「mask processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

This imaging display device has an imaging apparatus, a video processor and a display device and performs video processing such as magnification and reduction, contrast adjustment, image quality enhancement, color conversion, binarization, thickening/thinning of lines and mask addition of the video images in real time according to visual characteristics of users.例文帳に追加

撮像装置、映像処理装置、および表示装置を有し、利用者の視覚特性に応じ、映像の拡大縮小、コントラスト調節、画質強調、色変換、２値化、細線化太線化、およびマスク追加などの映像処理をリアルタイムで行う。 - 特許庁

To provide a method for forming an etching mask capable of facilitating control of a pattern shape for forming an oblique hole in processing by oblique etching, to provide a method for manufacturing a three-dimensional structure, and to provide a method for manufacturing a three-dimensional photonic crystalline laser device.例文帳に追加

斜めエッチングによる加工に際し、斜め開孔のパターン形状の制御を容易に行うことが可能となるエッチングマスクの形成方法、３次元構造体の製造方法及び３次元フォトニック結晶レーザー素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The printer 10 performs printing by performing halftone processing by using a dither mask formed to obtain excellent dot dispersibility to all the first pixel group, the second pixel group and the entire pixel group obtained by combining them at such an overlapped part.例文帳に追加

このようなオーバーラップ部において、第１の画素群と第２の画素群とこれらを組み合わせた全体の画素群のいずれに対しても良好なドット分散性が得られるように作成されたディザマスクを用いて、ハーフトーン処理を施して印刷を行う。 - 特許庁

To provide an exposure device and an exposure method which improve a productivity by shortening a whole exposure processing duration of a plurality of substrate containing cassettes mounted on a substrate transfer robot by reducing the number of mask exchanging.例文帳に追加

マスクを交換する回数を少なくすることにより、基板搬送ロボット装置に複数搭載された基板収納カセットの全体的な露光処理時間を短縮して、生産性を向上させる露光装置および露光方法を提供する。 - 特許庁

To efficiently prevent variations generating in a pattern dimension after processing even when a spectrum width such as a half-width or the like varies in laser beams illuminating on a photomask formed with a mask pattern, and to enhance a product yield and a throughput.例文帳に追加

マスクパターンが形成されたフォトマスクへ照明されるレーザー光において、半値幅などのスペクトル幅が変動する場合でも、加工後のパターン寸法にバラツキが生ずることを効率的に防止し、製品歩留まりおよびスループットを向上する。 - 特許庁

The test system 6 includes a monitor run mask processing part for controlling a reception acceptance/rejection of test data when the communication data transferred from the gate way device 5 is input as the test data and a test is executed, to improve a test organization.例文帳に追加

試験系システム６には、ゲートウェイ装置５から転送される通信データを試験データとして入力して試験を実施するときに、試験データの受信可否を制御するモニタランマスク処理部を備えることで、試験の制度を向上させる。 - 特許庁

In addition, a discrinating part 4c discriminates each of horizontal and vertical cycles and the vertical synchronization width, on the basis of the HD and the VD from the selecting part 4a and sets the first switching circuit 4e in a mask processing part 4d, in the case of the signal converted into the progressive form.例文帳に追加

また、判別部4cは選択部4aよりのＨＤ及びＶＤをもとに水平及び垂直の各周期と垂直同期幅とを判別し、上記プログレッシブ形式に変換した信号のときには第１の切換回路4eをマスク処理部4dへ設定する。 - 特許庁

A signal-processing section 36 gives an instruction to an alarm sound-generating apparatus 30 to transmit an alarm by receiving signals from the ultrasonic sensor 29, and at the same time gives an instruction to an image-superposing section 38 to blink a joint eye mask pattern.例文帳に追加

信号処理部３６は超音波センサ２９からの信号を受けて警告音発生装置３０に警告音を発信するように指示を出すと共に、画像重畳部３８に対してつなぎ目マスクパターンを点滅させるように指示を出す。 - 特許庁

In a plasma-etching method for etching an SiN layer 104 or a silicon oxide layer formed on a substrate to be processed by plasma of processing gas with an ArF photoresist layer 102 as a mask, the processing gas contains at least CF_3I gas, and a high frequency power having a frequency of 13.56 MHz or less is applied to a lower electrode on which the substrate to be processed is mounted.例文帳に追加

被処理基板上に形成されたＳｉＮ層１０４又は酸化シリコン層を、ＡｒＦフォトレジスト層１０２をマスクとして処理ガスのプラズマによりエッチングするプラズマエッチング方法であって、処理ガスは、少なくともＣＦ_3Ｉガスを含み、被処理基板を載置する下部電極に１３．５６ＭＨｚ以下の周波数を有する高周波電力を印加する。 - 特許庁

A trapping determination processing part 22 uses a differential filter in a mask size corresponding to an amount of correction to be performed, to calculate edge amounts in a main scanning direction and a sub-scanning direction of each pixel with respect to each plane of input image data and determines whether each pixel of input image data should be subjected to trapping processing or not on the basis of calculated edge amounts.例文帳に追加

トラッピング判定処理部２２は、入力画像データの各プレーンに対して、補正すべき補正量に応じたマスクサイズの微分フィルタを用いて各画素の主走査方向及び副走査方向のエッジ量を算出し、算出したエッジ量に基づいて、入力画像データの各画素にトラッピング処理を行うか否かを判定する。 - 特許庁

Since the picture configured by the picture signal configuring part 18 does not contain information formed by the electric signal obtained from the image pick-up element group corresponding to outside of the predetermined region, a picture signal outputted from the image pick-up device 11 is not required to carry out such an additional processing (for example, a mask processing) as the other devices delete the information.例文帳に追加

そして、映像信号構成部１８によって構成される映像には、所定の領域外に対応する撮像素子群から得られる電気信号による情報が含まれないため、撮像装置１１から出力された映像信号に対して、他の装置が情報を削除するような追加処理（例えばマスク処理）を行う必要がない。 - 特許庁

The method for fabricating a photomask includes the steps of: providing a film stack having a molybdenum layer and a light-shielding layer in a processing chamber; pattering a first resist layer on the light-shielding layer; etching the light-shielding layer using the first resist layer as an etch mask; and etching the molybdenum layer using the patterned light-shielding layer and the patterned first resist layer as a composite mask.例文帳に追加

フォトマスクを製作するための方法は、モリブデン層と光遮断層とを有するフィルムスタックをプロセスチャンバに提供するステップと、該光遮断層上に第１のレジスト層をパターニングするステップと、該第１のレジスト層をエッチングマスクとして使用して該光遮断層をエッチングするステップと、該パターニングされた光遮断層および該パターニングされた第１のレジスト層を複合マスクとして使用して該モリブデン層をエッチングするステップとを含む。 - 特許庁

By combining CMP of high flatness in which patterning for making the area of an SiO_2 film uniform is unnecessary, and regulating the trench width and film thickness of an alignment pattern part for alignment of a semiconductor mask, the number of times of exposure processing is reduced to one.例文帳に追加

ＳｉＯ_2膜の面積を揃えることを目的としたパターニングが不要な高平坦性のＣＭＰと組み合わせることと、半導体マスクの位置合わせ用アライメントパターン部の溝幅と絶縁膜の膜厚を規定することで、露光工程の回数を１回に低減する。 - 特許庁

After applying the distortion correction processing to the images picked up in the MRI apparatus, binary images are prepared by a threshold derived by a discrimination analysis method for the images, a Gaussian filter is applied to the binary images according to a set filter range parameter and mask images are prepared.例文帳に追加

MRI装置で撮像した画像に対して歪み補正処理を適用した後、その画像を判別分析法で導出した閾値で2値化画像を作成し、設定されたフィルタ範囲パラメータに従ってガウシアンフィルタをその2値化画像に適用してマスク画像を作成する。 - 特許庁

A skin color extraction part 41 extracts the skin color of the face taken on the image from a prescribed region defined by either the feature point or the additional feature point, and a mask processing part 42 replaces the outside section of the outline of the face with the skin color.例文帳に追加

また、肌色抽出部４１は、特徴点および追加特徴点のいずれかにより定義される所定の領域から、画像に写されている顔の肌色を抽出し、マスク処理部４２は、顔の輪郭よりも外側の部分を肌色に置き換える。 - 特許庁

To surely detect a dispensation amount by image analysis, even when an edge specific to a chip is subjected to mask processing, when imaging a disposable chip before and after discharge of sucked liquid and detecting the dispensation amount from a difference of the liquid level imaged as the edge.例文帳に追加

吸引した液体を吐出した前後のディスポチップを撮像し、エッジとして撮像される液面の差から分注量を検出する際、チップ固有のエッジをマスク処理する場合でも、画像解析により分注量を確実に検出できるようにする。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device provided with a highly reliable gate insulation film with excellent reproducibility by easily flattening a trench side wall and rounding a trench corner part at a low cost or processing after removing a mask at the time of forming a trench.例文帳に追加

トレンチ側壁を平坦化するとともにトレンチコーナー部を丸める処理を、容易かつ安価におこなうこと、または、トレンチ形成時のマスクを除去した後におこなうことにより、信頼性の高いゲート絶縁膜を有する半導体装置を再現性よく製造すること。 - 特許庁

When belt-like work Wb is conveyed, and a 1st exposure area in a 1st row comes to a projecting position on a work stage 3, the work Wb is vacuum-sucked and a mask M and the work Wb are aligned to apply exposing processing to the 1st exposure area.例文帳に追加

帯状ワークＷｂを搬送し、第１列目の第１の露光領域がワークステージ３上の投影位置にくると、帯状ワークＷｂを真空吸着し、マスクＭと帯状ワークＷｂの位置合わせを行い第１の露光領域の露光処理を行う。 - 特許庁

To provide a new semiconductor optical waveguide element, having the excellent frequency characteristics and the manufacturing method thereof by processing a clad layer into an inverted mesa shape by the selective etching method, wherein a cap layer is the mask, and thereby decreasing the parasitic capacity around an active layer.例文帳に追加

クラッド層を、キャップ層をマスクとする選択性のエッチング法で逆メサ状に加工することで、活性層周辺の寄生容量を低減し、これにより、周波数特性の優れた新規な半導体光導波素子とその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device manufacturing method capable of improving a film work in processing accuracy, when the stepped part of the film work is processed by a method where the material or thickness of a mask of an etching stopping layer is selected in a wide range.例文帳に追加

本発明は、段差部を有する被加工膜の前記段差部内の加工を行う際に、マスクあるいはエッチングストッパー層の材料や厚さの選択の幅を広げて加工精度を高くすることができる半導体装置の製造方法を目的とするものである。 - 特許庁

An integral processing unit 2 obtains bit map image data B1 denoting a composited image and mask image data M1 representing an area of an illustration image in the composited image based on the edited image file F0 to generate an edited image file F1 from them.例文帳に追加

統合処理装置２において編集画像ファイルＦ０に基づいて合成画像を表すビットマップイメージデータＢ１および合成画像におけるイラスト画像の領域を表すマスク画像データＭ１を得、これらにより編集画像ファイルＦ１を作成する。 - 特許庁

The morphology calculation processing portion 10 calculates an opening gap of the mask image, calculates a minimum dilation repeating number of times necessary to fill the opening gap, and removes the mesh-shaped pattern by executing an erosion process of N times after a dilation process of N times.例文帳に追加

モフォロジー演算処理部１０は、マスク画像のオープニング間隙を算出し、このオープニング間隙を埋めるために必要な最小の膨張繰返回数Ｎを算出し、Ｎ回の膨張処理の後、Ｎ回の収縮処理を実行してメッシュ状のパターンを除去する。 - 特許庁

To provide a color conversion method and device in bluescreening where a mask output image to generate a composite image suppressing a backing color component and a foreground output image subjected to color processing can be generated without the need for a complicated arithmetic operation for bluescreening.例文帳に追加

クロマキー処理を行う際、バッキング色成分を抑制した合成画像を作成するためのマスク出力画像と色処理済前景出力画像とを複雑な演算なしに生成し得るクロマキー処理における色変換方法及び装置を提供する。 - 特許庁

When the display direction is in a longitudinal state, an image processing control part 134 discriminates a transmission part in accordance with the mask image (longitudinal) data of binary image data, composes the selected frame image data and image data photographed on the transmission part and records the composite data.例文帳に追加

画像処理制御部１３４は、表示方向が縦状態である場合には、２値画像データのマスク画像（縦用）データに従って透過部分を判別し、選択されたフレーム画像データと透過部分に撮影された画像データとを合成して記録する。 - 特許庁

To provide a printing apparatus and an image processing apparatus capable of solving banding or making the banding hardly noticeable generated on a printed image caused by flying bending and density unevenness by appropriately correcting a dither mask used for making image data for a printing object to the N-th order digitization.例文帳に追加

印刷対象の画像データのＮ値化に用いるディザマスクを適切に修正して、飛行曲がりや濃度むらによって印刷画像に発生するバンディングを解消または殆ど目立たなくすることができる印刷装置及び画像処理装置を提供する。 - 特許庁

After the first resist pattern 201 is removed and the surface of the conductive film 13 is subjected to corrosive processing, with the conductive film 13 used as a mask, the structure film 11 part on the sacrificial layer 9 is etched according to the shape of the movable part to expose part of the sacrificial layer 9.例文帳に追加

第１レジストパターン２０１を除去すると共に導電膜１３の表面の腐食処理を行った後、導電膜１３をマスクにして犠牲層９上の構造体膜１１部分を可動部形状にエッチングし、犠牲層９の一部を露出させる。 - 特許庁

The microprocessor 15 controls the disk control circuit 16 based on a control program stored in the mask ROM 17 so that recording/reproducing processing can be performed to a flexible magnetic disk 22a by a recording and reproducing circuit 10 and a spindle circuit 11 and an actuator circuit 12.例文帳に追加

マスクＲＯＭ１７に格納された制御プログラムに基づいて、マイクロプロセッサ１５がディスク制御回路１６を制御し、記録再生回路１０とスピンドル回路１１とアクチュエータ回路１２とによって、フレキシブル磁気ディスク２２ａに対して記録／再生処理を行う。 - 特許庁

The display device is a display device having a multi-touch recognition function, which cancels the mask processing in a display area specified on the basis of a shape of a detected contact part when a user contacts a display panel.例文帳に追加

本発明にかかる表示装置は、マルチタッチ認識機能を有する表示装置であって、ユーザが表示パネルに接触した際に、接触部分を検出した形状に基づいて特定した表示領域のマスク処理を解除することを特徴とするものである。 - 特許庁

This apparatus has a first drawing means 2 which draws characters by forming the density patterns meeting the density of the characters and performing mask processing with a font bit map and a second drawing means 3 for drawing the font bit map as it is and selects either of the drawing means according to a density value.例文帳に追加

文字の濃度に応じた濃度パターンを作成し、フォントビットマップでマスク処理を行って描画する第１の描画手段２と、フォントビットマップをそのまま描画する第２の描画手段３とを有し、濃度値に応じて何れかの描画手段を選択する。 - 特許庁

To achieve an Fin structure having excellent shape in executing a post-process such as gate processing by maintaining a side etching quantity of a pad oxide film to the minimum without causing retraction of side surfaces of a hard mask or damage of the side surfaces in manufacture of a Bulk Fin structure.例文帳に追加

Ｂｕｌｋ Ｆｉｎ構造の製造に於いて、ハードマスクの側面の後退・破損を発生させること無く、パッド酸化膜のサイドエッチ量を最小限度にとどめて、ゲート加工等の後工程を行うに際して良好な形状を有するＦｉｎ構造を実現する。 - 特許庁

In this process, a defect is detected by comparing a basic inspection image obtained from the basic pattern formed in the basic pattern region of the mask for inspection of pattern defect detection sensitivity with a defect reference image produced by image processing based on the design data of the defect pattern.例文帳に追加

この際、パターン欠陥検出感度検査用マスクの基本パターン領域に形成された基本パターンから取得した基本検査画像と、欠陥パターンの設計データを基に画像処理により生成した欠陥参照画像とを、比較して欠陥を検出する。 - 特許庁

To reduce variation in pattern size due to density dependency of a pattern to be formed during dry etching processing on a light shield film as compared with a case wherein a conventional photomask blank having a light shield film is used, and to manufacture a mask with higher precision.例文帳に追加

遮光膜のドライエッチング加工時において、従来の遮光膜をもつフォトマスクブランクを用いた場合と比較して、形成するパターンの粗密依存性により生じるパターンサイズ変動を小さくすることができ、より高精度のマスクを製造することが可能になる。 - 特許庁

A pattern data conversion method is configured to input the image of the pattern data of a photo-mask or wafer, extract the outline of the input pattern data, perform deformation processing so as to more smoothly deform the outline of the pattern data, and extract coordinate data necessary for reproducing the pattern data from the outline, in which the deformation processing is performed, to generate polygon coordinate data.例文帳に追加

フォトマスク又はウェハのパターンデータの画像を入力し、入力したパターンデータの輪郭線を抽出するとともにパターンデータの輪郭線をより滑らかに変形するように変形処理し、変形処理された輪郭線からパターンデータを再現するのに必要な座標データを抽出してポリゴン座標データを生成することを特徴とするパターンデータ変換方法。 - 特許庁

In applying smoothing processing to the object image in order to eliminate noise from the object image (an image or the like obtained by radiant ray photographing), a coefficient generating means 113 generates a coefficient (mask size or the like) used for the smoothing processing based on an external input (parameters denoting a noise elimination range and its strength inputted by a user depending on a displayed object image or the like).例文帳に追加

対象画像（放射線撮影により得られた画像等）からノイズを除去するために、対象画像への平滑化処理を行う際に、係数生成手段１１３は、外部入力（ユーザが、表示された対象画像に応じて入力したノイズ除去範囲及びその強度を示すパラメータ等）に基づいて、平滑化処理に用いる係数（マスクサイズ等）を生成する。 - 特許庁

The plurality of imaging means simultaneously perform exposure, and the sensor driving signal generating means performs mask control of a driving signal to make output timing of imaging data from the imaging means different to thereby enable the camera signal processing means, it is possible for the number of which is smaller than the number of the imaging means to perform camera signal processing of video data outputted by the plurality of imaging means.例文帳に追加

複数の撮像手段が同時に露光を行い、センサ駆動信号発生手段が駆動信号のマスク制御を行い撮像手段からの撮像データの出力タイミングを異ならせることにより、複数の撮像手段が出力する映像データを撮像手段より少ない数のカメラ信号処理手段でカメラ信号処理を行うことを可能とする。 - 特許庁

The plurality of imaging means perform exposure at the same time and the sensor driving signal generating means performs mask control over a driving signal to make output timings of the imaging data from the imaging means different, so that camera signal processing means of which the number is smaller than that of the imaging means can perform the camera signal processing for video data output by the plurality of imaging means.例文帳に追加

複数の撮像手段が同時に露光を行い、センサ駆動信号発生手段が駆動信号のマスク制御を行い撮像手段からの撮像データの出力タイミングを異ならせることにより、複数の撮像手段が出力する映像データを撮像手段より少ない数のカメラ信号処理手段でカメラ信号処理を行うことを可能とする。 - 特許庁

The integrated circuit patterns are transferred to pattern transfer regions 12a to 12e of the product mask Md 4 by reduction stepping processing using plural sheets of the IP masks and thereafter the connection between the patterns of the pattern transfer regions 12a to 12e adjacent to each other is performed by the light shielding patterns 2j consisting of organic films formed by exposure processing using energy beams.例文帳に追加

複数枚のＩＰマスクを用いた縮小投影露光処理によって製品マスクＭｄ４のパターン転写領域１２ａ〜１２ｅに集積回路パターンを転写した後、互いに隣接するパターン転写領域１２ａ〜１２ｅのパターン間の接続をエネルギービームを用いた露光処理によって形成された有機膜からなる遮光パターン２ｊで行うようにする。 - 特許庁

Out of data divided into a part used for synthesis with first printing data and a part unused for synthesis with the first printing data by mask processing (S204), data of the part used for the synthesis with the first printing data is synthesized so as to be superposed on the first printing data.例文帳に追加

マスク処理（Ｓ２０４）によって第１印刷データとの合成に使用する部分と第１印刷データとの合成に使用しない部分とに分けられたデータのうち、第１印刷データとの合成に使用するとされた部分のデータを第１印刷データに重ねるように合成する。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device having a borderless wiring structure forms a borderless via-hole in which two different types of metals are exposed in an aperture, wherein prior to the wet processing for stripping a resist mask used to form the via hole, ashing is done using plasma including H_2O.例文帳に追加

ボーダレス配線構造を有する半導体装置の製造方法において、開口内で２種類の異なる金属が露出するボーダレスビアホールを形成し、前記ビアホールの形成に用いたレジストマスクを剥離する際のウェット処理に先立って、Ｈ2Ｏを含むプラズマでアッシングする。 - 特許庁

To provide a permanent protection hard mask for protecting the dielectric characteristics of a main dielectric layer that has undesired low permittivity of a semiconductor device due to undesired increase in permittivity, undesired increase in current leakage, and a low device yield caused by surface scratch, when a continuous treatment processing is conducted.例文帳に追加

誘電率の不所望な増大による半導体デバイスの不所望な低誘電率，不所望な電流漏洩の増大，および連続処理工程の際の表面スクラッチによる低いデバイス歩留まりを有する主誘電体層の誘電体特性を保護する永久的保護ハードマスクを提供する。 - 特許庁

To manufacture a wiring structure that uses an interlayer film of an insulating organic material with less processes, without using an etching mask or etching stopper layer in an interlayer film work, nor affected by a reactive product generated through plasma processing.例文帳に追加

層間膜加工におけるエッチングマスクやエッチングストッパ層を用いることなく、また、プラズマ処理により生成する反応生成物の悪影響を受けることなく、絶縁性を有する有機材料による層間膜を用いた配線構造をより少ない工程で製造できるようにする。 - 特許庁

This mask for reflection type exposure includes: a first layer formed on a support substrate 100 and having a low-reflection processing pattern absorbing exposure light and a reflective multilayer film 101 reflecting exposure light; and a second layer formed on the reflective multilayer film 101 and having an absorber layer 120 absorbing exposure light.例文帳に追加

支持基板１００上に形成され、露光光を吸収する低反射加工パターンと露光光を反射する反射多層膜１０１とを有する第１の層と、反射多層膜１０１上に形成され、露光光を吸収する吸収体層１２０を有する第２の層とを備える。 - 特許庁

By processing an ignition signal for controlling a switching means 6, the determination signal of a determining means 12 is shaped by using a time interval defining means 17, to mask the determination signal with the signal, wrong determination during this time period can be prevented.例文帳に追加

特に、スイッチ手段６を制御する点火信号を処理する事により、時間的区間を定義する手段１７を活用して、判別手段１２の判別信号を整形し、この信号により上記の判別信号をマスクすることにより、この間の誤判別を防止するものである。 - 特許庁

When detection pattern data is obtained by a pattern detecting section 44, a dot extracting section 46 and a mask processing section 48, a data extracting section 42 for extracting pattern data based on a pattern image according to copy control information stores the detected pattern data in a buffer memory 56.例文帳に追加

複写制御情報に応じたパターン画像に基づいたパターンデータを抽出するパターンデータ抽出部４２では、パターン検出処理部４４、網点抽出処理部４６及びマスク処理部４８によって検出パターンデータを得ると、この検出パターンデータをバッファメモリ５６に蓄積する。 - 特許庁

A combination of the advantages of charged particle beam mask fabrication and ultra short pulse laser ablation are used to significantly reduce substrate processing time and improve lateral resolution and aspect ratio of features machined by laser ablation to preferably smaller than the diffraction limit of the machining laser.例文帳に追加

荷電粒子ビーム・マスク製造と超短パルス・レーザ・アブレーションの利点の組合せを使用して、基板の加工時間を著しく短縮し、レーザ・アブレーションによって機械加工されるフィーチャの横方向解像度およびアスペクト比を向上させる、好ましくは機械加工レーザの回折限界よりも小さくする。 - 特許庁