「mask processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

A mask M held by exposure mechanisms 3A and 3B is brought into contact with a substrate W held by substrate holder mechanisms 3A and 3B of exposure processing parts 1A and 1B of an automatic exposure device and the substrate W is automatically exposed to a specified pattern through the mask W.例文帳に追加

自動露光装置１の各露光処理部１Ａ，１Ｂの基板ホルダ機構３Ａ，３Ｂに保持された基板Ｗに、各露光機構５Ａ，５Ｂに保持されたマスクＭを接触させ、このマスクＭを通して基板Ｗ上に所定のパターンを自動的に露光処理する。 - 特許庁

The controller 90 adjusts the angles of inclination of the squeegees SQ1 and SQ2 with respect to the upper surface of the metal mask MK, the moving speeds of the squeegees SQ1 and SQ2 and the pressing forces of the squeegees SQ1 and SQ2 to the metal mask MK by program processing.例文帳に追加

この評価に基づいて、コントローラ９０は、プログラム処理により、メタルマスクＭＫの上面に対するスキージＳＱ１，ＳＱ２の傾斜角、スキージＳＱ１，ＳＱ２の移動速度、メタルマスクＭＫに対するスキージＳＱ１、ＳＱ２の押し付け力などを調整する。 - 特許庁

Then a p-type semiconductor 25 projecting from the mask oxide film is polished to remove the mask oxide film, and then a surface layer of the parallel p-n structure is subjected to annealing processing in a non-oxidizing and a non-nitriding atmosphere to smooth the surface layer of the parallel p-n structure.例文帳に追加

次いで、マスク酸化膜より上に突出しているｐ型半導体２５を研磨し、マスク酸化膜を除去した後、並列ｐｎ構造の表面層に非酸化性および非窒化性雰囲気でアニール処理を行い、並列ｐｎ構造の表面層を平滑化する。 - 特許庁

Because the forming precision of the mask 18 (treatment pore 19) becomes greater than that in the case where the mask 18 of relatively large size corresponding to the substrate-processing area is used, fine film-deposition treatment can be applied to a large-size substrate by using the treatment unit 10 with high precision.例文帳に追加

基板の処理エリアに対応する比較的大きなサイズのマスク１８を用いる場合よりも、マスク１８（処理孔１９）の形成精度が高くなるため、処理ユニット１０を用いて大型の基板に微細な成膜処理を高精度に施すことができる。 - 特許庁

This mask M used in the proximity exposure device PE includes a mask pattern provided with a main pattern part 81 having a line-like opening, and a transmissive line-like auxiliary pattern part 83 formed in a side of the main pattern part 81 and not resolved after development processing.例文帳に追加

近接露光装置ＰＥで使用されるマスクＭには、ライン状の開口を有する主パターン部８１と、該主パターン部８１の側方に形成され、現像処理後に解像されない透過性でライン状の補助パターン部８３とを備えるマスクパターンが形成されている。 - 特許庁

For example, in the case of using text information as the mask image, the image processing apparatus applies no scalar quantization but applies the post quantization to the mask data to reduce only low-bit planes to eliminate noise, and applies no post quantization but applies the scaler quantization to the other foreground and background images.例文帳に追加

例えば、マスク画像としてテキスト情報を用いる場合に、マスクデータに対しては、スカラー量子化をせずにポスト量子化によって低ビットプレーンのみ削減し、ノイズを除去し、その他の前景及び背景画像については、ポスト量子化をせずにスカラー量子化する。 - 特許庁

When a command is issued, the number of clock signals corresponding to the issued command is read from a command mask time corresponding table 2B, and the number of clock signals corresponding to the read number of clock signals are generated by the mask processing release of the clock signals.例文帳に追加

コマンドが発行されると、発行されたコマンドに対応したクロック信号数をコマンドマスク時間対応表２Ｂから読み出し、この読み出したクロック信号数に応じた数のクロック信号を、例えばクロック信号のマスク処理解除などにより生成する。 - 特許庁

The jig for holding and for transporting the mask material for exposure in order to subject the mask material for exposure to processing and/or drying by at least 1 or more kinds of liquid is constituted by using a hollow member in the constitution segments of the jig.例文帳に追加

露光用マスク材料を、少なくとも一種類以上の液体による処理及び／又は乾燥を行うために、該露光用マスク材料を保持し搬送する治具に於いて、当該治具の構成部分に中空部材を用いることを特徴とする保持用治具。 - 特許庁

Except for during the internal winning of the bonus, new stop position data are generated by the ANDing (AND operation) of a data of preferential stop position before the processing and the stop data (mask data) of a mask data table and the stop position based on the result is defined as a new "preferential stop position".例文帳に追加

ボーナス内部当選中でない場合には、加工前の優先停止位置のデータと、マスクデータテーブルの停止データ（マスクデータ）との論理積（ＡＮＤ演算）によって、新たな停止位置データを生成し、これに基づいた停止位置を、新たな「優先停止位置」とする。 - 特許庁

To provide equipment and a method for preparing mask data in which data processing time is reduced by reducing simulation time by preventing a plurality of time multiple simulation with respect to the same region in preparing the mask data in manufacturing a semiconductor.例文帳に追加

半導体製造におけるマスクデータの作成において、同一領域について複数回重複してシミュレーションを行うことを防ぎ、シミュレーション時間を短縮し、データ処理時間を短縮することができるマスクデータ作成装置及びマスクデータ作成方法を提供する。 - 特許庁

Under the conditions, a TMR film is anisotropically dry-etched using the polycrystalline silicon films PS1, PS2 for the processing mask and the sidewall spacers SWL, SWR as the mask to part the TMR film, thereby forming a gap SPC smaller than the size 1F in the TMR film.例文帳に追加

この条件下で加工マスク用多結晶シリコン膜ＰＳ１、ＰＳ２および側壁スペーサＳＷＬ、ＳＷＲをマスクとしてＴＭＲ膜を異方的にドライエッチングしてＴＭＲ膜を分断し、ＴＭＲ膜に寸法１Ｆ未満の隙間ＳＰＣを形成する。 - 特許庁

A region not including the mamma image (NGA) is extracted as an region without interest from the image (A) of the present, mask processing is carried out to the region without interest of the image (B") of the past, and an image (B'") of the past having a mask image 94 is obtained.例文帳に追加

現在画像（画像Ａ）から関心外領域として、乳房画像ＮＧＡを含まない領域を関心外領域として抽出し、過去画像（Ｂ’’）の当該関心外領域に対してマスク処理を行い、マスク画像９４を備えた過去画像（Ｂ’’’）を得る。 - 特許庁

When performing overlay print by using a complex form setting file(file whose form to be used or print attributes are set for each page) and data, a mask is designated for a component form so that the processing of a mask is performed to a field in the component form.例文帳に追加

複合フォーム設定ファイル（各ページに対して、使用するフォームや印刷属性等の設定がされたファイル）とデータを用いてオーバレイ印刷する際に、部品フォームに対して、マスクの指定をすることで、その部品フォーム内のフィールドにマスクの処理がされる。 - 特許庁

The semiconductor substrate manufacturing method comprises forming the SiGe film on the substrate having a silicon layer on its surface, forming a mask pattern having grating-shaped grooves on the SiGe film, injecting ions to the substrate through the mask pattern, and then performing heat processing.例文帳に追加

表面にシリコン層を有する基板上に、ＳｉＧｅ膜を形成し、該ＳｉＧｅ膜上に格子状の溝を有するマスクパターンを形成し、該マスクパターンをとおして基板にイオン注入し、熱処理を行う半導体基板の製造方法が提供される。 - 特許庁

Concerning the device for measuring and evaluating the form of the mask pattern, mask pattern image data are inputted and after pattern form data are extracted by processing these data by a computer, a prescribed form characteristic value is measured so that the pattern form can be evaluated.例文帳に追加

マスクパターンの形状計測評価装置において、マスクパターン画像データを入力し、これをコンピュータ処理してパターン形状データを抽出した後、所定の形状特性値を計測処理することにより、パターン形状を評価することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for correcting optical proximity effect permitting to efficiently extract a mask pattern for OPC (Optical Proximity Effect Correction) within a short time and capable of subjecting the extracted mask pattern to the OPC processing at the time of forming a semiconductor circuit.例文帳に追加

半導体集積回路を形成する場合のＯＰＣの対象とすべきマスクパターンを短時間の内に効率良く抽出できるようにし、かつ、抽出されたマスクパターンを精度良くＯＰＣ処理できる光学的近接効果補正方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image output device which can make drawing processing, using a mask pattern in an arbitrary rectangular shape, to a page memory fast by enabling fast word-by-word access to a memory when the drawing processing is carried out.例文帳に追加

任意の矩形状のマスクパターンを用いた描画処理を行う際に、ワード単位で高速にメモリにアクセスすることを可能とすることにより、ページメモリへの描画処理の高速化ができるような画像出力装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for extracting a high-accuracy mask image having unnecessary part removal processing allowing the sequential removal of an unnecessary part having a large region area with a few repetition frequency without depending on filter processing.例文帳に追加

フィルタ処理に依存せず、少ない繰り返し回数で領域面積の大きい不要部を逐次的に除去することが可能な不要部除去処理を備えている精度の高いマスク画像を抽出する方法を提供する。 - 特許庁

Namely, when a predetermined number of defects are not removed from the substrate through the cleaning processing on the substrate, the possibility that a defect is present in the mask substrate is high, so detection processing for the defect in the substrate is carried out.例文帳に追加

すなわち、基板の洗浄加工処理によって基板から所定数の欠陥が除去されなかった場合には、マスク基板の内部に欠陥が存在する可能性が高いので、基板内部の欠陥の検出処理行い。 - 特許庁

To provide an image evaluation method for accurately evaluating quality of an image while reflecting interaction between signals in the image such as a mask effect, and an image processing method and an image processing device using the method.例文帳に追加

マスク効果のような画像内における信号間の相互作用を反映しつつ画像の画質を高精度で評価することのできる画像評価方法およびそれを用いた画像処理方法、ならびに画像処理装置を提供する。 - 特許庁

To form fine mask patterns with high accuracy by detecting whether correction patterns by OPC (optical proximity correction) processing is adequate or not with high accuracy without overlooking the small correction patterns by the OPC processing, which patterns are intrinsically ought not to be generated.例文帳に追加

本来発生されるべきではないＯＰＣ処理による小さな補正パターンを見逃すことなく、高精度にＯＰＣ処理による補正パターンが適切であるか否かを検出して、微細なマスクパターンを高精度に形成する。 - 特許庁

The system exposing a mask pattern on a substrate is provided with a memory 20 storing a number of operating parameters for exposure- related processing and a controller 14 switching the operating parameters based on the time slot for processing.例文帳に追加

マスクのパターンを基板に露光する露光装置において、露光に関する処理の動作パラメータを複数記憶する記憶装置２０と、処理を実行する時間帯に基づいて動作パラメータを切り替える制御装置１４とを備える。 - 特許庁

The lithography simulation method includes steps of: applying defocus processing to an image formation condition of lithography simulation by referring to a table with a relationship between the dimension of a mask pattern of a simulation object and a defocus amount specified therein; and calculating the dimension of a transfer pattern corresponding to the mask pattern using the image formation condition with the defocus processing applied thereto.例文帳に追加

リソグラフィシミュレーションの結像条件に対して、シミュレーション対象のマスクパターンの寸法とデフォーカス量との関係が規定されたテーブルを参照してデフォーカス処理を施す工程と、前記デフォーカス処理が施された結像条件を用いて前記マスクパターンに対応する転写パターンの寸法を算出する工程と、を備えたリソグラフィシミュレーション方法である。 - 特許庁

To solve the problem that an inter-wiring capacitance value is changed since a dummy metal is inserted to a layout after timing is matched after the end of layout routing processing when preparing a mask required for manufacturing a semiconductor device, timing design is required again and a design period (TAT) from the end of the layout routing processing to mask preparation becomes long.例文帳に追加

半導体装置製造に必要なマスク作成時において、配置配線処理終了後のタイミングを合わせ込んだ後のレイアウトにダミーメタルを挿入するために、配線間容量値が変化してしまい、再度タイミング設計が必要となり、配置配線処理終了からマスク作成までの設計期間（ＴＡＴ）が長くなってしまう。 - 特許庁

To provide a novel self-assembled monolayer capable of reducing stress generated on a solid surface by impact of corpuscular beam in an ion projection direct structuring (IPDS) method or the like, a self-assembled monolayer constitution body, a stencil mask realizing fine processing of a magnetic body at a high speed and high accuracy and a fine processing method using this stencil mask.例文帳に追加

直接描画型マイクロイオンプロジェクションパターニング法等において、粒子線衝撃により固体表面に発生する応力を低減することができる新しい自己組織単分子膜と、自己組織単分子膜構成体、および、より高速で、高精度な磁性体の微細加工を可能とするステンシルマスクと、このステンシルマスクを用いた微細加工方法を提供する。 - 特許庁

The pixels of sensor image data 4 are subjected to interpolation processing on reference to the output characteristic data C of a sensor 2 formed on the basis of the respective characteristics of the sensor 2 and a magnifying optical system 3 and a mask restoring filter 20 for acquiring sensor image data 28 acquired by restoring the pattern image formed on a mask 1 from the sensor image data 27 subjected to interpolation processing is provided.例文帳に追加

センサ２及び拡大光学系３の各特性に基づいて作成されたセンサ２の出力特性データＣを参照してセンサ画像データ４の画素を補間処理し、この補間処理されたセンサ画像データ２７からマスク１に形成されたパターンの像を復元したセンサ画像データ２８を取得するマスク復元フィルタ２０を設けた。 - 特許庁

The method of processing the glass substrate has a first step S1 for polishing the processing surface of the glass substrate, a third step S3 and a forth step S4 for forming an etching mask on the processing surface and a fifth step S5 for pattern-forming a micro-processed uneven structure on the processing surface of the glass substrate by wet-etching.例文帳に追加

本発明のガラス基板の加工方法は、ガラス基板の被加工面を研磨する第１工程Ｓ１と、前記被加工面にエッチングマスクを形成する第３工程Ｓ３及び第４工程Ｓ４と、湿式エッチング処理により前記ガラス基板の被加工面に前記微細凹凸構造をパターン形成する第５工程Ｓ５と、を有する。 - 特許庁

Among these, the signal processing section 31 sorts out image signals from the CCD line sensor 40 for every unit mask predetermined according to the size of the foreign matter and determines the presence of foreign matters in accordance with a relationship between the average of image signals sorted out for every unit mask and a predetermined threshold (slice level).例文帳に追加

このうち信号処理部３１は、ＣＣＤラインセンサ４０からの画素信号を異物の大きさにより予め定められた単位マスク毎に整理し、この単位マスク毎に整理された画素信号の平均値と、所定の閾値（スライスレベル）との関係に基づいて異物の有無を判定する。 - 特許庁

When print data on AM dot data is produced by an RIP 12, in an inkjet printer 20, the print data is divided into 4×4 pixel blocks Z by a mask pattern processing unit 41 and the dot recording order of each pixel in each block Z is decided based on a mask pattern.例文帳に追加

ＲＩＰ１２で、ＡＭ網点データの印刷データを生成すると、インクジェットプリンタ２０では、マスクパターン処理部４１により、印刷データを４×４画素のブロックＺ毎に分割し、マスクパターンに基づいて各ブロックＺにおける各画素のドット記録順序を決定する。 - 特許庁

To provide a technique for manufacturing a magnetic recording head having a reverse tapered shape, with which the retreat of a mask layer scarcely occurs in processing, and little engraving of an insulating underlayer occurs, by making a selection ratio of a wider range with respect to the mask layer and the insulating underlayer than that in the conventional technique available.例文帳に追加

従来技術に比べてマスク層及び下地絶縁層に対し広範囲の選択比をとることができ、これにより、加工時のマスク層の後退が殆どなく、下地絶縁層の堀り込みも小さい逆テーパ形状の磁気記録ヘッドの製造技術を提供する。 - 特許庁

In the method for processing the silicon substrate, a hydrogen stabilization treatment in which silicon elements on at least one main surface of a p-type silicon substrate are coupled with hydrogen, is applied, a thin film is formed a mask thin film formation step, and the thin film in a partial area of the thin film is removed in a mask thin film partial removal step.例文帳に追加

ｐ型のシリコン基板の少なくとも一主面表面のシリコン元素が水素と結合する水素安定化処理がなされ、マスク薄膜形成工程において薄膜が形成され、マスク薄膜部分除去工程において薄膜のうち一部領域にある薄膜部分が除去される。 - 特許庁

When changing an original color image into a monochromatic half-tone image, a CPU 302 creates a character color mask from the character color and creates a character background color mask from the background color and takes a logical processing between the masks and the original image to separate the character parts from the background and to sharply apply binary recording to the image.例文帳に追加

ＣＰＵ３０２は元カラーイメージをモノクロの中間調に直す際に文字の色の部分から文字色マスクを作成し、背景色から文字背景色マスクを作成して、これらと論理をとることで文字の部分を背景と分離して、鮮明に２値記録を行う。 - 特許庁

In a digital camera, when sending the photographed image to the outside, a face image extraction part 84 of a CPU 60 extracts a face image of the person from inside the transmitted image, and it is automatically decided whether or not the mask processing is applied to each face image by a mask decision part 86.例文帳に追加

デジタルカメラにおいて、撮影した画像を外部に送出する際に、ＣＰＵ６０の顔画像抽出部８４は送信する画像内から人物の顔画像を抽出し、マスク判断部８６により各顔画像にマスク処理を施すか否かを自動で判断する。 - 特許庁

The etching method includes: a step of forming a solid layer, such as a metal fluoride layer 3, at least as one portion of an etching mask on the surface of substrates 1, 2; a step of performing polymer solution processing to the solid layer; and a step of etching the substrates with the solid layer as a mask.例文帳に追加

基体（１，２）の表面に、エッチングマスクの少なくとも一部として、金属フッ化物層３等の固体層を形成する工程と、前記固体層をポリマー溶液処理する工程と、前記固体層をマスクとして、前記基体をエッチングする工程とを有することを特徴とするエッチング方法。 - 特許庁

The etching method includes: a step of forming a solid layer, such as a metal fluoride layer 3, at least as one portion of an etching mask on the surface of substrates 1, 2; a step of performing chemical processing to the solid layer; and a step of etching the substrates with the solid layer as a mask.例文帳に追加

基体（１，２）の表面に、エッチングマスクの少なくとも一部として、金属フッ化物層３等の固体層を形成する工程と、前記固体層を化学薬品処理する工程と、前記固体層をマスクとして、前記基体をエッチングする工程とを有することを特徴とするエッチング方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a shadow mask which is capable of preventing the occurrence of variations in the pattern dimensions of a resist film after development processing in consequence of the differences in the degrees of progression of the dark reaction and residual reaction in the resist film along the longitudinal direction of a long-sized metallic thin film which is a shadow mask blank.例文帳に追加

シャドウマスク素材である長尺の金属薄板の長手方向に沿ったレジスト膜中の暗反応及び残反応の進行度合いの差に起因して、現像処理後のレジスト膜のパターン寸法にばらつきが発生することを防止できるシャドウマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, the image processing method generates a mask data for identifying a moving body area based on the moving body extraction frame image generated by the difference calculation (step S106), and using the generated mask data, composes the moving body area image in the input moving image with the other image (step S107).例文帳に追加

そして、差分演算によって生成した動体抽出フレーム画像に基づいて、動体領域を識別するマスクデータを生成し（ステップＳ１０６）、生成したマスクデータを利用して、入力動画像における動体領域画像を他の画像と合成する（ステップＳ１０７）。 - 特許庁

A mask processing section 14 masks the privacy area in an image imaged by an imaging section 13 on the basis of the mask data stored in the memory card and provides an output of the result to a monitor 3, and when the memory card is not loaded to the card slot 11, all areas in an imaged image are masked.例文帳に追加

マスク処理部１４は撮像部１３により撮像された画像中のプライバシー領域を、メモリカードに記憶されたマスクデータに基づいてマスキングしてモニタ３に出力し、また、メモリカードが装着されていないときは、撮像された画像中のすべての領域をマスキングする。 - 特許庁

The assigned input/output port information received from the assigned result receiving circuit 11 is used, so that the assignment request mask circuit 12 performs mask processing to a connection assignment request received from the outside and outputs the result to an M×N scheduler circuit 13.例文帳に追加

割当要求マスク回路１２は割当結果受信回路１１から受信した割り当て済み入力ポート・出力ポート情報を用いて、外部から受信した接続割当要求に対してマスク処理を行い、その結果をＭ×Ｎスケジューラ回路１３へ出力する。 - 特許庁

A mask material is formed on the surface of a substrate consisting of silicone, the mask material is processed by anisotropic dry etching and anisotropic wet etching, and after processing a surface approximately parallel with a crystal surface orthogonal to the surface of the substrate by the anisotropic dry etching, a reflection surface is formed by the anisotropic wet etching process.例文帳に追加

シリコンからなる基板に、前記基板表面に対してマスク材を形成し、異方性ドライエッチングし、異方性ウエットエッチングし、前記基板表面に直交する結晶面と略平行な面を前記異方性ドライエッチングした後、前記異方性ウエットエッチング工程によって、反射面を形成する。 - 特許庁

A cantilever 5 used in the present invention is made of a silicon material having 400 to 500 μm length and 30 to 50 μm thickness so that during observation, the probe 4 can be in contact with the mask under 1 nN contact pressure, and in processing, defect correction can be performed by allowing the probe to be in contact with the mask under 10 nN to 1mN contact pressure.例文帳に追加

本発明に使用するカンチレバー５は、長さが400〜500μｍ、厚みが30〜50μｍとしたシリコン素材で形成し、探針４が観察時には0.1ｎＮオの接触力でマスクと接し、加工時には１０ｎＮから１ｍＮまでの接触力でマスクと接して欠陥修正を実施できるようにした。 - 特許庁

The method includes steps of depositing a hard mask on a substrate in a first processing chamber, depositing a resist layer on the substrate, patterning the resist layer, etching the hard mask through apertures formed in the patterned resist layer in a second chamber, and etching a chromium layer through apertures formed in the hard mask in a third chamber.例文帳に追加

また、第１の処理チャンバにおいて基板上にハードマスクを堆積するステップと、レジスト層を該基板上に堆積するステップと、該レジスト層をパターニングするステップと、第２のチャンバにおいて該パターニング済みレジスト層上に形成されたアパーチャを介して該ハードマスクをエッチングするステップと、第３のチャンバにおいて該ハードマスクに形成されたアパーチャを介してクロム層をエッチングするステップと、を含んでいる。 - 特許庁

Then the arithmetic processing unit compares mask pattern inspection data to the mask pattern image data so as to specify a defective portion of the mask pattern, generates positional information of the defective portion, and identifies a tendency of occurrence of the defect on the photomask, based on the positional information and the density information for the respective plurality of small regions.例文帳に追加

そして、前記演算処理部（２５）は、前記マスク検査用データ（１３）と前記マスクパターン画像データとを比較して前記マスクパターンの欠陥部分（Ｅ１〜Ｅ４）とし、前記欠陥部分（Ｅ１〜Ｅ４）の位置情報を生成し、前記位置情報と前記複数の小領域ごとの密度情報（［Ａ］〜［Ｃ］）とに基づいて、前記フォトマスクに発生する欠陥の発生傾向を特定する。 - 特許庁

If an inversion state of the reference voltage Vf being lower than the power supply divided voltage Vd occurs although the power supply voltage V does not reach the power supply level L when the power source rises or recovers from a low level, a mask processing unit 26 masks the inversion state and when the inversion state is canceled, a mask signal MSK is generated for canceling the mask.例文帳に追加

マスク処理部２６は、電源の立ち上げまたは低位レベルから回復する際に、電源電圧Ｖが電源レベルＬに到達していないにもかかわらず、参照電圧Ｖｆが電源分圧Ｖｄを下回る逆転状態が生じた場合は、逆転状態をマスクし、逆転状態が解消したらマスク解除を行うためのマスク信号ＭＳＫを生成する。 - 特許庁

A mask circuit 25 performs a first conversion processing to an error correction code generated based on the user data to be written in the user area and the error correction code to which the first conversion processing is performed is written in the redundant area of a flash memory 2.例文帳に追加

ユーザー領域に書込まれるユーザーデータに基づいて生成された誤り訂正符号に対してマスク回路２５が第１の変換処理を施し、第１の変換処理が施された誤り訂正符号をフラッシュメモリ２の冗長領域に書込む。 - 特許庁