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patterned substrateの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 910件
A semiconductor device comprises a semiconductor layer formed on a substrate, an insulating layer, the semiconductor layer while is so patterned as to expose a part of the semiconductor layer, a barrier layer formed over parts of the exposed insulating layer and semiconductor layer, and a conductive layer formed on the barrier layer.例文帳に追加
半導体デバイスは、基板上に形成された半導体層と、半導体層上に形成され、半導体層の一部を露出させるようにパターニングされた絶縁層と、絶縁層および半導体層の露出部分上に形成されたバリア層と、バリア層上に形成された導電層とを含んでいる。 - 特許庁
To provide a glass substrate with a circuit pattern which can be finely patterned and can keep down a manufacturing cost and reduce the effects on the environment without using a large amount of chemicals such as a developer and an etchant, and never cause laser irradiation defects, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
微細なパターニングが可能であり、大量の現像液やエッチング剤等の薬液等を使用せず製造コストおよび環境負荷を抑制すること等ができ、さらにレーザ照射欠陥が生じない、回路パターンを有するガラス基板の製造方法、およびこれにより製造される回路パターンを有するガラス基板の提供。 - 特許庁
The lithographic equipment has a radiation system for providing a projection beam of radiation, a support structure for supporting the patterning means that patterns the projection beam according to a desired pattern, a substrate table for holding a substrate, a projection system for projecting the patterned beam onto a target area on the substrate, and an interferometer system to help positioning an object in the equipment, wherein the interferometer system performs position measurement.例文帳に追加
リソグラフィ投影装置であって、放射線の投影ビームを供給するための放射線システムと、所望のパターンに従って投影ビームをパターン化する働きをするパターニング手段を支持するための支持構造と、基板を保持するための基板テーブルと、基板の目標部分上にパターン化されたビームを投影するための投影システムと、装置内での対象物の位置決めを助ける干渉計システムとを備えていて、干渉計システムが位置測定を行うように配置されているリソグラフィ投影装置。 - 特許庁
There is disclosed the immersion lithographic apparatus which includes: a projection system configured to direct a patterned beam of radiation on a substrate supported by a table; a liquid handling system configured to supply and confine the immersion liquid to a space defined between a projection system and the table or a substrate, or both of them; and a controller to control a moving speed of the table relative to liquid handling on the basis of a distance between moving direction switches.例文帳に追加
パターン付放射ビームをテーブルによって支持された基板上に誘導するように構成された投影システムと、投影システムとテーブル、又は基板、あるいはその両方との間に画定された空間に液浸液を供給し閉じ込めるように構成された液体ハンドリングシステムと、移動方向転換の間の距離に基づいて液体ハンドリングに対するテーブルの移動速度を制御するコントローラとを含む液浸リソグラフィ装置が開示される。 - 特許庁
A method for manufacturing semiconductor includes a step for forming a substrate, a step for sticking a polysilicon layer on the substrate, a step for sticking the photoresist layer on the polysilicon layer, a step for patterning the photoresist layer, a step for sticking an inorganic material layer which is conformable and not photosensitive on the patterned photoresist layer, and a step for etching anisotropically the inorganic material layer and a semiconductor material layer.例文帳に追加
基板を形成するステップと、前記基板上にポリシリコン層を被着させるステップと、前記ポリシリコン層上にフォトレジスト層を被着させるステップと、前記フォトレジスト層をパターン形成するステップと、前記パターン形成したフォトレジスト層上に共形かつ非感光性の無機材料層を被着させるステップと、前記無機材料層および半導体材料層に異方性エッチングを施すステップとを含むことを特徴とする半導体製造方法である。 - 特許庁
In another embodiment, a method for process integration in manufacture of a photomask includes depositing a hard mask on a substrate in a first processing chamber, depositing a resist layer on the substrate, patterning the resist layer, etching the hard mask through apertures formed in the patterned resist layer in a second chamber, and etching a chromium layer through apertures formed in the hard mask in a third chamber.例文帳に追加
別の実施形態では、フォトマスク製造におけるプロセス集積方法は、第1の処理チャンバにおいて基板上にハードマスクを堆積するステップと、レジスト層を該基板上に堆積するステップと、該レジスト層をパターニングするステップと、第2のチャンバにおいて該パターニング済みレジスト層上に形成されたアパーチャを介して該ハードマスクをエッチングするステップと、第3のチャンバにおいて該ハードマスクに形成されたアパーチャを介してクロム層をエッチングするステップと、を含んでいる。 - 特許庁
A solar cell manufacturing method includes the steps of coating a front surface of a semiconductor substrate with a dispersing agent containing either a p-type dopant or an n-type dopant, performing heat treatment on the dispersing agent to solidify the dispersing agent, partially removing and patterning the solidified dispersing agent, and dispersing the dopant from the patterned dispersing agent to form a dispersion layer on the front surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体基板の表面上にp型ドーパントまたはn型ドーパントのいずれか一方を含む拡散剤を塗布する工程と、拡散剤を熱処理することによって固化させる工程と、固化した拡散剤の一部を除去して拡散剤をパターンニングする工程と、パターンニングされた拡散剤からドーパントを拡散させることにより半導体基板の表面に拡散層を形成する工程と、を含む、太陽電池の製造方法である。 - 特許庁
In the method of manufacturing the patterned media having a substrate, the porous layer existing on the substrate and having a plurality of pores nearly vertical to the surface of the substrate and the magnetic material filled in the pores, the magnetic material is filled in the pores by pouring a supercritical fluid or a subcritical fluid in the pores using the supercritical fluid or the subcritical fluid containing magnetic material containing particles.例文帳に追加
基板と、前記基板上にあり、前記基板面に対して略垂直な複数の細孔を有する多孔質層と、前記細孔内に充填された磁性体と、を有するパターンドメディアを製造する方法であって、前記磁性体を前記細孔内に充填する際に、磁性体含有粒子を含む超臨界流体または亜臨界流体を用い、前記超臨界流体または亜臨界流体を前記細孔内に流入させることで前記磁性体を前記細孔内に充填することを特徴とするパターンドメディア製造方法。 - 特許庁
When solid-state imaging devices 10, 10A, or 10B having pixel portions separated by an element area region 13 is manufactured, a part to become an active region is patterned and ion injection using the active pattern as a mask 19 is performed on a semiconductor substrate 11 to form a part or the whole of the ion injection region as the element separation region 13.例文帳に追加
素子分離領域13により画素部間が分離された固体撮像装置10、10Aまたは10Bを製造する際に、能動領域となる部分をパターニングして、このアクティブパターンをマスク19として半導体基板11上にイオン注入を行うことにより、イオン注入領域の一部または全域を素子分離領域13とする。 - 特許庁
The electronic device on which an electronic circuit is formed comprises a substrate 11 having a circuit forming surface 11a on which an electronic circuit 12 constituting a part of the aforementioned electronic circuit is formed, a polyimide layer 15 formed on the circuit forming surface 11a, and a spiral inductor 20 patterned on the polyimide layer 15 and constituting a part of the aforementioned electronic circuit.例文帳に追加
電子回路が形成される電子装置であって、前記電子回路の一部を構成する電子回路12が回路形成面11a上に形成された基板11と、回路形成面11a上に形成されたポリイミド層15と、ポリイミド層15上にパターン形成されており前記電子回路の一部の回路を構成するスパイラルインダクタ20とを設ける。 - 特許庁
A first hydrogen barrier film 101, a lower electrode film 30, a ferroelectric film 4, an upper electrode film 50 and a second hydrogen barrier film 102 are successively deposited on a silicon substrate 1 through an insulating film 2, and an upper electrode 5 is patterned by successively etching the hydrogen barrier film 102 and the upper electrode film 50 while using a mask 103.例文帳に追加
シリコン基板1上に絶縁膜2を介して、第1の水素バリア膜101、下部電極膜30、強誘電体膜4、上部電極膜50及び第2の水素バリア膜102を順次堆積し、マスク103を用いて水素バリア膜102及び上部電極膜50を順次エッチングして上部電極5をパターン形成する。 - 特許庁
The mask blank comprises a thin film formed on a substrate for forming a mask pattern, and a resist film formed above the thin film, and is characterized in that the patterned resist film is prevented from collapsing upon developing the resist film for patterning by inserting a deposition layer joined with the thin film and the resist film.例文帳に追加
基板上に成膜されたマスクパターンを形成するための薄膜と、この薄膜の上方に成膜されたレジスト膜を備えるマスクブランクであって、 前記薄膜と前記レジスト膜とに接合した付着層を介挿することにより、前記レジスト膜をパターン形成する際の現像に際し、パターン形成されたレジスト膜の倒れを防止することを特徴とする。 - 特許庁
When a recessed part formation area for shifter part formation is patterned, photoresist is applied on one surface of a substrate directly or via a metal film, the recessed part formation area of the photoresist is selectively exposed by a photorepeater, and further development processing is carried out to form a resist pattern having the recessed part formation area opened.例文帳に追加
シフター部形成用の掘り込み部形成領域のパタンニングの際、フォトレジストを、基板の一面上に、直接あるいは金属膜を介して塗布形成し、フォトリピータで、前記フォトレジストの掘り込み部形成領域を選択的に露光し、更に現像処理を施し、掘り込み部形成領域を開口したレジストパタンを形成するレジストパタン形成工程を有す。 - 特許庁
The CSP semiconductor device 1 is patterned in a grid pattern by Cu posts 1h, each serving as a post-electrode connected via connection terminals and bumps formed on the mounting substrate to the bottom surface of a resin seal section 1k in which semiconductor chips are sealed, mounted at each of intersections of sets of equally spaced parallel lines perpendicular to each other.例文帳に追加
CSPの半導体装置1は、半導体チップが封止された樹脂封止部1kの底面に、実装基板に形成された接続端子とバンプを介在させて接続されるポスト電極であるCuポスト1hが、互いに直交する等間隔の平行線の各交点に設けられていることで格子状に配設されている。 - 特許庁
A method of etching a chromium layer comprises the steps of providing a substrate having a chromium layer partially exposed from a patterned carbon hard mask into a processing chamber; providing a process gas containing chlorine and carbon monoxide into an etching chamber; maintaining plasma of the process gas; and etching the chromium layer through the hard mask layer.例文帳に追加
クロム層をエッチングする方法は、パターン化された炭素ハードマスクから部分的に露出するクロム層を有する基板を処理チャンバ内に提供するステップと、塩素および一酸化炭素を含有するプロセスガスをエッチングチャンバの中に提供するステップと、プロセスガスのプラズマを維持するステップと、クロム層を炭素ハードマスク層を介してエッチングするステップとを含む。 - 特許庁
This manufacturing method of the semiconductor device comprises (a) a step of forming the rare metal layer on a semiconductor substrate provided with the semiconductor device, (b) a step of forming a TaO film on the rare metal layer, (c) a step of patterning the TaO film using a resist pattern, and (d) a step of patterning rare metal layer using the patterned TaO film.例文帳に追加
半導体装置の製造方法は、(ア)半導体素子を形成した半導体基板上にレアメタル層を形成する工程と、(イ)前記レアメタル層上にTaO膜を形成する工程と、(ウ)前記TaO膜をレジストパターンを用いてパターニングする工程と、(エ)前記パターニングされたTaO膜を用いて前記レアメタル層をパターニングする工程とを含む。 - 特許庁
An insulation layer is formed between pixel electrodes patterned on a translucent substrate, and a hole transport ink with a hole transport material dissolved or stably dispersed in a solvent by letterpress printing is printed on the pixel electrodes between from protruded parts of a letterpress to form the hole transport layer.例文帳に追加
透光性基板上のパターニングされた画素電極の間に絶縁層を形成し、凸版印刷法により正孔輸送材料を溶媒に溶解または安定に分散させた正孔輸送インキを凸版の凸部から絶縁層の間にある画素電極に印刷し正孔輸送層を形成することにより、上記課題を解決することができた。 - 特許庁
Insulation layers are formed among the patterned pixel electrodes on the substrate, and the hole transport layer is formed by printing hole transport ink prepared by dissolving or stably dispersing a hole transport material in a solvent on the pixel electrodes located among the insulation layers from projecting parts of a relief printing plate by a relief printing method.例文帳に追加
基板上のパターニングされた画素電極の間に絶縁層を形成し、凸版印刷法により正孔輸送材料を溶媒に溶解または安定に分散させた正孔輸送インキを凸版の凸部から絶縁層の間にある画素電極に印刷し正孔輸送層を形成することにより、上記課題を解決することができた。 - 特許庁
The liquid crystal display device, which includes first and second substrates, open portions located on the second substrate and corresponding to pixel regions, a black matrix having holes disposed adjacent to the open portions, color filter layers formed on the black matrix, and patterned spacers located between the first and second substrates so as to correspond to the holes, is provided.例文帳に追加
第1基板、第2基板と;前記第2基板上に位置して、画素領域に対応するオープン部と、前記オープン部に近接するように位置するホールがあるブラックマトリックスと;前記ブラックマトリックス上に形成されたカラーフィルター層と;前記第1基板、第2基板間で、前記ホールと対応するように位置するパターン化スペーサーを含む液晶表示装置を提供する。 - 特許庁
The distance T2 of a pixel electrode 103 from wiring 102 and a lower electrode 107 is designed smaller than the maximum dimensional change quantity T1 of a resin substrate 106 during manufacturing a liquid crystal display device, and the wiring 102, lower electrode 107 and pixel electrode 103 are patterned at a time in one photoetching process based on the design.例文帳に追加
配線102および下部電極107と画素電極103との間隔T2を、液晶表示装置の製造程時における樹脂基板106の最大寸法変化量T1よりも小さく設計し、この設計に基づいて、配線102と下部電極107と画素電極103とを、一回のフォトエッチング工程によって同時にパターン形成する。 - 特許庁
The semiconductor device has an evaluating element 5ab for inspection which is formed by double exposure by second exposure on a peripheral edge of at least one chip region 1 patterned by first exposure in a wafer-like semiconductor substrate, and electrically measures the alignment shift amount in horizontal and vertical directions in the first and second exposures.例文帳に追加
半導体装置は、ウェハ状の半導体基板における、第1の露光でパターニングされる少なくとも1つのチップ領域1の周縁部に、第2の露光によって二重露光されてなり、第1の露光及び第2の露光における縦方向又は横方向の互いの位置の合わせずれ量を電気的に測定する検査用評価素子5abを有している。 - 特許庁
When an insulation layer 3 is formed between pixel electrodes 2 which is patterned on the substrate, and transport materials are printed by letterpress printing method and hole transport inks are printed on a pixel electrode 2 which exists between the insulation layers 3 from the convex parts 32 of letterpress printing 30, the convex parts 32 of letterpress printing 30 is made to have an inside-protruded shape.例文帳に追加
基板上のパターニングされた画素電極2の間に絶縁層3を形成し、凸版印刷法により正孔輸送材料を溶媒に溶解または安定に分散させた正孔輸送インキを凸版30の凸部32から絶縁層3の間にある画素電極2に印刷する場合、凸版30の凸部32を中凸形状にする。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an array substrate for a liquid crystal displaying apparatus that can form a low molecular organic semiconductor material with very weak moisture resistance, without using a shadow mask, by a micro pattern that is adjustable up to several μm, and then utilizes the low molecular organic semiconductor material without damaging a micro patterned low molecular organic semiconductor layer.例文帳に追加
本発明は、水分に非常に弱い特性を有する低分子有機半導体物質をシャドーマスクを利用しないで数μmまで調節可能な微細パターンで形成することができ、微細パターンされた低分子有機半導体層の損傷なしに低分子有機半導体物質を利用した液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a negative photosensitive resin composition for forming a hardened film with excellent transparency and heat resistance as a flattening film of a TFT substrate in an organic field emission element or a liquid crystal display element, an insulation film of a semiconductor device, or an optical material such as a core and a clad material in an optical waveguide, and for forming a patterned hardened film with excellent sensitivity.例文帳に追加
有機電界発光素子や液晶表示素子などにおけるTFT基板用平坦化膜や半導体素子の絶縁膜、光導波路のコアやクラッド材などの光学材料などとして透明性、耐熱性に優れた硬化膜、および感度に優れたパターン硬化膜形成が可能なネガ型感光性樹脂組成物を得ること。 - 特許庁
As a barrier rib formation process to form the barrier rib 110 on a rear substrate of the PDP, a first process to form a barrier rib forming material layer 120, a second process to pattern the barrier rib forming material layer 120, and a third process to form the barrier rib 110 by calcining the patterned barrier rib forming material layer 120 are implemented.例文帳に追加
PDPの背面基板103に隔壁110を形成する隔壁形成工程として、隔壁形成材料層120を形成する第1工程と、隔壁形成材料層120をパターニングする第2工程と、パターニングされた隔壁形成材料層120を焼成して隔壁110を形成する第3工程と、を実施する。 - 特許庁
To solve the problem wherein, in a conventional solid-state imaging device in which a single-layer silicon oxide film formed on a semiconductor substrate is patterned into a prescribed shape by wet etching to form a field insulation film, a short circuit between electrodes is easily caused on a side face (etching face) of the field insulation film when forming various electrodes by patterning a conductive film by etching.例文帳に追加
半導体基板上に形成した単層のシリコン酸化膜をウェットエッチングにより所定形状にパターニングしてフィールド絶縁膜を形成する従来の固体撮像素子では、導電膜をエッチングによってパターニングして種々の電極を形成する際に、フィールド絶縁膜の側面(エッチング面)上において電極同士の短絡が生じやすい。 - 特許庁
In the manufacturing method of the magnetic recording medium, the magnetic film is formed on a substrate, a resist is applied on the magnetic film, a stamper is imprinted to the resist to transfer a rugged pattern and the magnetic film is worked by ion-milling to form a magnetic film pattern while the resist residue is left in the recessed part of the patterned resist after the stamper is removed.例文帳に追加
基板上に磁性膜を形成し、前記磁性膜上にレジストを塗布し、前記レジストに対してスタンパをインプリントして凹凸パターンを転写し、前記スタンパを除去した後、パターン化されたレジストの凹部にレジスト残渣を残したままイオンミリングにより前記磁性膜を加工して磁性膜パターンを形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 特許庁
A resist film is patterned precisely on a substrate, a hydrophilized film is formed in an opening of the resist film, GO (graphene oxide) is selectively and chemically bonded/fixed to only a portion of the hydrophilized film by means of the hydrophilicity of the GO and the bonded/fixed GO is deoxidized to obtain such the graphene structure that the graphene is fixed selectively to only the portion of the hydrophilized film.例文帳に追加
基板上にレジスト膜を精度よくパターニングし、そのレジスト膜の開口内に親水化膜を形成した後、GOが親水性を有することを利用して、親水化膜の部分にのみ、GOを選択的に化学的に結合させて固定化し、更にそのGOを還元して親水化膜の部分にのみグラフェンが選択的に固定化されたグラフェン構造体を得る。 - 特許庁
When balls such as solder balls are mounted on substrates 400 to be mounted, a cutting process of cutting a multiple patterning substrate 500 patterned with the plurality of substrates 400 to divide into the respective substrates 400 and electric inspection on the respective substrates 400 are performed in predetermined order, and balls are mounted only on substrates 400 determined as conforming articles through the electric inspection.例文帳に追加
搭載対象の基板400に半田ボール等の球状体を搭載する際に、基板400が複数面付けされた多面付け基板500を切断して各基板400に分割する切断処理、および各基板400に対する電気的検査を所定の順序で実行し、電気的検査において良品と判別された基板400にのみ球状体を搭載する。 - 特許庁
To provide a method for forming a metal oxide thin film pattern by applying a photosensitive metal-organic material precursor solution onto a substrate without using a photosensitive prepolymer resin and directly patterning a coating film layer of the applied solution by a nanoimprint system and to provide the metal oxide thin film pattern patterned directly by this forming method and a method for producing an LED element including a photonic crystal layer by using this forming method.例文帳に追加
本発明は、感光性プレポリマーレジンを使用せずに、感光性金属有機物前駆体溶液を基板に塗布して、ナノインプリント方式で直接パターニングする金属酸化薄膜パターンの形成方法、当該形成方法によって直接パターニングされた金属酸化薄膜パターン、および、当該形成方法によって光結晶層を含むLED素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a radiation-sensitive resin composition excellent in heat-resistant shape retention of an obtained resin film, having a wide temperature margin in melt flow when a patterned resin film is formed, and suitably usable also as a resist material, a laminate comprising a substrate and a resin film comprising the radiation-sensitive resin composition laminated thereon, and a method for producing the laminate.例文帳に追加
得られる樹脂膜の耐熱形状保持性に優れ、パターン化樹脂膜を形成する際のメルトフロー時の温度マージンが広く、しかもレジスト材としても好適に用い得る感放射線性樹脂組成物、基板とこの上に積層された前記感放射線性樹脂組成物からなる樹脂膜とからなる積層体、及び、この積層体の製造方法を提供すること。 - 特許庁
The color filter is characterized by comprising coloring pixels 14 disposed on a transparent substrate 10 and patterned with a plurality of colors and having a dot pattern with a number of parts where no coloring part constituting the coloring pixel exist (transparent non-coloring parts 16) formed inside at least a certain segment in the pixel in the layer thickness direction or in the layer formation direction of the coloring pixel.例文帳に追加
透明基板10上に設けられた複数色パターン化されている着色画素14中の一画素内の少なくとも一部の領域内に、着色画素の層厚み方向又は層形成面方向に着色画素を構成する着色部が存在しない部分(透明無着色部16)を多数有する網点状パターンが形成されていることを特徴とするカラーフィルター。 - 特許庁
A process of manufacturing a semiconductor device that comprises a step of implementing plasma-etching 250 through a patterned hardmask layer 210 located over a semiconductor substrate 225, and forming a modified layer 210a on the hardmask layer 210; and a step of removing at least a substantial portion of the modified layer 210a by performing a post plasma clean process on the modified layer 210a.例文帳に追加
半導体基板225の上に位置するパターニングされたハードマスク層210を通してプラズマエッチング250を行い、ハードマスク層210上に変性層210aを形成する工程と、変性層210aに対してポストプラズマ洗浄プロセスを行い変性層210aの少なくとも実質的な部分を除去する工程とを備える、半導体装置を製造するプロセスを提供する。 - 特許庁
This manufacturing method of the wiring board includes a process for forming a plurality of patterned wiring on a substrate, a process for depositing the insulating film on the wiring, a process for arranging the wiring in environment for allowing the wiring to be subjected to etching treatment, and a process for forming a conductive layer for electrically connecting the wiring to a contact hole provided in the insulating film.例文帳に追加
基板上に、パターニングされた複数の配線を形成する工程と、前記配線上に絶縁膜を成膜する工程と、前記基板を、前記配線をエッチング処理する環境に配置する工程と、前記配線と、前記絶縁膜に設けたコンタクトホールを介して電気的に接続する導電層を形成する工程と、を備えた配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
This metal mold for molding a plastic disk substrate has cooling waterways 1c formed dispersively inside, the cooling waterways are so patterned that the distance (h) from the surface of a stamper 1b is 5 to 30 mm and the groove width (d) is 5 to 20 mm, and the pattern of the cooling waterways, is formed as concentric annular grooves.例文帳に追加
プラスチック製ディスク基板を作製する成形金型において、金型1の内部に複数条の冷却水路1cを分散形成するものとし、かつその冷却水路のパターンをスタンパ1bの表面からの距離hを5〜30mmの範囲に、また溝幅dを5〜20mmに設定し、かつ各冷却水路のパターンを同心円状に並ぶ環状溝として形成する。 - 特許庁
To provide an organic EL element and an organic EL display which are superior in display quality in which organic light-emitting layer is made to emit light by forming a hole transport layer only on a pixel electrode which is patterned on the substrate, where light emission unevenness due to omission of printing is less at the brim part where a barrier rib and a pixel electrode contact.例文帳に追加
有機発光層に電流を流すことにより有機発光層を発光させる有機ELディスプレイパネルにおいて、基板上にあるパターニングされた画素電極上のみに正孔輸送層を形成し、隔壁と画素電極が接する縁部の印刷抜けによる発光ムラの少ない、表示品位のすぐれた有機EL素子及び有機ELディスプレイを提供する。 - 特許庁
To provide a photosensitive resin composition for a resistance element which can be patterned with high accuracy and can be cured at a lower temperature than a conventional curing temperature, and to provide a laminate using the same and an element embedded substrate with a high-accuracy resistance element formed using the photosensitive resin composition for a resistance element.例文帳に追加
精度の高いパターニングをすることのできる抵抗素子用感光性樹脂組成物であって、従来の硬化温度よりも低い温度で硬化できる抵抗素子用感光性樹脂組成物及びこれを用いた積層体と、この抵抗素子用感光性樹脂組成物を用いて精度の高い抵抗素子を形成した素子内蔵基板を提供することを課題とする。 - 特許庁
In the reflective color filter that has more than two kinds of patterned color pixels with alternate hues on a substrate, at least one of the color pixels should be a red pixel including quinacridone red pigment and x value should be more than 0.37 when the red pixel is displayed with an xy display system measured with a D65 light source.例文帳に追加
基板上に色相が相互に異なる2種以上のパターン化された着色画素を有する反射型カラーフィルタにおいて、前記着色画素の少なくとも1種が、キナクリドン系赤色顔料を含有する赤色画素であり、かつ前記赤色画素をD65光源で測定したxy表示系で表したときのx値が0.37以上であることを特徴とする反射型カラーフィルタである。 - 特許庁
After a poly-Si layer 4 is located on a silicon substrate 1 including an upper surface of a field-oxide film 3, the poly-Si layer 4 is patterned, thereby, the poly-Si layer 4a remains in a region constituting a gate electrode in a MOSFET-formed region and a poly-Si layer 4b also remains in a poly-Si resistive-element-formed region.例文帳に追加
フィールド酸化膜3の上を含むシリコン基板1の上にPoly−Si層4を配置したのち、Poly−Si層4をパターニングすることで、MOSFET形成領域のうちゲート電極を構成する領域においてPoly−Si層4aを残すと共に、Poly−Si抵抗体形成領域においてPoly−Si層4bを残す。 - 特許庁
After an n-type AlInP clad layer 11, an active layer 12 having a multiple quantum well structure, a p-type AlInP clad layer 13, and a p-type GaAs layer 14 are grown in sequence on an n-type GaAs substrate via an n-type GaAs etching stop layer, those layers are patterned through dry etching using a resist pattern 19 having a rectangular plane shape as a mask.例文帳に追加
n型GaAs基板上にn型GaAsエッチングストップ層を介してn型AlInPクラッド層11、多重量子井戸構造を有する活性層12、p型AlInPクラッド層13およびp型GaAs層14を順次成長させた後、長方形の平面形状を有するレジストパターン19をマスクとしてこれらの層をドライエッチングによりパターニングする。 - 特許庁
The exposed photoresistor is developed, and the vacuum-deposited two layers of gold (platinum) and titanium (chromium) around the patterned photoresistor are etched in order, and then the desired pattern surface is made smooth by etching the glass surface, and after removing titanium (chromium) and gold (platinum), a nickel plating layer is laminated on a glass substrate, and the nickel plating layer is released from a mold to produce a master.例文帳に追加
露光された前記フォトレジスタを現像し、2層に真空蒸着されたゴールド(白金)、チタニウム(クロム)をパターニングされたフォトレジスタを中心に順次にエッチングした後、ガラス表面をエッチングして所望のパターン表面を滑らかにし、チタニウム(クロム)、ゴールド(白金)を除去してからガラス基板にニッケル鍍金層を積層し、ニッケル鍍金層を離型させてマスターを製作する。 - 特許庁
For an insertion molding sheet wherein a design patterned layer comprising a design part and a transparent window part is formed on a substrate sheet and an overcoat layer is formed on a most front surface, a total luminous transmittance of the design part is ≤ 2%, a total luminous transmittance of the transparent window part is 70-95% and the overcoat layer comprises an uncured ionizing radiation cured resin.例文帳に追加
基体シート上に絵柄部と透明窓部からなる絵柄パターン層が形成され、最表面にオーバーコート層が形成されているインサート成形用シートであって、絵柄部の全光線透過率が2%以下であり、透明窓部の全光線透過率が70〜95%であり、かつオーバーコート層が未硬化の電離放射線硬化樹脂からなるインサート成形用シート。 - 特許庁
The electronic circuit device 10 has a substrate 1, the wiring board 7 which has a wiring pattern 2 patterned in a predetermined shape and having terminals, and a chip capacitor 6 having electrodes 5 provided on both end sides of a body portion 4, and the electrodes 5 area electrically connected to the terminals through conductive junction films 3.例文帳に追加
電子回路装置10は、基板1と、所定形状にパターニングされ、端子を備える配線パターン2とを有する配線基板7と、本体部4の両端側に設けられた電極5を備えるチップコンデンサ6とを有しており、電極5が導電性を有する接合膜3を介して端子と電気的に接合されることにより、チップコンデンサ6は配線基板7に固定されている。 - 特許庁
The manufacturing method of the patterned ferroelectric medium comprises a process of forming a feature of a prescribed pattern being a precursor for manufacturing a ferroelectric film on an electrode formed on a substrate, and a process of converting a precursor feature to a ferroelectric substance by making a source substance which forms the ferroelectric substance by reacting with the precursor react with the precursor.例文帳に追加
基板上に形成された電極上に強誘電膜の製造のための前駆体で所定パターンのフィーチャーを形成する工程と、前駆体と反応して強誘電物質を形成するソース物質を前駆体と反応させて、前駆体フィーチャーを強誘電性の物質に変換する工程と、を含むパターンされた強誘電体媒体の製造方法である。 - 特許庁
The patterned metal oxide thin film or metal oxide composite thin film is formed by using the composition for a metal oxide thin film prepared by dissolving a metal salt of unsaturated carboxylic acid having at least 9 carbon atoms in a solvent, applying the obtained composition on a substrate, irradiating the composition with light, etching with a solvent and then calcining.例文帳に追加
少なくとも炭素数が9以上の不飽和カルボン酸の金属塩を溶媒中に溶解させた金属酸化物薄膜用組成物を用い、この金属酸化物薄膜用組成物を基板に塗布し、光照射して、溶剤によるエッチング後に焼成することにより、パタ−ン化された金属酸化物薄膜または金属酸化物複合体薄膜を形成する。 - 特許庁
A first high-speed transmission path substrate 1 with a strip line structure comprises a first sheet type elastomer 1A having a constant dielectric constant, a plurality of conductive first strip type elastomer 1B that are arranged on both ends of the first sheet type elastomer 1A, and a plurality of patterned high-speed transmission paths 1C for connecting both ends of the first strip type elastomers 1B.例文帳に追加
ストリップライン構造の第1高速伝送路基板1は、一定の誘電率を有する第1シート状エラストマ1Aと、第1シート状エラストマ1Aの両端に配列される導電性の複数の第1短冊状エラストマ1Bと、第1短冊状エラストマ1Bの両端間を接続するパターン形成された複数の第1高速伝送路1Cと、を構成する。 - 特許庁
The process for fabricating a semiconductor device comprises steps of: forming a recognition mark which defines a region for forming a well in a semiconductor substrate; forming a mask patterned to open the well forming region by using the recognition mark; introducing impurities into the well forming region; performing heat treatment for forming a well by diffusing impurities; and forming an isolation region in the semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体基板にウェルを形成するためのウェル形成領域を規定する認識マークを形成する認識マーク形成工程と、認識マークを用いて、ウェル形成領域が開口されているようにパターン形成されたマスクを形成するマスク形成工程と、ウェル形成領域に不純物を導入する不純物導入工程と、不純物を拡散させてウェルを形成するための熱処理をする熱処理工程と、半導体基板に素子分離領域を形成する素子分離領域形成工程と、を有する。 - 特許庁
The method of producing a patterned body includes an energy irradiation step for forming a wettability change pattern having a reduced contact angle with water on a resin substrate by arranging a photocatalyst containing layer containing a photocatalyst and a photocatalyst containing layer of a substrate on the photocatalyst containing layer side having a base, and a resin base material having water repellency to face each other and then radiating energy in a pattern.例文帳に追加
上記目的を達成するために、本発明は、光触媒を含有する光触媒含有層および基体を有する光触媒含有層側基板の光触媒含有層と、撥水性を有する樹脂製基材とを対向させて配置し、パターン状にエネルギーを照射することにより、前記樹脂製基材上に水との接触角が低下した濡れ性変化パターンをパターン状に形成するエネルギー照射工程を有することを特徴とするパターン形成体の製造方法を提供する。 - 特許庁
The method includes the steps of: depositing a hydrophilic material layer on a substrate; depositing a bank material layer on the hydrophilic material layer; patterning the bank material layer to define a bank forming one or more of the droplet deposition wells; and etching the hydrophilic material layer in a self-aligned process using the patterned bank material layer as a resist.例文帳に追加
前記方法は、基板上に親水性材料層を堆積させる工程、前記親水性材料層の上にバンク材料層を堆積させる工程、前記バンク材料層をパターニングして1または2以上の前記液滴堆積ウェルを形成するバンクを規定する工程、前記パターニングされたバンク材料層をレジストとして使用して自己整合プロセス中において前記親水性材料層をエッチングする工程を含む。 - 特許庁
A photosensitive resin composition layer 3 is laminated on a substrate 1 (step 1), exposed through a patterned mask 4 (step 2) and developed (step 3) to form a resist image (step 4).例文帳に追加
基板1上に感光性樹脂組成物層3を積層し(工程1)、パターンマスクを介して露光(工程2)、現像(工程3)を行ってレジスト画像を形成(工程4)した後、該形成されたレジスト画像の凹部に低融点ガラスペースト等のパターン形成材料を埋め込み(工程5)、感光性樹脂組成物の硬化レジストをサンドブラスト加工により除去(工程6)した後、焼成炉を通して焼結することにより基板上にパターンが形成される(工程7)。 - 特許庁
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