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h-processの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 235件
The height h of the groove 29A is formed thinner than the thickness of the wafer 50 so that the upper face 29B of the groove 29A does not come in contact with the polishing pad 16 and that the wafer 50 in process of polishing does not get into the groove 29A.例文帳に追加
また、溝29Aの高さhは、溝29Aの上面29Bが研磨パッド16に接触せず、且つ、研磨中のウェーハ50が溝29A内に入り込まないように、ウェーハ50の厚みよりも薄く形成されている。 - 特許庁
The powder 3 of pulverized wood is obtained by pulverizing wood to be of 1-200 μm (wood pulverizing processes C and D) and a powder 5 of a pulverized resin is obtained by pulverizing the resin to be of 1-200 μm (resin pulverizing process H).例文帳に追加
木材を1〜200ミクロンメートルに粉砕することによって木材粉砕粉3を得て(木材粉砕工程C,D)、樹脂を1〜200ミクロンメートルに粉砕することによって樹脂粉砕粉5を得る(樹脂粉砕工程H)。 - 特許庁
The invention provides a one-pot process for the production of a functionalized alkoxyamine of general formula (I) (for example, R^1 and R^2 are each H; R^3 is phenyl; and R^4 and R^5 together with nitrogen atom form an alicyclic 6-membered ring).例文帳に追加
一般式(I):(例えば、式中、R^1、R^2は水素、R^3はフェニル基、R^4、R^5は、窒素原子と一緒になって、脂環式6員環を形成する。)の官能化アルコキシアミンを調製するためのワンポット方法を開示する。 - 特許庁
When the output shaft 2 retreats into the unlocking process S, a base end 31b of the lock pin 31 abuts on a lock disk 22, and the retreat of the lock pin 31 is inhibited to lock the grip of a tool holder H by a charger arm 3.例文帳に追加
出力シャフト2がアンロック工程Sまで後退すると、ロックピン31の基端部31bがロックディスク22に当接してロックピン31が後退不可能となり、チャンジャアーム3による工具ホルダHの把持がロックされる。 - 特許庁
The method for processing food material comprises the following process: housing food material S in a sealed container together with honey H as an additive having reducing properties to reduce an oxidized matter of the food material S; heating or not heating the food material S in the sealed container; and thereafter cooling the container.例文帳に追加
食材Sの酸化物を還元する還元性を有した添加物としての蜂蜜Hとともに食材Sを密閉容器に収納し、密閉容器ごと加熱、あるいは加熱をしないで、その後冷却する。 - 特許庁
In the process for forming the SiGe removal hole H, the Si_3N_4 film 18 remains in the element region, thus preventing the Si layer 13 below the Si_3N_4 film 18 from being etched, and hence reducing variations in the working of the element region.例文帳に追加
このSiGe除去穴Hを形成する工程では、素子領域にSi_3N_4膜18が残っているので、その下のSi層13はエッチングされずに済み、素子領域の加工ばらつきを少なくすることができる。 - 特許庁
The fast session setup extensions to H.324 include establishing a bearer channel between a first terminal and a second terminal after a call signaling process and determining, at the first terminal, one or more preferences for a call between the first terminal and the second terminal.例文帳に追加
コールシグナリング過程の後に第1の端末と第2の端末との間にベアラチャネルを確立することと、第1の端末と第2の端末との間のコールのための1以上のプリファレンスを、第1の端末で、決定することと、を備える。 - 特許庁
From an initial period P1 to a middle period P2 of an alignment process, the wavelength from a long arc light source LAL through a wavelength cut filter F1 is 230 to 270 nm and the heat H to be applied in the initial period is specified to 100°C and in the middle period to 100 to 150°C.例文帳に追加
配向プロセスの初期P1と中期P2にかけては、波長カットフィルタF1を通したロングアーク光源LALからの波長は230〜270nmで、与える熱Hは初期では100℃、中期では100〜150℃とする。 - 特許庁
A method for manufacturing an H-mode drift-tube linear accelerator includes a process of calculating a measured value of voltage between respective drift tubes 6 and acquiring a difference distribution which is a difference between the voltage measured value and a voltage designed value, a process of performing smoothing of the difference distribution, and a process of determining an amount of insertion of each tuner 10 by using the smoothed difference distribution.例文帳に追加
この発明に係るHモード型ドリフトチューブ線形加速器の製造方法では、各ドリフトチューブ6間の電圧の測定値を求め、この電圧測定値と電圧設計値との差である差異分布を求める工程と、前記差異分布のスムージングを行う工程と、前記スムージングされた差異分布を用いて各チューナ10の挿入量を決定する工程とを備えていることを特徴とする。 - 特許庁
The nitrogen-containing organosilane with at least one Si-H or N-H group which is susceptible to product decomposition is treated with a process comprising: (a) a step to bring into contact with a weak basicity ion-exchange vehicle for removing a residual anion or residual metal cation; (b) a step of separating the organosilane from the weak basicity ion exchange resin; and (c) a step of distilling the organosilane.例文帳に追加
製品の分解の影響を受けやすい、少なくとも一つのSi−H又はN−H基を有する窒素含有オルガノシランを、(a)残余のアニオン又は金属カチオンを除去するための弱塩基性イオン交換媒体と接触させる段階、(b)前記オルガノシランを前記弱塩基性イオン交換樹脂から分離する段階、(c)前記オルガノシランを蒸留する段階よりなる処理を施す。 - 特許庁
In the present case, in the Description of the invention, there is only a description that the mesenchymal stem cell line H-01 was established from a mutant cell line that was obtained fortuitously in the process of subculturing the mesenchymal stem cells obtained from mouse bone marrow, and there is no description about a method for obtaining the mesenchymal stem cell line H-01 reproducibly. 例文帳に追加
本事例においては、発明の詳細な説明に、間葉系幹細胞H01株はマウス骨髄から取得した間葉系幹細胞を継代培養している過程で偶発的に得られた突然変異細胞株から樹立されたものであることが記載されているのみであり、間葉系幹細胞H01株を再現性をもって取得する方法について記載されていない。 - 特許庁
By this system, contaminated soil is continuously treated by circularly conveying a plurality of washing tanks 11 in charging processes A, B, treating processes C, D, E, F, drying processes G, H, analytical processes I, J, K, and a discharge process L.例文帳に追加
汚染土壌の浄化システムにて、複数の洗浄槽11を、投入工程A,B、洗浄工程C,D,E,F、乾燥工程G,H、分析工程I,J,K、排出工程Lの間で循環搬送し、汚染土壌を連続して浄化処理する。 - 特許庁
The free-cutting stainless steel material for precise cutting is used for performing a shaping process by cutting at a micron meter level, and has such a structure that the free-cutting property giving material is made of h-BN particles and scattered in single state in the steel.例文帳に追加
ミクロンメーターレベルの切削による成形を行う精密加工用快削ステンレス鋼素材であって、前記快削性付与材がh−BN粒子であり、鋼中に単体状態で分散していることを特徴とする構成を採用した。 - 特許庁
The demultiplexer 9 executes a media multiplexing process of the inputted communication control message according to a medium demultiplex standard such as ITU-T Recommendation H. 223, etc., and outputs multiplexed signals to a communication line 11 via a line I/F 10.例文帳に追加
メディア多重分離部9では、入力された通信制御メッセージをITU−T勧告H.223等のメディア多重分離規格に従ってメディア多重化処理し多重化信号を回線I/F部10を介し通信回線11に出力する。 - 特許庁
To process IP address conversion at a high speed and to realize the VOIP connection of high quality with less delay between a private network using a private address and the Internet using a global address in the case of performing communication by using H.323 on an IP network.例文帳に追加
IPネットワーク上でH.323を用いて通信を行う場合、プライベートアドレスを用いる私設網と、グローバルアドレスを用いるインターネット網間において、IPアドレス変換を高速処理し、遅延の少ない高品質のVOIP接続を実現する。 - 特許庁
The photosensitive resin is obtained by a process comprising a step of carrying out polycondensation of compounds containing organosilanes composed of at least two elements of a specific combination in the presence of a catalyst at 40 to ≤150°C temperature for 0.1-10 h and affording a liquid resin.例文帳に追加
特定の組合せの少なくとも2元素からなる有機シランを含む化合物を、触媒存在下で40℃〜150℃以下の温度で0.1〜10時間重縮合して液体樹脂を得るステップを含むプロセスによって得られる感光性樹脂。 - 特許庁
In the latter half process of rotation wherein a plate magnet 8 reaches a stop position L from an initial position H and magnetic saturation easily occurs, a magnetic flux from an auxiliary magnet 11 acts on a magnetic flux from a coil body 3 and a magnetic flux from magnetic pole planes 8a-8d to demagnetize them.例文帳に追加
プレート磁石8が初期位置Hから停止位置Lに到り、磁気飽和が生じ易い後半の回動過程で、補助磁石11からの磁束がコイル体3からの磁束および磁極面8a〜8dからの磁束に作用して減磁させる。 - 特許庁
The harness H extending to the electronic component 8 connected with the harness holder 11, extending from the electronic component 8, or only passing through the electronic component 8, is wired and held while being organized in every process of assembling an electronic device.例文帳に追加
ハーネス保持具11が取り付けられた電気部品8に向かう、また同電気部品8から延出する、あるいは同電気部品8を単にパスするハーネスHを、電気装置組付けの工程毎に整理しながら配線し、保持できるようにした。 - 特許庁
In the process of excavation construction works, anchoring members 10 such as H-steel are driven until they reach a stable ground layer 2 as anchors, not tension members, and underwater concrete is unified with the anchoring members 10 and placed onto a bottom-section ground 4.例文帳に追加
掘削工事の過程において、引張材ではなく、H型鋼等の定着部材10をアンカーとして安定地盤層2に到達するまで打ち込み、底部地盤4に水中コンクリート12を定着部材10と一体化させて打設する。 - 特許庁
When a magnet 4 is moved straight in the mounting direction A1 relative to a magnetic resistance element 12, the magnetic resistance element 12 for detecting the direction of a magnetic field H generated from the magnet 4 outputs an output signal having a waveform wherein the output zero-crosses in a moving process.例文帳に追加
磁石4が磁気抵抗素子12に対して取付方向A1に直線移動する際、磁石4が出す磁界Hの向きを検出する磁気抵抗素子12は、その移動過程で出力がゼロクロスする波形の出力信号を出力する。 - 特許庁
In a first process, the pressure in the inside of a quartz reaction tube 6 is reduced to 6.65×10^3 to 1.33×10^4 Pa by using an exhaust system, and a single crystal is grown on the surface of an SiC seed crystal 2 at a growth rate of ≤0.5 mm/h.例文帳に追加
まず、第1工程として、排気機構を用いて石英反応管6内を減圧し、6.65×10^3〜1.33×10^4Paにして、SiC種結晶2の表面に単結晶を0.5mm/h以下の成長速度で成長させる。 - 特許庁
In this TFT (thin film transister) manufacturing process by using the thin film semiconductor, the high performance TFT is manufactured by carring out the high-pressure steam heat treatment after the formations of a gate insulating film, source and drain, and the transistor ((f), (h) and (j) of Fig. 2).例文帳に追加
この薄膜半導体を用いたトランジスタ作製工程において、ゲート絶縁膜成膜後やソース、ドレイン形成後やトランジスタの完成後に高圧水蒸気熱処理(図2(f)、同(h)、同(j))を行うことにより高性能TFTを作製する。 - 特許庁
A process for the resolution of a racemic mixture of nucleoside enantiomers of formula 1 (Y is H or F; R is an acyl) that includes the step of exposing the racemic mixture to an enzyme selected from the group consisting of swine hepatic esterase, swine pancreatic lipase and subtilisin.例文帳に追加
式:(式中、Yは水素又はフッ素であり、Rはアシル基である)のヌクレオシドエナンチオマーの分割方法であって、ブタ肝臓エステラーゼ、ブタ膵臓リパーゼおよびズブチリシンからなる群から選択した酵素を用いてヌクレオシドを処理することを含む方法。 - 特許庁
This kraft digestive process for the lignocellulosic material involves raising effective alkali addition rate in the kraft digestive step by 2-15 mass% and reducing H-factor during digestive temperature retention by 5-30%.例文帳に追加
リグノセルロース物質のクラフト蒸解方法において、クラフト蒸解における有効アルカリ添加率を2〜15質量%増加し、蒸解温維持時期におけるH−ファクターを5〜30%低減することを特徴とするリグノセルロース物質のクラフト蒸解方法。 - 特許庁
In the manufacturing process of the superconductive tape wire rod 11, the protection layer 26 of the repair superconductive tape wire rod 21 is adhered by solder H on the upper side of the stabilizing layer 17 corresponding to a defective part K generated in the superconductive layer 15.例文帳に追加
超電導テープ線材11の製造過程において超電導層15に発生した欠陥部Kと対応する前記安定化層17の上面に補修用超電導テープ線材21の保護層26をハンダHにより接着する。 - 特許庁
In this manufacturing method of the building plate 1, as a preparation process, an original plate 2 having the design surface where a plurality of projecting parts 21 different in projecting height H from each other is prepared, and subsequently as a lower layer forming process, lower coating material 40 is applied to the design surface 201 of the original plate 2 and dried to form a lower coating layer 4.例文帳に追加
建築板1の製造方法においては、準備工程として、突出高さHが互いに異なる複数の凸部21を形成した意匠表面201を有する原板2を準備し、次いで、下側塗料層形成工程として、原板2の意匠表面201に下側塗料40を塗布し乾燥させて下側塗料層4を形成する。 - 特許庁
A manufacturing method of a semiconductor device includes a process for supplying a material gas, having a Si source containing H and a B source containing B and Cl into a reaction chamber to form the polysilicon film containing B on a semiconductor substrate, and a process for exhausting the material gas and then supplying O_2 gas into the reaction chamber.例文帳に追加
Hを含むSi源およびBおよびClを含むB源を有する原料ガスを反応室内に供給して、半導体基板上にBを含有したポリシリコン膜を形成する工程と、原料ガスを排出した後にO_2ガスを前記反応室内に供給する工程と、を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法を採用する。 - 特許庁
By setting the height h of the slot 5a smaller than the thickness t2 of the cylindrical energy absorbing member body 2a, an energy absorbing capacity in a process of the cylindrical energy absorbing member body 2a passing through the slot 5a can be increased.例文帳に追加
筒状エネルギ吸収部材本体2aの板厚t2よりも、スロット5aの高さhが小なるようにすることによって、筒状エネルギ吸収部材本体2aがスロット5aを通過する過程でのエネルギー吸収能応力を大きくすることができる。 - 特許庁
The method for producing the fluoroorganic compound comprises the following process: In fluorinating a reaction substrate, the reaction substrate, an organic solvent substantially free of C-H bond and a fluorine gas are mutually contacted in a flow channel(R) to carry out a fluorination reaction in a flow condition in the channel.例文帳に追加
反応基質をフッ素化するに当たり、反応基質、実質的にC−H結合を有しない有機反応溶媒及びフッ素ガスを流路(チャンネル)(R)中において接触させ、該流路中でフローでフッ素化反応させるフッ素化有機化合物の製造方法。 - 特許庁
A toner ejection pattern P, formed on a photoreceptor drum 14 when performing the refresh process, is obtained by repeating development of a line image L, which has a predetermined inclination to a main scan direction, at predetermined intervals over a width H of a development region of a developing roller 35.例文帳に追加
リフレッシュ工程の実行時に感光体ドラム14上に形成するトナー吐出パターンPを、主走査方向に所定の傾きを有するライン画像Lを現像ローラ35の現像領域の幅Hに亘って所定の間隔で繰り返し現像した構成とする。 - 特許庁
In this device, through casting, initial drying, bone drying and sintering of a slurry in this order, the initial drying is performed after an aging process of leaving the molded body for 5 hours or more with the drying speed of 7 g/h or less per 1 m2 of the surface area.例文帳に追加
第1発明は、スラリーの鋳込み成形、初期乾燥、完全乾燥および焼結を順に経る際、表面積1m^2当たりの乾燥速度を7g/時間以下として5時間以上成形体を放置するエージングを行った後、該初期乾燥を行う。 - 特許庁
The outer race 16 of the needle bearing 15 is composed of semicylindrical divided pieces 16a, 16b divided into two by a natural split process, and the mating surfaces 24a, 24b of the divided pieces are formed into a flat surface inclined to a horizontal surface H and are formed parallel to one another.例文帳に追加
ニードルベアリング15のアウターレース16は自然割り加工で2分割された半筒状分割片16a、16bで構成され、該分割片の合わせ面24a、24bは水平面Hに対して傾斜した平坦面をなし、互いに平行に形成されている。 - 特許庁
To provide an apparatus and method for allocating an automatic repetition request (ARQ)/hybrid automatic repetition request (ARQ/H-ARQ) process (114) so as to support an uplink transmission (EU) which is enhanced in a radio transmission/reception unit (WTRU) (102).例文帳に追加
無線送信/受信ユニット(WTRU)(102)内で増強されたアップリンク(EU)送信をサポートするため、自動反復要求(ARQ)/ハイブリッド自動反復要求(ARQ/H−ARQ)プロセス(114)を割当てるための装置及び方法を提供する。 - 特許庁
In a vibration pressing process in manufacturing an inorganic board, vacuum suction (B) is stopped at a pressurization lower limit H of a press top force (2), and the press top force (2) is raised within a pressure range of ≤0.5 kgf/cm by injection of air (C) to release the mold.例文帳に追加
無機質板の製造における中空品の振動プレスの工程において、プレス上型(2)の加圧下限(H)で真空吸引(B)を停止し、エアー吹き込み(C)による0.5kgf/cm^2 以下の圧力範囲でプレス上型(2)を上昇させて離型する。 - 特許庁
The subtraction image can be appropriately obtained by obtaining a long-sized subtraction image B by means of the subtraction process for the addition image L_add, the additional value of the long-sized high-pressure image H and the long-sized low-pressure image.例文帳に追加
このように、長尺状の高圧画像Hおよび長尺状の低圧画像の加算値である加算画像L_addに関するサブトラクション処理を行って長尺状のサブトラクション画像Bを取得することで、サブトラクション画像を適切に得ることができる。 - 特許庁
Furthermore, a lower part of the shaft 2a is digged by matching it with a predetermined height of next opening segments 11, 13, the opening segments 11, 13 are arranged and are firmly fixed with outer periphery of the shield machine 4, and this process is repeated to construct the opening part H of the shaft 2a.例文帳に追加
更に、該立坑2aの下部を次の開口セグメント11,13の所定高さに合せて掘削し、該開口セグメント11,13を配設し、該シールドマシン4の外周と固着していくことを繰り返して行ない、該立坑2aの該開口部Hを構築する。 - 特許庁
A material to be processed 11 processed at an angle of α° in the width direction a preceding process is inserted into a groove portion 32 of a jig 31 and is ground so as to reach a height H from the surface of the jig 31 to the circular arc surface 11a of the material to be processed 11 exfiltrating therefrom.例文帳に追加
前工程で幅方向にα゜の角度で加工された被加工材11を治具31の溝部32に嵌入させて、治具31の面から逸出する被加工材11の円弧面11aまでの高さ寸法Hになるまで研削する。 - 特許庁
This method includes a removing process of removing out of the exposed surface of the sanitary ware 10, a surface portion at least containing a contaminated region H where the dirt D adheres or which is impregnated with the dirt D by polishing, and a coat forming process of applying a coating agent countering silicone to a region at least containing the polished region to which polishing is performed.例文帳に追加
衛生陶器10の露出面のうちで、汚物が付着若しくは含浸した汚染部位Hを少なくとも含む面部分を研磨によって除去する除去工程と、衛生陶器の露出面のうちで、研磨が施された研磨部位35を少なくとも含む部位にシリコーンを含有するコーティング剤を塗布して、硬化塗膜を形成する塗膜形成工程と、を備える。 - 特許庁
This method for producing the zoanthamine series alkaloid comprises synthesizing the zoanthamine series alkaloid such as norzoanthamine from a compound represented by the formula (R is H or CH_3; D is deuterium; TBS is tert-butyldimethylsilyl; Boc is tert-butoxycarbonyl; Me is methyl) as a starting raw material through six processes such as a process for removing two tert-butyldimethylsilyl groups and a process for selectively oxidizing the secondary hydroxy group.例文帳に追加
(ただし、RはHまたはCH_3 、Dは重水素、TBSはtert−ブチルジメチルシリル基、Bocはtert−ブトキシカルボニル基、Meはメチル基を表す)で示される化合物を出発原料とし、その二つのtert−ブチルジメチルシリル基の除去および第二級ヒドロキシ基の選択的酸化を行う工程等の6工程を経てノルゾアンタミン等のゾアンタミン系アルカロイドを合成する。 - 特許庁
The coated film H comprises a nickel coated part N which is formed on the surface of the driven part 11, a chrome coated part C which is formed on the nickel coated part N, and a metal oxide film part O which is coated on the chrom coated part C by a passivation process with ozone.例文帳に追加
この被覆膜Hは、被駆動部11の表面に形成されたニッケル被膜部Nと、このニッケル被膜部N上に形成されたクロム被膜部Cと、このクロム被膜部C上にオゾンによる不動態化処理により形成された金属酸化膜部Oとからなっている。 - 特許庁
When a map information display process (S4) is executed, the information identifying an object indicated on a map 3 is displayed on a cellular phone 5 (processes a-h of S4) by receiving indicated object information from an IC tag 3a with the cellular phone 5.例文帳に追加
この地図情報表示処理(S4)を実行すると、地図3に表記された表記物について、携帯電話機5を用いてICタグ3aから表記物情報を受信すれば、その表記物を特定可能な情報が携帯電話機5で表示される(S4のa〜hの処理)。 - 特許庁
The protection tape P is integrally peeled with the peeling tape T from a direction where a groove (d) by dicing, which forms a pattern on the semiconductor wafer W, and a peeling line (h) becoming a boundary where the protection tape is peeled from the semiconductor wafer are not matched in a protection tape peeling process.例文帳に追加
半導体ウエハW上のパターンを形成するダイシングによる溝dと半導体ウエハから保護テープが剥離される境目となる剥離ラインhとが保護テープ剥離過程で一致しない方向から保護テープPを剥離テープTと一体にして剥離してゆく。 - 特許庁
To provide a digital still camera that has only to use an internal RAM (not a memory for temporary storage only but a memory used for image processing process) to attain image pickup and storage without the need for addition to hardware (H/W) unit to the camera compatible with an external RAM, and to provide its image data storage method.例文帳に追加
外部RAM対応カメラにハードウェア(H/W)を追加することなく内部RAM(一時保存専用のメモリではなく、画像処理プロセスで使用するメモリ)だけでの撮影・保存も可能にするデジタルスチルカメラおよびその画像データ保存方法を提供する。 - 特許庁
Next, the reaction solution 11 is heated at 90°C for 21 h while nitrogen gas is passed through the solution 11 so that the hydrothermal reaction of the solution 11 takes place in the vicinity of the surface 14 of the base material, and a minute film of Y-shaped crystalline zeolite 13 is deposited on the surface 14 (zeolite generation process).例文帳に追加
次に、反応溶液11を窒素バブリング下、90℃で21時間加熱し、基材の表面14の近傍で反応溶液11を水熱反応させ、その表面14上にY型の結晶性ゼオライト13の緻密膜を析出させる(ゼオライト生成工程)。 - 特許庁
The process for preparing a cage silsesquioxane having an alkoxy group comprises reacting one equivalent of a cage silsesquioxane having an Si-H bond with 30-40 equivalents of an alcohol at 20-30°C in the presence of a solvent and a base.例文帳に追加
アルコキシ基を有するかご状シルセスキオキサンの製造方法において、溶媒および塩基存在下、1当量のSi−H結合を有するかご状シルセスキオキサンと、30〜40当量のアルコールとを20〜30℃で反応させるアルコキシ基を有するかご状シルセスキオキサンの製造方法。 - 特許庁
The method for producing the ethylene glycol includes using H-ZSM5-type zeolite as a solid acid catalyst to be brought into contact with the methanol in a process for producing the ethylene glycol by bringing the methanol containing the 2-methyl-1,3-dioxolane into contact with the solid acid catalyst.例文帳に追加
2−メチル−1,3−ジオキソランを含むメタノールを、固体酸触媒と接触させエチレングリコールを製造させる工程において、接触させる固体酸触媒がH−ZSM5型ゼオライトであることを特徴とするエチレングリコールの製造方法によって上記課題を解決することができる。 - 特許庁
The adjustment process 12 sets the guide vane opening a to satisfy a relation a_r≤a<a_Hmax if relations H≥H1 and N<N1 are satisfied when guide vane opening making reverse flow limit head maxim is defined as a_r and appropriate guide vane opening at maximum head is defined as a_Hmax.例文帳に追加
調整工程12は、逆流限界揚程が最大となるガイドベーン開度をa_rとし、最高揚程時の適正ガイドベーン開度をa_Hmaxとしたとき、H≧H1かつN<N1の場合に、a_r≦a<a_Hmaxとなるようにガイドベーン開度aを調整する。 - 特許庁
(2) In the electroplating process, an average cathode current density of all plating baths is controlled within 1-3 A/dm^2 and a ratio of maximum value to minimum value of the cathode current density in each plating bath is controlled within 1-5, and further a film carrying speed is adjusted within 80-300 m/h.例文帳に追加
(2)前記電気めっき工程において、全めっき槽の平均陰極電流密度を1〜3A/dm^2に、及び各めっき槽内での陰極電流密度の最小値に対する最大値の比を1〜5に制御するとともに、フィルムの搬送速度は、80〜300m/hに調整する。 - 特許庁
To provide a process for producing a phosphorus-containing epoxy resin excellent in flame retardancy in a manner that a phosphorus compound having at least one P-H bond in the molecule can be efficiently incorporated into the skeleton of an epoxy resin, and side reactions such as three-dimensional crosslinking of epoxy groups can be inhibited.例文帳に追加
分子内に少なくとも1個のP−H結合を有するリン化合物をエポキシ樹脂骨格に効率よく組み込み、しかも、エポキシ基の3次元架橋等の副反応を抑制して、難燃性に優れたリン含有エポキシ樹脂を製造する方法を提供する。 - 特許庁
Since moisture absorption of the insulation film layer 4 can be reduced by forming an overcoat layer 6 having an extremely low steam transmission of 5 g/(m2.24 h), inflation of the insulation film layer 4 is suppressed in the heating process and bonding strength of the insulation layer 2 can be prevented from lowering.例文帳に追加
水蒸気透過度が5g/(m^2・24h)と極めて低いオーバーコート層6を形成することにより、絶縁フィルム層4の吸湿量を少なくすることができるため、加熱工程による絶縁フィルム層4の膨れの発生が抑制され絶縁層2の接着強度の低下を防止できる。 - 特許庁
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