「mask processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

A printer for processing an image to be outputted generates a random dot image having dots arranged at random (S10 to S12) and operates exclusive OR between corresponding pixels of the generated random dot image and a preliminarily prepared first mask image 32 per pixel to generate a cipher image (S13).例文帳に追加

出力すべき画像を処理するプリンタは、点がランダムに配置されるランダムドット画像を生成し（Ｓ１０〜Ｓ１２）、生成されたランダムドット画像と予め準備された第１のマスク画像３２との対応する画素ごとに排他的論理和演算を行うことにより暗号画像を生成する（Ｓ１３）。 - 特許庁

In the photolithographic process in which existing processing conditions are set, a resist film on a wafer W is exposed using a mask for applying extinction of a predetermined extinction rate to only the 0-order light of a light source to allow the light to pass, and after that, the resist film is heated and developed to reduce the resist film on the wafer W.例文帳に追加

既存の処理条件の設定のフォトリソグラフィー工程において，光源の０次光のみを所定の減光率で減光させて透過させるマスクを用いて，ウェハＷ上のレジスト膜を露光し，その後加熱し，現像して，ウェハＷ上のレジスト膜を減少させる。 - 特許庁

To manufacture a wiring structure that uses an interlayer film of an insulating organic material with less processes, without using an etching mask or etching stopper layer in an interlayer film work, nor affected by a reactive product generated through plasma processing.例文帳に追加

層間膜加工におけるエッチングマスクやエッチングストッパ層を用いることなく、また、プラズマ処理により生成する反応生成物の悪影響を受けることなく、絶縁性を有する有機材料による層間膜を用いた配線構造をより少ない工程で製造できるようにする。 - 特許庁

This mask for reflection type exposure includes: a first layer formed on a support substrate 100 and having a low-reflection processing pattern absorbing exposure light and a reflective multilayer film 101 reflecting exposure light; and a second layer formed on the reflective multilayer film 101 and having an absorber layer 120 absorbing exposure light.例文帳に追加

支持基板１００上に形成され、露光光を吸収する低反射加工パターンと露光光を反射する反射多層膜１０１とを有する第１の層と、反射多層膜１０１上に形成され、露光光を吸収する吸収体層１２０を有する第２の層とを備える。 - 特許庁

A combination of the advantages of charged particle beam mask fabrication and ultra short pulse laser ablation are used to significantly reduce substrate processing time and improve lateral resolution and aspect ratio of features machined by laser ablation to preferably smaller than the diffraction limit of the machining laser.例文帳に追加

荷電粒子ビーム・マスク製造と超短パルス・レーザ・アブレーションの利点の組合せを使用して、基板の加工時間を著しく短縮し、レーザ・アブレーションによって機械加工されるフィーチャの横方向解像度およびアスペクト比を向上させる、好ましくは機械加工レーザの回折限界よりも小さくする。 - 特許庁

After a mask pattern is formed by making the layout of a cell library subjected to the OPC processing, the correction amount of the OPC is adjusted by taking into consideration the influences of patterns of other cell libraries laid around the cell library on the peripheral region of the cell library.例文帳に追加

あらかじめＯＰＣ処理が施されたセルライブラリをレイアウトしてマスクパターンを形成した後、セルライブラリの周囲に配置された他のセルライブラリのパターンがセルライブラリの周辺領域に及ぼす影響を考慮することによって、上記ＯＰＣ補正の補正量を調整する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element of fine structure in which an alignment accuracy, an accuracy of processing technology by step and repeat exposure, finishing size of resist mask, yield by etching technology, etc. are overcome; and to provide a method for manufacturing a semiconductor device in which the semiconductor elements of the fine structures are highly integrated.例文帳に追加

本発明では、アライメント精度、縮小投影露光による加工技術の精度、レジストマスクの仕上り寸法、エッチング技術等による歩留まりを克服し、微細構造の半導体素子、及び微細構造の半導体素子が高集積化された半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The silicon processing method includes: forming a mask pattern on a single-crystal silicon substrate 100 of which principal surface is (100) an equivalent face 103 or (110) an equivalent face; and applying crystal anisotropic etching to form a structure comprising (111) an equivalent face and having width W1 and length L1.例文帳に追加

シリコンの加工方法で、主面が（１００）等価面１０３或いは（１１０）等価面である単結晶シリコン基板１００上に、マスクパターンを形成し、結晶異方性エッチングを施して、（１１１）等価面で構成され幅Ｗ１と長さＬ１を有する構造体を形成する。 - 特許庁

This method for manufacturing the semiconductor device contains the steps of forming a silicon nitride film (26) having a refractive index of 1.85 or less on a compound semiconductor layer (20) containing Ga by a plasma CVD method, and selectively processing the compound semiconductor layer by using the silicon nitride film as a mask.例文帳に追加

本発明は、Ｇａを含む化合物半導体層（２０）上にプラズマＣＶＤ法により屈折率が１．８５以下の窒化シリコン膜（２６）を形成する工程と、窒化シリコン膜をマスクに用いて化合物半導体層を選択処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

When the image data are separated into three pieces of data and they are coded, the image processing apparatus carries out the layout control of texts in a composited image when the mask image is used to carry out exclusive control of the drawing regions of the text information so that a plurality of the texts will not overlap and character information is newly appended.例文帳に追加

画像データを上記の３つのデータに分離して符号化する場合に、マスク画像を使用して、複数のテキストが重ならないようにテキスト情報の描画領域を排他制御したり、文字情報を新たに追記するような場合に、合成画像のテキストのレイアウト制御を行う。 - 特許庁

In the case of a lateral state, the image processing control part 134 develops the selected frame image data in the lateral direction, discriminates a transmission part in accordance with the mask image (lateral) data of the binary image data, composes the selected frame image data and image data photographed on the transmission part and records the composite image data.例文帳に追加

一方、横状態にある場合には、選択されたフレーム画像データを横方向に展開し、２値画像データのマスク画像（横用）データ従って透過部分を判別し、選択されたフレーム画像データと透過部分に撮影された画像データとを合成して記録する。 - 特許庁

In the overlap pattern collection processing, a CPU 2 uses a hierarchical structure to handle an overlapping pattern in mask pattern data as one cluster and discriminates whether clusters of patterns are in the same type or not and collects plural clusters of patterns into a structure on the basis of the discrimination result.例文帳に追加

オーバーラップパターンまとめ処理において、ＣＰＵ２は、マスクパターンデータの内、階層構造を利用してオーバーラップのあるパターンを一つのかたまりとして扱い、各パターンのかたまりが同型か否かを判定し、該判定結果に基づいて複数のパターンのかたまりをストラクチャにまとめる。 - 特許庁

To overcome the problem, wherein when exposing a photoimageable thick-film composition so as to avoid damages to a photomask, using the so-called "non-contact method", the void between a mask and the exposed thick-film composition is filled with air, with presence of oxygen, which causes processing variability.例文帳に追加

光マスクの損傷を避けるように光像形成可能な厚膜組成物を露光するいわゆる非接触法を使用する場合、マスクと露光される厚膜組成物との空隙は、空気、すなわち酸素の存在で満たされることになり、加工変動性の原因となる。 - 特許庁

A mask image creation system comprises: a multi-joint type robot 20 which moves an arm 21 having multiple joints; a CCD camera 28 which is provided at the arm 21 and moved by a motion of the arm 21, images a workpiece W and obtains an actual image; and an image processing device 10.例文帳に追加

マスク画像作成システムは、複数の関節を有するアーム２１を動作させる多関節型ロボット２０と、アーム２１に設けられてアーム２１の動作により移動されるとともに、ワークＷを撮像して実画像を取得するＣＣＤカメラ２８と、画像処理装置１０とを備える。 - 特許庁

To prevent a position of a pattern formed on a work by projection exposure from being deviated from a position of a pattern formed by previous exposure processing and a position of a mask pattern for screen printing or the like to be executed in the next step, even in the case of the occurrence of telescopic deformation on the work.例文帳に追加

ワークに伸縮変形が生じても、投影露光によりワークに形成するパターンの位置を、それ以前の露光処理により形成されているパターンの位置と、次の工程で行うスクリーン印刷等のマスクパターンの位置との間に大きなずれを生じさせないようにすること。 - 特許庁

To automatically generate an inspection mask image for extracting pixels to be inspected at a dark region from the imaging image of an object to be examined for examining the defect such as an off-setting in a black print section having a low concentration level on the object to be examined such as a drink container using digital image processing.例文帳に追加

飲料容器などの被検査物上の濃度レベルの低い黒色印刷部の印刷ハゲ等の欠陥検査をデジタル画像処理で行うため、被検査物の撮像画像から暗部領域の検査対象画素を抽出する検査マスク画像を自動生成する。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device having a borderless wiring structure forms a borderless via-hole in which two different types of metals are exposed in an aperture, wherein prior to the wet processing for stripping a resist mask used to form the via hole, ashing is done using plasma including H_2O.例文帳に追加

ボーダレス配線構造を有する半導体装置の製造方法において、開口内で２種類の異なる金属が露出するボーダレスビアホールを形成し、前記ビアホールの形成に用いたレジストマスクを剥離する際のウェット処理に先立って、Ｈ2Ｏを含むプラズマでアッシングする。 - 特許庁

In this phase mask manufacturing method for the automatic design of an integrated circuit in which the phase is made to correspond to each polygon at the time of designing, such correspondence is at least partially performed in the midst of the processing of a spacing graph.例文帳に追加

各ポリゴンに設計時に位相が対応付けられる、集積回路の自動設計における位相マスクの製作方法において、前記対応付けを少なくとも部分的に間隔グラフの処理中に行うことを特徴とする集積回路の自動設計における位相マスク製作方法。 - 特許庁

To realize flexible control allowing change of level of concealment based on disclosure range of documents and applying masking to a general character string only for a specified project in a masking system having a mask processing means for character string corresponding to customer information etc.例文帳に追加

顧客情報等に相当する文字列のマスク処理手段を備えたマスキングシステムにおいて、文書の開示範囲に基づいた隠蔽の度合を変更可能とし、また、汎用的な文字列に対し特定のプロジェクトのみマスキングを適用する柔軟な制御の実現を計る。 - 特許庁

At the time, by setting the transparency of each pixel indicated by transparency mask data capable of freely changing the transparency of each pixel as the transparency information of each pixel corresponding to the input image, the image superimposition part performs the translucency attaining processing of the different transparency for each pixel.例文帳に追加

この際、画像重畳部は、各画素の透明度を自由に変更可能な透明度マスクデータが示す各画素の透明度を、その入力画像の対応する各画素の透明度情報として設定することにより、画素毎に透明度の異なる半透明化処理を行う。 - 特許庁

A data selection switch RSW gives mask data YMD and CMD to display a prescribed image to a post-stage processing circuit to generate a video signal in place of the luminance signal YVD and the color difference signal CVD.例文帳に追加

データ選択スイッチＲＳＷは、マスク制御信号の活性状態期間においては、所定画像を表示するためのマスクデータＹＭＤおよびＣＭＤを、輝度信号ＹＶＤおよび色差信号ＣＶＤに代えて、映像信号を生成するための後段の処理回路に送出する。 - 特許庁

To prevent wavy noise that is a problem of a conventional lateral field type (in-plane switching (IPS) mode) liquid crystal display device, to maximize productivity by reducing a processing time and saving a material cost, and to increase a production yield by reducing errors during a mask process.例文帳に追加

本発明は、従来の横電界型液晶表示装置の問題点である波縞雑音（ウエイビーノイズ）を防止し、さらに工程時間短縮及び材料費節減による生産性を極大化すると同時にマスク工程進行による不良を減らすことによって収率を向上させる。 - 特許庁

The processing means selects a layer having high resolution preferentially, selects a layer having a large coding amount preferentially, selects a mask layer preferentially, or selects a layer having a bit depth of 1 bit preferentially, thus concealing the structured document image effectively.例文帳に追加

処理手段は、解像度の高いレイヤを優先的に選択し、あるいは、符号量の大きいレイヤを優先的に選択し、あるいは、マスクレイヤを優先的に選択し、あるいは、１ビットのビット深さを持つレイヤを優先的に選択することにより、効果的に構造化文書画像を秘匿化する。 - 特許庁

In reference to the position of a mark 103 for measuring the gap formed on a photomask 102, a position of an image 103a of the mask for measuring the gap projected on the substrate 101 is fetched in the form of image data by using a CCD camera, and an image processing calculation is made on the data by a computer.例文帳に追加

フォトマスク１０２に設けられる間隙測定用マーク１０３の位置に対する、基板１０１に映り込む投影間隔測定用マークの像１０３ａの位置をＣＣＤカメラを用いて画像データとして取込み、演算装置により画像処理計算する。 - 特許庁

A mask processing part D102 masks a first alarm not to let it take place if an alarm has been taking place that has a higher priority level than the first alarm when the first alarm whose status has changed from not taking place to taking place is detected in the interrupt detection part D101.例文帳に追加

マスク処理部D102は、割り込み検出部D101において状態が未発生から発生中に変化した第１のアラームが検出されたとき、この第１のアラームよりも優先度が高いアラームが発生中であれば、上記第１のアラームをマスクしてその状態を未発生にする。 - 特許庁

A password input processing part 14 displays an asterisk being a display event in accordance with a password input by an input part 11 in a password input field arranged on the screen of a display part 16, and when the end of the password input is detected by an event discriminating part 13, a password input processing part 14 displays the asterisk in all fields in the password input field to mask this password.例文帳に追加

表示部１６の画面上に設けられたパスワード入力フィールド内への入力部１１によるパスワード入力に応じて、パスワード入力処理部１４が表示イベントであるアスタリスクを表示させ、このパスワード入力の終了がイベント判別部１３によって検出されると、パスワード入力処理部１４は、このパスワード入力フィールド内の全フィールドにこのアスタリスクを表示させて、パスワードの隠蔽を図る。 - 特許庁

The method of manufacturing the structure having the uneven pattern includes a coating step of coating to a processing object a liquid (a) containing first particles and a matrix material composed of a material different from the first particles; a removal step of removing the first particles; and an etching step of forming the uneven pattern by etching a processing object with the matrix material as an etching mask.例文帳に追加

本発明の凹凸パターンを有する構造体の製造方法は、第一の粒子と、前記第一の粒子と異なる材料からなるマトリクス材とを含む液体（ａ）を被加工体上に塗布する塗布工程と、前記第一の粒子を除去する除去工程と、前記マトリクス材をエッチングマスクとして前記被加工体をエッチングして凹凸パターンを形成するエッチング工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

In parallel with the subtraction processing, a dynamic range compressed image creating section 37 creates a dynamic range compressed image using one of the mask image and live image and carrying out dynamic range compression only to low frequency components out of the low frequency components and high frequency components included in the image.例文帳に追加

このサブトラクション処理と並列に、ダイナミックレンジ圧縮画像作成部３７は、マスク画像またはライブ画像のいずれか一方の画像を用いて、その画像に含まれる低周波数成分と高周波数成分の内、低周波数成分だけにダイナミックレンジ圧縮を行ってダイナミックレンジ圧縮画像を作成する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for measuring a mask pattern shape which enables the quick, correct and highly accurate quantitative measurement of the pattern shape of a photomask including a fine pattern by performing 1-dimensional numeric data conversion processing and to provide a recording medium.例文帳に追加

マスク画像のマスクパターン形状を計測する装置において、１次元数値データ変換処理を行い、微細なパターンを含むフォトマスクのパターン形状の定量的な計測を、迅速かつ正確・高精度に可能にするマスクパターン形状計測装置及びマスクパターン形状計測方法並びに記録媒体を提供する。 - 特許庁

To obtain a method for correcting mask patterns by which the CAD processing time for performing light proximity effect correction of inputted design patterns is reduced, the increase in number of basic figures, when the corrected data is converted into EB data is suppressed and the generation of false defects during the step for inspecting photo masks is suppressed.例文帳に追加

入力された設計パターンに対して光近接効果補正を行う場合のＣＡＤ処理時間を短縮し、補正後のデータをＥＢデータに変換した場合の基本図形数の増加を抑制し、またフォトマスク検査工程における疑似欠陥の発生を抑制するマスクパターン補正方法を提供する。 - 特許庁

A route registering processing part 21 registers route information supplied from a route control part 1 onto a first route table 51 and registers route information, which is different from information registered on the first route table 51 by a packet output network interface corresponding to a destination network address and a net mask, onto a second route table 52.例文帳に追加

経路登録処理部２１は経路制御部１から供給された経路情報を第一経路表５１に登録し、宛先ネットワークアドレス及びネットマスクに対応するパケット出力ネットワークインタフェースが第一経路表５１で登録したものとは異なる経路情報を第二経路表５２に登録する。 - 特許庁

To provide a document management image editing system capable of hiding an arbitrary position of an original image when an object file is displayed outside by applying masking processing to the arbitrary position when displaying an image file and allowing it to choose whether mask information is fixed or not when writing the information outside.例文帳に追加

画像ファイルの表示時、任意の場所にマスキング処理を行い、外部に書き出す時にマスク情報を固定化するか否かを選べるようにしておき、外部で対象ファイルを表示したときにオリジナル画像の任意の場所を隠すことが出来るようにする文書管理画像編集システムを提供する。 - 特許庁

After the eave of eave-supporting shape substance is exposed from the surface of a photosensitive resin film by embedding a part or the entire part of the eave-supporting shape substance in the photosensitive resin film and then processing the photosensitive resin film with exposure and development, the eave is removed by an etching process using the photosensitive resin film as a mask.例文帳に追加

庇部支持型形状物の一部あるいは全体を感光性樹脂膜中に埋め込み、露光および現像により感光性樹脂膜を加工して、感光性樹脂膜の表面から庇部支持型形状物の庇部を露出せしめた後、感光性樹脂膜をマスクとして庇部をエッチングし、除去する。 - 特許庁

A dither mask 61 used in halftone processing of a printer 20 as the line printer in which preceding heads PH and following heads FH are arrayed includes a preceding head storage region 61a for regions printed by the preceding heads PH, and a following head storage region 61b for regions printed by the following heads FH.例文帳に追加

先行ヘッドＰＨと後行ヘッドＦＨとが配列されたラインプリンターであるプリンター２０のハーフトーン処理に用いるディザマスク６１は、先行ヘッドＰＨで印刷を行う領域用の先行ヘッド格納領域６１ａと、後行ヘッドＦＨで印刷を行う領域用の後行ヘッド格納領域６１ｂとを備えている。 - 特許庁

A printer judges whether ink is discharged onto a region out of the main scanning direction end part of a recorded medium in main scanning, based on whether a mask processing means limits the quantity of ink to be discharged onto a region out of the main scanning direction end part of the recorded medium, for every main scanning of a printing head.例文帳に追加

プリンタは、記録ヘッドの１回の主走査毎に、当該主走査において被記録媒体の主走査方向端部から外れた領域にインクを吐出するか否かを、マスク処理手段が被記録媒体の主走査方向端部から外れた領域に吐出するインク量を制限したか否かによって判定する。 - 特許庁

This defect inspection method of a gray tone part in a gray tone mask is characterized by including a process (a drawing 1 (3)) of applying gradating processing for flattening the signal when there is a periodic change as indicated in a drawing 1 (2) in the transmissivity signal obtained by scanning a gray tone part as indicated in a drawing 1 (1).例文帳に追加

グレートーンマスクにおけるグレートーン部の欠陥検査方法であって、図１（１）に示すようなグレートーン部を走査して得られる透過率信号に、図１（２）に示すような周期的な変動がある場合に、その信号を平坦化するためのぼかし処理を施す（図１（３））工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

For forming this mirror layer 4, a lower part clad layer being the lower half of the clad layer 2 is formed, and the core 3 is patterned on it, and a mirror forming layer formed by coating the whole of a substrate is etched just under an etching mask so as to be undercut, or is patterned through photolithography and development processing.例文帳に追加

このミラー層４を形成するには、クラッド層２の下半分である下部クラッド層を形成し、この上でコア３をパターニングした後、基体の全面を被覆して形成されたミラー形成層をエッチング・マスクの直下にアンダカットが入るようにエッチングするか、またはフォトリソグラフィと現像処理を経てパターニングする。 - 特許庁

A certain information, for example, a character string code like a URL is divided, arranged and embedded by intentionally setting types of image classes calculated on the basis of a ratio of colors in a mask area in each deformed pattern generated in a procedure manner or by image processing, combination, conversion, or the like and arranged regularly.例文帳に追加

手続き的に、あるいは画像処理・合成・変換等によって生成され、規則的に配置される各変形図柄に対して、マスク領域における色の割合から計算される画像クラスの種類を意図的に設定することにより、ある特定の情報、例えばＵＲＬなどの文字列コードを分割、配置して埋め込む。 - 特許庁

A cyclic pattern is formed (1-e) on the transparent material by using photoresist, etching processing is carried out (1-f), and an overcoat material is potted (1-g) to eliminate the need to remove the etching mask as compared with use of a metal plate, thereby easily forming a polarizing and diffracting element at low cost while decreasing processes.例文帳に追加

フォトレジストを利用して透明材料に周期的パターンを形成させ（１−ｅ）、エッチング処理を行い（１−ｆ）、オーバーコート材をボッティングする（１−ｇ）ことで、金属板を使用するときと比べて、エッチングマスクを除去する必要性を無くし、工程が少なくなり簡便、低コストで偏光回折素子を作成できる。 - 特許庁

Then, the element-forming surface of the silicon substrate 101 in which the opening 115 is formed is subjected to plasma processing and deposits 113, attached to the sidewall of the opening 115 in the process of forming the opening 115, are removed, the silicon substrate 101 is selectively removed to form a concave portion by using the SiN film 129 as a mask.例文帳に追加

そして、開口部１１５が形成されたシリコン基板１０１の素子形成面をプラズマに曝し、開口部１１５を形成する工程で開口部１１５の側壁に付着した堆積物１１３を除去した後、ＳｉＮ膜１２９をマスクとしてシリコン基板１０１を選択的に除去して凹部を形成する。 - 特許庁

After a resist mask for the injection of impurities into the lower electrode 38 is peeled by plasma ashing, dilute hydrofluoric acid processing for removing a damage layer formed in the surface of a 1st insulating film 41 is carried out and then a gate insulating film part 43 in the 1st insulating film 41 has no damage, so the thin film transistor 23 has no characteristic deterioration.例文帳に追加

下部電極38への不純物の注入の際のレジストマスクをプラズマアッシングして剥離した後に、第１の絶縁膜41の表面に入ったダメージ層を除去する希フッ酸処理をすることにより、第１の絶縁膜41中のゲート絶縁膜部43にダメージがないため薄膜トランジスタ23の特性劣化は発生しない。 - 特許庁

The mask processing part 23 computes the relative bearing of each GPS satellite with respect to the traveling direction of the navigation apparatus 10 and the angle of elevation of each GPS satellite, on the basis of received radio signals and masks each GPS satellite, on the basis of the computed relative bearing and the computed angle of elevation so as not to be used for positioning computations.例文帳に追加

マスク処理部２３は、受信無線信号に基づいて、ナビゲーション装置１０の進行方向に対する各ＧＰＳ衛星の相対方位と、各ＧＰＳ衛星の仰角とを算出し、算出された相対方位及び仰角に基づいて当該各ＧＰＳ衛星を測位算出に使用しないようにマスクする。 - 特許庁

A CPU(central processing unit) of the microprocessor 1 determines presence of the connection by a recognizing signal from the circuit 6, if the presence is determined, the microprocessor 1 interrupts data access to the mask ROM to enable data access to the memory 4 and operates according to the program in the memory 4.例文帳に追加

マスクＲＯＭ内蔵マイコン１のＣＰＵは、フラッシュメモリ４の接続の有無を認識回路６からの認識信号によって判断し、フラッシュメモリ４が接続されていると判断した場合、マスクＲＯＭとのデータアクセスを遮断してフラッシュメモリ４とのデータアクセスを可能とし、フラッシュメモリ４のプログラムに従って動作する。 - 特許庁

In the forming of the mask for the halftone processing, a minimum number n of dots necessary for representing one pixel and a level g for switching to an image size D to be actually represented and one dot of one pixel are calculated to calculate an optimum resolution d1 based on the representation pixel size D.例文帳に追加

ハーフトーン処理用マスク作成において、画像出力装置の特性に基づいて、１画素を再現するのに必要な最小ドット数ｎ、実際に再現される画素サイズＤ及び１画素１ドットに切り換えるレベルｇを算出し、再現画素サイズＤから最適な解像度ｄ１を算出する。 - 特許庁

Additionally, as the resin or rubber material of the mask base part 3, the silicone-based resin material without stickiness on the surface, whose steam resistance is ≥100°C and JIS A rubber hardness is set between 1 and 10, is used, and the high temperature sterilization processing at about 110°C is easily executed even in the case of repeatedly using it.例文帳に追加

またマスクベース部３の樹脂またはゴム材料として、表面にベタ付きがないシリコーン系樹脂材料で、耐スチーム性が１００℃以上で、かつかつJIS A ゴム硬度が、１〜１０の間に設定したものを使用し、これにより繰返し使用する場合でも、１１０℃前後の高温減菌処理を容易に行うことが出来る。 - 特許庁