要となった単結晶棒の重量測定の自動化、機械化を、簡単かつ安価で可能とする単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The plant growing device is provided with: at least two planar substrates which each have, in the center, a holding part for holding a plant; and an elastic member which connects between the substrates to be elastic in at least one direction horizontal to the surface of the substrate, can change the interval between the substrates, and can maintain the interval.例文帳に追加

実施形態の植物育成装置は、それぞれの中央に植物を保持する保持部を有する少なくとも２つの平板状の基板と、前記基板間を前記基板の面内に水平な少なくとも一方向に伸縮可能で接続し、前記基板間の間隔を可変できるとともに、当該間隔を保持可能な伸縮部材とを備える。 - 特許庁

The method for manufacturing the single crystal comprises introducing an atmospheric gas (g) into a crucible 100 and, growing a single crystal plate 40 by sublimating the crystal material 20, wherein the gas stream in the crucible is controlled by forming the gas discharge port 130 side of the crucible with a gas-permeable porous material, whereby it is possible to efficiently performing deposition/growth of a crystal material gas.例文帳に追加

かゝる本発明は、るつぼ１００内に雰囲気ガスｇを導入すると共に、結晶材料２０を昇華させて単結晶板４０を成長させる単結晶の製造方法において、るつぼのガス排出口１３０側をガス透過性の多孔質材で形成して、るつぼ内のガス流制御を行う単結晶の製造方法にあり、これによって、結晶材料ガスの析出・成長を効率よく行うことができる。 - 特許庁

The method for growing a GaN crystal (5) comprises dissolving high pressure nitrogen-containing gas (4) in a Ga solvent (3) to grow the crystal in a region on the surface of a substrate (2) in contact with the Ga solvent, wherein the GaN crystal is grown in an environment where the pressure of the nitrogen-containing gas varies within a range from 0.1 to 20%.例文帳に追加

高圧の窒素含有ガス（４）をＧａ溶媒（３）に溶解させ、基板（２）表面上でＧａ溶媒が接する領域にＧａＮ結晶（５）を成長させる方法において、窒素含有ガスの圧力が０．１〜２０％の範囲内で変動する環境下でＧａＮ結晶を成長させることを特徴としている。 - 特許庁

The photomask 1 for transferring a mask pattern on a substrate, by having a mask pattern forming region 4 irradiated with ultraviolet rays 10, is provided with an evaluation pattern 12 having recesses 15-17 forming the same kind of growth substance as the contamination growing by the ultraviolet rays in the mask pattern formation region 4, on at least any one face from among a mask pattern formation surface 8 and its backside 9.例文帳に追加

マスクパターン形成領域４に紫外線１０を照射して、当該マスクパターンを基板に転写するフォトマスク１において、マスクパターン形成面８及びその裏面９のうち、少なくともいずれか１つの面に、マスクパターン形成領域４で紫外線により成長する異物と同種の成長性物質が形成された窪み１５〜１７を有する評価パターン１２を設ける。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device comprises a process of preparing an underlayer structure having a silicon carbide layer covering copper wiring, and a process of growing silicon oxycarbide through vapor phase growth by using tetramethylcyclotetrasiloxane, carbon dioxide, and oxygen at a flow rate of 3% or less to the flow rate of the carbon dioxide as source gases.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、銅配線を覆うシリコンカーバイド層を有する下地構造を準備する工程と、前記下地構造上に、ソースガスとして、テトラメチルシクロテトラシロキサン、炭酸ガス、炭酸ガスの流量に対して３％以下の流量の酸素を用い、気相成長でシリコンオキシカーバイドを成長する工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a method by which a surface oxide film formed on a semiconductor layer made of InGaAs or InGaAsP is effectively removed to form a clean flat surface and at the same time to form a semiconductor layer for relieving lattice distortion to relieve accumulated distortion at a growing interface and then a III-V group compound semiconductor layer having less defects and good crystallinity is regrown.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓもしくはＩｎＧａＡｓＰよりなる半導体層上に形成されている表面酸化膜を効果的に除去し、清浄で平坦な表面を形成すると同時に、格子歪みを緩和する半導体層を形成させて、成長界面に歪みの蓄積がなく、再成長膜に欠陥の発生の少ない結晶性の良好なIII−Ｖ族化合物半導体膜を再成長する方法を提供する。 - 特許庁

In the vapor phase growth apparatus for placing a plurality of substrates on a rotary susceptor within a reactor and growing a thin film on each substrate by vapor phase growth, calculation is carried out over continuously measured temperature data with use of a substrate phase calculated from the rotational speed of the rotary susceptor and a placed substrate position to extract only the temperature of each substrate.例文帳に追加

反応炉内の回転式サセプタ上に複数の基板を設置して各基板上に薄膜を気相成長させる気相成長装置において、連続して測定された温度データに対し、回転式サセプタの回転数および基板設置位置から算出される基板位相を用いて演算を行い、各基板の温度のみ抽出する。 - 特許庁

This method for producing the zeolite film comprises subjecting a slurry containing seed crystals to crossflow filtration by an alumina porous supporter having 1 μm average pore diameter to make the porous supporter carry a seed crystal layer having 6 μm thickness in the interior of the pore or the surface of the supporter, and growing the seed crystal in the seed crystal layer by hydrothermal synthesis to provide the objective zeolite film having 7 μm thickness.例文帳に追加

種結晶を含有するスラリーを平均細孔径１μｍのアルミナ多孔質支持体でクロスフロー濾過して前記多孔質支持体の細孔内部あるいは表面に厚さ６μｍの種結晶層を担持して、前記種結晶層の種結晶を水熱合成により成長させて厚さ７μｍのゼオライト膜を製膜するゼオライト膜製膜方法。 - 特許庁

Such a high quality state that the dislocation density is about 5×10^8/cm^2, drastically reduced in comparison with that (1×10^10/cm^2) of a conventionally obtained GaN layer on a silicon substrate can be attained by forming the GaN layer on the substrate for growing the nitride semiconductor, having such a constitution, by an organic metal vapor phase epitaxy method.例文帳に追加

この構成とした窒化物半導体成長用基板の上に、有機金属気相成長法によりＧａＮ層を形成すれば、転位密度が５×１０^8ｃｍ^-2程度と、従来より得られているシリコン基板上のＧａＮ層の１×１０^10ｃｍ^-2に比較し、転位密度が大幅に減少して高品位な状態となる。 - 特許庁

The Cs resource includes the Cs component, the ratio (mol%) of the Cs component is set greater than the ratio (mol%) of the Cs component in the raw material composition for growing the raw material crystal, and the heating temperature in a heat treatment process is a temperature in which Cs vaporizes from the Cs resource and a temperature lower than that at which a weight decrease in the cesium boric acid compound crystal is generated.例文帳に追加

Ｃｓ供給源は、Ｃｓ成分を含み、そのＣｓ成分の割合（ｍｏｌ％）が、原料結晶を育成するための原料組成物におけるＣｓ成分の割合（ｍｏｌ％）よりも大きく設定し、加熱処理工程における加熱温度は、Ｃｓ供給源からＣｓが蒸発する温度であり、且つ、セシウムホウ酸化合物結晶に重量減少が発生する温度未満とする。 - 特許庁

In the method of manufacturing silicon carbide single crystal, the supply of a raw material gas is once stopped on the way of the growth of a silicon carbide single crystal 22, and the growing surface temperature of the silicon carbide single crystal 22 is measured with a pyrometer 30 through a pipe 10 for supplying the raw material gas to a silicon carbide single crystal substrate 8, while making argon gas flow there.例文帳に追加

炭化珪素単結晶２２の成長途中に原料ガスの供給を一旦停止するとともにアルゴンガスを流しながら、炭化珪素単結晶２２の成長表面温度を原料ガスの炭化珪素単結晶基板８への供給用の管１０を通してパイロメータ３０で測定する。 - 特許庁

A GaN crystal thin film (especially GaN crystal thin film) 1 of thickness 100 μm or less which is formed as an independent thin film by a solution growth method, or the like, is jointed onto a substrate 2, to provide a crystal growth base material comprising one surface 1b of the thin film as a start surface for growing GaN crystal, on which the GaN crystal is grown.例文帳に追加

溶液成長方法等によって単独の薄膜として形成された厚さ１００μｍ以下のＧａＮ系結晶薄膜（特にＧａＮ結晶薄膜）１を、基板２上に接合し、該薄膜の一方の面１ｂをＧａＮ系結晶を成長させるための出発面として有する結晶成長用基材を得、その上にＧａＮ系結晶を成長させる。 - 特許庁

To provide a production apparatus and production method for uniformizing the temperature distribution in a horizontal direction of a molten raw material in a square crucible or the like in a production method of a plate-like crystal, comprising dipping a substrate into a raw material melt controlled to a low temperature close to the solidification point and growing a thin plate-like crystal on the substrate.例文帳に追加

凝固点近傍の低い温度に制御した原料融液に基板を浸漬し、基板上に薄板状の結晶を成長させる板状結晶の製造方法において、角型ルツボなどにおける溶融原料の水平方向における温度分布を均一化するための製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁

The granulating apparatus for Konpeito-like granules is provided with the inclined rotating pan rounding the bottom corner, a driving device driving the inclined rotating pan, a powder supplying means filling powder in the inclined rotating pan, a nozzle capable of centering the spraying of water at least at the time of the granule growing process in the inclined rotating pan, and a scraper.例文帳に追加

コンペイ糖状粒体の造粒装置は、底部隅をアールとした傾斜回転パンと、この傾斜回転パンを駆動する駆動装置と、傾斜回転パン内に粉体を充填する粉体供給手段と、傾斜回転パンの内部に少なくとも粒体成長工程時に一点に集中して水を吹付け可能なノズルと、スクレーパとを備える。 - 特許庁

The process for growing the III-V compound semiconductor layer 5 comprises processes of: heating the substrate 1 so that the temperature of the substrate 1 becomes a value Tsub (2) which is higher than the first value Tsub (1) at formation start time of the III-V compound semiconductor layer 5; and lowering the temperature of the substrate 1 as the III-V compound semiconductor layer 5 grows.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体層５を成長させる工程は、III−Ｖ族化合物半導体層５の成長開始時に、基板１の温度が第１の値Ｔｓｕｂ（１）よりも高い第２の値Ｔｓｕｂ（２）になるように基板１を加熱する工程と、III−Ｖ族化合物半導体層５の成長と共に、基板１の温度を低下させる工程とを含む。 - 特許庁

This method for growing the nitride crystal is characterized in that the method is to grow the nitride crystal on a zincblende type crystal substrate according to a molecular beam epitaxial method and comprises a step of feeding a nitrogen raw material from the direction at 0-45° from the [111] A direction of the zincblende type crystal substrate onto the zincblende type crystal substrate or a layer formed on the substrate.例文帳に追加

分子線エピタキシー法により閃亜鉛鉱型結晶基板上に窒化物結晶を成長させる方法であって、前記閃亜鉛鉱型結晶基板の［１１１］Ａ方向から０〜４５度の角度をなす方向から、窒素原料を前記閃亜鉛鉱型結晶基板上ないし該基板上に形成された層の上に供給する工程を含むことを特徴とする窒化物結晶の成長方法。 - 特許庁

The dispersibility of the fine powder and the viscous material of the product having well stabilized homogeneity are improved by the use of a high-viscosity polyethylene glycol-240, sodium hyaluronate or the like, and the content of the tourmaline fine powder can be reduced to 2-7 pts.wt. by adding an essence of Panax ginseng and an essence of Swertia japonica for enhancement of the hair-growing effects.例文帳に追加

さらには、高粘性のポリエチレングリコ−ル−２４０とヒアルロン酸ナトリウムなどの使用により微粉末の分散性、均一性の良い安定化した製品粘性状物の改良を施したこと、 また、育毛効果の増強にオタネニンジンエキスとセンブリエキスを添加しトルマリン微粉末２〜７重量部とすることが出来た。 - 特許庁

The method of manufacturing the catalyst layer for the fuel cell comprises a process of growing a carbonaceous porous material as a carrier of a catalyst layer having a nano-sized structure like carbon nano-wall (CNW), by vapor deposition; and a process of making the catalytic component and/or the electrolyte component to be carried/dispersed on the carrier of the catalyst layer.例文帳に追加

触媒層用担体としてカーボンナノウォール（ＣＮＷ）等のナノサイズ構造を有する炭素系多孔性材料を気相成長させる工程と、触媒成分及び／又は電解質成分を該触媒層用担体上に担持・分散させる工程とを含む燃料電池用触媒層の製造方法。 - 特許庁

To provide a shelf unit for indoor cultivation to which a biasing member upwardly biasing a lighting device in good balance to prevent the lighting device from getting warped, and which is facilitated in varying the space between the lighting device and a shelf board where plants are placed, when the growing condition of the plants changes or other plants different from the existing ones are cultivated.例文帳に追加

照明装置をバランスよく上側に付勢する付勢部材を設けることによって、照明装置の撓みを防止することができるとともに、植物の成状態が変化した場合や異なる植物を栽培する場合に、植物を載置した棚板と照明装置の間隔を容易に変更できる、屋内栽培用棚ユニットを提供する。 - 特許庁

When the single crystal 4 is pulled from a silicon melt 3 by using the regenerated quartz crucible 1a subjected to the regeneration treatment after being used for growing a silicon single crystal by a CZ method, BaCO_3 powder is added to a silicon raw material in the quartz crucible in an amount of 1-70 ppm by mass based on the silicon raw material.例文帳に追加

ＣＺ法によるシリコン単結晶の育成に使用した後、再生処理を施した再生石英ルツボ１ａを用い、シリコン溶融液３から単結晶４を引き上げるに際し、石英ルツボ内のシリコン原料に、ＢａＣＯ_3粉末を、シリコン原料に対する質量比で、１〜７０ｐｐｍ添加する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor stacked structure which can improve the performance and reliability of a light emitting element or electron traveling element having n-type gallium nitride compound semiconductor layers without degrading the surface flatness and crystallinity of the compound semiconductor layers even when the concentrations of an n-type impurity in the semiconductor layers are increased, a semiconductor device provided with the structure, and a method for growing crystal.例文帳に追加

ｎ型不純物濃度を増加させた場合においてもｎ型窒化ガリウム系化合物半導体の表面平坦性や結晶性を損なうことが無く、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層を有する発光素子や電子走行素子を高性能化、高信頼化することができる半導体積層構造とそれを備えた半導体素子及び結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing carbon nanotubes includes the processes of: preparing a substrate tilted in a one-dimensional or two-dimensional direction from a specified crystallographic orientation with high symmetry; vapor-depositing a catalyst metal along the atomic steps appearing on the substrate surface; and growing carbon nanotubes by chemical vapor deposition (CVD) on the catalyst metal as nuclei.例文帳に追加

特定の対称性の高い結晶方位から１次元方向又は２次元方向に傾いた基板を用意し、その基板表面に現れる原子ステップに沿って触媒金属を蒸着する工程と、その触媒金属を核としてカーボンナノチューブをケミカルベーパーデポジション（ＣＶＤ）成長させる工程を含む、カーボンナノチューブの製造方法。 - 特許庁

(2) The single crystal pulling device for growing a single crystal 10 by the CZ method from a melt 5 in the crucible 2 is equipped with a heater 1 incorporated therein which is concentrically disposed outside the crucible 2, and heats the raw material supplied into the crucible 2 and retaining the material in a melt state.例文帳に追加

（２）ルツボ２の外側に同心円状に配置され、ルツボ２内に供給される原料を加熱して溶融状態に保持するためのヒーター１を備え、ルツボ２内の溶融液５からＣＺ法により単結晶１０を育成する単結晶引上げ装置であって、ヒーター１が組み込まれている引上げ装置である。 - 特許庁

The method of manufacturing the GaN single crystal substrate comprises an ingot forming step of forming an ingot 64 of a GaN single crystal by growing an epitaxial layer 62 comprising a hexagonal GaN on a GaN single crystal being a seed crystal and a cutting step for cutting the formed ingot 64 into a plurality of sheets.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶基板の製造方法は、ＧａＮ単結晶を種結晶として当該ＧａＮ単結晶の上に六方晶のＧａＮからなるエピタキシャル層６２を成長させて、ＧａＮ単結晶のインゴット６４を形成するインゴット形成工程と、インゴット６４を複数枚に切断する切断工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for growing a high quality gallium nitride semiconductor having composition of InxGayal1-x-yN(0<x≤1, 0≤y≤1) over a long term using a carrier gas having high mixing ratio of nitrogen by reducing contamination of organic metal compound due to nitrogen gas carrier having lower purity than hydrogen.例文帳に追加

高い窒素混合率のキャリアガスによる成長において、水素に比較して純度の悪い窒素キャリアガスによる有機金属化合物の汚染を低減し、高品質のＩｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-yＮ（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１）よりなる窒化ガリウム系化合物半導体の成長を長期に渡って可能な製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To prevent the ice growing from washer nozzles from entering into the view angle of a television camera at the time of freezing in a winter by arranging the washer nozzles in the obliquely upper position or obliquely lower position of protection glass in the washer nozzles jetting washer liquid to the protection glass of a housing for television camera.例文帳に追加

テレビカメラ用ハウジング１０の保護ガラス２４にウォッシャー液を噴射するウォッシャーノズル２８、３０において、ウォッシャーノズル２８、３０を保護ガラス２４の斜め上方位置、又は斜め下方位置に配置することにより、冬期凍結時にウォッシャーノズル２８、３０から成長する氷がテレビカメラの画角に浸入するのを防止する。 - 特許庁

The method for producing a cuprous oxide particle comprises pouring a solution containing a cuprous oxide raw material and a dispersant into an agitating apparatus, thereafter pouring a solution containing a compound having reduction actions into the agitating apparatus, and growing the cuprous oxide crystal by agitating and mixing the solution.例文帳に追加

酸化第一銅原料及び分散剤を含有する溶液を撹拌装置中に注入した後、還元作用を有する化合物を含有する溶液を前記撹拌装置中に注入し、撹拌混合させて酸化第一銅結晶を成長させる酸化第一銅粒子の成長工程を含む酸化第一銅粒子の製造方法である。 - 特許庁

The device for manufacturing semiconductor single crystal 50 is making pull up, grow, and manufacture a semiconductor single crystal 3 from a molten liquid of a row material by Czochralski method, while heating the molten liquid of the row material 4 in the crucible 12 with the heater 7 arranged around the crucible 12 in a main body of growing furnace 1.例文帳に追加

半導体単結晶の製造装置５０は、育成炉本体１内においてルツボ１２の周囲に配置された加熱ヒータ７により該ルツボ１２内の原料融液４を加熱しつつ、該原料融液４からチョクラルスキー法により半導体単結晶３を引上育成・製造するためのものである。 - 特許庁

To provide a mushroom cultivation vessel capable of preventing the depletion of nutrient and water from culture medium caused by the penetration of outer light to the medium inside of the side wall of the mushroom cultivation vessel other than the part for sprouting the mushroom and the resulting activation of the mycelium of mushroom growing in the medium inside of the side wall of the vessel.例文帳に追加

きのこを発芽させるべき培地部分以外のきのこ栽培用の容器の側壁内側の培地に容器外部の光が侵入して、その容器の側壁内側の培地で生育中のきのこの菌糸が、活性化して、培地から栄養分や水分を奪い取ってしまうのを防ぐことのできるきのこ栽培用の容器を得る。 - 特許庁

There is also provided a method and structure for isolating the regions by providing a trench in an active area of a substrate, growing an epitaxial layer in the trench to completely fill the trench or to partially fill the trench, and depositing an insulating material over the epitaxial layer and within the trench, to completely fill the trench.例文帳に追加

基板の能動領域内に溝を設け、この溝内にエピタキシャル層を成長させてこの溝を完全に充填するか、又は部分的に充填して、エピタキシャル層上及び溝内に絶縁材料を堆積して溝を完全に充填することにより、領域を互いに分離する方法及び装置をも提供する。 - 特許庁

A crystalline oxide semiconductor film is formed without plural steps by preferentially depositing zinc having a smaller atomic weight on an oxide insulating film to form a seed crystal containing zinc as well as growing crystal of tin, indium and the like having a larger atomic weight on the seed crystal by use of difference in atomic weight between plural kinds of atoms included in a target for the oxide semiconductor film.例文帳に追加

酸化物半導体用ターゲットに含まれる複数種の原子の原子量の違いを利用し、原子量の小さい亜鉛を優先的に酸化物絶縁膜に堆積させ、亜鉛を含む種結晶を形成すると共に、種結晶上に原子量の大きいスズ、インジウム等を結晶成長させつつ堆積させることで、複数の工程を経ずとも、結晶性酸化物半導体膜を形成することを要旨とする。 - 特許庁

In this method, the vegetation mat containing vegetation base soil optimum for growing plants and seeds of waterside plants is secured, from the earth and rubber sheet side, to the bare slope in the water level fluctuating area along the lake shore line and the small reservoirs covered with rubber sheet to prevent erosion and promote the regeneration of natural scenery.例文帳に追加

湖沼岸線の水位変動域の裸地法面やゴムシートで覆われた溜池等に植物の生育に最適な植生基盤土と水際植物の種子を内封した植生マット体を地山及びゴムシート側から植生マット体を固定し、浸食防止と自然景観の再生促進を可能とする水辺緑化工法。 - 特許庁

The method for producing an anti-HIV-1 agent-screening system includes suppression of cell proliferation by culturing M-CSF dependently growing macrophage-based cells expressing an M-CSF receptor and an Nef-ER fused protein in which HIV-1 Nefprotein is fused with an estrogen receptor hormone binding domain in the presence of an estrogen derivative and M-CSF.例文帳に追加

M-CSF受容体、及びHIV-1 Nef蛋白質とエストロゲン受容体のホルモン結合領域を融合させたNef-ER融合蛋白質を発現し、M-CSF依存性に増殖するマクロファージ系細胞を、エストロゲン誘導体及びM-CSFの存在下で培養して、細胞増殖を抑制させることを含む、抗HIV-1薬剤のスクリーニング系の製造方法。 - 特許庁

The invention relates to the method for changing characteristics of vegetable fibers comprising a process obtaining a transformant by transducing one or a plurality of monomer supplying enzyme genes, and a polymerase gene synthesizing a polymer from the synthesized monomer into a chromosome in a functionable form and a process growing the transformant obtained in the above mentioned process to a plant.例文帳に追加

１又は複数のモノマー供給系酵素遺伝子と、合成されたモノマーから高分子化合物を合成する重合酵素遺伝子とを、機能しうるかたちで染色体に導入して形質転換体を得る工程と、 上記工程で得た形質転換体を植物体に成長させる工程とを含む植物繊維の特性を変える方法。 - 特許庁

The growing step includes a first supplying step of supplying Be for use as a p-type impurity to the p-type semiconductor layer 11 and a second supply step of supplying at least one kind of group VI element out of S, Se, and Te having the amount smaller than that of Be supplied in the first supplying step to the p-type semiconductor layer 11.例文帳に追加

成長工程は、ｐ型不純物１０としてのＢｅをｐ型半導体層１１に供給する第１供給工程と、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅの少なくともいずれか１種のＶＩ族元素を、第１供給工程で供給されるＢｅよりも少ない量で、ｐ型半導体層１１に供給する第２供給工程とを含んでいる。 - 特許庁

The member P for increasing seaweed is provided with a member body 1 growing the seaweeds and making the seaweeds take roots, and a pedestal member 2 holding the member body 1 on the sea bottom: wherein a gap g is formed between the vicinity of the outer periphery r of the member body 1 and the pedestal member 2.例文帳に追加

藻類を育成し活着させ得る藻類増殖部材本体１と、この藻類増殖部材本体１を海底に保持し得る台座部材２とを具備してなる藻類増殖部材Ｐであって、前記藻類増殖部材本体１の外周縁ｒ近傍と前記台座部材２との間に隙間ｇを形成してなるものとした。 - 特許庁

The holder 20 for growing mushroom attached to the bottle port 13 of a mushroom cultivation bottle 10 has a short cylindrical ring member 21 as a holder body, a plurality of projections 22 provided on the internal circumferential wall of the ring member and a pair of flange-shaped projecting parts 23 and 24 projectedly disposed from the external circumferential wall of both the ends of the ring member.例文帳に追加

キノコ栽培瓶１０の瓶口部１３に装着されるキノコ生育用ホルダー２０は、ホルダー本体部としての短円筒状リング部材２１と、リング部材の内周壁に設けられた複数の突起２２と、リング部材の両端部においてその外周壁から突設された一対の鍔状凸部２３，２４とを備える。 - 特許庁

This method for differentiating growing and suppressing mechanism of hair comprises differentiating the mechanism by using behavior of mRNA encoding aFGF(acidic fibroblast growth factor) from resting stage of hair cycle to transfer stage as index and using a differentiating agent of hair- related cell comprising labeled RNA and/or labeled RNA fragment having a base sequence of antisense in mRNA encoding aFGF.例文帳に追加

ａＦＧＦ（酸性線維芽細胞増殖因子）をコードしたｍＲＮＡにアンチセンスの塩基配列を有する標識ＲＮＡ及び／又は標識ＲＮＡ断片からなる毛関係細胞の鑑別剤を用いて、毛周期の休止期から移行期へのａＦＧＦをコードしたｍＲＮＡの挙動を指標とし鑑別する。 - 特許庁

This method for producing the carbon nanotube comprises forming a thin film of a catalyst metal on the substrate, carrying out a pretreatment of heating the thin film at 600-1,000°C under a reduced pressure of ≤1×10^-4 Torr, and growing the carbon nanotube vertically oriented on the substrate by a plasma CVD process.例文帳に追加

本発明は、基板上に触媒金属の薄膜を形成し、これを１×１０^−４トール以下の減圧下で、６００〜１０００℃に加熱する前処理を行ったのち、プラズマＣＶＤ法により、基板上にカーボンナノチューブを垂直配向させて成長させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法である。 - 特許庁

To provide a porous substrate used as a base substrate for growing GaN crystals, which enables epitaxial growth of GaN single crystals through a conventional crystal-growth process but with a smaller defect density than that of a conventional one, a substrate onto which a GaN semiconductor is mounted and their manufacturing processes.例文帳に追加

従来の結晶成長方法がそのまま適用可能で、かつ従来よりも大幅に欠陥密度の少ないＧａＮ単結晶のエピタキシャル成長を可能とするＧａＮ結晶成長用下地基板としての多孔質基板とその製造方法、ＧａＮ系半導体積層基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁