「mC」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

A memory cell MC has: a control gate electrode CG provided on a principal surface of a semiconductor substrate 1 with a gate insulating film 5 interposed, an ONO film 9 provided along a side surface of the control gate electrode CG and the principal surface of the semiconductor substrate 1; and a memory gate electrode MG provided on the side surface of the control gate electrode CG and the principal surface of the semiconductor substrate 1 with the ONO film 9 interposed.例文帳に追加

メモリセルＭＣは、半導体基板１の主面上のゲート絶縁膜５を介して設けられたコントロールゲート電極ＣＧと、コントロールゲート電極ＣＧの側面および半導体基板１の主面に沿って設けられたＯＮＯ膜９と、ＯＮＯ膜９を介してコントロールゲート電極ＣＧの側面および半導体基板１の主面上に設けられたメモリゲート電極ＭＧとを有する。 - 特許庁

When an intensity modulated light enters an optical sensor 9, a photodiode D of each picture element 90 photoelectrically converts the incident light to a signal current, an MOS transistor MC samples the signal current with a specified period, and signal charge corresponding to the sampled signal current is stored in a capacitor C.例文帳に追加

強度変調光が光センサ９に入射すると、各画素９０のフォトダイオードＤは入射光を信号電流に光電変換し、ＭＯＳトランジスタＭＣはその信号電流を所定の周期でサンプリングし、キャパシタＣにそのサンプリングされた信号電流に対応する信号電荷が蓄積される。 - 特許庁

Further the portable information collecting terminal device 10 searches inside the memory card MC using the object sort identification information as the searching conditions when the object sort identification information is specified by the person in working and displays a box-shaped image in a display device 10j on the basis of the box-shaped image data corresponding to the box attribute identification information of the object information sensed.例文帳に追加

また、携帯型情報収集端末装置１０は、荷物種類識別情報が作業員によって指定された際には、その荷物種類識別情報を検索条件としてメモリーカードＭＣ内を検索し、検出した荷物情報の箱属性識別情報に対応する箱形態画像データに基づいて、箱形態画像を表示装置１０ｊに表示する。 - 特許庁

The magnetic circuit mc is composed of components including a stator core 10 which has a C-like or U-like cross section, with its end faces 10a facing each other, a coil 11 wound on the stator core 10, and an iron core 2c which is arranged between the end faces 10a of the stator core 10, to constitute the movable piece 2.例文帳に追加

磁気回路ｍｃは、断面Ｃの字状乃至コの字状をなしその端面１０ａ同士が対向する固定子コア１０と、固定子コア１０に巻回されるコイル１１と、固定子コア１０の端面１０ａ同士の間に配置され可動子２を構成する鉄心２ｃとを含む要素部品から構成されている。 - 特許庁

A control gate line CGL is connected to a plurality of memory cells MC arrayed in a y direction side by side in common and arrayed extending in the y direction, and the control gate line CGL has a first width D2 on the element region 10 and a second width D1 wider than the first width D2 on the element isolation region 20.例文帳に追加

ｙ方向に並んで配列された複数のメモリセルＭＣに共通に接続されｙ方向に延びるように制御ゲート線ＣＧＬが配列され、制御ゲート線ＣＧＬは素子領域１０上では第１の幅Ｄ２を有する一方素子分離領域２０上では第１の幅Ｄ２より広い第２の幅Ｄ１を有する。 - 特許庁

Furthermore, when a module voltage detecting circuit MV detects module voltages for each battery module 3 in a battery pack 4, a system control circuit SE causes a module charging circuit MC to charge battery modules 3 where voltage differences drop below the reference voltage among the battery modules 3, based on the detection results of the module voltage.例文帳に追加

さらに、モジュール電圧検出回路ＭＶが、組電池４内の電池モジュール３ごとにモジュール電圧の検出を行うと、システム制御回路ＳＥが、モジュール電圧の検出結果に基づいて、電池モジュール３の中で電圧差が基準値を下回った電池モジュール３に対し、モジュール充電回路ＭＣによって充電を実行させる。 - 特許庁

The braking liquid pressure control device is equipped with a pressure booster valve PU** between a master cylinder MC and each wheel cylinder W**, a decompression valve PD** between the wheel cylinder and reservers RSf and RSr, and hydraulic pumps HPf and HPr for returning the brake fluid having flowed into the reservers (secondary circuit) via the decompression valve to the primary circuit between the master cylinder and the booster valve.例文帳に追加

この装置は、マスタシリンダＭＣとホイールシリンダW**との間の増圧弁ＰＵ**と、同ホイールシリンダとリザーバＲＳf，ＲＳrとの間の減圧弁ＰＤ**と、同減圧弁を介して同リザーバ（２次回路）に流入したブレーキ液を同マスタシリンダと同増圧弁との間の１次回路に戻すための液圧ポンプＨＰf，ＨＰrとを備える。 - 特許庁

A row decoder control circuit 5 is mainly composed of a cell transistor evaluation section 51 to evaluate the cell transistors Tr built in a memory cell MC, a voltage regulator 52 to adjust the voltage to the power supply 51 supplying voltage to the cell transistor based on cell transistor evaluation, and a voltage supply 53 to supply a voltage to the row decoder circuit 4 based on the voltage regulator 52.例文帳に追加

ロウデコーダ制御回路５は、主に、メモリセルＭＣに組み込まれたセルトランジスタＴｒの評価をするセルトランジスタ評価部５１と、そのセルトランジスタの評価に基づきセルトランジスタへ供給する電源供給部５１への電圧を調整する電圧調整部５２と、電圧調整部５２に基づきロウデコーダ回路４に電圧を供給する電圧供給部５３とから構成されている。 - 特許庁

An MC type explosive electric generator 20 amplifies a current to be supplied from a capacitor group 2, a first air-core transformer 30 stores the amplified current as electric energy, which passes through the plasma switch 40 to obtain a high voltage pulse, and a second air-core transformer 50 amplifies the high voltage pulse at a prescribed number of multiples.例文帳に追加

コンデンサ群１０から供給される電流をＭＣ型爆薬発電機２０で増幅し、この増幅電流を電気エネルギーとして第１の空芯トランス３０に蓄積し、この電気エネルギーをプラズマスイッチ４０を通過させることで高電圧パルスとし、この高電圧パルスを第２の空芯トランス５０によって更に所定倍数増幅する。 - 特許庁

The memory cell MC has a triple well structure of: a first conductive type upper layer well PWEL formed on a second conductive type depth layer well DNWL; a second conductive type annular upper layer well NWEL1 surrounding it; and a first conductive type upper layer well and uppermost layer impurity regions (P, N) formed on the second conductive type annular upper layer well.例文帳に追加

メモリセルＭＣは、第２導電型の深層ウェルＤＮＷＬ上に形成された第１導電型の表層ウェルＰＷＥＬ及びそれを囲む第２導電型の環状表層ウェルＮＷＥＬ１と、第１導電型の表層ウェル及び第２導電型の環状表層ウェルに形成された最表層不純物領域（Ｐ，Ｎ）とのトリプルウェル構造を有する。 - 特許庁

To provide alloy steel having high temperature corrosion resistance, wear resistance and toughness by controlling MC type carbides in melted alloy steel which has an economical advantage as well, and having cost effectiveness since expensive Co and powder steel are not used, to provide a screw for an injection molding machine using the alloy steel, and to provide an assembled component thereof.例文帳に追加

経済的にも優位な溶製合金鋼において、ＭＣ型炭化物を制御することにより、高温における耐食性、耐摩耗性、靭性を有し、かつ価格の高いCo、粉末鋼を使用することがなく経済性がよい合金鋼及びかかる合金鋼を用いた、射出成形機用のスクリューおよびその組立部品を提供。 - 特許庁

This tube fixing device includes a fixing attachment 3 attached to a respiratory tube T and having a hook-and-loop fastener sheet 31, and a front part (a vest front part) 1 of a vest type fixing device mounted on the front position of the thoracic region Mc of a patient M and having a hook-and-loop fastener sheet 12 for detachably fixing the fixing attachment 3.例文帳に追加

呼吸チューブＴに取り付けられて、面ファスナーシート３１を有する固定アタッチメント３と、患者Ｍの胸部Ｍｃ前面位置に装着して、この固定アタッチメント３を係脱自在に固定する面ファスナーシート１２を有するベスト型固定具の前部（ベスト前部）１とを備えている。 - 特許庁

A vehicle-to-vehicle communication apparatus Mc connected to an in-vehicle LAN as a vehicle-carried apparatus for vehicle-to-vehicle communications executes a vehicle-to-vehicle communication, using frequency modulated signals on two kinds of frequencies according to the intensity of an optical pulse signal transmitted between vehicle-carried apparatus M over an optical fiber F, based on this pulse signal.例文帳に追加

車車間通信用の車載装置として車内ＬＡＮに接続された車車間通信機Ｍｃは、光ファイバＦを介して車載装置Ｍ間を伝送される光パルス信号に基づき、その信号強度に応じた２種類の周波数にて周波数偏移変調された信号を用いて車車間通信を行う。 - 特許庁

The reset pulse-control circuit RSTCTL includes: a signal-output circuit SOUT which outputs a signal FLGRST on the basis of a current Ireset and a reference current Irefrst which each flow through a selected memory cell MC; and a current-holding circuit IMEM which holds a current which flows through the selected bit line or a wire electrically connected to a bit line for a predetermined time.例文帳に追加

リセットパルス制御回路ＲＳＴＣＴＬは、選択メモリセルＭＣに流れる電流Ｉｒｅｓｅｔと参照電流Ｉｒｅｆｒｓｔとに基づき信号ＦＬＧＲＳＴを出力する信号出力回路ＳＯＵＴと、所定の期間に選択ビット線又はビット線と電気的に接続されている配線に流れる電流を保持する電流保持回路ＩＭＥＭとを備える。 - 特許庁

The voltage supply circuit 70 receives a test mode signal TE of a H level and supplies the threshold value voltage of the N channel MOS transistor 73 to the node 38 connected to a cell Vcc line of a memory cell MC 11, and receives a test mode signal TE of a L level, and supplies external power source voltage to the node 38.例文帳に追加

電圧供給回路７０は、Ｈレベルのテストモード信号ＴＥを受けてメモリセルＭＣ１１のセルＶｃｃ線に接続されたノード３８にＮチャネルＭＯＳトランジスタ７３のしきい値電圧を供給し、Ｌレベルのテストモード信号ＴＥを受けてノード３８に外部電源電圧を供給する。 - 特許庁

Each memory cell block MC has a plurality of memory cells consisting of a selection transistor Q and a ferroelectric capacitor C, a reference data storing memory cell consisting of a selection transistor QREF and a ferroelectric capacitor CREF, a read-out transistor QR, bit lines BL, sub-bit lines SBL, and a reset line RST.例文帳に追加

各メモリセルブロックＭＣは、選択トランジスタＱと強誘電体キャパシタＣとからなる複数のメモリセルと、選択トランジスタＱＲＥＦと強誘電体キャパシタＣＲＥＦとからなるリファレンスデータ格納メモリセルと、読み出しトランジスタＱＲと、ビット線ＢＬと、サブビット線ＳＢＬと、リセット線ＲＳＴとを有している。 - 特許庁

The device includes memory elements MC arranged at cross points of word lines WL and bit lines BL, a write driver WD supplying a writing current to the bit line BL, a writing control circuit WC controlling operation of the write driver WD, and a timing signal generating circuit 13 supplying a timing signal TS to the writing control circuit WC.例文帳に追加

ワード線ＷＬとビット線ＢＬの交点に配置された記憶素子ＭＣと、ビット線ＢＬに書き込み電流を供給するライトドライバＷＤと、ライトドライバＷＤの動作を制御する書き込み制御回路ＷＣと、書き込み制御回路ＷＣにタイミング信号ＴＳを供給するタイミング信号生成回路１３とを備える。 - 特許庁

A cell array block is formed on a semiconductor substrate 51, and a plurality of pieces of first wiring WLL, a plurality of pieces of second wiring BLL crossing the plurality of pieces of first wiring WLL, and a plurality of cell array layers MA having a memory cell MC connected between both pieces of wiring at the crossing section of the first and second wiring are laminated.例文帳に追加

セルアレイブロックは、半導体基板５１上に形成されて、複数の第１の配線ＷＬＬ、これら複数の第１の配線ＷＬＬと交差する複数の第２の配線ＢＬＬ、及び第１及び第２の配線の交差部で両配線間に接続されたメモリセルＭＣを有するセルアレイ層ＭＡを複数積層してなる。 - 特許庁

Then, the process YonB obtains process information containing process ID of the other process which is needed for it from the master management process MC by a process information notice request, obtains remote ID of a parallel object from the other process by a remote ID notice request and generates a second reference to the object on the other process.例文帳に追加

次にプロセスＹｏｎＢは、自身が必要とする他プロセスのプロセスＩＤを含むプロセス情報をプロセス情報通知要求によりマスタ管理プロセスＭＣから取得し、しかる後に当該他プロセス上の並行オブジェクトのリモートＩＤをリモートＩＤ通知要求により当該他プロセスから取得して、当該他プロセス上のオブジェクトへの第２の参照を作成する。 - 特許庁

Then, a substrate conveying signal 73 is transmitted from the main controller MC toward a heater PHP at a time t12 elapsed by a predetermined time T12 from an exposure complete time t11, the substrate W is conveyed from a substrate temporary placing part toward a heating plate, and a heating process is started at the heating plate.例文帳に追加

続いて、露光完了時刻ｔ１１から所定時刻Ｔ１２が経過した時刻ｔ１２において、メインコントローラＭＣから加熱部ＰＨＰに向けて基板搬送信号７３が送信されて、基板Ｗが基板仮置部から加熱プレートに向けて搬送されるとともに、当該加熱プレートにて加熱処理が開始される。 - 特許庁

In the semiconductor memory device composed of a memory cell array including a plurality of regular memory cells and a plurality of sense amplifier circuits, the memory cell array has regular memory cells MC to be used for write and read operation of desired data and a smoothing capacitor (specifically, dummy cells DMC to be used for smoothing capacitor) for reducing power source noise.例文帳に追加

複数の正規メモリセルを含むメモリセルアレイと複数のセンスアンプ回路からなる半導体記憶装置において、メモリセルアレイには、所望のデータの書込み及び読出し動作に利用する正規メモリセルＭＣと、電源ノイズを低減するための平滑容量（具体的には平滑容量に利用するダミーセルＤＭＣ）を有する。 - 特許庁

The method for manufacturing the above iron-based alloy comprises the first heat treatment process for obtaining a mixed structure of martensite, matrix of retained austenite, and unmelted carbides, by solution treatment of rapidly cooling from the higher temperature than austenitizing temperature, and the second heat treatment process for precipitating the low carbon austenite by cooling after precipitating MC type carbides in a temperature region of eutectoid transformation.例文帳に追加

オーステナイト化温度以上の温度から急冷して固溶化処理を施し、これによってマルテンサイトと残留オーステナイトの基地組織と未溶解炭化物の混合組織を得る第１の熱処理工程と、共析変態温度区間でＭＣ型炭化物を析出させた後に冷却し、これによって低炭素オーステナイトを析出させる第２の熱処理工程とにより、上記鉄基合金を得る。 - 特許庁

This portable information collecting terminal device 10 generates new load identification information when box identification information and box attribute identification information received from electronic tags by radio, room identification information designated by workers, load type identification information, and the file names of load image data are inputted and stores them in a memory card MC in the form of load information.例文帳に追加

携帯型情報収集端末装置１０は、電子タグから無線にて受信した箱識別情報及び箱属性識別情報と、作業員が指定した部屋識別情報，荷物種類識別情報，及び、荷物画像データのファイル名とが、入力されると、新たな荷物識別情報を生成して、これらを荷物情報として、メモリーカードＭＣに蓄積する。 - 特許庁

Sine multiplication signals Ms acquired by multiplying their detection signals by sine wave signals Ss at a multiplier 32S and cosine multiplication signals Mc acquired by multiplying the detection signals by cosine wave signals Sc at a multiplier 32C are each compared in magnitude with saw tooth waves of, for example, 256 times the frequency of the sine wave signals Ss at comparators 33S and 33C.例文帳に追加

この検出信号に、乗算器３２Ｓでサイン波信号Ｓｓが乗算されたサイン乗算信号Ｍｓおよび乗算器３２Ｃでコサイン波信号Ｓｃが乗算されたコサイン乗算信号Ｍｃは、それぞれコンパレータ３３Ｓ，３３Ｃでサイン波信号Ｓｓの例えば２５６倍の周波数の鋸波と大小比較される。 - 特許庁

Further, the transmission apparatus dynamically changes a modulation system and a channel coding rate in response to the communication state to each receiver when using the OFDM transmission means, and dynamically changes the modulation system, a channel coding rate, and a spread rate in response to the communication state to each receiver when using the MC-CDMA transmission means.例文帳に追加

また、ＯＦＤＭ送信手段を用いるとき、各受信装置に対する通信状態に応じて、変調方式及びチャネル符号化率を動的に変更し、ＭＣ−ＣＤＭＡ送信手段を用いるとき、各受信装置に対する通信状態に応じて、変調方式、チャネル符号化率及び拡散率を動的に変更する。 - 特許庁

The memory cell MC includes a first gate electrode WG formed on a channel region 4 in a semiconductor substrate 1 through a gate insulation film 5, a second gate electrode CG formed at a side of the first gate electrode WG and coupled with the first gage electrode WG through an insulation substance, and an electric charge trap film 6 formed at least between the channel region 4 and the second gate electrode CG.例文帳に追加

メモリセルＭＣは、半導体基板１中のチャネル領域４上にゲート絶縁膜５を介して形成された第１ゲート電極ＷＧと、第１ゲート電極ＷＧの側方に形成され絶縁体を介して第１ゲート電極ＷＧとカップリングする第２ゲート電極ＣＧと、チャネル領域４と第２ゲート電極ＣＧとの間に少なくとも形成された電荷トラップ膜６とを有する。 - 特許庁

A servo driver 1 inputs a position command signal Pc with respect to the vicinity of this side of a desired position from a CPU 3 controls the needle of the linear actuator 72 by inputting an encoder feedback signal Ef from a position sensor 2, and outputs a movement completion signal Mc to the CPU 3, when the displacement of the needle becomes equal to the position command signal Pc.例文帳に追加

サーボドライバ１はＣＰＵ３から所望の位置の手前の近傍箇所に対する位置指令信号Ｐcを入力し、位置センサ２からエンコーダフィードバック信号Ｅfを入力してリニアアクチュエータ７２の可動子を制御し、可動子の変位が位置指令信号Ｐcと等しくなると、移動完了信号ＭcをＣＰＵ３に出力する。 - 特許庁

When a reference signal Sr from a main controller MC is inputted to a drive signal controlling part 10 of each toner color, PLL processing is carried out at the same time (synchronizing a deflector 65 with the reference signal Sr by controlling a drive signal Sd so that a phase of the reference signal Sr and a phase of a horizontal periodic signal Hsync establish a predetermined relative relationship).例文帳に追加

メインコントローラＭＣからの基準信号Ｓrが各トナー色の駆動信号制御部１０に入力されてＰＬＬ処理（基準信号Ｓrの位相と水平周期信号Ｈsyncの位相とが所定の相対関係を有するように、駆動信号Ｓdを制御して偏向器６５を基準信号Ｓrに同期させる）が同時に行われている。 - 特許庁

The semiconductor storage device is provided with: memory cell arrays MA including a plurality of mutually parallel word lines WL; a plurality of mutually parallel bit lines BL formed so as to cross the word lines WL; and memory cells MC which are arranged at intersections with the word lines WL and the bit lines BL and each of which has a variable register VR and a diode Di connected thereto serially.例文帳に追加

半導体記憶装置は、互いに平行な複数のワード線ＷＬと、ワード線ＷＬと交差するように形成された互いに平行な複数のビット線ＢＬと、ワード線ＷＬとビット線ＢＬとの各交差部に配置され、可変抵抗素子ＶＲとダイオードＤｉとが直列接続されたメモリセルＭＣを含むメモリセルアレイＭＡとを備える。 - 特許庁

By optimizing a magnetic material to use and shape and setting the cut-off frequency higher than the frequency of basic wave magnetic flux contributing to the torque of a permanent magnet type synchronous motor 1 and lower than the frequency of the harmonic magnetic flux not contributing to the torque, the harmonic magnetic flux suppressing element 10 can attenuate only the harmonic components of the magnetic flux flowing through the main magnetic circuit MC.例文帳に追加

高調波磁束抑制要素１０は、使用する磁性材料や形状などを最適化して、カットオフ周波数が永久磁石型同期電動機１のトルクに寄与する基本波磁束の周波数よりも高く、且つ、トルクに寄与しない高調波磁束の周波数以下となるように設定されることで、主磁気回路ＭＣを流れる磁束の高調波成分のみを減衰させることができる。 - 特許庁

A control gate electrode film 103 includes a common connection part 1031 extending in a first direction, and an electrode configuration part 1032 projecting from the common connection part 1031 in the second direction and provided for each memory cell MC on an upper part or a lower part of the floating gate electrode film 109 via an inter-electrode insulation film 108.例文帳に追加

制御ゲート電極膜１０３は、第１の方向に延在する共通接続部１０３１と、共通接続部１０３１から第２の方向に突出し、フローティングゲート電極膜１０９の上部または下部に電極間絶縁膜１０８を介してメモリセルＭＣごとに設けられる電極構成部１０３２と、を有する。 - 特許庁

The memory blocks 2 are formed by laminating memory cell arrays MA including a plurality of bit lines BL, a plurality of word lines WL formed to cross the plurality of bit lines BL, and memory cells MC each arranged on a crossing point of the bit line and word line with one end connected to the bit line and the other end connected to the word line.例文帳に追加

メモリブロック２は、複数のビット線ＢＬ、複数のビット線ＢＬと交差するように形成された複数のワード線ＷＬ、ビット線ＢＬとワード線ＷＬとの各交差部に配置され、一端がビット線ＢＬに他端がワード線ＷＬにそれぞれ接続されたメモリセルＭＣを含むメモリセルアレイＭＡが積層されて構成されている。 - 特許庁

The MRI apparatus 100 includes a transmission and reception coil 8 which receives an MR signal from the imaging section 14a of a subject 14 in a main scanning period MC; and a transmission and reception coil 10 which, during a navigator period NAV, transmits a navigator RF pulse Pnav to the subject 14 and receives a navigator echo from the subject 14.例文帳に追加

ＭＲＩ装置１００は、本スキャン期間ＭＣに被検体１４の撮像部位１４ａからＭＲ信号を受信する受信コイル８と、ナビゲータ期間ＮＡＶに、被検体１４にナビゲータＲＦパルスＰnavを送信するとともに、被検体１４からナビゲータエコーを受信する送受信コイル１０と、を有している。 - 特許庁

A bottom electrode BE of a ferroelectric capacitor FC in a memory cell MC to be connected to plate lines PL, /PL is connected to an active area AA through a contact between the bottom electrode-active area, and the active area is connected to the plate line formed by the metal wiring layer through a contact cAA-M1 between the active area-metal wiring.例文帳に追加

プレート線ＰＬ，／ＰＬに接続されるメモリセルＭＣにおける強誘電体キャパシタＦＣの下部電極ＢＥを、下部電極−拡散層間コンタクトを介して拡散層ＡＡに接続し、上記拡散層は、拡散層−金属配線間コンタクトｃＡＡ−Ｍ１を介して、金属配線層で形成されるプレート線に接続した。 - 特許庁

This semiconductor storage device has a multi-port memory and is provided with a plurality of memory cells MC arranged in a matrix-like state, a plurality of first word lines WLA0-WLAn connected to a first ports 13a, and a plurality of second word lines WLB0-WLBn connected to a second port 13b.例文帳に追加

本発明の半導体記憶装置は、マルチポートメモリを有しており、行列状に配置された複数のメモリセルＭＣと、第１ポート１３ａに接続された複数の第１のワード線ＷＬＡ０〜ＷＬＡｎと、第２ポート１３ｂに接続された複数の第２のワード線ＷＬＢ０〜ＷＬＢｎとを備えている。 - 特許庁

A controller is configured such that a process for correcting an output target value VTref serving as the density target value for the toner of the developer is executed only when the detection result is not within a target range from a predetermined adhesion amount lower limit Mb less than a predetermined adhesion target value Ma to an adhesion amount upper limit value Mc greater than the adhesion amount target value Ma.例文帳に追加

そして、その検知結果が、所定の付着量目標値Ｍａよりも少ない所定の付着量下限値Ｍｂから、付着量目標値Ｍａよりも多い付着量上限値Ｍｃに至るまでの目標範囲内に収まらない場合にのみ、現像剤のトナーについての濃度目標値である出力目標値ＶＴｒｅｆを補正する処理を実施するように、制御部を構成した。 - 特許庁

While the drive circuit carries a current to the storage element through the access transistor by applying a voltage between the bit line BL and the plate line in the first operation of writing and erasure of data to the memory cell MC, applies a voltage opposite to the voltage in the first operation between the well and the plate line PL in the second operation of the writing and the erasure of the data.例文帳に追加

駆動回路は、メモリセルＭＣへのデータの書き込みと消去の一方（第１動作）でビット線ＢＬとプレート線との間に電圧を印加することによって前記アクセストランジスタを介して前記記憶素子に電流を流し、データの書き込みと消去の他方（第２動作）においては、第１動作での前記電圧と逆向きの電圧を前記ウェルと前記プレート線ＰＬとの間に印加する。 - 特許庁

In each memory cell unit, a memory cell array consisting of a series connection in the array direction of a predetermined number of memory cell transistors MC capable of electrical writing and erasure of data has one end connected with a bit line BL through a first select gate transistor and the other end connected with a source line SL through a second select gate transistor SGS.例文帳に追加

各メモリセルユニットは、電気的なデータの書き込みおよび消去が可能な所定個のメモリセルトランジスタＭＣを列方向に直列に接続したメモリセル列の、その一端が第１の選択ゲートトランジスタを介してビット線ＢＬに接続され、他端が第２の選択ゲートトランジスタＳＧＳを介してソース線ＳＬに接続されている。 - 特許庁

Since the oscillator 115 is provided with a variable capacitance diode for changing the frequency of the clock signal in accordance with electric capacitance, the frequency of the clock signal is adjusted by changing the electric capacitance of the variable capacitance diode by the command from the MC 114 at the time of judging that the frequency of the radiated radio wave is included within the frequency band of the sound signal.例文帳に追加

クロック信号周波数の調整は、電気容量に応じてクロック信号周波数を変えるための可変容量ダイオードをクロック発振器が備えることにより、輻射される電波の周波数が音声信号の周波数帯域内と判定したとき、マイコンからの指令により可変容量ダイオードの電気容量を変えることにより行う。 - 特許庁

In a frame multiplexing transmission section (OAM) for multiplexing master and slave user frames from network apparatuses #1 and #2 between a media access control layer (MAC) in a subscriber side frame multiplexing transmission apparatus (FTTH-CPE-MC) and an optical transmission line side physical layer (PHY2), the slave user frame is inserted into a frame gap of the master user frame and multiplexed.例文帳に追加

ネットワーク機器＃１及び＃２からの主及び従ユーザフレームの多重化を、加入者側フレーム多重伝送装置（ＦＴＴＨ−ＣＰＥ−ＭＣ）におけるメディアアクセス制御層（ＭＡＣ）と光伝送路側物理層（ＰＨＹ２）との間のフレーム多重伝送部（ＯＡＭ）において、主ユーザフレームのフレーム間隙に従ユーザフレームを挿入して多重化する。 - 特許庁

An arrangement decision device 2 selects the automatic machines A and B having known machine characteristics based on the time required for assembly work or machining work and assigns them to each function cell FC, so that working time in each function cell FC is made uniform, according to input of the number of human cells MC which is set per every person cell and the number of robot cells RC1.例文帳に追加

割当決定装置２は、人セル当たりの人数が設定付与された人セルＭＣの個数とロボットセルＲＣ１等の個数入力に応じて、各機能セルＦＣにおける作業時間が均一化されるように組付作業または加工作業に要する時間が既知の機械特性を持つ自動機Ａ，Ｂ等を選択して各機能セルＦＣに割り当てる。 - 特許庁

Two AND gates 9, 10 controlled by an output from an external writing mode detection circuit 6 are connected on the way of control signals TEST, CHIP-ERASE outputted only by the external writing mode out of outputs from a command decoder 8 for detecting commands, and in the case of the MC mode, the output of the control signals TEST and CHIP-ERASE is interrupted.例文帳に追加

コマンドを検出するコマンドデコーダ８の出力の内、外部書込モードの時にのみ出力される制御信号ＴＥＳＴ、ＣＨＩＰ−ＥＲＡＳＥの途中に外部書込モード検出回路６の出力によって制御されるＡＮＤゲート９及び１０を設け、マイコンモードの場合に、制御信号ＴＥＳＴ及びＣＨＩＰ−ＥＲＡＳＥの出力を遮断する。 - 特許庁

A microcomputer MC includes: a priority-based table Ta1 which stores a priority assigned to each task in association with an operation frequency; a time zone-based table Ta2 which stores a predetermined correction value for each time zone; a clock part 4 which clocks a current time; and a clock control part 1 which determines an operation frequency of an arithmetic processor 2.例文帳に追加

マイコンＭＣには、各タスクにそれぞれ割り当てられた優先度を動作周波数に対応付けて記憶した優先度別テーブルＴａ１と、所定の補正値が時間帯別に記憶された時間帯別テーブルＴａ２と、現在時刻を計時する時計部４と、演算処理装置２の動作周波数を決定するクロック制御部１とが設けられる。 - 特許庁

The polyamide resin composition contains: a ferroelectric polyamide obtained by polycondensation of a diamine component containing ≥50 mol% 2-methyl-1,5-pentadiamine and a dicarboxylic acid component containing ≥50 mol% azelaic acid and having a remnant polarization of ≥30 mC/m^2 when the polarization processing is conducted in the electric field of 200 MV/m; a conductive material; and a compound having a sulfonamide group.例文帳に追加

２−メチル−１，５−ペンタンジアミンを５０モル％以上含むジアミン成分、およびアゼライン酸を５０モル％以上含むジカルボン酸成分を重縮合して得られ、２００ＭＶ／ｍの電界で分極処理を行った際の残留分極が３０ｍＣ／ｍ^２以上である強誘電性ポリアミド、導電性材料、およびスルホンアミド基を有する化合物を含むことを特徴とするポリアミド樹脂組成物。 - 特許庁

The set angle range is one angle range where a maximum value for torque to be generated around the axial line FC by combustion pressure is smaller, out of two angle ranges where the rotating angle of the link axial line LC is obtained from the condition that a distance between the axial line MC and the axial line FC in a direction BC is maximum up to the condition that the distance is minimum.例文帳に追加

設定角度範囲は、軸線ＭＣと軸線ＦＣとの間の方向ＢＣにおける距離が最長となる状態から同距離が最短となる状態までにリンク軸線ＬＣの回転角度がとり得る２つの角度範囲のうちの、燃焼圧により生じる軸線ＦＣ回りのトルクの大きさの最大値が小さくなる方の角度範囲である。 - 特許庁