「pattern s」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

Next, a binary picture of a pattern B is obtained as signal light of p-polarized light, and a second hologram is recorded by reference light of S-polarized light while multiplexing it with the first hologram.例文帳に追加

次に、Ｐ偏光の信号光としてパターンＢの２値画像を得て、Ｓ偏光の参照光によって、第１のホログラムに多重させて第２のホログラムを記録する。 - 特許庁

When the test pattern is projected on the screen S, a user then inputs identification information for identifying a partial graphic that is shaped most closely to the standard graphic.例文帳に追加

つぎに、使用者は、テストパターンをスクリーンＳ上に投射したときに、標準図形と最も近い形状となる部分図形を識別するための識別情報を入力する。 - 特許庁

If the rendering pattern includes rendering after overall stop, a control signal C is transmitted to a relay control board 80 for opening a switch S after all the reels are stopped.例文帳に追加

この演出パターンに全停止後演出が含まれている場合、全リール停止後に、中継制御基板８０へ制御信号Ｃが送信されてスイッチＳが開かれる。 - 特許庁

A patterned film sheet S is molded by supplying a molten synthetic resin material between the engraving roll 3 whose surface is attached with a transfer pattern and a pressed molding roll 10.例文帳に追加

表面に転写模様を付してある彫刻ロール３と、押圧成形ロール１０との間に溶融合成樹脂材料を供給し、模様を付したフィルムシートＳを成形する。 - 特許庁

On an Si substrate 4, a pattern oxidized film 3 is formed by thermal oxidization and the stopper film 2 of a film thickness x Å[x>1.2H/(S-1.2)] is formed by using a CVD technique.例文帳に追加

Ｓｉ基板４上に熱酸化によってパターン酸化膜３及びＣＶＤ技術を用いて膜厚ｘÅ［ｘ＞１．２Ｈ／（Ｓ−１．２）］のストッパ膜２を成膜する。 - 特許庁

A film forming unit includes a mold release agent supply portion 112 that forms the film of the mold release agent S only on an upper surface of a convex portion C_1 of a transfer pattern C of the template T.例文帳に追加

成膜ユニットは、テンプレートＴの転写パターンＣの凸部Ｃ_１上面のみに離型剤Ｓを成膜する離型剤供給部１１２を有している。 - 特許庁

Consequently, this dial 2 can be provided, capable of ensuring excellent visibility by reducing light reflectance, while acquiring the novel appearance with a spin pattern S.例文帳に追加

したがって、スピン模様Ｓを備えて斬新な見映えを得つつ、光反射率を低減して良好な視認性を確保することが可能な文字盤２を提供することができる。 - 特許庁

Thereby, the image forming lens 40 forms an image on a photosensitive member S by removing a signal component caused by a pixel structure 34 from the wiring pattern displayed on the LCD 30.例文帳に追加

したがって、結像レンズ４０は、ＬＣＤ３０に表示されている配線パターンから画素構造３４に起因した信号成分を除去して感光材Ｓに結像する。 - 特許庁

In inspecting the abnormal point of the measuring object S, the efficiency of utilizing light to the scattering light and a shielding efficiency to light components from the pattern are improved.例文帳に追加

これにより、測定対象Ｓの異常個所の検査において、散乱光に対する光利用効率、及びパターンからの光成分に対する遮光能力が向上される。 - 特許庁

An optical disk device 10 eliminates the influence of a stray light pattern W and the lens shifting by computing a tracking error signal STE2 using the light receiving signal S.例文帳に追加

光ディスク装置１０は、受光信号Ｓを用いトラッキングエラー信号ＳＴＥ２を算出することにより、迷光パターンＷ及びレンズシフトの影響を排除できる。 - 特許庁

Between the semi-transmissive mirror 1 and the mirror 2 (for example, on the surface of the mirror 2 on the opposing region S side), a light emitting section 3 to serve as a basic display pattern is formed.例文帳に追加

半透過型ミラー１とミラー２の間（例えば、ミラー２の表面上、対向領域Ｓ側）に基本的な表示パターンとなる光射出部３を形成している。 - 特許庁

A transfer sheet S has a transfer layer 4 formed by laminating a peeling layer 2 and a decorative layer 3 on a support sheet 1, and the releasing layer 2 is made a net-shaped crossing fine line pattern.例文帳に追加

転写シートＳは、支持体シート１上に、剥離層２と装飾層３を積層してなる転写層４を有し、剥離層を網状の交差する細線パターンにする。 - 特許庁

In the capital area, the east part of Suzaku-oji Street is called Sakyo and the west part called Ukyo, and it was divided by ten Bo(s) (district), in a grid pattern called 'Jobosei,' in the north-south direction and east-west direction. 例文帳に追加

京域内には、朱雀大路を境にして東側が左京、西側が右京で、それぞれ南北・東西に十坊の条坊制地割りが設定されている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The image-adjusting sheet S is accommodated in the accommodating path C during normal printing operation and is fed to the image transfer parts, where the toner pattern image is transferred thereto, during image adjustment.例文帳に追加

画像調整シートＳは通常のプリント動作時には格納通路Ｃに格納されており、画像調整時には画像転写部へ送り出され、トナーパターン像を転写される。 - 特許庁

The X-Y table 5 is driven correspondingly to letters, symbols and drawings to be marked, thus revealing a prescribed marking pattern on the surface of the workpiece S in black with high visibility.例文帳に追加

Ｘ−Ｙテーブル５はマーキングすべき文字、記号、図形に対応して駆動され、被加工体Ｓの表面に所定のマーキングパターンを黒色で視認性高く現出させる。 - 特許庁

This sot machine A has s start switch 3, a stop switch 4a to 4c, and a pattern display window 10 on the front 2 of the box body and rotary members with pattern lines 17a to 17c comprising the plural patterns which are drawn on the face of the outer perimeter of the box body so as to be seen through the pattern display window.例文帳に追加

スロットマシンＡは、筐体の前面２に始動スイッチ３、停止スイッチ４ａ〜４ｃ及び図柄表示窓１０が設けられ、筐体内に外周面に複数の図柄を描いてなる図柄列回転部材１７ａ〜１７ｃが上記図柄表示窓を通して一部見えるように配置されている。 - 特許庁

The method of forming the metallic pattern includes the steps of using the metal salt mixture for forming a metallic pattern which contains at least metal salt as well as reducing agent and whose viscosity at 25°C is 3-50 mPa s, drawing a pattern on a substrate material, and heating the substrate at 80-400°C.例文帳に追加

少なくとも金属塩および還元剤を含有し、かつ、２５℃における粘度が３〜５０ｍＰａ・ｓである金属パターン形成用の金属塩混合物を用い、基材上にパターンを描画した後、８０〜４００℃に加熱することで金属パターンを形成することを特徴とする金属パターン形成方法。 - 特許庁

Since the step difference of the pattern of the substrate position detecting mark is allowed to get large with this constitution, the S/N ratio of the position detecting signal is enlarged, so as to shorten the time required for the position detection by the pattern of the substrate position detecting mark.例文帳に追加

この構成によれば、基板位置検出用マークのパターンの段差を大きくすることが出来るため、位置検出信号のＳ／Ｎ比を大きくすることができ、基板位置検出用マークのパターンによる位置検出にかかる時間が短縮できる。 - 特許庁

The first waterproof plug 5 has a first lip section 53 firmly stuck on an internal peripheral surface of the through-hole 23, and a second lip section 54 firmly stuck on the end of conductor pattern so as to surround a contact S between the conductive member 4 and the end of the conductor pattern.例文帳に追加

第１防水栓５は、貫通穴２３の内周面に密着する第１リップ部５３と、導電部材４と前記導体パターンの端部との接点Ｓを包囲するように該端部に密着する第２リップ部５４と、を有している。 - 特許庁

Based upon the measurement results, for example, when the occupation area of the circuit pattern 1B on the reverse surface side is small, an extension pattern 5 is formed in a free area S to adjust the top and reverse circuit patterns 1A and 1B so that the occupation areas are nearly equal to each other.例文帳に追加

その測定結果に基づいて、例えば裏面側の回路パターン１Ｂの占有面積が少ない場合、空き領域Ｓに増設パターン５を形成し、表裏の回路パターン１Ａ，１Ｂの占有面積が概ね均等となるように調整する。 - 特許庁

The pattern forming method includes: forming a resist layer composed of an oxonol-based dye on a substrate; scanning a laser beam to the formed resist layer at a scanning speed of 1 m/s or more and 30 m/s or less; and developing the resist layer scanned by the laser beam with a developer containing alcohol as a main component.例文帳に追加

基板上に、オキソノール系色素からなるレジスト層を形成し、形成されたレジスト層上に走査速度１ｍ／ｓ以上３０ｍ／ｓ以下でレーザー光を走査し、レーザー光が走査されたレジスト層を、アルコールを主成分とする現像液で現像する。 - 特許庁

To obtain a woven fabric on which a pattern can be observed, by weaving S-twist yarns and Z-twist yarns as at least one of weft yarns and/or warp yarns as a group state.例文帳に追加

経糸及び／又は緯糸の少なくとも一方の糸としてＳ撚糸及びＺ撚糸を群状に織り込むことによって模様を観察することができる織物を提供する。 - 特許庁

In a bearing 1 with rotary sensors, a magnetic pattern 9 is formed in a ring shape on the outer-periphery surface of a rotary member 7, and is alternately magnetized to N and S poles at a specific pitch.例文帳に追加

回転センサ付軸受１において、磁気パターン９は、回転部材７の外周面にリング状に形成され、所定のピッチでＮ極およびＳ極に交互に着磁されている。 - 特許庁

To obtain a woven fabric, on which a pattern can be observed, by weaving S-twist yarns and Z-twist yarns as at least one of weft yarns and/or warp yarns in a group state.例文帳に追加

経糸及び緯糸の少なくとも一方の糸としてＳ撚糸及びＺ撚糸を群状に織り込むことによって模様を観察することができる織物を提供する。 - 特許庁

To provide an imprint mold which can manufacture a bit-patterned medium having a high S/N, suppress the occurrence of a pattern defect and manufacture the bit-patterned medium in a comparatively short period of time, and the manufacturing method thereof.例文帳に追加

高Ｓ／Ｎを有するビットパターンドメディアを製造でき、パターン欠陥の発生を抑制でき、製造を比較的短時間で行えるインプリントモールド及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a bar code indication field, the bar codes 98a to 98c of the same pattern are printed in an X direction that intersects a paper discharging direction (Y direction) in a manner deviating stepwise by a dimension s from the adjacent one.例文帳に追加

バーコード表示欄には、同一パターンのバーコード９８ａ〜９８ｃが排出方向（Ｙ方向）と交差するＸ方向に寸法ｓだけずれた階段状に印字されている。 - 特許庁

An electrode pad 30 is provided to the end of each of the wiring patterns 20, and the plating lead wire S is provided so as to extend from each of the electrode pad 30 toward a direction that is opposite to the wiring pattern 20.例文帳に追加

各配線パターン２０の端部に電極パッド３０が設けられ、各電極パッド３０から配線パターン２０と逆側に延びるようにめっき用リード線Ｓが設けられる。 - 特許庁

Next, a plating layer 3 constituted of tin (Sn) (tin plating layer) is formed by non-electrolytic plating or the like, respectively to cover each of the plurality of conductor pattern s 2 formed.例文帳に追加

次に、形成された複数の導体パターン２の各々を覆うように、無電解めっき等により錫（Ｓｎ）からなるめっき層（以下、錫めっき層と呼ぶ）３をそれぞれ形成する。 - 特許庁

Hereby, the virtual image K of a background pattern 13 can be viewed as a clear single image, by making both reflected lights R, S cross at a driver's eyes or at a point close to it.例文帳に追加

これにより、両反射光Ｒ、Ｓを運転者の眼もしくはその直近で交差させて背景パタン１３の虚像Ｋを明瞭な一重像として視認させることができる。 - 特許庁

An L/S pattern with a pitch P2 is formed which is subjected to deformation of the shape due to optical proximity effect in an exposure device A which is a reference device used in the creation of the OPE rule.例文帳に追加

ＯＰＥルールの作成に使用した基準装置である露光装置Ａにおいて、光近接効果による形状変形が生じるピッチＰ２のＬ／Ｓパターンを形成する。 - 特許庁

Flickering of the light L1 to L6 is controlled through, for example, a counter circuit 20 and, based on the flickering pattern, a CPU10 detects the size of a sheet placed on a sheet setting section S.例文帳に追加

この光Ｌ１ないしＬ６は，例えばカウンタ回路２０を介して点滅を制御され，この点滅パターンに基づいてＣＰＵ１０がシート載置部Ｓ上に載置されたシートのサイズを検出する。 - 特許庁

To provide a pattern structure for an interstage probe, that can measure S parameters between stages of a module including multiple stages of transistors, an interstage measurement method, and a multi-chip module high-frequency circuit.例文帳に追加

複数段のトランジスタで構成されるモジュールの段間のＳパラメータが測定可能な段間プローブ用パターン構造、段間測定方法、およびマルチチップモジュール高周波回路を提供する。 - 特許庁

When the person stands nearer to a projector 100 side than a screen S, a projector control part 103 controls a projection part 101 to project a pattern image where target mark images are arrayed.例文帳に追加

プロジェクタ制御部１０３は、スクリーンＳよりもプロジェクタ１００側に人物が立っている場合に、投影部１０１にターゲットマーク画像が整列したパターン画像を投影させる。 - 特許庁

To provide an irregular pattern detector that is improved to increase the S/N ratio and increase image quality while reducing the overall size of the device.例文帳に追加

装置全体の小型化を図りながら、Ｓ／Ｎ比が向上し、画像品質が向上するように改良された凹凸パターン検出装置を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁

When pressing the layered product of a ceramic green sheet 12 in which a conductive pattern 14 is formed by the hydrostatic pressing, a pressure raise after starting crimping is made to be 0.9 MPa/s or more.例文帳に追加

導電パターン１４が形成されたセラミックグリーンシート１２の積層体を静水圧プレスにより圧着する際に、圧着開始後の圧力上昇を０．９Ｍｐａ／秒以上とする。 - 特許庁

In a pattern drawing apparatus 100, ultraviolet light from a mercury lamp 101 is made incident to a polarization conversion optical system 103, and non-polarized light is converted into a linearly polarized S wave.例文帳に追加

パターン描画装置１００では、水銀ランプ１０１からの紫外光を偏光変換光学系１０３に入射させ、無偏光の光を直線偏光のＳ波に変換する。 - 特許庁

The Ni-W-S alloy film 2 preferably has a finely uneven surface, and has an amorphous or microcrystalline X-ray diffraction pattern.例文帳に追加

このとき、Ｎｉ−Ｗ−Ｓ合金膜２の表面が微細凹凸面になっていることが好ましく、そのＸ線回折パターンがアモルファス状又は微結晶状であることが好ましい。 - 特許庁

Thus, two values before/after the first zero cross point after crossing the slice level in the eye pattern are obtained to restrict the amplitude of the difference signal DRF-S.例文帳に追加

これにより、アイパターンにおけるスライスレベルを横切った後の最初のゼロクロス点の前後における２つの値を求め、この値によって差信号ＤＲＦ−Ｓの振幅を制限する。 - 特許庁

The substrate body (52), the macro-optical characteristic s(54), and the micro-structures (56) cooperate, to cause the monolithic optical element to produce the optical output, giving a predetermined light distribution pattern, and aberrations are corrected.例文帳に追加

基体（５２）、マクロ光学的特徴（５４）及び微小構造（５６）は協働して、所定の光分布パターンを与える光出力をモノリシック光学要素に発生せしめ、収差を補正する。 - 特許庁

In a reflective lithographic projection apparatus, shifts of a mask pattern image in the scanning direction, which are caused by changes in the position of the mask pattern surface along the optical axis, are corrected by shifting the relative position(s) of the mask and/or a substrate in the scanning direction.例文帳に追加

反射型リソグラフィ投影機器において、光軸に沿ってマスクのパターン表面の位置が変動することによって生じるマスクのパターン像の走査方向のシフトを、マスクおよび／または基板の相対位置を走査方向にシフトすることによって補正する。 - 特許庁

Consequently, the thickness of an insulating layer 4 in the wiring pattern (T) 6 for measurement can be made to coincide with the thickness of the insulating layer 4 of the signal wiring pattern (S) 1 of the measuring object, so that measurement error of characteristic impedance due to difference of thickness of the insulating layers can be reduced.例文帳に追加

これにより、測定用配線パターン（Ｔ）６における絶縁層４の厚みを、測定対象信号配線パターン（Ｓ）１の絶縁層４の厚みに合わせることが可能となり、絶縁層の厚みの違いによる特性インピーダンスの測定誤差を低減できる。 - 特許庁

The silicon mask M for depositing a thin film having a prescribed pattern for a substrate to be formed with the film has an opening 20 corresponding to the prescribed pattern and a detection section 15 where the forming state when forming the opening 20 is detectable on a silicon base material S.例文帳に追加

被成膜基板に対して所定パターンを有する薄膜を形成するためのシリコンマスクＭが、シリコン基材Ｓ上に、所定パターンに対応する開口部２０と、開口部２０を形成する際の形成状態を検知可能な検知部１５と、を備える。 - 特許庁

In a image forming apparatus, a sensor 8 makes an S-wave incident as a measuring beam to an intermediate transfer belt 4 (a substrate of the intermediate transfer belt 4 or a toner pattern 41 on the intermediate transfer belt 4), and detects a P-wave component and an S-wave component of reflected light from the intermediate transfer belt 4.例文帳に追加

画像形成装置において、センサ８は、測定光としてＳ波を中間転写ベルト４（中間転写ベルト４の下地、または中間転写ベルト４上のトナーパターン４１）へ入射させ、中間転写ベルト４からの反射光のＰ波成分とＳ波成分とを検出する。 - 特許庁

A bit plane coding pass generation section reads data on whether it is a predetermined area or is significant (S) or non-significant (N) at the periphery from a memory when processing quantization coefficients for each coding block that is divided by a bit plane by the SP passes, which is compared with an S/N matching pattern.例文帳に追加

ビットプレーン符号化パス生成部は、ビットプレーンに分割された符号ブロック毎の量子化係数をＳＰパスで処理する際に、予め定めたエリア及びその周囲における有意（ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔ：Ｓ）か否か（ｎｏｎ−ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔ：Ｎ）のデータをメモリから読み出し、これをＳ／Ｎマッチングパターンと比較する。 - 特許庁

A speech speed detecting section 6 conducts voice recognition of inputted voice signals, obtains the length of time of the recognized voice signals, compares the time length and the time length of a standard pattern, obtains a time length ratio S of these lengths and supplies the ratio S to an adaptive speech speed conversion control section 8.例文帳に追加

入力された音声信号に基づいて、話速検出部６にて音声認識し、認識した音声信号の時間長を求め、さらにこの時間長と標準パターンの時間長を比較して時間長比Ｓを求め、これを適応話速変換制御部８へ与える。 - 特許庁