「material source」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

The method is also provided for manufacturing the phosphorous diffusing source for manufacturing semiconductor wherein silicon nitride is added to the silicon nitride porous material, heated and then dehydrated.例文帳に追加

また、本発明は、窒化ケイ素質多孔体にリン酸を添加し、これを加熱、脱水することを特徴とする上記半導体製造用リン拡散源の製造方法である。 - 特許庁

To provide a new diazonium salt used as an analytical reagent or a heat-sensitive recording material and having excellent photodegradability for a light source in a 350-500 nm wavelength region.例文帳に追加

分析試薬や感熱記録材料に用いられ、３５０〜５００ｎｍの波長域の光源に対して優れた光分解性を有する新規なジアゾニウム塩を提供する。 - 特許庁

The vapor deposition apparatus 10a has an evaporation source 12 which moves between each of substrates 14, heats and evaporates the material, and makes an evaporated substance deposited on each of the substrates 14.例文帳に追加

蒸着装置１０ａは、各基板１４間を移動し、材料を加熱蒸発させ、各基板１４に対して蒸発物を堆積させるための蒸発源１２を備える。 - 特許庁

The electronic component and the light source are tightly sealed in the package material, so that it is possible to improve the stability of the memory device or the electronic equipment.例文帳に追加

前記電子部品と光源が、前記パッケージ材料に密封的に封止されているので、メモリ装置或いは電子装置の安定性を向上させることができる。 - 特許庁

The second cavity can hold part of the preform 301 of the composite material and is fluid-communicant with the first cavity which is fluid-communicant with the vacuum supply source 117.例文帳に追加

第２のキャビティは、複合材プリフォーム３０１の一部分を収容でき、真空供給源１１７と流体連通している第１のキャビティと流体連通する。 - 特許庁

To provide an EUV light source device keeping the density of gas of a plasma material in a discharge region in an adequate condition, and to provide an EUV light generation method.例文帳に追加

放電領域におけるプラズマ原料のガスの密度を適切な状態にすることが可能なＥＵＶ光源装置、並びに、ＥＵＶ発生方法を提供すること。 - 特許庁

More than one mixing member 34 is arranged in the raw material mixing tank 32 to make a source gas in which a vaporized reformed gas and air are uniformly mixed.例文帳に追加

蒸気化した改質原料と空気とが均一に混合された原料ガスとなるよう複数の撹拌部材３４を原料混合タンク３２内に配置する。 - 特許庁

To improve the yield and quality of a semiconductor by improving the purity of a film forming material and, in addition, to prevent the occurrence of a failure, such as the corrosion of a heating source, etc., caused by a reaction gas.例文帳に追加

膜材料の純度の向上を図って、半導体の歩留り及び品質を向上させ、かつ熱源の反応ガスによる腐食等の不具合を防止する。 - 特許庁

To provide a video multiplexer reduced in cost by decreasing a required capacity of a buffer to be mounted thereon even in the case of data different in a material speed and whose capacity depends on a data rate of a source and a packet size.例文帳に追加

素材の速度やパケットサイズが違うデータであっても、搭載されるバッファの必要容量を減らし、コストを削減した映像多重化装置を提供する。 - 特許庁

A cross flow fan 3 is incorporated in a case 1 of the material of good heat conduction, and supplied with a power source from a PCMCIA(PC memory card international association) socket 4 through a cable 5 for rotation.例文帳に追加

クロスフローファン３は、良熱伝導性の材料からなるケース１に内蔵され、ＰＣＭＣＩＡソケット４からケーブル５経由で電源が供給され回転する。 - 特許庁

To intend to make bottom mud into a useful material, which is the contamination source of a water sea area such as a lake, a river, a canal, a harbor and a seashore, and a hazardous and useless obstacle.例文帳に追加

湖沼、河川、運河、港湾、海岸などの水海域の汚染源になっている底泥は有害無用な邪魔者であるが、これを有用な資材にしたい。 - 特許庁

To provide a spin transistor, with a low interface resistance between a source/drain made of a ferromagnetic material and an organic channel, which achieves a good transistor operation, and to provide a logic circuit device.例文帳に追加

強磁性体からなるソース・ドレインと有機チャネルとの間の界面抵抗が低く、良好なトランジスタ動作を実現するスピントランジスタ及び論理回路装置を提供する。 - 特許庁

(Original Source) Working party of National Experts on Science and Technology Indicators / R&D Tax incentive and R&D statistics: What Next (2007) (OECD), The data was created based on the material from tax authority of each country as in September 2009(France: as in March 2010, Korea: as in May 2010).例文帳に追加

（ 出典）OECD「Working party of National Experts on Science and　Technology Indicators/R&D TAX INCENTIVE AND R&D STATISTICS：WHAT NEXT1」2007、各国課税当局資料等により、2009 年9 月時点で作成（但し、フランスは、2010 年3 月時点、韓国は2010 年5 月時点）。 - 経済産業省

A cooling air suction port 5d of the generator 5 is covered with a noise eliminating duct 55 and a noise absorbing material 56 is affixed to the noise eliminating duct 55 at the side of a noise source.例文帳に追加

前記発電体５における冷却風の吸気口５ｄを消音ダクト５５で覆い、該消音ダクト５５における騒音源側に吸音材５６を貼設する。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device includes processes of: supplying a hydrogen chloride gas into a reaction chamber simultaneously with supply at least a B source out of a material gas including the B source containing Cl and a Si source containing H when growing a polysilicon film doped with B on a semiconductor substrate by supplying the material gas into the reaction chamber; and supplying a purge gas into the reaction chamber to discharge the material gas and the hydrogen chloride gas.例文帳に追加

Ｃｌを含むＢ源と、Ｈを含むＳｉ源を有する原料ガスを反応室内に供給して、半導体基板上にＢがドープされたポリシリコン膜を成長させる際に、前記原料ガスのうち、少なくともＢ源の供給と同時に塩化水素ガスを前記反応室内に供給する工程と、パージガスを前記反応室内に供給して、前記原料ガス及び前記塩化水素ガスを排出する工程と、を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

In the organic EL device fabrication apparatus, evaporation amounts of an organic EL material from respective nozzles arranged on a line, of an evaporation source which emits evaporated deposition material to an inner part of a vacuum tank via the plurality of nozzles are monitored for each nozzle group by an evaporation amount monitoring means and the evaporation source is controlled by a controlling means by using information of the evaporation amounts of the organic EL material of the respective monitored nozzles.例文帳に追加

有機ＥＬデバイスの製造装置において、蒸発させた蒸着材料を線上に配置した複数のノズルを介して真空槽の内部に放出させる蒸発源の各ノズルからの有機ＥＬ材料の蒸発量を、蒸発量モニタ手段で各ノズルにモニタし、このモニタした各ノズルの有機ＥＬ材料の蒸発量の情報を用いて制御手段で蒸発源を制御するようにした。 - 特許庁

The method for manufacturing a radiation image conversion panel that includes a process where a stimulable phosphor layer is formed by evaporating onto a support a substance produced through the irradiation of an evaporation source containing stimulable phosphors (or a material for them) with an electron beam is characterized by the use of the stimulable phosphors or the material of them whose relative density is 80% to 98% as the material for the evaporation source.例文帳に追加

輝尽性蛍光体（またはその原料）を含む蒸発源に電子線を照射することによって発生する物質を支持体上に蒸着させて輝尽性蛍光体層を形成する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法において、該蒸発源として、輝尽性蛍光体もしくはその原料の相対密度が８０％〜９８％の蒸発源を用いることを特徴とすること。 - 特許庁

This film deposition apparatus has functions of performing sublimation and purification of the EL material by utilizing the sublimation temperature of the pure EL material immediately before film deposition, removing oxygen, water and other impurities contained in the EL material, and performing film deposition by using the EL material (EL material of high purity) obtained through sublimation and purification as an evaporation source as it is.例文帳に追加

本発明における成膜装置は、成膜直前に純粋なＥＬ材料の昇華温度を利用してＥＬ材料の昇華精製を行い、ＥＬ材料に含まれる酸素、水およびその他の不純物を除去すると共に、昇華精製により得られたＥＬ材料（高純度ＥＬ材料）をそのまま蒸発源として用いて成膜を行うことができるという機能を有する成膜装置。 - 特許庁

This method for forming a thin film comprises the steps of: evaporating a film material 6 by heating it in a vacuum; ionizing the evaporated material by adding monovalent or divalent metal ions emitted from an ion source 9 to the evaporated film material; and accelerating the ionized evaporated material toward a substrate 2 to be treated by using an electric field (101), to vapor-deposit the material on the substrate.例文帳に追加

膜材料６を真空中で加熱し、該膜材料６を蒸発させる、前記蒸発させた膜材料による蒸発材料に、イオン源９から放出された１価または２価の金属イオンを付加し、該蒸発材料をイオン化し、前記イオン化した蒸発材料を電界（１０１）によって被処理基板に向けて加速し、該被処理基板２上に該材料を蒸着させ、薄膜を形成する構成とする。 - 特許庁

In the manufacturing method of the organic thin film transistor having a gate electrode, a semiconductor layer, a source electrode, and a drain electrode on a substrate; the semiconductor layer is formed by applying a semiconductor solution obtained by mixing a self-organized monomolecular material and an organic semiconductor material to a space between the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

基板の上にゲート電極、半導体層、ソース電極、及びドレイン電極を有する有機薄膜トランジスタの製造方法において、ソース電極とドレイン電極の間に、自己組織化単分子材料と有機半導体材料を混合した半導体溶液を塗布して半導体層を成膜することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁

In the method for manufacturing hydrogen 32 by bringing a source material gas 8 containing hydrocarbons into contact with a reforming catalyst 37 to carry out steam reforming reaction, the source material gas 8 is brought into contact with the reforming catalyst 37 at the rate which gives a composition in a chemically equilibrium state, and the flow rate of the manufactured hydrogen 32 is measured.例文帳に追加

炭化水素を含む原料ガス８を改質触媒３７に接触させ、水蒸気改質反応を行わせて水素３２を製造する方法において、化学平衡状態の組成が得られる速度で前記原料ガス８を改質触媒３７に接触させ、製造された前記水素３２の流量を計測する。 - 特許庁

The flash module includes a first light source (204) emitting a first primary light, having a first wavelength-converting overlay (102), the first wavelength-converting overlay (102) being equipped with a matrix material (122), and a first plurality of quantum dots (114, 116, 118) dispersed in the matrix material (122), and a second light source providing a second color of light.例文帳に追加

フラッシュ・モジュールは、第１の一次光を放射し、第１の波長変換オーバーレイ（１０２）を有し、第１の波長変換オーバーレイ（１０２）は、マトリクス材（１２２）と、マトリクス材（１２２）中に分散させた第１の複数の量子ドット（１１４、１１６、１１８）を備えた第１の光源（２０４）と、第２の色の光を発する第２の光源と、を備える。 - 特許庁

The inside of a vacuum chamber 1 is provided with: a first vapor deposition source 10 consisting of a crucible 12 with silicon dioxide as a vapor deposition material 11; and a second vapor deposition source 20 consisting of a crucible 22 with silicon as a vapor deposition material 21, and they are independently heated by first and second electron beam heating apparatuses 13 and 23, so that silicon dioxide and silicon are evaporated, respectively.例文帳に追加

真空チャンバ１内には、二酸化ケイ素を蒸着物質１１とする坩堝１２からなる第１の蒸着源１０と、ケイ素を蒸着物質２１とする坩堝２２からなる第２の蒸着源２０とが設けられて、第１，第２の電子ビーム加熱装置１３，２３により独立に加熱してそれぞれ二酸化ケイ素及びケイ素を蒸発させる。 - 特許庁

The light irradiation apparatus is provided with an irradiation chamber 3 having a mirror finished inside wall 2, the light source body 5 mounted to irradiate the opposite side of the material 4 to be irradiated and a reflection plate 6 arranged to face the light source body 5 to reflect light at an optional angle to the material 4 to be irradiated.例文帳に追加

内壁２が鏡面加工されている照射室３と、照射室３に、被照射物４に対して反対側に光を照射するように設置されている光源体５と、光源体５からの光を、被照射物４に対して任意の角度で反射するように光源体５に対向して配置されている反射板６と、を備えてなる。 - 特許庁

The display device 1 includes a light source 2 emitting light having its light emission peak within a wavelength range of 390 to 700 nm and a fluorescent material parts 3R and 3G containing fluorescent materials having a luminance retention rate of ≥70% at 150° as a fluorescent material absorbing the light emitted by the light source 2 to emit visible light.例文帳に追加

表示装置１を、３９０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲に発光ピークを有する光を発する光源２と、光源２から発せられた光を吸収して可視光を発する蛍光体として、１５０℃での輝度保持率が７０％以上の蛍光体を含有する蛍光体部３Ｒ、３Ｇとを備えて構成する。 - 特許庁

A laser irradiation device includes: a stage that holds a substrate; a coating device that applies a resist material on the substrate held by the stage; a laser source that emits laser beam; and an optics transmission system that concentrates the laser beam emitted from the laser source, transmits the laser beam on the substrate, and hardens the resist material located in a position to which the laser beam is transmitted.例文帳に追加

基板を保持するステージと、ステージに保持された基板上に、レジスト材料を塗布する塗布装置と、レーザビームを出射するレーザ光源と、レーザ光源を出射したレーザビームを集光して、基板上に伝搬し、伝搬された位置のレジスト材料を硬化させる伝搬光学系とを有するレーザ照射装置を提供する。 - 特許庁

An amine is produced by catalytic hydrogenation of a source material compound having at least one amino group and at least one carbonyl group in the molecule in a solvent in the presence of halogenated hydrogen and in the presence of the activated platinum catalyst to convert at least one carbonyl group of the source material compound into a hydrocarbon group.例文帳に追加

当該活性化した白金触媒の存在下、分子中に少なくとも１個のアミノ基と少なくとも１個のカルボニル基を有する原料化合物を、溶媒中、ハロゲン化水素の存在下に接触水素化して前記原料化合物が有するカルボニル基の少なくとも１個を炭化水素基に転化せしめてたアミンを製造する。 - 特許庁

Pulverized waste plastics containing vinyl chloride such as ASR are directly blown into the high temperature part within a chlorination reaction furnace for Zn-containing waste, thus are effectively utilized as a heat source and a chlorine source in chlorination volatilization reaction, and heavy metals in the Zn-containing waste and the waste plastics such as ASR are separated into a Zn refining raw material and a Pb refining raw material.例文帳に追加

粉砕したＡＳＲ等塩ビを含む廃プラスチックを、Ｚｎ含有廃棄物の塩化反応炉内の高温部に直接吹き込むことで、これを熱源及び塩化揮発反応の塩素源として有効利用し、Ｚｎ含有廃棄物及びＡＳＲ等廃プラスチック中の重金属をＺｎ製錬原料とＰｂ製錬原料とに分離する。 - 特許庁

The method includes: a melting step of heating a source material used for producing an oxide single crystal to obtain a melt 18; an impurity removing step of retaining the melt state to decrease impurities included in the melt; and a single crystal growing step of producing an oxide single crystal 1 from the melt 18 of the source material after the impurity removing step.例文帳に追加

酸化物単結晶の製造に使用する原料を加熱して融液１８を得る溶融工程と、融液状態を保持することにより融液に含まれる不純物を低減させる不純物除去工程と、この不純物除去工程を経た原料の融液１８から酸化物単結晶１を製造する単結晶育成工程とを備える。 - 特許庁

This method for multi-stage manufacture of the β-FeSi2 consists in executing a stage of supplying an iron source as a raw material, then supplying a silicon source as one stage and repetitively executing this stage ≥2 times, in which the molar ratio of the silicon atoms to the iron atoms in the raw material supply in the respective stages is specified to ≥0.5 to <1.5.例文帳に追加

化学蒸着法において、原料として鉄源を供給し、次いでケイ素源を供給する工程を１工程として、この工程を２回以上繰り返して行う方法であって、各工程の原料供給における、鉄原子に対するケイ素原子のモル比を０．５以上１．５未満とするβ−ＦｅＳｉ_２の多段製造方法。 - 特許庁

The solid film-forming material introducing device includes a supply source for a supercritical fluid, and a column 1 which is connected to the supply source for the supercritical fluid and has a hollow portion 1b that is filled with a filler 2 inert to the supercritical fluid and that can be filled with a solid film-forming material S soluble to the supercritical fluid.例文帳に追加

超臨界流体の供給源と、前記超臨界流体の供給源に接続され、超臨界流体に対して不活性な充填材２が中空部１ｂに充填されるとともに、超臨界流体に対して溶解可能な固体成膜原料Ｓが中空部１ｂに充填可能なカラム１と、を具備してなることを特徴とする。 - 特許庁

In one embodiment, the detector includes a source electrode (38) and a drain electrode (40) which consist of a first layer of a conductive material and a data line (44) which consists of a second layer of a conductive material so that the source electrode (38) and drain electrode (40) are vertically offset from the data line (44).例文帳に追加

一実施形態では、この検出器は、導電性材料の第一の層で形成されたソース電極（３８）及びドレイン電極（４０）と、導電性材料の第二の層で形成されたデータ線（４４）とを、ソース電極（３８）及びドレイン電極（４４）がデータ線（４４）から上下方向にオフセットして設けられるようにして含んでいる。 - 特許庁

The plastic lens is produced by mixing and polymerizing (1) a prepolymer obtained by mixing and dissolving sulfur by 5 to 30 mass% based on the whole amount of the lens source material with a compound having an epithio group to react, and (2) an oligomer obtained by reaction of a bifunctional polythiol compound, by 2 to 15 mass% based on the whole amount of the lens source material.例文帳に追加

(1)レンズ原料の全量を基準として５〜３０質量％の硫黄と、エピチオ基を有する化合物とを混合溶解し、反応させて得られるプレポリマーと、(2)２官能のポリチオール化合物を反応させて得られ、レンズ原料の全量を基準として２〜１５質量％のオリゴマーとを混合し、重合してなるプラスチックレンズである。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device includes a process for supplying a material gas, having a Si source containing H and a B source containing B and Cl into a reaction chamber to form the polysilicon film containing B on a semiconductor substrate, and a process for exhausting the material gas and then supplying O_2 gas into the reaction chamber.例文帳に追加

Ｈを含むＳｉ源およびＢおよびＣｌを含むＢ源を有する原料ガスを反応室内に供給して、半導体基板上にＢを含有したポリシリコン膜を形成する工程と、原料ガスを排出した後にＯ_２ガスを前記反応室内に供給する工程と、を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法を採用する。 - 特許庁

Also, in the case of using a laser as the high energy light source, since the exposure process is performed by exposing a laser light source to the photosensitive material of an area where the microlens is scheduled to be formed and irradiating it with a laser beam, the exposed photosensitive material surface is fused by the heat treatment and the microlens is formed, a mask can be omitted at the time of the exposure process.例文帳に追加

また、高エネルギー光源としてレーザーを使用する場合、マイクロレンズが形成される予定領域の感光材にレーザー光源を当ててレーザービームを照射することにより露光工程を行い、熱処理で露光された感光材表面を溶融させてマイクロレンズを形成できるので、露光工程時にマスクを省略できる。 - 特許庁

The method for manufacturing the porous filter 1 includes (A) a process of molding a source material of the porous filter body, (B) a process of calcining the molded source material to form the base body of the porous filter, (C) a process of depositing membranes on the porous filter and (D) a process of sealing the passages on the end faces of the porous filter.例文帳に追加

（Ａ）多孔質フィルター基体の原料を成形する工程と、（Ｂ）成形された原料を焼成して、多孔質フィルター基体を形成する工程と、（Ｃ）多孔質フィルター基体に成膜する工程と、（Ｄ）多孔質フィルターの端面において流通路を封止する工程とを備えることを特徴とする多孔質フィルター１の製造方法である。 - 特許庁

This phosphoric acid-containing, inorganic-organic hybrid material is manufactured according to a sol-gel method wherein a trifunctional silicon alkoxide and tetrafunctional silicon alkoxide are used together as a source material for silica, ethylene glycol and/or a polyethylene glycol is used as an organic component source, and a phosphoric acid compound is present as a phosphoric acid component source.例文帳に追加

ゾル−ゲル法により無機−有機ハイブリッド材料を製造するに際し、シリカ源材料として三官能性ケイ素アルコキシドと四官能性ケイ素アルコキシドとを併せて使用し、有機成分源としてエチレングリコールおよび／またはポリエチレングリコールを使用し、リン酸成分源としてリン酸化合物を存在させることを特徴とするリン酸基含有無機−有機ハイブリッド材料の製造方法：およびリン酸基含有無機−有機ハイブリッド材料。 - 特許庁

An oxide semiconductor layer containing SiOx is used in a channel formation region, and in order to reduce contact resistance between source and drain electrode layers formed of a metal material with a low electric resistance value, source and drain regions are provided between the source and drain electrode layers and the oxide semiconductor layer containing SiOx.例文帳に追加

チャネル形成領域にＳｉＯｘを含む酸化物半導体層を用い、電気抵抗値の低い金属材料からなるソース電極層及びドレイン電極層とのコンタクト抵抗を低減するため、ソース電極層及びドレイン電極層と上記ＳｉＯｘを含む酸化物半導体層との間にソース領域またはドレイン領域を設ける。 - 特許庁

To provide an evaporation source which is used in a vapor-deposition apparatus that selectively deposits a deposition material emitted from the evaporation source onto a substrate, by using a mask assembly having a plurality of slits formed so as to become a predetermined pattern, and changes a nozzle structure of the evaporation source to minimize a shadow effect, and to provide a vapor-deposition apparatus using the same.例文帳に追加

所定パターンに形成された複数のスリットを含むマスク組立体を用いて蒸発源から放射される蒸発物質を選択的に基板に蒸着する蒸着装置において、上記蒸発源のノズル構造を変更してシャドー効果を最小化する蒸発源及びそれを用いた蒸着装置を提供する。 - 特許庁

The laminate for the surface light source device in order to constitute layers on a light-emitting surface side of the surface light source device including an organic electroluminescent element is equipped with a concavo-convex structural layer having a concavo-convex structure on the surface, a first gas barrier layer, a film base material, and a transparent electrode layer in this order, and the surface light source device includes the laminate.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子を含む面光源装置の出光面側の層を構成するための、面光源装置用積層体であって、表面に凹凸構造を有する凹凸構造層、第１のガスバリア層、フィルム基材、及び透明電極層をこの順に備える、面光源装置用積層体、並びに当該積層体を含む面光源装置。 - 特許庁

A separation method includes: an oxidation treatment step of obtaining an oxidized raw material by applying oxide treatment; a carbon source mixing step of mixing a carbon source; and a heat treatment step of heat-treating in a chlorine atmosphere after the oxidation treatment step and the carbon source mixing step, with respect to the raw materials containing the rare earth elements and the metal element other than the rare earth elements.例文帳に追加

希土類元素と当該希土類元素以外の金属元素とを含む原料に対して、酸化処理を行うことで酸化された原料を得る、酸化処理工程と、炭素源を混合する、炭素源混合工程と、酸化処理工程及び炭素源混合工程の後に塩素雰囲気下で加熱処理する、加熱処理工程とを行う方法とする。 - 特許庁

The fusing device 1 comprises a solid source supply means 10, a detecting means 14, a control means 15, a sub crucible 21, a heating means 23 and a melt guiding means 25, wherein the detecting means 14 detects a solid source material 2 in an unfused state floating on the surface of a melt source 3 reserved in the sub crucible 21.例文帳に追加

固体原料供給手段１０と、検出手段１４と、制御手段１５と、副坩堝２１と、加熱手段２３と、融液導入手段２５とを含んで構成される融解装置１において、検出手段１４が、副坩堝２１に貯留される融液原料３の表面に未融解状態の固体原料２が浮遊していることを検出する。 - 特許庁

The electrophotographic toner is obtained by a method, including a step of granulating a source material comprising a binder resin in a solution, wherein the binder resin comprises a resin obtained, by polymerizing a source monomer of a polycondensation resin and a source monomer of an addition polymerization resin in the presence of wax.例文帳に追加

結着樹脂を含有してなる原料を溶液中で粒子化する工程を含む方法により得られる電子写真用トナーであって、前記結着樹脂が、ワックスの存在下、縮重合系樹脂の原料モノマー及び付加重合系樹脂の原料モノマーを重合させることにより得られる樹脂を含有してなる電子写真用トナー。 - 特許庁

The vapor deposition apparatus to deposit a film on a vapor deposition surface of a substrate by vaporizing a vapor deposition material by a vapor deposition source has a shutter to regulate the vapor deposition rate in a vicinity of an aperture of the vapor deposition source, and very small irregularities are formed on a surface of the shutter on the vapor deposition source side.例文帳に追加

本発明の蒸着装置は、蒸着源により蒸着材料を気化させて、基板の蒸着面に膜形成を行う蒸着装置において、前記蒸着源の開口部の近傍に、蒸着レートを調整するためのシャッターを備え、前記シャッターの前記蒸着源側の面に、微細な凹凸を形成したものである。 - 特許庁

The plasma film forming apparatus heats the glass substrate by using a heating means provided with a heat source for heating the glass substrate; and a secondary radiation source that is interposed between the heat source and the glass substrate and made of a material of a type wherein a wavelength region of a light absorption spectrum has a region overlapped with the wavelength region of the light absorption spectrum of a silicon dioxide.例文帳に追加

プラズマ成膜装置において、前記ガラス基板を加熱するための熱源と、この熱源及びガラス基板の間に介在し、その光吸収スペクトルの波長領域が二酸化珪素の光透過スペクトルの波長領域に重なる領域をもつ材質からなる二次輻射源と、を備えた加熱手段により、ガラス基板を加熱する。 - 特許庁