「light current」に関連した英語例文の一覧と使い方(102ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an electro-optical device and electronic apparatus having a configuration capable of surely preventing light from coming into a channel area of a semiconductor layer of a transistor, and also surely preventing the transistor from malfunctioning to cause off-leakage current which causes the occurrence of display unevenness, cross-talk, and flickers and further causes the occurrence of fall-off of contrast in display.例文帳に追加

トランジスタの半導体層のチャネル領域に光が入射してしまうことを確実に防止するとともに、トランジスタが誤動作し、オフリーク電流に起因する表示ムラ、クロストーク、フリッカが発生してしまう他、表示におけるコントラストの低下が発生してしまうことを確実に防止することができる構成を有する電気光学装置、電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide a display device in which crosstalk of a pixel circuit is prevented with a relatively simple wiring structure and the occurrence of unevenness in luminance of a display image can be prevented and a current of a desired value can be stably and accurately supplied to light emitting elements of respective pixels in spite of unevenness in threshold of active elements in the pixels and images of high quality is displayed as a result.例文帳に追加

比較的簡単な配線構造で画素回路のクロストークを防止でき、また、表示画像の輝度ムラが発生することを防止でき、また、画素内部の能動素子のしきい値のばらつきによれず、安定かつ正確に各画素の発光素子に所望の値の電流を供給でき、結果として高品位な画像を表示することが可能な表示装置を提供する。 - 特許庁

The surface lighting system includes an LED module 15 which is a plurality of LEDs 7R, 7G and 7B alternately and discretely provided along a light entrance surface 12 and a color irregularity correcting resistor 40 which is connected in parallel with the predetermined LED 7R at an end of the LED module 15 and which provides a bypass for a current supplied to the LED 7R.例文帳に追加

複数のＬＥＤ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂを入光面１２に沿って交互に離散的に配置したＬＥＤモジュール１５と、ＬＥＤモジュール１５端部の所定のＬＥＤ７Ｒに並列に接続され、当該ＬＥＤ７Ｒに供給される電流をバイパスさせるための色むら補正用抵抗４０とを有するように構成する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting device which has excellent operation characteristics and is highly reliable by making small the direction dependency of resistivity by suppressing an increase in resistance due to a band offset in a laminating direction of a p-type nitride semiconductor layer of a superlattice structure and also by suppressing large current spreading in a lateral direction due to an influence of a two-dimensional hole gas layer.例文帳に追加

超格子構造のｐ型窒化物半導体層における積層方向のバンドオフセットによる高抵抗化を抑制し、また、二次元ホールガス層の影響による横方向への大きな電流広がりを抑制して、抵抗率の方向依存性を小さくし、動作特性の良好な信頼性の高い窒化物半導体発光装置を提供する。 - 特許庁

The liquid crystal projector provided with plural projecting lamps and configured so that each projecting lamp projects light on the whole screen comprises a means for sequentially turning on each projecting lamp at prescribed time intervals so that transient current generated at the time of turning on each lamp is not made to flow at the same time.例文帳に追加

複数の投影用ランプを備えており、かつ各投影用ランプがそれぞれ画面全体を投射するように構成されている液晶プロジェクタにおいて、ランプ点灯時において、各投影用ランプ点灯時に発生する過渡的な電流が同時に流れないように、各投影用ランプを所定時間おきに順次点灯させる手段を備えている。 - 特許庁

A phototransistor 36B of a photocoupler 36 is connected between a Zener diode 40 and a diode 42 which are connected to the primary winding 12 A of a transformer 12 of a power supply unit 10A as a snubber circuit, so that the limit-emitting diode 36 A of the photocoupler 36 emits light according to the amount of electric current passing through a transistor 16.例文帳に追加

電源装置１０Ａのトランス１２における１次巻線１２Ａにスナバ回路として接続されたツェナーダイオード４０とダイオード４２との間にフォトカプラ３６のフォトトランジスタ３６Ｂを接続し、該フォトカプラ３６の発光ダイオード３６Ａがトランジスタ１６に流れる電流量に応じて発光するように構成する。 - 特許庁

Then, a state information transmitting means 24 decides which of the sensitivity levels of the stages within a sensitivity permission range does the current sensitivity data match with, and sets a pulse interval corresponding to the sensitivity level of the matched stage, and makes a light-emitting element 20 for sensitivity data transmission emit two pulses with the set pulse interval.例文帳に追加

そして、状態情報送信手段２４は、現在の感度のデータが感度許容範囲内のいずれの段の感度レベルに合致するかを判定し、合致した段の感度レベルに対応するパルス間隔を設定し、設定されたパルス間隔で２パルスを感度データ発信用発光素子２０からパルス発光させる。 - 特許庁

If the working current of the unbalanced energizing display breaker is larger than a predetermined level, reference, reference voltage is identified by a Zener diode ZD1, and comparators IC1, IC2 for comparing the voltage of a main circuit with the voltage of a voltage line under unbalancing are driven to turn on a light emitting diode if the unbalancing condition is kept.例文帳に追加

不平衡通電表示ブレーカの使用電流が予め設定した値より大きくなったときにツェナダイオードＺＤ１により基準電圧を確定させ、主回路の電圧と不平衡になっている電圧線の電圧を比較するためのコンパレータＩＣ１、ＩＣ２を駆動させ、不平衡状態であれば発光ダイオードを点灯させる。 - 特許庁

When atoms or atom groups on the surface of a sample 3 are ionized by a pulse voltage applied to the sample 3 from a pulse generator 1 or pulsed laser light 7a or the like irradiated from a laser 7, generated ions 8 fly by being accelerated by an electric field generated by a direct-current high-voltage power source 2 between the sample 3 and an extraction electrode 5.例文帳に追加

パルス発生器１から試料３に印加されるパルス電圧やレーザー７から照射されるパルスレーザー光７ａなどにより、試料３の表面の原子又は原子団をイオン化させると、発生したイオン８は、試料３と引出電極５の間に直流高圧電源２により発生された電界により加速されて飛行する。 - 特許庁

In the state where an optical leakage current is generated in a TFT optical sensor, charging into the capacitor C is started by a charging circuit 31, and the intensity of external light is detected by a determination circuit 32 by measuring an arrival time from a time when charging is started by the charging circuit 31 until a time when a voltage value of the capacitor C reaches a determination threshold voltage Vth.例文帳に追加

そして、ＴＦＴ光センサに光リーク電流が生じうる状態で充電回路３１によりコンデンサＣへの充電を開始し、判定回路３２で、充電回路３１による充電開始時点からコンデンサＣの電圧値が判定閾値電圧Ｖｔｈに到達するまでの到達時間を計測することで外光強度を検知する。 - 特許庁

A p-electrode 6 as a bonding electrode is formed while it is directly in contact with a p-type layer 4 made of p-type GaN-based compound semiconductor, and a current diffusion layer 5 that has light transmitting property as well as higher conductivity that the p-type layer 4 is formed in a part on the surface of the p-type layer 4 excluding the p-electrode 6.例文帳に追加

ｐ型のＧａＮ系化合物半導体にて形成されたｐ型層４に直接に接触して、ボンディング電極であるｐ電極６が形成されており、ｐ型層４の表面のｐ電極６以外の部分に、透光性でｐ型層４よりも高い導電性を有する電流拡散層５が形成されている。 - 特許庁

A comparator CP in the life discriminating circuit 31 compares high frequency pulsating current from a voltage source VA to be charged to a capacitor CX of the integrating circuit 30 with reference voltage Vref, and when charging voltage to the capacitor CX is discriminated as being dropped to the reference voltage or lower, lights a light emitting diode LED of the life informing circuit 32 to inform the end of the life of the electric ballast.例文帳に追加

寿命判別回路３１のコンパレータＣＰは、積算回路３０のコンデンサＣＸに充電される電圧源ＶＡからの高周波の脈流電圧を基準電圧Ｖｒｅｆと比較し、コンデンサＣＸの充電電圧が基準電圧以下に低下したと判別したときは、寿命報知回路３２の発光ダイオードＬＥＤを点灯させて、電子安定器が寿命であることを報知する。 - 特許庁

To provide a directly embedded LED luminaire with a separate power supply device, and a directly embedded thin LED luminaire with a separate power supply device, enabling miniaturization of a lamp heat sink, reduction of thermal influence on a semiconductor, and replacement of a lamp only at the end of the lifetime of an LED by separately placing a LED light source and a power supply device while maintaining compatibility with a current lighting fixture.例文帳に追加

この発明は現行の灯具との互換性を保ちながら、ＬＥＤ光源と電源装置を別置にして、ランプ・ヒートシンクの小型化と半導体への熱影響の低減及びＬＥＤ寿命時期にランプのみの交換を可能にする電源装置別置式ＬＥＤ直下埋め込み型及びＬＥＤ直下埋め込み薄型照明器具を開発・提供する事にある。 - 特許庁

The RF signals obtained from a quadripartite photodetector 11 converging a reflected light from a laser emitted to an optical disk medium are added and amplified after the current-voltage conversion, and the amplified signals are logically added after binarized by comparators 15a, 15b having both positive and negative polarities, then the logically added signals are amplified by two amplifiers 17a, 17b having the relation of gain ratio 10:1.例文帳に追加

光ディスク媒体に照射したレーザーからの反射光を集光する４分割受光素子１１から得られたＲＦ信号を電流電圧変換後加算および増幅し、増幅した信号を正負両極性のコンパレータ１５ａ，１５ｂにより２値化した後論理加算し、論理加算した信号を、ゲイン比が１０：１の関係にある２つの増幅器１７ａ，１７ｂによって増幅する。 - 特許庁

The planar illumination device is constituted so as to have an LED module 15 formed by scatteringly arranging a plurality of LEDs 7R, 7G, 7B alternately along a light incident face 12, and a color irregularity correcting resistor 40 for bypassing the current to be supplied to the LED 7, connected in parallel to a prescribed LED 7R at end part of the LED module 15.例文帳に追加

複数のＬＥＤ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂを入光面１２に沿って交互に離散的に配置したＬＥＤモジュール１５と、ＬＥＤモジュール１５端部の所定のＬＥＤ７Ｒに並列に接続され、当該ＬＥＤ７Ｒに供給される電流をバイパスさせるための色むら補正用抵抗４０とを有するように構成する。 - 特許庁

The lighting means 1 is provided with an inverter circuit or the like, stably lights the lamp, and lights the lamp by modulating its light by, for instance, restricting the current flowing through the lamp; and sockets 5 supporting the lamp, a terminal block 6 for power connection connected to a power line, and the connection unit 4 are connected to it.例文帳に追加

調光点灯手段１は、インバータ回路等を備えて、ランプを安定化させて点灯し、さらに、たとえばランプに流れる電流を絞ることによりランプを調光点灯させるもので、ランプを支持するソケット５、電源線が接続される電源接続用端子台６、中間接続器４が接続されている。 - 特許庁

A crystal film containing carbon and silicon or a film obtained by implanting carbon into a silicon oxide film is used for an anti-reflection film 6 on a silicon substrate 1, thereby, the reflection is reduced and the attenuation of light in the anti-reflection film 6 is inhibited, and besides the anti-reflection film 6 is composed of a film containing no metal to prevent an increase of dark current.例文帳に追加

シリコン基板１上の反射防止膜６に、炭素とシリコンを含む結晶性の膜、あるいはシリコン酸化膜に炭素を注入して得られる膜を用いることにより、反射を低減させると共に反射防止膜６中の光減衰を抑え、しかも、反射防止膜６を金属を含まない膜で構成することにより暗電流の増加を抑制する。 - 特許庁

Using the signal read by an optical pickup 4, this signal processing circuit 5 measures relation between a light output value of a laser diode 6 and a rate of occurrence of read failure under designated high-frequency current, and calculates the optical output value where the rate of the occurrence of the read failure becomes the minimum in a range where the rate of the occurrence for the read failure is below a permissible value.例文帳に追加

この信号処理回路５は、光ピックアップ４で読み出された信号を用いて、レーザダイオード６の光出力値と読出エラー発生率との関係を所定の高周波電流の下で計測し、読出エラー発生率が許容値以下となる範囲で読出エラー発生率が極小値となる光出力値を算出する。 - 特許庁

Considering that the microwave loss can be reduced while maintaining the high modulation efficiency by applying a modulation electric field through an electrode having the reduced current resistance, an electrode 16 consisting of a wide area 16a and a narrow area 16b is arranged to be parallel with the waveguide 12 resonating light so that the wide area 16a has a period matching with a half wavelength of the microwave oscillated from an oscillation part 18.例文帳に追加

電流抵抗を低減させた電極を介して変調電界を印加することにより、高い変調効率を維持しつつマイクロ波の損失を軽減できることに着目し、広幅領域１６ａと狭幅領域１６ｂからなる電極１６を、広幅領域１６ａが発振部１８から発振されたマイクロ波の半波長に合わせた周期になるように、光を共振させる導波路１２と平行するように設ける。 - 特許庁

A light emitting diode is provided with: a p-type GaP substrate 12; a p-type GaP contact layer 13 stacked on this p-type GaP substrate 12; a p-type AlInP second clad layer 14; a p-type AlGaInP active layer 15; an n-type AlInP first clad layer 16; and an n-type AlGaAs current diffusion layer 17.例文帳に追加

発光ダイオードは、ｐ型ＧａＰ基板１２と、このｐ型ＧａＰ基板１２上に積層されたｐ型ＧａＰコンタクト層１３、ｐ型ＡｌＩｎＰ第２クラッド層１４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層１５、ｎ型ＡｌＩｎＰ第１クラッド層１６及びｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層１７とを備えている。 - 特許庁

Thereby, the resistance which changes by load by application of an electrical current or fatigue due to light can be maintained substantially constant, with almost no changes in passage with time; while the resistance can be controlled by the antimony-doped tin oxide having 102 to 103 Ω.cm resistance to decrease the environmental dependence of the resistance.例文帳に追加

したがって、抵抗値１０^0Ω・ｃｍ以下のカーボンブラックにより、通電による負荷や光疲労で変化しがちな抵抗を経時的にほとんど変化させずに実質的に一定にすることができ、また、抵抗値１０^2〜１０^3Ω・ｃｍのアンチモンドーブ型酸化スズにより、抵抗調整が行われて、抵抗の環境依存性を小さくできるようになる。 - 特許庁

The circuit board for a light-emitting element comprises an extraction terminal group 6 wherein extraction terminals 61 to the outside are accumulated on one side of the board, and a contact pattern 2 for electrically connecting the extraction terminals 61 at a part of the extraction terminal group 6 and the common electrode 10 between the common electrode 10 where common current flows and the extraction terminal group.例文帳に追加

特に外部への取出端子６１が当該基板の一辺に集積された取出端子群６と、共通した電流が流れる共通電極１０と取出端子群との間に、取出端子群６の一部の取出端子６１と共通電極１０とを電気的に接続するコンタクトパターン２と、を備えている。 - 特許庁

The display device 10 also includes: a voltage supply means 34 which supplies a voltage to the optical sensor 30 so that the optical sensor 30 can output a predetermined amount of optical current; and a supply voltage control means 36 which controls the voltage supply means 34 so that the voltage to be supplied to the optical sensor 30 may be changed in accordance with the operation of the backlight light source 20.例文帳に追加

ディスプレイ装置１０は、更に、光センサ３０へ光センサ３０が所定量の光電流を出力するための電圧を供給する電圧供給手段３４と、バックライト光源２０の動作に応じて、光センサ３０へ供給する電圧を変更するよう電圧供給手段３４を制御する供給電圧制御手段３６とを有する。 - 特許庁

To prevent occurrence of a problem of deterioration of the light-emission intensity of an active layer by forming a structure in which an active layer containing nitrogen is formed after forming a p-type semiconductor layer and arranging a layer for selective oxidation mainly composed of AlAs within the p-type semiconductor layer, even if a part of the arranged layer for selective oxidation is selectively oxidized to form a current confinement structure.例文帳に追加

ｐ型半導体層を形成した後に窒素を含む活性層を形成する構造とし、ｐ型半導体層中にＡｌＡｓを主成分とする被選択酸化層を配置し、配置された被選択酸化層の一部を選択的に酸化して電流狭窄構造を形成する場合にも、活性層の発光強度が劣化してしまうという問題が生じることを防止する。 - 特許庁

In an image apparatus using a cold cathode tube as a light source, a system controlling the current flowing through the discharge tube at a digital circuit by PMW is constructed so as to realize a requirement by setting a finishing position and starting position of PWM pulse in compliance with the increment of the duty of the PWM pulse, when increasing/decreasing the duty of the PWM pulse.例文帳に追加

光源として冷陰極管を用いた映像機器であって、放電管に流れる電流制御をデジタル回路にてＰＷＭにより行うシステムにおいて、ＰＷＭパルスのデューティを増加、減少させるときにそれぞれＰＷＭパルス終了位置、開始位置を増加分に応じて設定することによって要求を実現するように構成されている。 - 特許庁

A plane shape recording medium 10 recording radiation image information formed on the thin glass base plate 5 as capacitance latent image and generating current according to the capacitance latent image by scanning the reading surface with readinng light introduced from the glass base plate is supported with a glass base stage 6 thicker than the glass base plate 5 from the glass base plate 5 side.例文帳に追加

薄板状のガラス基板５上に形成された、放射線画像情報を静電潜像として記録し、該ガラス基板側から入射された読取光で読取面を走査されることにより前記静電潜像に応じた電流を発生する平面状の静電記録体１０を、ガラス基板５側から該ガラス基板５よりも厚いガラス基台６で支持する。 - 特許庁

The optical sensing element is formed in a region defined by the gate line, data line and read-out line, which contains a first electrode to which a bias voltage is applied that repeats a fixed level, a control electrode, and a second electrode that is electrically connected to the control electrode and outputs optical leakage current generated in response to extraneous light and the bias voltage.例文帳に追加

光感知素子は、ゲートライン、データライン及び読み出しラインによって定義される領域に形成され、一定レベルを反復するバイアス電圧が印加される第１電極と、制御電極と、制御電極に電気的に連結され、外部光とバイアス電圧に応答して生成される光漏洩電流を出力する第２電極を含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that includes an optical sensor and a light shield film, is prevented from degrading in yield due to interruption of steps or film peeling and prevents an increase in dark current, thereby preventing a deterioration in performance of the optical sensor; to provide a method of manufacturing the semiconductor device; and to provide a liquid crystal display device.例文帳に追加

光センサーと遮光膜を有する半導体装置において、段切れや膜剥がれに起因にする歩留まりの低下を防止することができるとともに、暗電流の増大を防止して光センサーの性能の低下を防止することができる半導体装置及びその製造方法、並びに液晶表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A photoelectric conversion semiconductor layer 30X includes a particle layer or its sintered compact which generates a current by light absorption and in which a plurality of planar particles 31 are arrayed only in a facial direction, or includes of a particle layer or its sintered compact wherein a plurality of planar particles 31 are arrayed in a facial direction and a thickness direction.例文帳に追加

光電変換半導体層３０Ｘは、光吸収により電流を発生するものであり、複数の板状粒子３１が面方向にのみ配列した粒子層又はその焼結体、若しくは、複数の板状粒子３１が面方向及び厚み方向に配列した粒子層又はその焼結体により構成されている。 - 特許庁

The scanner units 4 and 5 perform preparing operations for canceling the threshold voltage of the driving transistor Trd in a time-division manner by using a plurality of horizontal scanning periods allocated to rows precedent to pixels 2 in a current row, and intervals of the time-division operations are set long enough to make the light emitting element EL discharge.例文帳に追加

スキャナ部４，５は、当該行の画素２に先行する行に割り当てられた複数の水平走査期間を利用して、ドライブトランジスタＴｒｄの閾電圧をキャンセルするための準備動作を時分割的に行うとともに、時分割する間隔を発光素子ＥＬが放電するのに十分な程度に長く設定する。 - 特許庁

In the low-temperature battery mode, a brightness threshold for setting photographing sensitivity is forcedly set by the control of a system LSI11, to a value that the photographing sensitivity is always high independently of the brightness of an object; and a charging current of a capacitor for driving light emission of a flash 19 is set lower than a predetermined threshold.例文帳に追加

この低温電池モードでは、システムＬＳＩ１１の制御によって、撮影感度を設定するための明るさの閾値を被写体の明るさに依らず撮影感度が常に高くなるような値に強制的に設定するとともに、フラッシュ１９を発光駆動するコンデンサの充電電流を所定の閾値より低く設定する。 - 特許庁

When pattern-forming the color conversion layer on a device substrate, an adhesion preventive electrode is arranged in advance before evaporating and forming the color conversion layer, the adhesion preventive electrode is heated by flowing current to the adhesion preventive electrode, and pattern-forming of the color conversion layer is performed by re-evaporating the color conversion layer in order to manufacture the multicolor light-emitting device.例文帳に追加

素子基板上に色変換層をパターン形成する際に、色変換層の蒸着形成前に、付着防止用電極を前もって配設しておき、付着防止用電極に電流を流して加熱し、色変換層を再蒸発させることにより色変換層のパターン形成を行い、多色発光デバイスを製造する。 - 特許庁

This deals with a translucent positive electrode for a compound semiconductor light-emitting element of a gallium nitride series that is composed of a contact metal layer contacting a p-type semiconductor layer, and an electric current diffusion layer provided with a bonding pad and a part of the contact metal layer whose electric conductivity is equal to or larger than that of the contact metal layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層に接するコンタクトメタル層、ボンディングパッドおよび該コンタクトメタル層上の一部に設けられ、その導電率がコンタクトメタル層以上の値である電流拡散層からなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用透光性正極。 - 特許庁

A lighting circuit 1 for a discharge lamp includes an NTC thermistor 6 connected in series with a discharge lamp L between a power supply circuit 2 for supplying DC current to the discharge lamp L and an ignitor 3 for starting to light the discharge lamp L in a lighting circuit for the discharge lamp that performs DC drive of the discharge lamp L.例文帳に追加

この放電ランプ用点灯回路１は、放電ランプＬを直流駆動する放電ランプ用点灯回路において、放電ランプＬに直流電流を供給する電源回路２と放電ランプＬを点灯始動するためのイグナイタ３との間において、放電ランプＬに直列に接続されたＮＴＣサーミスタ６を備える。 - 特許庁

When the grip is positioned correctly in the addressing, back swing or follow through or at the hitting point, the internal ball body 6 touches the contacts of conductors buried at the contact points set beforehand with the position sensor 5 and makes the current flow to tell the correctness of the position of the grip by light emission or in voice.例文帳に追加

ゴルフシャフトの上に内部球体６を内臓した位置検知器５を置き、アドレス、バックスウィング、打点、フォロースウィング時にグリップが正確な位置にきた時、内部球体６があらかじめ設定した位置検知器５との接点に埋め込まれた電導体接点と接触し、電流が流れ、発光又は音声でその正確性を伝えるゴルフスウィング練習器。 - 特許庁

To provide a plant culturing apparatus capable of maximally utilizing natural light and service water and housing triple seedlings and potted plants compared with conventional culturing benches of greenhouses having the same floor area, scarcely causing high-temperature and low-temperature hindrance and efficiently culturing seedlings and potted plants having uniform growth by uniform watering amount, solar radiation and current of ventilation.例文帳に追加

自然光と用水を最大限に利用し、同じ床面積をもつ従来の温室ハウスの栽培ベンチに比べ、約３倍以上の苗や鉢物植物を収容できると共に、高温、低温障害が少なく、均一な灌水量や日射量及び換気の流れ等により、生育の均一な苗や鉢物植物を低いランニングコストで効率よく栽培できる装置を得る。 - 特許庁

When a scanning line driving circuit 20 holds a scanning line Sj at 0V, an organic EL element 10ij emits light by itself with a pulse width corresponding to a gray scale with a precharge voltage that a constant voltage circuit 36 supplies and a PWM data signal Ipwmi supplied from a constant current circuit 34 successively thereto.例文帳に追加

走査線駆動回路２０によって走査線Ｓｊが０Ｖになると、有機ＥＬ素子１０ｉｊは、定電圧回路３６が供給するプリチャージ電圧、およびそれに引き続き供給される定電流回路３４からのＰＷＭデータ信号Ｉｐｗｍｉによって階調に応じたパルス幅で自発光を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser drive apparatus in which current applied to a semiconductor laser is optimally corrected depending on respective conditions such as a pixel clock in an image forming device and semiconductor laser light amount with a simple configuration, so as to make up for oscillation delay of the semiconductor laser, and to obtain an output waveform suppressing rounding thereof.例文帳に追加

半導体レーザに印加する電流を、画像形成装置の画素クロックや、半導体レーザ光量の条件ごとに最適な補正を簡単な構成で行うことにより、半導体レーザの発振遅延を補い、且つ、鈍りを抑制した出力波形が得られる半導体レーザ駆動装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a digital camera which, because of photographing an object symmetrically about its center in general, dares to narrow the strobe irradiation angle to reduce the light quantity, while giving a higher brightness to the center to extend the reach of the strobe, thereby efficiently photographing with little power also to cut down the consumed current.例文帳に追加

一般に被写体が中央対象で撮影されるために、あえてストロボの照射角度を狭くして光量を絞って中央により多い輝度を与えてストロボの到達距離を伸ばし、なおかつ少ない電力で効率良く撮影が可能となるために消費電流の削減も期待できるデジタルカメラを提供する。 - 特許庁

To obtain a laser diode drive circuit, and an image recorder comprising that laser diode drive circuit, in which stability in the automatic control of the quantity of light of a laser diode is enhanced by suppressing delay even if laser power is set at a low level and the laser diode drive current can be monitored with high accuracy through one monitor circuit.例文帳に追加

レーザパワーを小さく設定しても遅延を抑え、レーザダイオードの自動光量制御における安定性を向上すると共に、レーザダイオード駆動電流を高精度に１つのモニタ回路で測定できるレーザダイオード駆動回路を得ると共に、該レーザダイオード駆動回路を備えた画像記録装置を得る。 - 特許庁

Since the output voltage of the circuit 212 at the time when the transistor 10 is turned off is equal to the output voltage of the circuit 212 at the time when the light is not detected by the photodiode 206 and no current is outputted, which is namely the offset voltage, the offset is eliminated in the output of the clamp circuit 6.例文帳に追加

そして、トランジスター１０がオフした際の電流電圧変換回路２１２の出力電圧は、フォトダイオード２０６が光を検出せず電流を出力していない場合の電流電圧変換回路２１２の出力電圧、すなわちオフセット電圧と同じであるから、クランプ回路６の出力においてオフセットは解消される。 - 特許庁

In a TTG-DFB-LD including an MQW wavelength control layer 16 wherein a refraction factor is changed by a current injection, the effective forbidden bandwidth of the MQW wavelength control layer 16 becomes greater than energy of light generated in an MQW active layer 20 just by a value of ≥40 meV and <60 meV.例文帳に追加

電流注入により屈折率が変化するＭＱＷ波長制御層１６を有するＴＴＧ−ＤＦＢ−ＬＤにおいて、ＭＱＷ波長制御層１６の実効的な禁制帯幅が、ＭＱＷ活性層２０で発生した光のエネルギーよりも４０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ未満の値だけ大きくなっている。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting device comprises: an n-type clad layer of AlGaInP; a luminous layer of undoped AlGaInP formed on the n-type clad layer; a p-type clad layer of Mg-added AlGaInP formed on the luminous layer; and a current diffusion layer of Zn-added p-type GaInP formed on the p-type clad layer.例文帳に追加

半導体発光装置は、ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層と、前記ｎ型クラッド層上に形成され、アンドープのＡｌＧａＩｎＰからなる発光層と、前記発光層上に形成され、Ｍｇを添加したＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型クラッド層と、前記ｐ型クラッド層上に形成され、Ｚｎを添加したｐ型のＧａＩｎＰからなる電流拡散層とを有する。 - 特許庁

To provide a surface-emitting semiconductor laser that can control polarization of a laser beam unidirectionally with a comparatively simple configuration and that has low threshold electric current and high power property, and to provide a refractive index waveguide type surface emitting semiconductor laser that can be manufactured easily and that is capable of oscillating fundamental lateral mode light having a high output.例文帳に追加

比較的簡単な構成でレーザ光の偏光を一定方向に制御することができ、低しきい値電流、高出力特性を有する面発光型半導体レーザを提供すること、また、製造が容易で、高出力な基本横モード光を発振することが可能な屈折率導波型の面発光型半導体レーザを提供すること。 - 特許庁

When the position of a mount section 41a is varied so that the photodiode PD receives light, an optical axis detecting circuit, in the power meter 50 electrically coupled with the photodiode PD, generates transmission signals having frequencies corresponding to the values of the detected current, and a speaker 53 generates audible sounds having periods corresponding to the transmission signals.例文帳に追加

載置部４１ａの位置を移動させてフォトダイオードＰＤが受光すると、フォトダイオードＰＤに電気的接続をされたパワーメータ５０の光軸検出回路は検知電流の大きさに対応した周波数の発信信号を生成し、スピーカ５３はその発信信号に対応した周期を有する可聴音を発生する。 - 特許庁