「h-process」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

By a method and a device, a hybrid automatic repeat request (H-ARQ) process is dynamically allocated in a wireless transmission/reception unit to support enhanced uplink (EU) transmission.例文帳に追加

拡張上りリンク（ＥＵ：enhanced uplink）送信を支援するために、無線送受信ユニットにおいてハイブリッド自動再送要求（Ｈ−ＡＲＱ：hybrid-automatic repeat request）プロセスを動的に割り当てる方法および装置である。 - 特許庁

To provide a manufacture method that thermal strain is small and does not need the process for rectifying the warp in manufacture of H-shaped steel wherein accelerated cooling is carried out after finish rolling.例文帳に追加

この発明は、仕上げ圧延後、加速冷却を行なうＨ形鋼の製造において、熱歪が少なく歪矯正のための工程を必要としない製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of producing the electrodeposition paint containing a layered silicate includes: a process of mixing 0.01 to 1 N of formic acid aqueous solution and the layered silicate and, thereafter, leaving the mixture standing for 48 h or more; and a process of mixing an obtained layered silicate dispersion liquid with resin.例文帳に追加

本発明は、０．０１Ｎ〜１Ｎのギ酸水溶液と層状シリケートと混合した後４８時間以上静置する工程と、得られた層状シリケート分散液を樹脂と混合する工程とを含む、層状シリケートを含む電着塗料の製造方法を提供する。 - 特許庁

The series process part 160 calls the operation part 180 of the series compression function to calculate the hash value H on the basis of the plurality of compressed bit sequence h_i formed by the parallel process part 130 and a serial hash key K_2 input by the hash key input part 120.例文帳に追加

直列処理部１６０は、並列処理部１３０が生成した複数の圧縮ビット列ｈ_ｉと、ハッシュ鍵入力部１２０が入力した直列ハッシュ鍵Ｋ_２とに基づいて、直列圧縮関数演算部１８０を呼び出して、ハッシュ値Ｈを算出する。 - 特許庁

The collision determination area A comprises a plurality of subareas (fly area F, hit area H, grounder area G), and a condition of batting is set as a post-collision process for each subarea.例文帳に追加

衝突判定領域Ａは、複数のサブ領域（フライ領域Ｆ、ヒット領域Ｈ、ゴロ領域Ｇ）から構成され、サブ領域毎に衝突後の処理にあたる打球の条件が設定される。 - 特許庁

A non-SiN-based insulating film, such as a P-SiO film having N-H groups on its surface generated by an HMDS process may be uses as the CU anti-diffusion layer and/or etching stopper layer.例文帳に追加

ＨＭＤＳ処理などにより表面にＮ−Ｈ基を生成したＰ−ＳｉＯ膜などの非ＳｉＮ系絶縁膜をＣｕの拡散防止層および／またはエッチングストッパー層として用いてもよい。 - 特許庁

In manufacturing the honeycomb structure 1, talc in which a specific surface area is 3.5 m^2/g or more is adopted, and a rate of temperature increase at temperatures of 1,250-1,400°C in a calcination process is to be 150°C/h or less.例文帳に追加

ハニカム構造体１の製造にあたっては、比表面積３．５ｍ^2／ｇ以上のタルクを採用し、焼成工程における温度１２５０〜１４００℃における昇温速度を１５０℃／ｈ以下にする。 - 特許庁

The waste as a raw material is impregnated with an alkali metal compound, then is heated up to 500 to 900°C at a heat-up rate of 200°C/h in an inert gas flow, and carbonized and activated in a single stage process.例文帳に追加

廃棄物を原料とし、アルカリ金属化合物を含浸させた後、不活性ガス流中で、昇温速度２００℃／ｈにて５００〜９００℃まで昇温し、一段階で炭化及び賦活化させる。 - 特許庁

The H-ARQ process in WTRU is secured for each transport channel related to a different data transmission priority class, a dedicated channel medium access control flow, or a logical channel.例文帳に追加

ＷＴＲＵにおけるＨ−ＡＲＱプロセスは、異なるデータ送信優先度クラスに関連付けられた個々のトランスポートチャネル、専用チャネル媒体アクセス制御フローまたは論理チャネルに対して確保されている。 - 特許庁

The polymer is produced by the process of reacting:(1) a specific Si-H-containing cyclosiloxane oligomer with (2) a vinyl siloxane oligomer represented by formula XI in the presence of a noble metal hydrosilation catalyst.例文帳に追加

前記ポリマーは、（１）特定のＳｉ−Ｈ含有シクロシロキサンオリゴマーと（２）式ＸＩ：で表されるビニルシロキサンオリゴマーとを、貴金属ヒドロシリル化触媒の存在下に、反応させる方法により製造される。 - 特許庁

A wafer W after stealth dicing is expanded to be divided into individual chips T which are separated from one another after a protective sheet H on a surface thereof is peeled off on a peeling table 10 in an expansion process (Fig.3(b)).例文帳に追加

ステルスダイシング後のウェーハＷはエキスパンド工程において、剥離テーブル１０で表面の保護シートＨが剥離された後、エキスパンドされて個々のチップＴに分断されると共に離間される（図４（ｂ））。 - 特許庁

In Fig.2(h), after a sheet 40 is peeled, it is easy to remove the mold material 50 which remains in the form of a thin layer, between right and left separated common leads 12 (separating process).例文帳に追加

シート４０を剥離した後では、図２（ｈ）に示されるように、分離された左右の共通リード１２間に残存する薄い層となったモールド材５０を除去することは容易である（分離工程）。 - 特許庁

In a first process, a pair of wires 22, 22 to be twisted are pulled out toward a drum 24 while passing them through wire passing parts 26, 26 disposed at a desired interval H.例文帳に追加

第一工程は、ツイストするための一対の電線２２、２２の各々を、所望の間隔Ｈの配置となる電線通過部２６、２６を通過させつつドラム２４に向けて引き出すようになっている。 - 特許庁

Then the pair of the flexible casters (7) are temporarily projected outside at one end (P1) of the process (S) of the operational tool (5) and are housed inside at the other end (P2) in comparison with one side edge level (L) of the flange (8) of the H-shaped steel (1).例文帳に追加

そして、該一対の自在キャスター(7)が、該Ｈ形鋼(1)のフランジ(8)の一側縁水準(L)に対し、該操作具(5)の行程(S)の一端(P1)で外側に臨出し、他端(P2)で内側に収まるようになっている。 - 特許庁

If the values of the power failure counters 13b and 33b of the main control board C and discharge control board H do not accord each other, the initialization process starts to clear the contents of RAM13 and RAM33.例文帳に追加

主制御基板Ｃおよび払出制御基板Ｈの停電カウンタ１３ｂ，３３ｂの値が一致しない場合には、初期化処理を行い、それぞれのＲＡＭ１３，３３の内容をクリアするものである。 - 特許庁

To provide a method for quantitatively synthesizing a fullerene deriva tive having a high proton (H+)-conductivity, by a simple process and in a short time.例文帳に追加

合成プロセスが簡素化され、また合成時間を短縮して、所望の高プロトン伝導度を有するフラーレン誘導体を定量的に合成することができる、フラーレン誘導体の合成方法を提供すること。 - 特許庁

The integrated management method comprises forming the integrated database h for writing various pieces of information for manufacture, installation process and maintenance management to the database e, f, and g as needed, respectively, and collectively storing the information.例文帳に追加

製作・据え付けプロセス，および，維持管理に関する各種情報をそれぞれデータベースｅ，ｆ，ｇに随時書き込み、その情報を一括して格納する統合データベースｈを作成する統合管理方法。 - 特許庁

The method used for the network of wireless communication system comprises a step (S302) for using a first function which assigns a dedicated H-RNTI to UE without using a second function which does not assign a dedicated H-RNTI to UE when a cell update process is started by selecting a new cell through the UE.例文帳に追加

無線通信システムのネットワークに用いられる方法は、ＵＥで新しいセルを選んだことによりセル更新プロセスを起動した場合に、専用Ｈ−ＲＮＴＩをＵＥに割り当てない第二機能を使用せずに、専用のＨ−ＲＮＴＩをＵＥに割り当てる第一機能を使用する段階を含む。 - 特許庁

A method for producing a transgenic plant modulating the hydroxylation of flavonoid compounds is also provided, comprising the following process: cells or a cell group of an appropriate plant is stably transformed with a nucleic acid molecule encoding F3'H or various derivatives thereof, and the transgenic plant is regenerated from the cells or the cell group.例文帳に追加

F3'Hまたはそれらの種々の誘導体をコードする核酸分子で適当な植物の細胞または細胞のグループを安定に形質転換し、そして前記細胞または細胞のグループからトランスジェニック植物を再生することからなる、フラボノイド化合物のヒドロキシル化を調節できるトランスジェニック植物を生産する方法。 - 特許庁

In this process, by blowing the carbon dioxide for 4-5 h, the objective composite with no crystal peak as shown in Figure 1 is obtained; whereas, by blowing the carbon dioxide for 6 h, the objective composite with vaterite-type crystal peak and calcite-type crystal peak as shown in Figure 1 is obtained.例文帳に追加

炭酸ガスを４〜５時間吹き込むことで図１に示す結晶ピークのない非晶質クエン酸カルシウム・非晶質炭酸カルシウム複合体が得られ、炭酸ガスを６時間吹き込むことで図１に示すバテライト型及びカルサイト型の結晶ピークをもつ非晶質クエン酸カルシウム・結晶質炭酸カルシウム複合体が得られる。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device has a film forming process of forming a film containing Zr on a substrate 1 in a reaction chamber 4, and a cleaning process of removing the film sticking on the inner side of the reaction chamber 4 in the film forming process by using gas containing B and H, Br, or Cl.例文帳に追加

反応室４内で基板１上にＺｒを含む膜を形成する成膜工程と、前記成膜工程において反応室４内に付着した前記膜をＢおよびＨ、またはＢｒ、またはＣｌを含むガスを用いて除去するクリーニング工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法により、前記課題を解決した。 - 特許庁

The method 10 for operating the hydraulic machine including the runner driven and rotating and a guide vane capable of adjusting opening thereof is provided with a monitor process 11 monitoring head H during operation of the hydraulic machine and runner rotation speed N, and an adjustment process 12 adjusting guide vane opening a.例文帳に追加

回転駆動するランナと開度調節可能なガイドベーンとを有する水力機械の運転方法１０は、水力機械の運転中の落差Ｈとランナ回転数Ｎとを監視する監視工程１１と、ガイドベーン開度ａを調整する調整工程１２とを備えている。 - 特許庁

Herein a pattern of a change in the moving speed of the scraper in the coating process is set in accordance with "the rate of the thickness of the film printed before the start of the coating process at a position in the substrate H corresponding to the plate opening part, to the thickness of the plate opening part 21a etc.".例文帳に追加

ここで、コート工程におけるスクレッパ移動速度の変化パターンが、「製版開口部２１ａ等の厚さに対する、基板Ｈにおける同製版開口部に対応する位置にて同コート工程開始前に既に印刷されている膜の厚さの割合」に応じて設定される。 - 特許庁

Also, when rear-skip-reproduction of the selected chapter 1 is finished, the window 303 for sub-reproduction process is moved to a position on a button 302 of the next chapter 2, rear-skip-reproduced video of the chapter 2 is displayed in this window 303 for sub-reproduction process (h, i).例文帳に追加

また、選択されたチャプタ１の後方スキップ再生が終了したならば、サブ再生プロセス用ウインドウ３０３を、次のチャプタ２のボタン３０２の上の位置に移動し、このサブ再生プロセス用ウインドウ３０３中に、チャプタ２を後方スキップ再生した映像を表示する（ｈ、ｉ）。 - 特許庁

The arithmetic circuit 50 repeats multiple times of setting processes with one set comprising an offset setting process using image signals of pixels from a G-th line to an H-th line in an image sensor 10 and a gain setting process using image signals of pixels from I-th line to a J-th line of the image sensor 10.例文帳に追加

演算回路５０は、イメージセンサ１０の第Ｇのライン〜第Ｈのラインの画素の画像信号を用いたオフセット設定処理と、イメージセンサ１０の第Ｉのライン〜第Ｊのラインの画素の画像信号を用いたゲイン設定処理とを１セットとする設定処理を、複数回繰り返す。 - 特許庁

In this wet processing method wherein semiconductor wafers W are immersed in a process liquid, the semiconductor wafers W are immersed with their surfaces W1 facing upward, with the wafers W inclined at 3-45° or 10-20° relative to the process liquid surface H.例文帳に追加

半導体ウェーハＷを処理液に浸漬してウエット処理する方法であって、半導体ウェーハＷを処理液に浸漬する際に、半導体ウェーハＷの表面Ｗ１が上側になるようにして、処理液面Ｈに対して３°〜４５°または１０°〜２０°傾いた状態とする。 - 特許庁

When the first comparison circuit 22 judges that the CPU 2 has executed a reading process from an unused area of the ROM 3, it outputs a signal H used as a signal indicating the fact to a signal output circuit 25.例文帳に追加

第１比較回路２２はＣＰＵ２がＲＯＭ３の未使用領域から読み出し処理を実行したと判断したとき、その旨を示す信号としてＨ信号を信号出力回路２５に出力する。 - 特許庁

The zipper fusion process in which, in the guide insertion state, at least one of the first and second guide members 11 and 12 is a support member 14, and the zipper half bodies 8 are fusion-bonded to the sheet bodies 5 while pressing a heating board H.例文帳に追加

ガイド差込状態にて、第１ガイド部材11・第２ガイド部材12の少なくとも一方を受け部材14として、熱盤Ｈを押圧しつつジッパー半体８をシート体５に融着するジッパー融着工程を、有する。 - 特許庁

In a vibration press molding process in manufacturing an inorganic board, vacuum suction (B) is started at a stage wherein a press top force (2) is allowed to descend to a position (H0) 2-5 mm upper than its pressurizing lower limit (H).例文帳に追加

無機質板の製造における中空品の振動プレス成形の工程において、プレス上型（２）をその加圧下限（Ｈ）よりも２〜５ｍｍ上方の位置（Ｈ_0 ）にまで降下させた段階で真空吸引（Ｂ）を開始する。 - 特許庁

Thereafter, when executing a reflow process, all of the molten bump electrode materials are made to equally wet the side faces of the barrier metals 17 in the lower layers thereof, and bump electrodes 18 uniformized in height H can be formed.例文帳に追加

その後、リフロー処理を行うと、溶融したバンプ電極材料がいずれもその下層のバリアメタル１７側面に同等に濡れるようになり、高さＨを均一化したバンプ電極１８が形成可能になる。 - 特許庁

Transferring heat generated from the semiconductor device 2 in the advance direction is suppressed by the high-heat resistance part H-R in the mounting member 4, and the heat is diffused with a prescribed divergent angle in the process of transferring the heat to a heat sink.例文帳に追加

半導体素子２の発熱は、実装部材４内の高熱抵抗部Ｈ・Ｒにより直進方向の熱伝達が抑制され、ヒートシンク３へ熱伝達する過程で所要の広がり角度で拡散される。 - 特許庁

A process for removing carbon monoxide from the modified oil gas by passing the modified oil gas through the gold/ruthenium catalyst at a temperature of 100-250°C at a space velocity of 5,000-200,000 h^-1 is also disclosed.例文帳に追加

１００℃と２５０℃の間の温度で、５，０００〜２００，０００ｈ^-1の空間速度で、金／ルテニウム触媒上に改質油ガスを通過させることによって、改質油ガスから一酸化炭素を除去するプロセス。 - 特許庁

And it is provided with a work-supporting position computing means 24C for computing the supporting position (Y, Z) of the work after the bending process supported by the work supporting-members 30, 31 based on the bending angle θof the work and flange dimension H.例文帳に追加

またワークの曲げ角度θとフランジ寸法Ｈに基づいて上記ワーク支持部材３０、３１による曲げ加工後のワーク支持位置（Ｙ，Ｚ）を算出するワーク支持位置算出手段２４Ｃを設けた。 - 特許庁

Alternatively, an influence of the Si-H bond can be suppressed by performing a high-temperature process after once removing hydrogen in the nitride film by effecting film-formation of the nitride film at a low temperature and then annealing at a higher temperature than the film-formation temperature.例文帳に追加

また、低温で窒化膜成膜後に成膜温度より高い温度でアニールを行うことにより窒化膜中の水素を一旦脱離した後、高温工程を行うことでＳｉ−Ｈ結合の影響を抑制できる。 - 特許庁

The product of heated sugar is obtained through the following process: preparing mixed solution comprising at least sugar and water so that the weight ratio of the sugar to the water is 1:0.1-10; and heating the mixed solution at 135-155°C for at least 5 h.例文帳に追加

少なくとも糖類と水とを含有させ、前記糖類と水との重量比が１：０．１〜１０の割合となる混合液を作り、この混合液を１３５〜１５５℃の温度で少なくとも５時間加熱する。 - 特許庁

After a necessary process is carried out, the hydrogen H is supplied to the SOI substrate 1 from the hydrogen supplying channel A through the element isolating region 5 and the oxide film layer 3 connected to it by carrying out a heat treatment.例文帳に追加

その後、必要な工程を行った後、熱処理を行うことにより水素供給路Ａから素子分離領域５、およびこれに接続された酸化膜層３を介してＳＯＩ基板１に水素Ｈを供給する。 - 特許庁

Subsequently, the concrete is placed in the hole H; directly after that, the high-frequency vibrators 12 are started so as to vibrate the concrete of the pile head part; and after that, the high-frequency vibrators 12 are pulled upward so that a hardening process can be performed.例文帳に追加

次に、コンクリートが孔Ｈに打設され、この直後に高周波バイブレータ１２を起動し、杭頭部のコンクリートを振動させ、その後、各高周波バイブレータ１２を上方に引き上げ、硬化工程を行なう。 - 特許庁

By taking a simple structure including a metal partition on one E plane of a main waveguide near a connection between the main waveguide and a branch waveguide of the H plane T branch waveguide, impedance matching from an input terminal side of the main waveguide is achieved and an H plane T branch waveguide of which a manufacturing process can be simplified (manufacturing cost reduction) is obtained.例文帳に追加

Ｈ面Ｔ分岐導波管の主導波管と分岐導波管の接続口近傍の主導波管の一方のＥ面に金属隔壁を備える簡易な構造により、主導波管の入力端子側からのインピーダンス整合を実現し、且つ、製造工程の簡易化（製造コスト低減）が可能なＨ面Ｔ分岐導波管を得ることができる。 - 特許庁

The canvas 14 for belt set to a frictional force action site in a transmission belt 10 is subjected to the soaking process in the rubber process liquid, in which a non-cross-linked H-NBR composition comprising a mixture of a polyethylene powder having a molecular weight of 1,000,000 or more and an organic peroxide as a cross-linking agent is dissolved in a solvent.例文帳に追加

伝動ベルト１０の摩擦力作用部位に設けられるベルト用帆布１４を、分子量１００万以上のポリエチレン粉末と架橋剤としての有機過酸化物とが混合された未架橋水素添加ニトリルゴム組成物を溶剤に溶解させたゴム処理液への浸漬処理が施されたものとする。 - 特許庁

In the regeneration process, the resin bed is regenerated by supplying the aqueous solution of an alkali metal salt, and in the modification process after regeneration, the linear velocity to the resin bed is set to be 5-60 m/h to make water to flow without the deironing and acid addition treatments.例文帳に追加

再生プロセスでは、アルカリ金属塩の水溶液を供給して陽イオン交換樹脂床を再生する一方で、再生プロセス後の改質プロセスでは、原水Ｗ１を除鉄処理及び酸添加処理することなく、陽イオン交換樹脂床に対する線速度を５〜６０ｍ／ｈに設定して通水する。 - 特許庁

Each time the cleansing process of a washing cycle is conducted the level of retained water increases, the level of retained water reaches the upper water level H after several times the cleansing process is conducted, and dirty washing water is discharged outside of the opening 19 of the overflow pipe 20 in a way that it is pushed out by the cleansing water collected.例文帳に追加

そして洗浄サイクルのすすぎ工程を行うたびに貯溜水位が増して行き、数度目のすすぎ工程時に洗浄水の貯溜水位は上限水位Ｈに達し、回収されたすすぎ水により汚れた洗浄水が押し出される形でオーバーフロー管２０の開口１９から外部へ排出される。 - 特許庁

The method for producing dried fish comprises a first step of a heating process where fish having a temperature of ≤0°C is heated in water at 40-75°C for 45-100 min, and a second step of the heating process where the fish is heated in water at 75-120°C for 30 min to 4 h.例文帳に追加

［１］０℃以下の温度の魚類を水温４０℃〜７５℃および時間４５分〜１００分の範囲で加温する第一段階の加温工程と、水温７５℃〜１２０℃および時間３０分〜４時間の範囲で加温する第二段階の加温工程と、を有することを特徴とする魚節の製造方法。 - 特許庁

This method for producing the solid fuel by carbonizing dried organic sludge by carbonizing equipment to make it as the solid fuel is provided by having a carbonizing process of carbonizing the dried organic sludge until becoming to have ≥1.0 and ≤1.8 ratio of the number of atoms of hydrogen to carbon (H/C), and bringing the dried sludge in contact with steam during the treatment in the carbonizing process.例文帳に追加

乾燥した有機性汚泥を炭化設備により炭化し、これを固形燃料とする固形燃料の製造方法において、前記乾燥有機性汚泥を水素分と炭素分の原子数比Ｈ／Ｃが１．０以上１．８以下となるまで炭化する炭化工程と、前記炭化工程の処理中にスチームと接触させる。 - 特許庁

This method for producing a crosslinking agent emulsion comprises the first process for dissolving a polycarbodiimide (a) in an α, β-ethylenically unsaturated double bond-having monomer (c) and then emulsifying the solution in a surfactant (f) and water to obtain the pre-emulsion, and the second process for reacting the pre-emulsion with an initiator (h) to obtain the crosslinking agent emulsion.例文帳に追加

ポリカルボジイミド（ａ）をα，βエチレン性不飽和二重結合を有するモノマー（ｃ）に溶解させ、界面活性剤（ｆ）および水を加えて乳化させてプレエマルションを得る第１の工程、前記プレエマルションを開始剤（ｈ）とともに反応させ架橋剤エマルションを得る第２の工程からなる架橋剤エマルションの製造方法。 - 特許庁

The adjustment process 12 sets the guide vane opening a to appropriate guide vane opening a_0 if relations H≥H1 and N≥N1 are satisfied when lower limit head in a high head operation range is defined as H1 and allowable lower limit of runner rotation speed is defined as N1.例文帳に追加

調整工程１２は、高揚程運転領域の下限落差をＨ１とし、ランナ回転数の許容下限値をＮ１としたとき、Ｈ≧Ｈ１かつＮ≧Ｎ１の場合に、ガイドベーン開度ａを適正ガイドベーン開度ａ_０とする。 - 特許庁