「gas defect」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To suppress formation of a void as a connection defect caused by trapping of a gas in a connection layer by eliminating the need of working, such as, grooving on the reverse surface of a semiconductor element, even when a semiconductor is connected using a conductive adhesive producing an extremely large amount of gas.例文帳に追加

ガスの発生がきわめて多量な導電性接着剤を用いて半導体素子の接続を行う場合においても、半導体素子の裏面に溝加工などの加工を不要とし、接続層内部にガスがトラップされることにより形成される接続欠陥としてのボイドの発生を抑制することである。 - 特許庁

In other words, once the entrainment defect that has occurred in the cavity element is detected as a closed region surrounded by a mold element or the like and the amount of the gas contained inside is made to correspond to the closed region, the amount of the gas trapped in the closed region can be maintained even during the analysis.例文帳に追加

つまり、一度、キャビティ要素内で発生した巻き込み欠陥を型要素等で囲繞された閉領域として検出し、内部に含まれる気体の量をその閉領域に対応づけることで、閉領域内に閉じこめられた気体の量を解析中も保持することができる。 - 特許庁

To provide a method for preventing the clogging of a nozzle for continuous casting by which the sticking of inclusion in molten steel on the inner wall of the nozzle can reliably be prevented by reducing gas injection rate from the inner wall of the nozzle to such a degree as to prevent a defect caused by gas bubbles.例文帳に追加

本発明は、気泡系欠陥を防止できる程度までノズル内壁からのガス吹き込み流量を低減した上で、溶鋼中介在物のノズル内壁への付着を確実に防止できる連続鋳造用ノズルの閉塞防止方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To make high-quality correction of a defect possible even in a fine region where an etching gas or a source gas of a light-shielding film can not be efficiently supplied, without causing decrease in transmittance due to a Ga stain or changes in physical properties due to changes in the element content of the light-shielding film.例文帳に追加

エッチングガスや遮光膜原料ガスを効率的に供給できない微細領域でもＧａステインによる透過率の低下や遮光膜の元素含有量の変化による物性の変化が起こらない高品位な欠陥修正を可能にする。 - 特許庁

To suppress formation of a void as a connection defect caused by trapping of a gas in a connection layer by eliminating the need of working, such as, grooving on the reverse surface of a semiconductor element, even when a semiconductor is connected using a conductive adhesive producing a very large amount of gas.例文帳に追加

ガスの発生がきわめて多量な導電性接着剤を用いて半導体素子の接続を行う場合においても、半導体素子の裏面に溝加工などの加工を不要とし、接続層内部にガスがトラップされることにより形成される接続欠陥としてのボイドの発生を抑制することである。 - 特許庁

To prevent occurrence of any surface defect on a plated steel plate by the increasing effect of the pressure or the flow rate of gas blown to a steel strip by a gas wiping device even when the traveling speed of the steel strip is increased, and to effectively suppress any increase in apparatus cost.例文帳に追加

鋼帯の走行速度が速くなっても、ガスワイピング装置により鋼帯に吹き付けられるガスの圧力又は流量の増加の影響によりめっき鋼板に表面欠陥が生じることを防止し、かつ設備コストの増加を効果的に抑制する。 - 特許庁

To provide a gas compression apparatus and a method with noise attenuation therefor wherein noise produced at gas compression is reduced, and thereby vibration is suppressed and a structural defect is prevented.例文帳に追加

本発明はガス圧縮装置およびそのノイズ減衰化方法に関し、ガス圧縮の際に発生するノイズを低下させ、かつ該ノイズを低下させることによって振動を抑制し構造的な欠陥の防止を図ることができるガス圧縮装置およびそのノイズ減衰化方法を提供することである。 - 特許庁

The defect detection portion 32 determines detection of defect of these sensors 24, 26 in case, when the fuel gas flow channels 14 each on the upstream side and the downstream side of the pressure reducing valve 20 for high pressure are communicated with each other through the bypass passage 28 by opening the bypass valve 30, a difference of pressure detection values detected by the first and second pressure sensors 24, 26 exceeds a predetermined value.例文帳に追加

異常検出部３２は、バイパス弁３０の開弁によりバイパス路２８を通じて高圧用減圧弁２０の上流側と下流側の燃料ガス流路１４を連通させたときに、第１及び第２圧力センサ２４，２６により検出される圧力の検出値の差が所定値以上の場合、これらのセンサ２４，２６の異常を検出する。 - 特許庁

A micromachining apparatus is used, which includes an AFM having a plurality of independently actuatable probes and uses an electron beam or a helium ion beam produced by a gas field ion source; wherein an isolating pattern 9 including a defect is grounded by bringing the conducting probe 6 into contact with the pattern, and then an opaque defect 8 is corrected while preventing charge-up by the electron beam 1.例文帳に追加

独立に駆動できる複数の探針を有するAFMを付加した電子ビームまたはガスフィールドイオン源から発生するヘリウムイオンビーム微細加工装置で、導電性探針6を接触させることで欠陥を含む孤立したパターン9を接地して、電子ビーム1によるチャージアップを防止しながら黒欠陥8を修正する。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus and an image forming method which is improved, in terms of an image defect, such as, image deletion caused by activated gas, such as, NOx and ozone, especially for providing an image forming apparatus and an image forming method improved, in terms of an image defect such as image deletion which is apt to occur, immediately under an electrification pole.例文帳に追加

本願発明の目的は、ＮＯｘやオゾン等の活性ガスによる画像流れ等の画像欠陥を改善した画像形成装置、画像形成方法を提供することであり、特に、帯電極直下で発生しやすい画像流れ等の画像欠陥を改善した画像形成装置、画像形成方法を提供すること。 - 特許庁

An organic layer forming part 110 forming an organic layer, a second electrode forming part 120 forming a boundary layer and a second electrode, and a defect inspection part 130 inspecting defect in vacuum or in an inert gas atmosphere are combined through a middle chamber 140 and a base plate transferring mechanism 160 without being exposed in the air.例文帳に追加

有機層を形成する有機層成膜部１１０と、界面層および第２電極を形成する第２電極成膜部１２０と、真空中あるいは不活性ガス雰囲気中で欠陥検査を行う欠陥検査部１３０とが、中間室１４０および基板授受機構１６０を介して大気開放せずに結合されている。 - 特許庁

To provide a method of a heat treatment capable of reducing the face roughness on a wafer surface, notably generated especially in the periphery of the wafer in the high temperature anealing for reduction of void defect performed in hydrogen gas, an inert gas such as argon, or alternatively thereof mixing gas.例文帳に追加

水素ガスまたはアルゴンなどの不活性ガス中、あるいはその混合ガス中で行われるボイド性欠陥の低減のための高温熱処理において、ウェーハ表面に面荒れが発生し易い問題、特にウェーハの外周部に顕著に発生する面荒れを低減できる半導体ウェーハの熱処理方法の提供。 - 特許庁

When the defect on the above substrate is repaired by supplying gas for evaporating to the substrate and irradiating to a fixed part on the above substrate with a laser beam, supplying more than the fixed amount of gas for evaporating from a fixed zap gas introducing nozzle from obliquely above the fixed part on the substrate works to prevent the attachment of the particulates on the substrate.例文帳に追加

蒸散用ガスを基板面へ供給し、レーザ光を該基板面上の所定部に照射し、該基板上の欠陥を修正する場合、蒸散用ガスを専用のザップガス導入ノズルから基板面上の所定部の斜め上方から所定量以上供給し、微粒子が基板面に付着することを防止する。 - 特許庁

A holding means holds a processed surface of a substrate downward, a film is formed by spraying a gas supplied from a gas supplying means through a gas introduction means on the laser irradiation point with radiating the laser beam on the processed surface downward from the substrate, and corrects the clear defect of the pattern film on the substrate.例文帳に追加

保持手段で基板の加工面を下向きに保持し、基板の下方から基板の加工面に対してレーザ光を照射するとともに、ガス供給手段から供給されるガスをガス導入手段を通じて基板のレーザ照射部に吹き付けて、基板上に膜を形成し、基板上のパターン膜の白欠陥を修正する。 - 特許庁

A method of inspecting the defect of a filter includes the steps of : generating a gas flow containing a liquid particle group; eliminating the particles relatively large in diameter among the liquid particle group; supplying the gas flow containing the liquid particle group whose large particles are eliminated to one end surface of the filter; and detecting a concentration distribution of the liquid particles in the gas discharged from the other end surface of the filter.例文帳に追加

フィルタの欠陥の検査方法は、液体粒子群を含むガス流を発生させる工程と、液体粒子群中の相対的に粒径が大きな粒子を除去する工程と、大きな粒子が除去された液体粒子群を含むガス流をフィルタの一端面に供給する工程と、フィルタの他端面から排出されるガス中の液体粒子の濃度分布を検出する工程と、を備える。 - 特許庁

Plasma is produced over a semiconductor layer 3a by using raw material gas containing impurity elements and compensating gas containing an element as large as or larger than elements constituting the semiconductor device 3a to introduce impurity ions into the semiconductor layer 3a, and also introduce ions for defect formation composed of the element as large as or larger than the elements constituting the semiconductor layer into the semiconductor layer 3a for defect formation.例文帳に追加

半導体層３ａの上方で、不純物元素を含む原料ガス、及び半導体層３ａを構成する元素と同等以上の大きさの元素を含む補償ガスを用いてプラズマを生成することにより、半導体層３ａに不純物イオンを導入すると同時に、半導体層３ａに該半導体層を構成する元素と同等以上の大きさの元素からなる欠陥形成用イオンを導入して欠陥を生じさせる。 - 特許庁

The invention includes a defect diagnosis means 5 which diagnoses the defect state of the reforming apparatus by calculating the temperature difference between temperature of the reforming apparatus measured by a temperature sensor 6 for measuring the reforming apparatus and temperature of an outlet of burner burning exhaust gas reforming apparatus detected by a temperature sensor 47 for detecting an outlet temperature of reforming burner burning exhaust gas reforming apparatus, and combining the temperature difference with predetermined reference data.例文帳に追加

本発明は、改質装置温度測定用温度センサ６により検出した改質装置温度と改質装置バーナ燃焼排ガス改質装置出口温度測定用温度センサ４７により検出した改質装置バーナ燃焼排ガス改質装置出口温度の温度差を演算し、この温度差を予め決められた照合データと照合することによって改質装置の劣化状態を診断する劣化診断手段５を有することを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a method and device for detecting, with an acoustic signal, a defect of a honeycomb structure made of porous ceramics having cells partitioned with a cell wall used as a catalyst carrier for purifying exhaust gas or a filter for clarifying particulates.例文帳に追加

本発明の目的は、排ガス浄化用触媒担体又は微粒子浄化用フィルタとして使用されるセル壁で画成されたセルを備えた多孔質セラミックスからなるハニカム構造体の欠陥を音響信号により検出できる検査方法及び検査装置を提供することである。 - 特許庁

Nitrogen introduced in the electron defect correction device by a gas introducing system 1 is ionized by α-rays generated by an α-ray source 2 such as polonium, and the ionized nitrogen is irradiated on a portion 4 charged up by the irradiation of electron beams, and destaticizes it.例文帳に追加

ガス導入系１で電子ビーム欠陥修正装置内に導入した窒素をポロニウムのようなα線源２から出るα線で電離し、電離した窒素を、電子ビームの照射でチャージアップした部分４に照射し除電する。 - 特許庁

This carbon nanotube can be manufactured through a defect introducing process for introducing defects into a raw material carbon nanotube, and a heating process for heating the raw material carbon nanotube into which the defects have been introduced, to a temperature of 1,000 to 2,000°C in a vacuum or in an innert gas atmosphere.例文帳に追加

このカーボンナノチューブは、原料カーボンナノチューブに欠陥を導入する欠陥導入工程と、欠陥を導入された原料カーボンナノチューブを、真空中又は不活性ガス雰囲気中で１０００〜２０００℃に加熱する加熱工程と、を経て製造することができる。 - 特許庁

To provide a measuring device for monitoring residual oxygen in exhaust gas monitoring a state allowing easy carrying out of timely intervention by a remedial measure when there is a defect in the measuring device by an auxiliary procedure.例文帳に追加

測定装置に欠陥が発生した場合に、改善策によりタイムリーな介入を容易に行うことができるようにするために、その状態が補助的な手順で監視される排気ガス内の残留酸素を監視するための測定装置を提供する。 - 特許庁

In this instance, for the purpose of making the irradiation region 19 of the laser beam 18 be the size in which no welding defect is generated in the weld zone by the jetting of zinc gas, the focal position P of the laser beam 18 is shifted upward from the surface of the galvanized steel plate 12.例文帳に追加

この時、レーザー光１８の照射領域１９が、溶接接合部に亜鉛ガスの噴出による溶接欠陥が発生しない大きさになるように、レーザー光１８の焦点位置Ｐを亜鉛メッキ鋼板１２の表面から上方にずらす。 - 特許庁

To provide a method for consistently manufacturing a hot dip metal coated steel strip of high quality by adequately suppressing occurrence of plating surface defect caused by splash irrespective of the steel strip passing speed when controlling the plating deposition by using a gas wiping nozzle.例文帳に追加

ガスワイピングノズルを用いてめっき付着量の制御を行う際に、鋼帯の通板速度に関わりなくスプラッシュによるめっき表面欠陥の発生を適切に抑え、高品質の溶融金属めっき鋼帯を安定して製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a gas shielded arc welding method, in which a sound welding bead is obtained without causing the defect of pores on the surface of a welding bead, even on condition that the welding speed is ≥80 cm/min in single electrode welding and the welding speed is ≥150 cm/min in two electrode welding.例文帳に追加

単電極溶接で溶接速度８０ｃｍ／分以上、２電極溶接で溶接速度１５０ｃｍ／分以上の条件においても、溶接ビード表面に気孔欠陥が発生せず、健全な溶接ビードを得ることができるガスシールドアーク溶接方法を提供する。 - 特許庁

To provide a metallic mold for casting with which the air mixed in molten metal is surely exhausted and the invasion of the air in a cavity is prevented and further, even in the case of increasing the casting quantity, cast defects, such as missrun, gas defect, can be prevented.例文帳に追加

溶湯中に混在する空気を確実に抜き、キャビティ内への空気の浸入を阻止し、さらに、鋳込み量が増加した場合であっても、湯廻り不良やガス欠陥等の鋳造欠陥を防止することが可能な鋳造用金型を提供する。 - 特許庁

To form a deposited film with uniform thickness and quality and few defect on a substrate with a large area at a high processing speed in a process for fabricating a semiconductor device wherein the deposited film is formed on the substrate by plasmanizing a raw material gas by high-frequency power.例文帳に追加

高周波電力によって原料ガスをプラズマ化し、基体上に堆積膜を形成する、半導体装置の製造方法において、高速な処理速度で大面積の基体上に、膜厚、膜質共に均一で欠陥の少ない堆積膜を形成する。 - 特許庁

As an oxide which contains an activated metal and a rare earth element which is variable in oxidation number, an oxide CeO_2 or Pr_6O_11, a composite oxide of Ce and Zr, or a composite oxide of Ce, Zr and Y is activated with a reductive gas at a high temperature to introduce an oxygen defect.例文帳に追加

活性金属と酸化数変化の可能な希土類元素を含有する酸化物としてCeO_2又はPr_6O_11の酸化物又はCeとZrの複合酸化物又はCeとZrとYの複合酸化物とし、これを高温で還元性ガスにより活性化処理して酸素欠陥を導入する。 - 特許庁

Therein, surface temperature of the SiC substrate is lower than back surface temperature thereof, therefore, the gas sublimated from the vicinity 12b of the back surface of the substrate having a high temperature is moved to the vicinity 12a of the surface of the substrate having a low temperature through a micropipe defect 11 which is hollow.例文帳に追加

そして、ＳｉＣ基板裏面より基板表面の温度が低くなっていることから、温度が高い基板裏面近傍１２ｂから昇華したガスが中空であるマイクロパイプ欠陥１１を通して、温度の低い基板表面近傍１２ａに移動する。 - 特許庁

However, in the case that the open failure of the purge control valve is detected, to surely avoid occurrence of speed reduction type defect owing to decrease of negative torque or generation of positive torque caused by combustion of purge gas, increase of opening of the throttle valve 18 during the speed reduction fuel cut-off operation is inhibited.例文帳に追加

ただし、パージ制御弁の開故障が検出されている場合には、パージガスの燃焼による負トルクの低下ないしは正トルクの発生によって減速性不良が生じるのを確実に回避するため、減速フューエルカット中にスロットル弁１８の開度を増大することを禁止する。 - 特許庁

To provide a low pressure casting machine and a low pressure casting method with which the air in a mold, a stoke and a holding furnace can efficiently be replaced into a non-oxidizing gas without complicating the constitution of the casting machine and to provide a low pressure casting product having good quality without a defect in the product.例文帳に追加

鋳造機の構成を複雑にすることなく、鋳型とストークと保持炉内の空気を効率的に非酸化性ガスに置換し得る低圧鋳造機及び低圧鋳造法、並びに製品欠陥のない品質の良い低圧鋳造品を提供する。 - 特許庁

In the method for correcting a pattern, correction ink 7 is applied to the white defect 6a of a pixel 6 in a liquid crystal color filter substrate 1, thereafter, a gas containing the vapor of a solvent 16 is sprayed on the correction ink 7 so that the thickness of the correction ink 7 may be uniformized, consequently to reduce the viscosity of the correction ink 7.例文帳に追加

このパターン修正方法では、液晶カラーフィルタ基板１の画素６の白欠陥６ａに修正インク７を塗布した後、修正インク７の厚みが均一になるように、溶媒１６の蒸気を含む気体を修正インク７に噴霧し、修正インク７の粘度を低下させる。 - 特許庁

When too high transmittance is obtained in the correction of a white defect by depositing an electron beam CVD film 6 of tetramethoxysilane in a halftone phase shift mask, a focused ion beam CVD film or an electron beam CVD film using a carbon-based source gas having low transmittance is further deposited to control the transmittance.例文帳に追加

ハーフトーン型位相シフトマスクのテトラメトキシシランの電子ビームCVD膜６の白欠陥修正で透過率が高すぎる場合には透過率の低い炭素系の原料ガスを用いた集束イオンビームCVD膜または電子ビームCVD膜を積層して透過率を調整する。 - 特許庁

To provide a continuous casting method for molten steel by which in the case of casting a slab, etc., by applying electromagnetic stirring to molten steel in a mold, defect such as scab and blister, caused by gas bubble and inclusion caught into the surface layer part of the cast slab, is prevented and the cast slab excellent in the quality characteristic is obtained in a good yield.例文帳に追加

鋳型内の溶鋼を電磁攪拌してスラブ等を鋳造する際に、鋳片の表層部に捕捉される気泡や介在物に起因するヘゲ疵やフクレ疵等の欠陥を防止し、歩留りを良くして品質特性に優れた溶鋼の連続鋳造方法を提供する。 - 特許庁

At the time of normal operation of the processing system, in the case that any defect about parts other than base mechanisms (an indirect heating means 2, a heat generation means 3, a gas element combustion means 4) is detected, operation of the base mechanism is continued and operation of respective means of its supplementary mechanisms is suspended and terminated.例文帳に追加

加工システムにおける正常運転の際、基幹機構（間接加熱手段２，熱発生手段３，ガス成分燃焼手段４）以外の箇所に関して不具合が検出された場合には、該基幹機構に関しては稼動を継続させ、その補助機構の各手段の稼動を中断し停止させる。 - 特許庁

Regarding the method of forming an electrodeposition coating film in which the defect in gas pinholes is reduced, the object to be coated is dipped into a cationic electrodeposition coating material comprising resin fine particles with a mean particle diameter of 0.5 to 20 μm by the amount of 1 to 30 wt.% to the solid content of the coating material, and is subjected to electrodeposition coating.例文帳に追加

平均粒径０．５〜２０μｍを有する樹脂微粒子を塗料固形分に対し１〜３０重量％の量で含有するカチオン電着塗料中に被塗物を浸漬した後、電着塗装することを特徴とする、ガスピン欠陥の少ない電着塗膜の形成方法。 - 特許庁

Next, the method includes: measuring detection intensity of each discharge signal detected with the detection sensor and an acoustic sensor 6 in the specified gas section 4; and locating a defect part based on the detection intensity of the discharge signal and the detection phase waveform of a three-phase voltage detected by the detection sensor 5 and the acoustic sensor 6.例文帳に追加

次に、特定したガス区画４における検出センサ及び音響センサ６で検出する各放電信号の検出強度を計測し、検出センサ４及び音響センサ６が検出した放電信号の検出強度と三相の電圧の検出位相波形とに基づいて欠陥部位を標定する。 - 特許庁

To prevent a wetting defect of solder due to high temperature oxidation of an iron tip, to prevent a work and the solder and flux of solder alloy containing a resin from high temperature oxidation and to obtain good weldability by injecting an inert gas from the iron tip of an electric soldering iron.例文帳に追加

電気ハンダのコテ先より不活性ガスを噴射することによって、コテ先チップの高温酸化によるハンダの濡れ不良の防止とワークとヤニ入りハンダ合金のハンダとフラックスの高温酸化を抑制し優れたハンダ付け性を得る。 - 特許庁

The method for encapsulating the carbon material into the aluminum, comprises (i) a step for guiding defect and functionalization to the carbon material; (ii) a step for mixing the functionalized carbon material into the aluminum; and (iii) a step for ball-milling the above mixture under inert gas atmosphere.例文帳に追加

本発明は、（ｉ）炭素材料に欠陥及び機能化を誘導する段階；（ｉｉ）上記機能化された炭素材料をアルミニウムと混合する段階；及び（ｉｉｉ）不活性気体雰囲気の下で上記混合物をボールミリングする段階；を含む、炭素材料をアルミニウムの中にカプセル化する方法を提供する。 - 特許庁

To provide monolithic refractory for dry construction constituted to eliminate the defect of conventional monolithic refractory for dry construction, having firm adhesive strength from a low temperature range of several hundred degrees centigrade regardless of an oxidizing or non-oxidizing atmosphere and producing neither malodor nor noxious gas in work environment.例文帳に追加

従来の乾式施工用不定形耐火物の欠点を解消するために行われたものであり、酸化・非酸化雰囲気を問わず、数百℃の低温度域から強固な接着力を有し、且つ、作業環境的には悪臭や有害ガスの発生しない乾式施工用不定形耐火物を提供する。 - 特許庁

To provide a sniffer probe and gas leak testing method using the same whereby, if the scan speed varies or the defect-probe distance is long, the detecting limit (min. detectable value) of He leakage can be improved.例文帳に追加

本発明は、走査速度が変化した場合や欠陥部・プローブ間距離が離れている場合でも、ヘリウムの洩れに対する検出限界（検出可能最小値）を向上させることができるスニッファープローブ、それを用いたガス洩れ試験方法を提供する。 - 特許庁

To provide a heat treatment system for substrate in which processing gas is prevented from touching a substrate under temperature rise to accelerate generation of a defect in the substrate through heat shock or touching a temperature raised substrate to deteriorate temperature distribution in the plane of the substrate so that uniform heat treatment can be ensured.例文帳に追加

昇温中の基板に処理ガスが触れて熱衝撃により基板に欠陥が発生するのを助長したり昇温後の基板に処理ガスが触れて基板面内における温度分布が悪くなり均一な熱処理を行えなくなることを防止できる装置を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the perovskite-type dielectric oxide-reduced phase photocatalyst comprises the steps of: mixing the metal oxide having the perovskite-type structure with a carbon precursor; and firing the obtained mixture in an inert gas atmosphere to impart the oxygen defect to the metal oxide and keep the metal oxide in the reduced state.例文帳に追加

及びペロブスカイト型構造を有する金属酸化物と炭素前駆体を混合し、不活性ガス雰囲気下で焼成して該金属酸化物に酸素欠陥与え還元状態にすることを特徴とするペロブスカイト型誘電体酸化物還元相光触媒の製造方法。 - 特許庁

As for the halo component in the corrected part 3 of the white defect 3, the site 6 where the halo component is present is detected and etched with electron beams 4 while introducing water vapor into near the beam irradiation position from a gas gun 5 to remove the halo component 6.例文帳に追加

白欠陥修正個所３のハロー成分に関しては、ハロー成分が存在する個所６を認識し、ガス銃５からビーム照射位置近傍に水蒸気を導入して電子ビーム４でエッチングを行い、ハロー成分６の除去を行う。 - 特許庁

In other words, the direction of the growth step flow can be oriented to almost one opposing to the reaction gas flow so that the growth of the single crystal may be stopped, whereby the succession of the defect growth of the micro pipe is suppressed in the seed crystal on its whole faces in the silicon carbide single crystal.例文帳に追加

つまり、成長ステップフローの向きが炭化珪素原料ガスの流れに略対向する向きで炭化珪素単結晶６が成長しないようにでき、種結晶４の全面において、種結晶４の中に存在するマイクロパイプ欠陥が炭化珪素単結晶６の中に継承することを抑制できる。 - 特許庁

To provide, as an ArF excimer laser mask, a phase shift mask blank which has minimized wavelength dependency of transmittance so as to make defect inspection possible, and which is processed with a single dry etching gas, and also to provide a phase shift mask and a pattern transfer method using the blank.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザ用マスクとして、欠陥検査も可能となるよう透過率の波長依存性が小さく、単一のドライエッチングガスで加工可能な位相シフトマスクブランク、それを用いたいそうシフトマスク、及びパターン転写方法を提供する。 - 特許庁