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mask processingの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 995



例文

In the forming of the mask for the halftone processing, a minimum number n of dots necessary for representing one pixel and a level g for switching to an image size D to be actually represented and one dot of one pixel are calculated to calculate an optimum resolution d1 based on the representation pixel size D.例文帳に追加

ハーフトーン処理用マスク作成において、画像出力装置の特性に基づいて、1画素を再現するのに必要な最小ドット数n、実際に再現される画素サイズD及び1画素1ドットに切り換えるレベルgを算出し、再現画素サイズDから最適な解像度d1を算出する。 - 特許庁

Pattern connection of a soldered surface and a component surface is made excellent by subjecting a metal mask processing only to a component surface side land 3 of a through-hole 2 formed in the board, applying a cream solder 5, and soldering a chip component 6 by melting the cream solder 5 by reflowing and simultaneously solder-plating the through-hole 2.例文帳に追加

基板に形成したスルーホール2の部品面側ランド3のみにメタルマスク処理を施し、クリーム半田5を塗布し、リフローにより前記クリーム半田5を溶解させてチップ部品6を半田付けし、同時に前記スルーホール2にハンダメッキすることで、半田面、部品面のパターン接続を良好なものにする。 - 特許庁

The method forms structures arranged on a substrate in a two-dimensional manner by forming a single layer by arranging spherical particles on the surface of the substrate so as to fill the surface with the spherical particles most densely using self-organization of the spherical bodies, and performing etching processing using the single layer formed of the spherical particles as an etching mask.例文帳に追加

球体の自己組織化を利用して、基板表面に球状粒子を最密に充填するように配置して単層を形成し、前記球状粒子からなる単層をエッチングマスクとしてエッチング処理を行うことにより、基板上に規則的に二次元配置した構造体を形成する方法。 - 特許庁

In a step (d), a porous polysilicon layer 5 is formed by performing positive electrode oxidation processing with a constant current while performing light irradiation on the exposed polysilicon layer 3 by using the silicon oxide layer 4 as a mask material layer, and by using an electrolytic solution that is prepared by mixing 55 wt.% of hydrogen fluoride aqueous solution and ethanol with a ratio of 1:1, and cooled atC.例文帳に追加

酸化シリコン層4をマスク材料層として55wt%のフッ化水素水溶液とエタノールとを1:1で混合し0℃に冷却した電解溶液を用い、露出したポリシリコン層3に光照射を行いながら定電流で陽極酸化処理を行い多孔質ポリシリコン層5を形成する(図1(d))。 - 特許庁

例文

In the indirect conversion processing, on the other hand, a plurality of thresholds are read out of the table memory 38 according to the pixel position on the dither mask specified from the position of the input pixel on the image and a comparator 31 compares the gradation value of the input pixel with the thresholds respectively to obtain and output the gradation value of an output pixel.例文帳に追加

一方、間接変換処理では、入力画素の画像上の位置から特定されたディザマスク上の画素位置から複数の閾値をテーブルメモリ38から読み出し、入力画素の階調値と閾値のそれぞれとをコンパレータ31にて比較することにより、出力画素の階調値を取得して出力する。 - 特許庁


例文

An image processing section 29 is inputted with the image signal, determines reflection intensity data on the basis of the reflected light from the reflection section of the mask 26 and decides that the projection quantity of the buffer films is large and that the buffer films are defective when the reflection intensity at the inflection point of the reflection intensity data is below the prescribed reference value.例文帳に追加

画像処理部29は、画像信号を入力し、マスク26の反射部からの反射光を基準として反射強度データを求め、その反射強度データの変曲点における反射強度が、所定の基準値を下回る場合には、バッファ膜の突出量が多いとして不良であると判定する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for measuring a mask pattern shape which enables the quick, correct and highly accurate quantitative measurement of the pattern shape of a photomask including a fine pattern by performing 1-dimensional numeric data conversion processing and to provide a recording medium.例文帳に追加

マスク画像のマスクパターン形状を計測する装置において、1次元数値データ変換処理を行い、微細なパターンを含むフォトマスクのパターン形状の定量的な計測を、迅速かつ正確・高精度に可能にするマスクパターン形状計測装置及びマスクパターン形状計測方法並びに記録媒体を提供する。 - 特許庁

Ion impurities are injected using the resist film 107 formed on a glass substrate 100 as a mask, and processing using a flame of a gas burner consuming a mixed gas of hydrogen and oxygen as a fuel is executed in eliminating the resist film 107 having the altered layer 107a formed thereon, thereby eliminating the resist film 107.例文帳に追加

ガラス基板100上に形成されたレジスト膜107をマスクに不純物イオンを注入し、変質層107aが形成されたレジスト膜107を除去する際、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナーの火炎を熱源とした処理を施すことにより、レジスト膜107を除去する。 - 特許庁

This defect inspection method of a gray tone part in a gray tone mask is characterized by including a process (a drawing 1 (3)) of applying gradating processing for flattening the signal when there is a periodic change as indicated in a drawing 1 (2) in the transmissivity signal obtained by scanning a gray tone part as indicated in a drawing 1 (1).例文帳に追加

グレートーンマスクにおけるグレートーン部の欠陥検査方法であって、図1(1)に示すようなグレートーン部を走査して得られる透過率信号に、図1(2)に示すような周期的な変動がある場合に、その信号を平坦化するためのぼかし処理を施す(図1(3))工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

例文

For forming this mirror layer 4, a lower part clad layer being the lower half of the clad layer 2 is formed, and the core 3 is patterned on it, and a mirror forming layer formed by coating the whole of a substrate is etched just under an etching mask so as to be undercut, or is patterned through photolithography and development processing.例文帳に追加

このミラー層4を形成するには、クラッド層2の下半分である下部クラッド層を形成し、この上でコア3をパターニングした後、基体の全面を被覆して形成されたミラー形成層をエッチング・マスクの直下にアンダカットが入るようにエッチングするか、またはフォトリソグラフィと現像処理を経てパターニングする。 - 特許庁

例文

The GPS satellite mask processing part 340 forms deleted conversion GPS data in which GPS satellites coincident with deleting conditions are deleted by deleting the GPS satellites coincident with deleting conditions from the satellite position information included in the conversion GPS data converted into the RINEX data format.例文帳に追加

GPS衛星マスク処理部340は、RINEXデータ形式に変換された変換GPSデータに含まれる衛星配置情報から、削除条件に合致するGPS衛星を削除することにより、削除条件に合致するGPS衛星の削除された削除後変換GPSデータを作成する。 - 特許庁

In X-ray image processing, digital X-ray image data obtained by panoramic radiography or cephalometric radiography is subjected to two-dimensional Fourier transformation, and obtained Fourier transformed data is multiplied by a mask value with different frequency characteristics in the vertical direction and lateral direction of a two-dimensional frequency space to change the Fourier transformed data.例文帳に追加

X線画像処理において、パノラマ撮影またはセファロ撮影により得られたデジタルX線画像データを2次元フーリエ変換し、次に、得られたフーリエ変換データに対して、2次元周波数空間の縦方向と横方向で周波数特性の異なるマスクの値と乗算して、フーリエ変換データを変化させる。 - 特許庁

To provide document management system and method capable of simply and surely grasping the state of a document constituted of plural papers and efficiently executing mask processing and a computer readable recording medium for constructing the document management system by using a computer.例文帳に追加

本発明は、複数の書類で構成される文書の状況を簡単かつ確実に把握でき、かつ効率的にマスク処理が行える文書管理システム及び文書管理方法、並びにコンピュータを用いて上記文書管理システムを構築するためのコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electromagnetic wave shield film, in which a continuous metal pattern is formed on a belt-like base by using a photosensitive material having a photosensitive layer on the belt-like base, by performing exposure through a mask having a predetermined pattern while lowering power consumption, and by performing development processing; and to provide an electromagnetic wave shield film.例文帳に追加

帯状支持体の上に感光性層を有する感光材料を使用し、消費電力を低くし、所定のパターンを有するマスクを介して露光し、現像処理を経て、帯状支持体の上に連続した金属パターンを形成する電磁波遮蔽フィルムの製造方法及び電磁波遮蔽フィルムの提供。 - 特許庁

To provide a processing method which can finish overall neatly and accurately, without needing a difficult control such as a control for etching rate, without a problem of residual ion which harms transparency of a glass substrate, and without staining the surface by the removed material, when repairing unprocessed parts of dug grooves of a Levenson mask.例文帳に追加

本発明の目的課題は、レベンソンマスクの掘り込み溝の加工残り欠陥を修正するにあたって、エッチングレートのコントロール等厄介な加工制御が必要なく、ガラス基板の透明性を損ねる残留イオンの問題もなく、しかも除去した素材が表面を汚すこともなくきれいに精度よく仕上げることができる加工方法を提示することである。 - 特許庁

The Z-sorting processing circuit 24 includes a floating decimal point comparison device 130 which compares an average depth value of a semitransparent polygon with a minimum pooling depth value; a plurality of AND gates 110-1 to 110-23 and 120-1 to 120-23, which are connected to the input stage of the floating decimal point comparison device 130; and a decimal part mask value 140 for controlling precision.例文帳に追加

本発明に係るZソート処理回路24は、半透明ポリゴンのデプス平均値と最小保持デプス値とを比較する浮動小数点比較器130と、浮動小数点比較器130の入力段に接続された複数のANDゲート110−1〜110−23、120−1〜120−23と、精度制御用小数部マスク値140とを含む。 - 特許庁

On each projection image in the cardiac muscle nuclear medicine image, a processing is performed, wherein a concerned domain is set in the whole cardiac muscle, and a projection image in which a high accumulation portion other than a cardiac muscle part exists in the concerned domain is deleted, and a portion other than the concerned domain set in the cardiac muscle domain relative to a residual projection image is mask-processed and removed.例文帳に追加

心筋核医学画像における各投影画像上において、心筋全体に関心領域を設定し、当該関心領域内に心筋部以外の高集積部位が存在している投影画像を削除し、残りの投影画像につき心筋領域に設定した関心領域以外の部位をマスク処理して除去するといった処理を行う。 - 特許庁

In a manner where a display unit is constituted of an OLED panel, loads are small when a screen is in a black display state, thereby, the charges of rectifying capacitors 171 and 172 are hardly discharged and remain when the DC/DC converter 166 is turned off after the BLACK/MASK processing, and the voltage setting in the gate driver 163 is turned off thereafter.例文帳に追加

表示器がOLEDパネルにて構成されている場合、画面が黒表示の状態では負荷が小さい為、BLACK MASK処理後に、DC/DCコンバータ166を電源オフし、さらにその後、ゲートドライバ163の電圧設定をオフにしたとき、整流コンデンサ171,172の電荷が殆ど放電されずに残っている。 - 特許庁

This pattern formation method further includes: a step of applying the inverted resin material onto the substrate after irradiating the upper part of the first pattern with the ultraviolet light; a step of removing the first pattern after applying the inverted resin material and forming a second pattern including the inverted resin material; and a step of processing the substrate using the second pattern as a mask.例文帳に追加

さらに、このパターン形成方法は、紫外線の照射後に、前記基板上に前記反転樹脂材料を塗布する工程と、前記反転樹脂材料の塗布後に前記第1パターンを除去し、前記反転樹脂材料を含む第2パターンを形成する工程と、前記第2パターンをマスクとして、前記基板を加工する工程と、を備える。 - 特許庁

The method of correcting the mask for a data program of a read-only memory includes a process step of selecting arbitrary data 15 on a data map 12 of the read-only memory and a process step of retrieving the data 16 at the circumference of the arbitrary data 15 and carrying out processing to add dimensional correction to the graphics corresponding to the arbitrary data 15 when specific conditions are satisfied.例文帳に追加

読み出し専用メモリのデータプログラム用のマスクの補正方法であって、前記読み出し専用メモリのデータマップ12上の任意のデータ15を選択する工程と、前記任意のデータ15の周囲のデータ16を検索し、特定の条件を満たす場合、前記任意のデータ15に対応する図形に寸法補正を加える処理を行う工程とを含む。 - 特許庁

Then the second gate-level logical data generated through the logic synthesis in the step S12 is outputted (S13) and rewiring processing is performed by using a dummy cell which is not used in the original first gate-level logical data existing on a mask layout in accordance with a change in connected relation after logic is changed in addition to an originally arranged basic cell (S14).例文帳に追加

処理S12の論理合成処理で合成されて生成された第2のゲートレベルの論理データの出力(S13)により、元々配置されている基本セルに加え、論理変更後の接続関係の変更に応じマスクレイアウト上に存在する元の第1のゲートレベルの論理データで使用しないダミーセルも用いて再配線処理を行う(S14)。 - 特許庁

To solve such a problem that, when a drawn graphic for preparing a mask image is held by a display list (DL) which is an intermediate language in the drawing processing for analyzing a page description language and preparing drawn data in an image forming apparatus, the size of the DL is so large as to generate the shortage of resources such as memory depending on the drawn graphic.例文帳に追加

画像形成装置において、ページ記述言語を解析して描画データを作成する描画処理において、マスクイメージを作成するための描画図形を中間言語であるディスプレイリスト(DL)で保持する場合に、描画図形によっては、DLのサイズが大きくなりすぎてメモリ等のリソース不足を発生してしまう問題を解決すること。 - 特許庁

The imaging device with a mask function of masking a specified area in a picked-up image is equipped with a masked area specifying device which specifies the area to be masked in the picked-up image and an image processor which performs image processing while excluding an image signal included in the area to be masked from an object to be processed.例文帳に追加

撮像画像中の特定領域をマスクするマスク機能を備えた撮像装置であって:撮像画像の中からマスク対象領域を特定するマスク対象領域特定装置と;マスク対象領域に含まれる画像信号を処理対象から除外して画像処理する画像処理装置と,を備えることを特徴とする撮像装置が提供される。 - 特許庁

A thin film pattern 10 is formed by preforming a water-soluble polymer film 4 on the surface of a film 2 to be processed, provided on a substrate 1, then performing ablation processing by irradiating the surface of the polymer film 4 with laser beam 8 through a pattern mask 7, and removing resin decomposed matters 6 and remaining water-soluble polymer film 5 by washing.例文帳に追加

基材1上に設けられた被加工膜2の表面に、予め水溶性の高分子膜4を形成し、その高分子膜形成面にパターンマスク7を介してレーザー光8を照射してアブレーション加工を行い、その後水洗を行うことにより、樹脂分解物6と残った水溶性高分子膜5を除去し、薄膜パターン10を形成する。 - 特許庁

A colored layer applying process for applying and forming a negative photosensitive material 13 for a colored layer on a substrate 10A for forming the color filter, an exposure process for collectively exposing a colored layer forming area via the exposure mask 20 by a proximity exposure method and a processing process of developing, drying and baking treatment are performed to form the colored layer.例文帳に追加

カラーフィルタ形成用基板10Aに、ネガ型の感光性の着色層用材料13を塗布形成する着色層塗布工程と、着色層形成領域をプロキシミティ露光方法により露光用マスク20を介して一括露光する露光工程と、現像処理、乾燥、ベーキング処理のプロセス処理工程とを行い、着色層を形成する。 - 特許庁

A control section 21 of a mask layout editor device 1 performs conversion processing for converting original IC layout data to a prescribed format while the read original IC layout data is displayed with a display control section 23, and causes the display control section 23 to display the converted IC layout data when an operation reception section 22 receives the prescribed operation.例文帳に追加

マスクレイアウトエディタ装置1の制御部21は、読み込んだ原ICレイアウトデータを表示制御部23に表示させている間に、原ICレイアウトデータを所定のフォーマットに変換する変換処理を行い、操作受付部22により所定操作が受け付けられると、変換後のICレイアウトデータを表示制御部23に表示させる。 - 特許庁

In ashing by oxygen plasmas for removing a resist which was used for a mask when forming the bottom electrode 19 of a ferroelectric capacitor formed in a semiconductor substrate 1 by using an Ru film, the inside pressure of the chamber 31 of a plasma processing apparatus is kept at 70 Pa or above and the temperature of the semiconductor substrate 1 is kept at 100°C or less.例文帳に追加

半導体基板1に形成された強誘電体キャパシタの下部電極19をRu膜により形成するに際に、マスクとして用いたレジストを除去するための酸素プラズマによるアッシングで、プラズマ処理装置のチャンバ31内の圧力は70Pa以上で、かつ、半導体基板1の温度は100℃以下に保持する。 - 特許庁

A recording and reproducing device 200 includes an image selection processing part 204 for: separating the fields of the source image signals and the mask image signals from the composite image signals transmitted from the camera device or the composite image signals recorded in a recording medium and reproduced; and selecting the field of one of the separated image signals corresponding to the instruction of a user to output it to the monitor 300.例文帳に追加

記録再生装置200は、カメラ装置から送信された合成画像信号または記録媒体に記録再生した合成画像信号から原画像信号とマスク画像信号のフィールドを分離して、ユーザーの指示に応じて分離した一方の画像信号のフィールドを選択してモニター300に出力する画像選択処理部204を備える。 - 特許庁

In the ion milling device for fixing the sample having a plane to a sample holder unit in a vacuum chamber and irradiating the sample with an ion beam to make the sample undergo milling processing, the sample holder unit has a fixing structure capable of fixing the sample along the inclination on the back side of the sample with respect to the plane of the sample coming into contact with the mask which shields the ion beam.例文帳に追加

本発明は、平面を有する試料を真空チャンバ内で試料ホルダユニットに固定してイオンビーム照射しミリング加工するイオンミリング装置において、前記試料ホルダユニットは、前記試料を前記イオンビームから遮蔽するマスクに接する前記平面に対してその裏面側の傾斜に沿って固定できる固定構造を有することを特徴とする。 - 特許庁

An organic polymer resin layer is provided on the surface of a semiconductor device, after pattern processing and hardening treatment are performed, the resin pattern is etched as a mask, the conduction layer of the opening part is exposed, next, oxygen plasma treatment is performed at a temperature of 100°C or higher, and the semiconductor device is manufactured by cleaning the conduction layer of the opening part.例文帳に追加

半導体素子表面に有機ポリマー樹脂層を設け、パターン加工及び硬化処理を施したのち、この樹脂パターンをマスクとしてエッチング処理し、開口部の導通層を露出させ、次いで100℃以上の温度で酸素プラズマ処理を行い、上記開口部の導通層をクリーニングすることにより、半導体装置を製造する。 - 特許庁

An area extraction part 130 extracts segment data from first volume data, a positioning part 150 prepares correction information for positioning the segment data to each volume, a segment data conversion part 140 corrects the segment data to each volume using the correction information prepared by the positioning part 150, and a 4D image processing part 160 performs the mask processing using the segment data corrected by the segment data conversion part 140.例文帳に追加

領域抽出部130が最初のボリュームデータからセグメントデータを抽出し、各ボリュームに対するセグメントデータの位置合わせを行うための補正情報を位置合わせ部150が作成し、セグメントデータ変換部140が位置合わせ部150が作成した補正情報を用いて各ボリュームに対するセグメントデータの補正を行い、4D画像処理部160がセグメントデータ変換部140によって補正されたセグメントデータを用いてマスク処理を行うよう構成する。 - 特許庁

First and second information on allocation of patterns are added to boundary lines among small regions, and the patterns which are kept in contact with the boundary Lines and selected out of the complementarily divided patterns are allocated as referring to the first and second information, so that parallel processing can be realized by small region unit, and a troublesome pattern can be prevented from occurring in the mask pattern forming method.例文帳に追加

小領域の境界線にパターンの振り分けに関する第1および第2の情報を付加し、相補分割されたパターンのうち、境界線に接するパターンについては、第1および第2の情報を参照してパターンの振り分けを行うことにより、小領域単位での並列処理と問題パターンの発生防止を可能とするマスクパターン作成方法。 - 特許庁

A main controller 70 determines focus positions of respective image capturing devices when detecting the position of the alignment mark of the mask and the position of the alignment mark of the underlying pattern on the substrate based upon variation in the image recognition rate, the sharpness value and the contrast value preliminarily detected by the image processing device 50 while moving the focus positions of respective image capturing devices by a focus position moving mechanism.例文帳に追加

主制御装置70は、予め、焦点位置移動機構により各画像取得装置の焦点位置を移動しながら、画像処理装置50により検出された画像認識率、シャープネス値、及びコントラスト値の変化に基づいて、マスクのアライメントマークの位置又は基板の下地パターンのアライメントマークの位置を検出する際の各画像取得装置の焦点位置を決定する。 - 特許庁

In a halation determination circuit 22, a brightness signal (signal U) from a mask processing circuit 40 is input in an integral circuit 19 and nonlinear correction circuit 21 respectively and then, respective levels of an integral result (signal E) integrated by the integral circuit 19 and a correction result (signal D) nonlinearly corrected by the nonlinear correction circuit 21 are compared to each other by a comparator circuit 20.例文帳に追加

この場合、ハレーション判別回路22では、マスク処理回路40からの輝度値(信号U)が積分回路19と非線形補正回路21とに各々入力され、その後、積分回路19により積分された積分結果(信号E)と、非線形補正回路21により非線形補正処理された補正処理結果(信号D)との各レベルが前記比較回路20にて比較される。 - 特許庁

In the three-dimensional image processing apparatus 1, before composing three-dimensional CT image data and MRI image data, the displacement of the three-dimensional CT image data and the MRI image data is calculated by using mask 3D image data and 3D-DSA image data, and the composition process is done on the three-dimensional space based on this displacement information.例文帳に追加

3次元画像処理装置1において、3次元のCT画像データとMRI画像データとの合成処理の実行に先立ち、マスク3D画像データ及び3D−DSA画像データを利用して、3次元のCT画像データとMRI画像データとの位置ずれを求め、この位置ずれ情報に基づいて3次元空間上の合成処理を行うようにしている。 - 特許庁

The device is constituted with an ODC 120 to capture the timing of variation in signal amplitude of a tracking error signal or a focus error signal as processing start timing for request for data recording or data readout, and a holder timing signal output circuit 125 to output a mask signal to hold tracking control of focus control at timing before and after the signal amplitude changes.例文帳に追加

トラッキングエラー信号またはフォーカスエラー信号の信号振幅の変動タイミングをデータの記録要求またはデータの読み出し要求に対する処理開始タイミングとして捉えるODC120と、信号振幅が変動する前後のタイミングでトラッキング制御またはフォーカス制御をホールドさせるマスク信号を出力するホールドタイミング信号出力回路125を備える。 - 特許庁

Laminated films 13 formed of a plurality of thin laminated films 12 are stuck on a non-emitted face of laser beam of a plastic plate 11 as a base of a printing mask material 10 by a bonding agent 14, and the given numbers of laminated films 12 on unnecessary outer layers out of the laminated films 13 stuck on the plastic plate 11 are released before laser beam processing.例文帳に追加

少なくとも、印刷用マスク材10の基材であるプラスチック板11のレーザービームの非照射面に、厚さの薄いラミネートフィルム12を複数枚積層して形成された積層フィルム13を粘着剤14により貼付し、レーザービーム加工に先立って、該プラスチック板11に貼付された積層フィルム13のうちの、不要となる外層のラミネートフィルム12を所定枚数だけ剥ぎ取る。 - 特許庁

A routine which replaces the register number of an instruction that performs repetition processing selected by an instruction selection circuit 6 with a new register number generated by a mask number generation circuit 7 based on the value of a register number differential value storage buffer 8 and performs updating is performed until it reaches the number of repeats which is decided by a repeat number deciding circuit 5.例文帳に追加

この発明は、命令選択回路6により選択された繰り返し処理を行う命令のレジスタ番号を、レジスタ番号差分値格納バッファ8の値に基づいてマスク番号生成回路7により生成された新たなレジスタ番号に置き換えて更新するルーチンが、反復回数判定回路5で判定される反復回数に達するまで行われるように構成される。 - 特許庁

When a step of forming a resist pattern by processing a resist film formed on a workpiece and a step of etching the workpiece with the resist pattern as a mask under a predetermined etching condition are performed, a dimension and a shape (a film thickness and a taper angle) of the formed resist pattern are measured and the etching condition is adjusted based on the measured dimension and shape of the resist pattern.例文帳に追加

被加工対象上に形成されたレジスト膜を加工してレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして、所定のエッチング条件で被加工対象をエッチングする工程とを実行する際に、形成されたレジストパターンの寸法及び形状(膜厚及びテーパ角度)を測定し、測定されたレジストパターンの寸法及び形状に基づいて前記エッチング条件を調整する。 - 特許庁

In the flexible printed wiring substrate 1, dummy patterns DP, DP used for a mask for performing laser processing for a base film 11 with a shape corresponding to contours of both sides F1, F1 are formed of a metal thin film at both the sides F1, F1 which are functioned as the positioning of terminals 13 in the connection of a connection part C to a connector simultaneously with the terminals 13.例文帳に追加

接続部Cの、コネクタへの接続時に端子13・・・の位置合わせとして機能させる両側辺F1、F1に、当該両側辺F1、F1の輪郭に対応した形状を有する、ベースフィルム11をレーザー加工するためのマスクとして用いるダミーパターンDP、DPを、金属薄膜にて、端子13・・・と同時に形成したフレキシブルプリント配線用基板1である。 - 特許庁

The method has a process for forming a resist pattern on a film formed on a semiconductor substrate, performing the dry etching using the resist pattern as a mask to form the micro pattern, a process for supplying a resist removing liquid to the micro pattern formation plane of the semiconductor substrate to remove the resist pattern by single wafer processing, and a process for performing rinsing on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に設けられた膜上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクに用いてドライエッチングを行い、前記膜の微細パターンを形成する工程と、前記半導体基板の微細パターン形成面にレジスト除去液を供給し、枚葉式処理により前記レジストパターンを除去する工程と、前記半導体基板をリンス処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

An image accepting device of the image processing apparatus accepts images, a matrix generating device generates a matrix based on a function of assuring the minimum value in the geometrically isotropic and uniform point dispersion, and a noise adding device adds noise to the image accepted with the image accepting device by a periodical mask process using the matrix generated with the matrix generating device.例文帳に追加

画像処理装置の画像受付手段は、画像を受け付け、行列生成手段は、幾何的に等方的で均一的な点分散において最小値を取ることを保証する関数に基づいて、行列を生成し、雑音付加手段は、前記行列生成手段によって生成された行列を用いて周期的にマスク処理して前記画像受付手段によって受け付けられた画像に雑音を付加する。 - 特許庁

A sheet for introducing active components of one or more layers to a subject is formed by electronically recording and capturing an image of the subject, electronically processing the image to specify one or more locations with one or more specific color tones or absorption wavelength for mapping, and accurately printing a solution containing one or more active components in mapped positions H, I on mask sheets A, B in units of μm using a printer.例文帳に追加

被写体の画像を電子的に記録して取り込み、その画像を電子処理して単数又は複数の特定の色調又は吸収波長をもつ場所を単数又は複数特定してマッピングし、そのマッピングされた位置H、Iに単数又は複数の有効成分を含む溶液を、印刷装置を用いてμm単位で正確にマスクシートA、Bに印刷した、単層又は複層の有効成分の被写体への導入用シート。 - 特許庁

The waveform processing circuit 6 has a waveform shaping circuit for inverting the output of the ion current detecting circuit 5 to be compared with a first reference voltage and outputted, and a mask circuit for comparing the discharge waveform of a time constant circuit for charging or discharging according to the output of the waveform shaping circuit with a second reference voltage to produce fixed time for masking.例文帳に追加

イオン電流検出回路(イオン電流検出装置)5及び波形処理回路6を備えた内燃機関点火装置であって、波形処理回路6が、イオン電流検出回路5の出力を反転して第一の基準電圧と比較出力する波形整形回路と、波形整形回路の出力により充放電する時定数回路の放電波形を第二の基準電圧と比較してマスクのための一定時間を作り出すマスク回路とを有する。 - 特許庁

例文

The manufacturing method of the semiconductor device comprises processes of: forming a high specific dielectric insulating layer on an SOI substrate; forming a gate electrode layer on the high specific dielectric insulating layer; forming a resist layer on the gate electrode layer; selectively removing the gate electrode layer using the resist layer as a mask; and removing the resist layer by ashing processing using gas not containing oxygen.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、SOI基板上に、高比誘電率絶縁層を形成する工程と;前記高比誘電率絶縁層上に、ゲート電極層を形成する工程と;前記ゲート電極層上に、レジスト層を形成する工程と;前記レジスト層をマスクとして前記ゲート電極層を選択的に除去する工程と;酸素を含まないガスを用いたアッシング処理によって前記レジスト層を除去する工程とを含んでいる。 - 特許庁




  
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