「mask processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a processing method having sufficient etching resistance and capable of closely transferring a formed pattern formed by self-organization and obtain a formed body in a fine processing technology using an etching mask formed by self-organization of a block copolymer.例文帳に追加

ブロックコポリマーの自己組織化より形成されるエッチングマスクを用いた微細加工技術において、十分なエッチング耐性を有し、しかも自己組織化により形成されるパターンを忠実に転写することができる加工方法及び成形体を提供することを目的とする。 - 特許庁

The target object W to be processed has an organic film and a photoresist layer formed on the organic film, and the organic film is etched with plasma containing hydrogen using a processing gas containing hydrogen as a processing gas and also using the photoresist layer as a mask while applying a DC negative voltage to a first electrode 5.例文帳に追加

被処理体Ｗが、有機膜と、この有機膜上に形成されたフォトレジスト層とを備え、処理ガスとして水素を含む処理ガスを用い、第１電極５に直流負電圧を印加しながら、フォトレジスト層をマスクに用いて、有機膜を、水素を含むプラズマによりエッチングする。 - 特許庁

A memory controller 12 executes processing for transmitting a write mask command for designating a key showing a specific first value (e.g., ffh) to a memory device 13 and processing for transmitting writing data to the memory device 13 after substituting the value of each invalid byte part contained in the writing data by ffh.例文帳に追加

最初に、メモリコントローラ１２は、特定の第１の値（例えばffh）を示すキーを指定するライトマスクコマンドをメモリデバイス１３に送信する処理と、書き込みデータに含まれる各無効バイト部の値をffhに置き換えた後に書き込みデータをメモリデバイス１３に送信する処理とを実行する。 - 特許庁

In another embodiment, a method for process integration in manufacture of a photomask includes depositing a hard mask on a substrate in a first processing chamber, depositing a resist layer on the substrate, patterning the resist layer, etching the hard mask through apertures formed in the patterned resist layer in a second chamber, and etching a chromium layer through apertures formed in the hard mask in a third chamber.例文帳に追加

別の実施形態では、フォトマスク製造におけるプロセス集積方法は、第１の処理チャンバにおいて基板上にハードマスクを堆積するステップと、レジスト層を該基板上に堆積するステップと、該レジスト層をパターニングするステップと、第２のチャンバにおいて該パターニング済みレジスト層上に形成されたアパーチャを介して該ハードマスクをエッチングするステップと、第３のチャンバにおいて該ハードマスクに形成されたアパーチャを介してクロム層をエッチングするステップと、を含んでいる。 - 特許庁

To relax an installation enabling condition of a monitoring camera without damaging a role of privacy protection due to a mask function, for example, in a video processing system for displaying a video image captured by an imaging apparatus 1 on a display 2.例文帳に追加

撮像装置１により撮像された映像を表示装置２により表示させる映像処理システムで、例えば、マスク機能によるプライバシー保護の役割を損なうことなく、監視カメラの設置可能条件を緩和する。 - 特許庁

To obtain a method for chemical-polishing a metal mask by laser processing which can suppress deviation of the amount of polishing due to the size of an opening part and can obtain an uniform amount of polishing compared to electrolytic polishing for a component having a complicated shape or a minute structure.例文帳に追加

電解研磨と比べて、複雑な形状や微小な部品、は開口部の大小による研磨量の偏りがなく、均一した研磨量が得られるレーザ加工によるメタルマスクの化学研磨方法を得る。 - 特許庁

The masking layer can be obtained by conducting a conditioning process for more than five hours under a processing condition of the temperature being 30°C or more and the relative humidity being 90% or more after having pasted the dry film resist as a patterning mask.例文帳に追加

このようなマスク層は、ドライフィルムレジストをパターニングマスクとして貼りつけた後、温度が３０℃以上、相対湿度が９０％以上の処理条件で５時間以上コンディショニング処理を行なうことで得られる。 - 特許庁

A mask divided into arbitrary areas corresponding to multiples of sampling intervals of image data is set and cumulative image data of object pixels of convolution processing of the image data are generated by a cumulative image data generating means 100.例文帳に追加

画像データのサンプリング間隔の倍数となる任意領域に分割したマスクを設定し、画像データのうちの畳み込み処理対象画素の累積画像データを累積画像データ生成手段１００により生成する。 - 特許庁

Accordingly, even if a certain pattern group is stained or gets defective, drawing processing is performed by using another pattern group having the same shape without replacing or washing the mask M itself.例文帳に追加

このため、あるパターン群に汚れまたは欠陥が発生した場合にも、マスクＭ自体を交換または洗浄することなく、同一の形状を有する他のパターン群を使用して描画処理を行うことができる。 - 特許庁

Upon receipt of an instruction including nullification of view restriction of image (mask processing) from a privileged client 200, a camera server 100 suspends distribution of image data to a general client 201 and a recording client 202 (S363).例文帳に追加

カメラサーバ１００は、映像の可視制限（マスク処理）の無効化を伴う指示を、特権クライアント２００から受信すると、一般クライアント２０１、録画クライアント２０２に対する映像データの配信を中断する（Ｓ３６３）。 - 特許庁

A lithography simulation device structure including a hardware accelerator that is specialized to an application is utilized, and a processing technique that facilitates and accelerates the verification, characterization and/or inspection of a mask design is also utilized.例文帳に追加

本発明は、アプリケーションに特化したハードウェアアクセラレータを含んでいるリソグラフィシミュレーション装置構造を利用しており、および、マスクデザインの実証、描写および／または検査を容易にし加速する処理手法を利用している。 - 特許庁

In this time, the pattern is formed on the mask layer, and an etching processing used to transfer this pattern on the dielectric layer is carried out, thereby, a geometric shape correspondent to the pattern is formed on the dielectric layer.例文帳に追加

ここで、マスク層にはパターンが形成されており、このパターンを誘電体層に転写するのに使用されるエッチング処理の結果として、このパターンに対応した幾何形状が誘電体層に形成される。 - 特許庁

The mask processing part 34 masks a reset signal XRST based on the access control clock FCK from the access control part 36, and supplies the masked reset signal MXR to the access control part 36.例文帳に追加

マスク処理部３４は、アクセス制御部３６からのアクセス制御用クロックＦＣＫに基づいてリセット信号ＸＲＳＴのマスク処理を行い、マスク処理後のリセット信号ＭＸＲをアクセス制御部３６に供給する。 - 特許庁

To provide a proximity scanning apparatus for highly accurately performing positioning processing between a substrate and a mask at a high speed even when areas without having substrate patterns formed exist on a part of the substrates, and to provide its illuminance control method.例文帳に追加

基板の一部に下地パターンが形成されていない領域があっても、基板とマスクとの位置合わせ処理を高速且つ高精度に行なうことができる近接スキャン露光装置及びその露光方法を提供する。 - 特許庁

The fine processing is carried out by ion irradiation using the stencil mask comprising the self-assembled monolayer constitution body provided with the self-assembled monolayer in which tensile stress is generated on the solid surface by irradiation with corpuscular beam.例文帳に追加

粒子線照射により固体表面に引張り応力を生じさせる自己組織単分子膜を備えている自己組織単分子膜構成体からなるステンシルマスクを用いてイオン照射により微細加工する。 - 特許庁

To provide a processing method and a stencil mask for making a vertical-edge through hole, having a small diameter with respect to the thickness of thin film, in a thin film of stencil for an electron beam stepper and the like.例文帳に追加

本発明の課題は、電子ビームステッパー等のステンシルマスクの薄膜にその薄膜の厚さに対して径の小さな貫通孔を垂直エッジで形成できる加工方法並びにそのようなステンシルマスクを提供することにある。 - 特許庁

It is possible for a clock creating circuit 3 to initialize the digital signal processing circuit, by halting one clock of clocks according to the clock mask control signal 12 without having to perform complicated circuit and delay adjustments.例文帳に追加

クロック生成回路3はクロックマスク制御信号12に従って1クロック分クロックを停止させることにより、複雑な回路や遅延調整をすることなく、デジタル信号処理回路の初期化を行うことができる。 - 特許庁

To provide a method of processing a glass substrate by which a pattern faithful to a shape pattern of a photomask can be provided in a thin glass substrate which deforms when provided with a film used as etching mask.例文帳に追加

エッチングマスクとなる膜を設けて変形が生じる薄いガラス基板に対して、フォトマスクが有する形状パターンに忠実なパターンをガラス基板に設けることができるガラス基板の加工方法を提供する。 - 特許庁

This systen and method employs a lithography simulation system architecture including application-specific hardware accelerators, and a processing technique to facilitate and accelerate verification, characterization and/or inspection of a mask design.例文帳に追加

本発明は、アプリケーションに特化したハードウェアアクセラレータを含んでいるリソグラフィシミュレーション装置構造を利用しており、および、マスクデザインの実証、描写および／または検査を容易にし加速する処理手法を利用している。 - 特許庁

Using a mask pattern, only the digital image data of a transmitted part are cut out, the digital data of a background image are synthesized with the other part, the resultant digital image data of the synthesized image are subjected to compression processing and the result is transmitted.例文帳に追加

マスクパターンを用いて送信部分のディジタル画像データのみを切り出し、他の部分には背景画像のディジタル画像データを用いて合成し、この合成画面のディジタル画像データを圧縮処理して送信する。 - 特許庁

To provide a method for forming a pattern-like thin film layer which has a mask layer material having a high heat resistance by a lift-off process and has a good stripping property, while preventing generation of a decomposed gas at its processing temperature upon formation of the thin film.例文帳に追加

マスク層材料の耐熱性が高く、又薄膜形成時の処理温度下での分解ガスの発生もなく、さらに、剥離性が良好なリフトオフ方式のパターン状薄膜層の形成方法を提供する。 - 特許庁

The procedures of this method are as follows: For example, the mask patterns corresponding to wiring parts exclusive of gate parts in active areas are first subjected to 1.5D-OPC processing in accordance with the correction rule formed without taking the generation of auxiliary patterns into consideration.例文帳に追加

たとえば、アクティブエリア上のゲート部を除く、配線部に対応するマスクパターンに対して、補助パターンの発生を考慮しないで作成した補正ルールにしたがって、１．５Ｄ−ＯＰＣ処理を実施する。 - 特許庁

To provide an image input/output device and a mask controller for reducing the labor of post-processing to a pickup image to be acquired from an input/output panel having a display function and an imaging function.例文帳に追加

表示機能と撮像機能とを有する入出力パネルから得られる撮像画像に対する後処理の負担を軽減することを可能とする画像入出力装置およびマスク制御装置を提供する。 - 特許庁

To provide a photoresist that has superior shape retainability during post baking and is also superior in plasma processability, and with which a half tone pattern used for processing of a display element substrate by a four-Mask system is formed.例文帳に追加

ポストベーク時の優れた形状保持性を有し、プラズマ加工性にも優れた４Ｍａｓｋ方式による表示素子基板加工に利用することができるハーフトーンパターンが形成可能なフォトレジストを提供する。 - 特許庁

The etching processing method of the piezoelectric wafer forms a mask 18 with an opening 16 on an one face 12 of the piezoelectric wafer and another face 14, carries out etching of the opening 16, and forms a through-hole.例文帳に追加

圧電ウエハのエッチング加工方法は、圧電ウエハの一方の面１２および他方の面１４に開口部１６を有するマスク１８を形成し、前記開口部１６をエッチングして貫通溝を形成するものである。 - 特許庁

At the correlation processing, the number of a specified kind of a bit in a binary word obtained from the result of the XNOR operation is counted by performing AND operation on every bit using a pair of binary words for mask.例文帳に追加

相関処理では、１対のマスク用２進ワードを使用して、ビットごとのＡＮＤ演算を実行することにより、ＸＮＯＲ演算の結果から得られる２進ワード内の特定の種類のビットの数が数えられる。 - 特許庁

By further conducting sulfonation processing (step S140) to introduce sulfonic groups into the side chains, the solid-polymer electrolytic membrane in which sulfonic group introduced only in regions corresponding to perforated portions of the mask is obtained.例文帳に追加

さらにスルホン化の処理を行なって（ステップＳ１４０）、側鎖にスルホン酸基を導入することによって、上記マスクの穴あき部に対応する領域だけにスルホン酸基が導入された固体高分子電解質膜を得る。 - 特許庁

The method for processing the housing member of a mask blank, having a chemical amplification resist film, is carried out by eliminating from the member chemical substances which block the chemical amplification effect of the chemical amplification resist.例文帳に追加

化学増幅型レジスト膜を有するマスクブランクスを収納するための部材の処理方法であって、化学増幅型レジストの化学増幅効果を阻害する化学物質を上記部材から除去する処理を施す。 - 特許庁

To provide an ion milling device capable of easily manufacturing a sample without performing parallel processing in the case where the mask surface side and loading surface of the sample are non-parallel, and to provide an ion milling method.例文帳に追加

本発明の目的は、試料のマスク面側と搭載面とが非平行の場合に、平行に加工する必要が無く試料作製を容易に行うことができるイオンミリング装置及びその方法を提供することにある。 - 特許庁

The source and drain electrodes and the impurity doped semiconductor layer are etched in a single processing step using a protective insulation layer 145 as a mask for the purpose of forming the source and the drain electrodes 143a and 143b.例文帳に追加

又、ソース、ドレイン電極１４３ａ，１４３ｂを形成するために、保護絶縁層１４５をマスクとして用いて、前記ソース、ドレイン電極及び不純物ドープ半導体層を単一の工程(ａ single step)でエッチングする。 - 特許庁

That is, processes from processing of the conductive film to the etching by using the semiconductor etching gas are continuously performed in the same chamber and the etching by using the semiconductor etching gas is performed before removing the etching mask.例文帳に追加

すなわち、導電膜の加工から半導体エッチング用のガスで行うエッチングまでを同一チャンバー内で連続して行い、半導体エッチング用のガスで行うエッチングはエッチングマスクを除去する前に行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is densely and mixedly mounted with a large number of semiconductor elements of different kinds and micronized in size as a cost increase, which is caused by system-on-chip processing and an increase of mask kinds, is avoided.例文帳に追加

システム・オン・チップ化によるコスト増大及びマスクタイプの増加によるコスト増大を回避して、種類の相互に異なる多数の半導体素子を高密度で混載し、かつ微細化を実現した半導体装置を提供する。 - 特許庁

An error between the marker position of the mask image and that of the live image is calculated so as to conduct subtraction processing so that the are coincident thereby preventing occurrence of a noise in a subtraction picture caused by a position offset of a catheterization table.例文帳に追加

マスク像のマーカの位置とライブ像のマーカの位置との誤差を計算してこれが一致するようにしてサブトラクションを行い、カテタリゼーションテーブルの位置ずれにより生じるサブトラクション画像のノイズ発生を防止する。 - 特許庁

To provide an image encoder wherein processing of reducing production of noise is performed on the encoder side without using a mask image so as to realize a transmission color function even in the case of irreversible encoding and to provide an image decoder.例文帳に追加

マスク画像を用いず、ノイズの発生を少なくする処理を符号化側で行い、非可逆符号化であっても透過色機能を実現することができる画像符号化装置および画像復号装置を提供する。 - 特許庁

The control unit 30 includes: a detection circuit 32 for detecting a floating state of at least either of a power supply terminal TV connected to a host side power supply terminal TVH supplied with a power supply voltage VDD from a host device 10 and a ground terminal TG connected to a host side ground terminal TGH supplied with a ground voltage VSS from the host 10; and a mask processing unit 34 for performing mask processing on a system clock SCK.例文帳に追加

制御部３０は、ホスト装置１０からの電源電圧ＶＤＤが供給されるホスト側電源端子ＴＶＨに接続される電源端子ＴＶ及び、ホスト装置１０からのグランド電圧ＶＳＳが供給されるホスト側グランド端子ＴＧＨに接続されるグランド端子ＴＧの少なくとも一方のフローティング状態を検出する検出回路３２と、システムクロックＳＣＫのマスク処理を行うマスク処理部３４を有する。 - 特許庁

Further, while using the patterned photo resist 14 as a mask, the reflection prevention film 13 and polymer layer 12 are etched under such a condition that the etching speed of the polymer layer 12 is higher than that of the reflection prevention film 13 and more higher than that of the semiconductor substrate 11, so that a mask for processing the semiconductor substrate 11 is formed.例文帳に追加

続いて、パターニングされたフォトレジスト１４をマスクとして、ポリマー層１２のエッチング速度が反射防止膜１３のエッチング速度よりも速く、半導体基板１１のエッチング速度よりもさらに速くなる条件で、反射防止膜１３及びポリマー層１２をエッチングし、半導体基板１１に処理を施す際のマスクを形成する。 - 特許庁

In the method of producing a semiconductor base material, when an etching mask for forming protrusions and recesses on the surface of a semiconductor base material by photolithography processing of a resist film, a transfer mask 100 where the dimensions of a dot-shaped light-shielding portion 104, i.e. a pattern of protrusions and recesses near the region where the exposure shots overlap, are corrected previously.例文帳に追加

半導体基材を製造する方法において、半導体基材の表面に凹凸部を形成するためのエッチングマスクをレジスト膜のフォトリソグラフィ処理により形成する際、転写用マスク１００として、あらかじめ露光ショットの重なる領域付近にある凹凸パターンであるドット状遮光部１０４の寸法を補正した転写用マスクを使用する。 - 特許庁

A method of etching a chromium layer comprises the steps of providing a substrate having a chromium layer partially exposed from a patterned carbon hard mask into a processing chamber; providing a process gas containing chlorine and carbon monoxide into an etching chamber; maintaining plasma of the process gas; and etching the chromium layer through the hard mask layer.例文帳に追加

クロム層をエッチングする方法は、パターン化された炭素ハードマスクから部分的に露出するクロム層を有する基板を処理チャンバ内に提供するステップと、塩素および一酸化炭素を含有するプロセスガスをエッチングチャンバの中に提供するステップと、プロセスガスのプラズマを維持するステップと、クロム層を炭素ハードマスク層を介してエッチングするステップとを含む。 - 特許庁

In the area of a semiconductor device manufacturing mask 200 except for a real pattern 202, a square dummy pattern 204, for example, having one side of 0.25 μm or less is inserted and the pattern density is made uniform, and an etching processing can be performed without changing conditions for every semiconductor device manufacturing mask and the global step of a post-CMP interlayer insulation film is not increased.例文帳に追加

半導体製造用マスク２００内の実パターン２０２以外の領域に，例えば一辺が０．２５μｍ以下の正方形のダミーパターン２０４を挿入し，パターン密度を均一化して，半導体製造用マスク毎に条件を変えることなくエッチング処理を行えるとともに，ＣＭＰ後の層間絶縁膜のグローバル段差を増大させないようにする。 - 特許庁

The video controller 15, when receiving the instruction, performs processing for setting a mask area of a shape based on the shape information in an area based on the area information in an image to be displayed on a liquid crystal display 16 and painting out the mask area by a color based on the color information, and then displays the processed image on the image display device 2.例文帳に追加

ビデオコントローラ１５は、この指示を受けると、液晶ディスプレイ１６に表示すべき画像に対して、領域情報に基づく領域内に形状情報に基づく形状のマスク領域を設定するとともにこのマスク領域内を色情報に基づく色で塗り潰す処理を施し、処理後の画像を画像表示装置２に表示させる。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device includes processes of: forming an etching mask on a processing object 10 formed of a compound semiconductor containing indium as an essential constituent element; introducing a mixture gas comprising two constituents such as hydrogen iodide gas and silicon tetrachloride gas onto the processing object 10 and converting the mixture gas to plasma; and entering the mixture gas converted to plasma into the processing object to selectively etch the processing object.例文帳に追加

この製造方法は、インジウムを必須の構成元素とする化合物半導体からなる被加工物１０の上にエッチングマスクを形成する工程と、被加工物１０の上にヨウ化水素ガスおよび四塩化ケイ素ガスの２成分からなる混合ガスを導入するとともに混合ガスをプラズマ化する工程と、当該プラズマ化された混合ガスを被加工物に入射させて被加工物を選択的にエッチングする工程と、を含む。 - 特許庁

A multi-gradation image photographed by a television camera Cam is binarized by an operation part 11 having a CPU 12, only a necessary area is extracted from the binary image by mask processing, histogram calculation processing and histogram analysis processing are successively executed to detect the terminal part of a linear part of a track Tr photographed on the multi-gradation image or the position of an obstacle.例文帳に追加

テレビカメラＣａｍによって撮影された多階調画像をＣＰＵ１２を有する演算部１１によって二値化し、マスク処理によってこの二値化画像から必要な領域のみを抽出し、続けてヒストグラム算出処理、ヒストグラム解析処理を行って前記多階調画像に撮影された軌道Ｔｒの直線部分の終端部又は障害物の位置を検出する。 - 特許庁

As an execution condition for the torque-down processing in gear change processing, besides a condition that turbine rotation speed is estimated to reach synchronous rotation speed connecting with the engagement of the one-way clutch, a condition that a mask time elapsed after issue of the command to change the gear stage is added and if any of the respective execution conditions is not satisfied, execution of the torque down processing is inhibited.例文帳に追加

変速処理におけるトルクダウン処理の実行条件として、タービン回転速度がワンウェイクラッチの係合に繋がる同期回転速度に到達すると予測されるという条件の他、ギヤ段の切り換え指示があってからマスク時間が経過しているという条件も加えられ、上記各実行条件のうちのいずれかが不成立であればトルクダウン処理の実行が禁止される。 - 特許庁

When a substrate W to be processed which has the amorphous carbon film is mounted in a processing container 10 and the amorphous carbon film is plasma-etched using an inorganic film as a mask, an O_2 gas is used as an etching gas, and supplied at a residence time of ≤0.37 msec in the processing container, thereby plasma-etching the amorphous carbon film.例文帳に追加

アモルファスカーボン膜を有する被処理基板Ｗを処理容器１０内に設置し、無機膜をマスクとしてアモルファスカーボン膜をプラズマエッチングするにあたり、エッチングガスとしてＯ_２ガスを用い、Ｏ_２ガスの前記処理容器におけるレジデンスタイムが０．３７ｍｓｅｃ以下となるようにＯ_２ガスを流してアモルファスカーボン膜をプラズマエッチングする。 - 特許庁

A computer 13 sets a processing area on the basis of an image obtained by observing a mask 8, and determines a position of representative point constituting the contour of the processing area at a central position of the pixel or a position shifted from the central position of the pixel at every pixel with sub-pixel accuracy more accurate than that of a pixel.例文帳に追加

コンピュータ１３は、マスク８を観察して得られた画像を基に加工領域を設定し、加工領域の輪郭を構成する代表点の位置をピクセル毎に、ピクセルよりも高い精度であるサブピクセル精度で、ピクセルの中心位置からずらした位置または中心位置に設定可能に求める。 - 特許庁